本发明涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后，“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂，以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。
2022-04-08 13:59:22
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GaN技术的出现让业界放弃TWT放大器，转而使用GaN放大器作为许多系统的输出级。这些系统中的驱动放大器仍然主要使用GaAs，这是因为这种技术已经大量部署并且始终在改进。下一步，我们将寻求如何使用电路设计，从这些宽带功率放大器中提取较大功率、带宽和效率。
2019-09-04 08:07:56
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
都应通过这样的测试。依我看，JEDEC制定的标准应该涵盖这类测试。您说呢？” 客户的质疑是对的。为使GaN被广泛使用，其可靠性需要在预期应用中得到证明，而不是仅仅通过硅材料配方合格认证（silicon
2018-09-10 14:48:19
半导体材料可实现比硅基表亲更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，这些功能使得在各种电源应用中减少重量，体积和生命周期成本成为可能。 Si，SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
领域的热点。
如图1所示，GaN材料作为第三代半导体材料的核心技术之一，具有禁带宽度高、击穿场强大、电子饱和速度高等优势。由GaN材料制成的GaN器件具有击穿电压高、开关速度快、寄生参数低等优良特性
2023-06-25 15:59:21
随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是ESD敏感器件，静电防护必须渗透到生产全过程
2013-02-19 10:06:44
方向、提升了效率，以及具有更小的外形尺寸等优点。除开在烹饪的应用，让我们一起看看GaN技术的其他应用以及MACOM硅上GaN 技术的独特优势吧！其他应用除了烹饪行业之外，固态射频能量器件也将在工业干燥
2017-05-01 15:47:21
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中，一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。 相较于以往使用的硅晶体管，氮化镓 (GaN) 可以让全新的电源应用在同等的电压
2018-09-11 14:04:25
的较低电容可通过最大限度地减小寄生振铃并优化转换次数来将失真降到最低，从而有助于尽可能地较少噪声。在数据中心和服务器中，GaN减少了为云端供电的电源损耗。此外，GaN在缩小电源解决方案尺寸方面所具有的功能
2018-09-10 15:02:53
%)也被广泛研究，基于InGaN/GaN量子结构的发光二极管(LED)应用已在2014年获得诺贝尔奖，此类研究对于建立材料中杂质的光学指纹也非常有用，有助于表征与器件结构的生长有关。不同的生长技术
2021-07-08 13:08:32
) 和激光二极管 (LD)，并改进 III 族氮化物器件通过实现 III 族氮化物器件薄膜的同质外延生长，显着提高了性能。块状 GaN 单晶可以通过高压溶液生长 (HPGS) 生长，氢化物气相外延
2021-07-07 10:26:01
/index.html摘要：氮化镓 (GaN) 纳米线 (NW) 的器件近年来引起了很多兴趣。超薄 GaN NW 可用于制造许多用于未来通信和加密系统的新型器件，例如单光子发射器 (SPE)。传统的生长技术在可制造性
2021-07-08 13:11:24
面，其均方根粗糙度在蓝宝石衬底上生长的 GaN 的 16 nm 和尖晶石衬底上生长的 GaN 的 0.3 nm 之间变化。 虽然已经发现基于 KOH 的溶液可以蚀刻 AlN 和 InAlN，但之前没有
2021-07-07 10:24:07
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技 摘要：在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
电源开关的能力是 GaN 电源 IC 的一大优势，例如图 1(a) 。由于GaN层可以在不同的衬底上生长，早期的工作中采用了一些绝缘材料，如蓝宝石和碳化硅。然而，从早期的努力中可以明显看出
2021-07-06 09:38:20
的环节。主要功能是用模拟实现现实中的控制系统，即通过PC机终端控制网络中的设备动作，使人们不用探讨和理解协议的许多细节，快速创建了更好的集成环境，减少复杂性，允许非专业人员完成对植物生长箱的控制和操作
2015-11-02 10:47:44
的环节。主要功能是用模拟实现现实中的控制系统，即通过PC机终端控制网络中的设备动作，使人们不用探讨和理解协议的许多细节，快速创建了更好的集成环境，减少复杂性，允许非专业人员完成对植物生长箱的控制和操作
2015-11-06 09:46:34
半导体器件需要高度完美的晶体。但是即使使用了最成熟的技术，完美的晶体还是得不到的。不完美，就称为晶体缺陷，会产生不均匀的二氧化硅膜生长、差的外延膜沉积、晶圆里不均匀的掺杂层，以及其他问题而导致工艺
2018-07-04 16:46:41
达到这个要求。而基片集成波导(SIW)技术为设计这种滤波器提供了一种很好的选择。SIW的双膜谐振器具有一对简并模式，可以通过对谐振器加入微扰单元来使这两个简并模式分离，因此，经过扰动后的谐振器可以看作一
2019-07-03 07:08:15
认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN之间有什么区别？
2019-07-31 07:54:41
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
为何要用GaN技术来实现5G通信？
2020-12-29 07:30:12
晶体管（B）中的氮化物材料由外延片供应商IQE通过将200 mm的 p型硅片装入MOCVD室生长得到。 图3. （a）ITO和AlGaN/GaN异质结的能带图，在AlGaN/GaN异质结的界面处
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面对GaN在测试方面的挑战？
2021-05-06 07:52:03
什么是OSP膜？如何去分析新一代耐高温OSP膜的相关耐热特性？经过测试，OSP膜有什么优点？
2021-04-22 07:32:25
改变，从而影响锡须的生长速度。本文讨论在电子设备工程联合委员会（JEDEC）推荐的三个测试条件下进行的测试。在一定程度上，这些测试代表一些常见的实地应用条件。在测试结果的基础上研制减轻锡须生长的技术
2015-03-13 13:36:02
。LMG1210具有可调节的死区时间控制，可最大程度地减少第三象限损耗。请参见TI白皮书：使用LMG1210 GaN驱动器通过空载时间控制来优化效率。TI 在这些设计中使用了高效功率转换 eGaN功率器件。
2019-11-11 15:48:09
Qorvo 密切关注着新兴的5G 标准。令人兴奋的是，5G 可能包括适用于高数据带宽连接的毫米波(mmW) 功能。随着PC 电路板空间日益紧凑且5G 环境中的频率越来越高，氮化镓(GaN) 技术对于
2017-07-28 19:38:38
【作者】：张俊兵;林岳明;范玉佩;王书昶;曾祥华;【来源】：《光电子.激光》2010年03期【摘要】：采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001
2010-04-22 11:32:16
和电机控制中。他们的接受度和可信度正在逐渐提高。（请注意，基于GaN的射频功放或功放也取得了很大的成功，但与GaN器件具有不同的应用场合，超出了本文的范围。）本文探讨了GaN器件的潜力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驱动器件成功的关键并介绍了减小栅极驱动环耦合噪声技术。
2019-06-21 08:27:30
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
的频率交换意味着GaN可以一次转换更大范围的功率，减少复杂装置中的功率变换。由于每次功率变换都会产生新的能耗，这对于很多高压应用都是一项显著的优势。当然，一项已经持续发展60年的技术不会一夜之间被取代
2019-03-01 09:52:45
作为一项相对较新的技术，氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说，在知晓了非线性GaN模型的基本概念（非线性模型如何帮助进行
2019-07-31 06:44:26
频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术，由于其相对于硅材料所具有的优势，这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中，我们将比
2019-07-12 12:56:17
GaN技术实现快速充电系统
2023-06-19 06:20:57
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢？
2019-07-31 06:53:15
以及免执照5GHz频谱的使用等。 这些短期和中期扩容技术以及最终的5G网络将要求采用能提供更高功率输出和功效且支持宽带运行和高频频段的基站功率放大器 (PA)。 GaN on SiC的前景 历史上
2018-12-05 15:18:26
应用干膜防焊膜的步骤不看肯定后悔
2021-04-25 08:42:47
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
，具有（欧姆）漏极和源极接触，凹陷的p-GaN栅极（欧姆接触）和连接到漏极的p-GaN“栅极”结构。出于成本原因，晶体管通过MOCVD工艺生长在6英寸硅晶片的顶部。为了减小由Si和GaN的不匹配晶格
2023-02-27 15:53:50
InGaN/GaN多量子阱、如何减少内部光损耗以及如何增加空穴注入效率？ InGaN/GaN多量子阱作为GaN基激光器的有源区，其生长质量对于激光器性能十分重要。随着激射波长的增大，InGaN量子阱中
2020-11-27 16:32:53
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
同等的功率。由此便可以提高功率密度，帮助客户在不增大设计空间的同时满足更高的功率要求。更高的频率交换意味着GaN可以一次转换更大范围的功率，减少复杂装置中的功率变换。由于每次功率变换都会产生新的能耗
2020-10-27 10:11:29
印刷能得到很好的覆盖性，这为高密度的精细线条PCB的加工提供条件。通过表一可以说明湿膜的附着力： 湿膜与基材的接触性、覆盖性好，又采用底片接触式曝光，缩短了光程，减少了光的能损失、光散射引起的误差
2018-08-29 10:20:48
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗？
2021-04-19 09:22:09
请教一下大家，小弟是做半导体切割保护膜这块的业务员，专门销售蓝膜和UV膜的，想问下大家怎样才能找到更多的客源或者工厂名单呢，没业绩很惆怅啊。。。。。。。。。
2014-11-24 16:28:21
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
透明导电膜玻璃是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜而形成的组件。对于薄膜太阳能电池来说，由于中间半导体层几乎没有横向导电性能，因此必须使用透明导电膜玻璃有效收集
2019-10-29 09:00:52
本征半导体、杂质半导体 施主杂质、受主杂质 N型半导体、P型半导体 自由电子、空穴 多数载流子、少数载流子
2008-07-14 14:07:38
0 N型杂质/P型杂质,N型杂质/P型杂质是什么意思
半导体的导电能力取决于他们的纯度。完全纯净或本征半导体的导电能力很低，因为他们只含有很少的
2010-03-04 11:52:3312534 利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移
2011-04-14 13:29:3429 为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。
2011-12-01 10:13:101513 Felix Ejeckam于2003年发明了金刚石上的GaN，以有效地从GaN晶体管中最热的位置提取热量。其基本理念是利用较冷的GaN放大器使系统更节能，减少浪费。金刚石上的GaN晶片是通过GaN
2018-07-26 17:50:4814551 在本征半导体中掺入微量杂质形成杂质半导体后, 其导电性能将发生显著变化。按掺入杂质的不同,杂质半导体可分为 N 型半导体和 P 型半导体。 1. N 型半导体 如果在本征半导体硅(或锗) 中掺入
2018-10-23 14:52:0636723 典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33:0610616 Vapour Deposition，简称“RPCVD”）p-GaN技术以发展高性能Micro LED显示器原型。
2019-05-14 17:58:085217 澳大利亚半导体技术开发商BluGlass致力于在全球LED、Micro LED以及电子电力行业推动其突破性远程等离子化学气相沉积（Remote Plasma Chemical Vapour Deposition，简称“RPCVD”）半导体技术的商业化。
2020-04-15 10:12:02510 知名市场分析机构 Yole Développement（Yole）在其报告中表示，在过去的几年中，射频（RF）应用由于 GaN 技术的实施而得到了推动。但 GaN RF 市场的主要驱动力仍然是电信
2020-09-17 17:10:30864 
，最优质的单晶GaN是通过几种需要昂贵的一次性碳化硅（SiC）衬底的外延工艺生长而成的，这限制了其在包括消费电子产品在内的更广泛市场中的商业化。IBM TJ Watson研究中心科学家最近的一项发现可能会在称为直接范德华外延的单晶GaN薄膜生长过程中改变所有这些
2021-04-04 06:17:001404 
杂质度过滤机【恒美 HM-ZZ】由恒美乳品杂质度过滤机厂家专业生产提供牛奶杂质度过滤机技术服务，致力于杂质度过滤机【恒美 HM-ZZ】的研发与设计，质量可靠，【恒美仪器】专业打造乳品杂质度过滤仪，乳制品杂质度过滤机等大类产品，仪器操作简便，检测项目种类齐全，一站式的销售服务，欢迎来电咨询！
2021-08-27 10:36:12319 近年来智能快充市场爆火，GaN给智能快充领域带来不少新机会，同时也进入多个新应用场景。如何通过GaN更好地发展智能快充成为行业内广大厂商面临的重大挑战。
2022-07-14 14:44:10816 MasterGaN 将硅与 GaN 相结合，以加速创建下一代紧凑型高效电池充电器和电源适配器，适用于高达 400 W 的消费和工业应用。通过使用 GaN 技术，新设备可以处理更多功率，同时优化其效率。ST 强调了将 GaN 与驱动器集成如何简化设计并提供更高水平的性能。
2022-07-27 08:03:00317 
领先的公司，其使命是通过以最低的价格提供一流且可靠的器件，使 GaN 技术在市场上广泛应用。 Marcon 表示，我们
2022-07-29 15:51:05351 
越来越多的社会压力和越来越多的减少二氧化碳排放的立法正在推动从汽车到电信的行业投资于更高效的电力转换和增加电气化。传统的硅基功率半导体技术如绝缘栅双极晶体管（IGBT）在工作频率、速度方面存在根本性
2022-08-04 09:52:161079 
和通过/失败标准，以确保系统可靠性并加速市场发展。Witham 补充说，行业联盟正在努力克服差异——具有不同技术的供应商和具有不同商业利益的供应商——一些拥有硅和 GaN，一些只有 GaN，其他一些拥有硅、碳化硅和 GaN。
2022-08-05 08:05:03899 
氮化镓 (GaN) 开关技术推动了充电器和适配器的小型化。与使用等效硅器件的电路相比，它允许开发可以在高开关频率下运行的转换器。GaN 减小了变压器尺寸，提供了显着提高系统效率的解决方案，减少或消除了对散热器的需求。通过使用基于 GaN 的晶体管和 IC，设计人员一直在生产小型充电器。
2022-08-05 09:57:45596 
与此同时，总部位于澳大利亚的BluGlass正在开发一种称为远程等离子体化学气相沉积（RPCVD）的新型沉积技术，其不同于金属有机化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）——这两种技术更常用于生产VCSEL。
2022-12-12 15:24:39289 在化工塑料行业原材料，PVC粉浆中若夹杂各类杂质，同样会对下游客户产品生产质量或外观造成影响。尤其是针对一些高端客户，原料中杂质的多少将很大程度影响生产工艺和最终产品的品质。那么国辰基于此也有湿法
2023-02-01 15:52:57185 
研究进展，简要总结了外延材料表征技术的发展趋势， 为 GaN HEMT 外延层的材料生长和性能优化提供了反馈和指导。
2023-02-20 11:47:22877 衬底上实现高质量的外延生长GaN基材料。GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，生长GaN需要一定的生长温度，且需要一定的NH3分压。
2023-06-10 09:43:44682 HVPE（氢化物气相外延法）与上述两种方法的区别还是在于镓源，此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源，NH3为氮源，在衬底上以1000 ℃左右的温度生长出GaN晶体。
2023-06-11 11:11:32277 近日，由深圳大学和深圳信息职业技术学院组成的科研团队，研发出了“基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10:35531 
附录A4H-SiC中的不完全杂质电离附录《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：器件主控：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产
2022-05-09 17:24:36429 
”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3.1.2杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生
2022-01-06 09:38:25510 
5.3.2载流子寿命“杀手”5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.3.1.2杂质∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:40535 5.3.1.2杂质5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技术
2022-01-06 09:30:23552 GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25660 
利用GAN技术扶持5G5G:确定成功表
2023-09-27 14:37:46236 
深入了解 GaN 技术
2023-12-06 17:28:542595 
GaN 技术的过去和现在
2023-12-06 18:21:00432 
12月11日，外媒消息，韩国首尔国立大学与成均馆大学的研究团队联合开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法，通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列
2023-12-13 16:06:03402 
报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
外媒消息，韩国首尔国立大学与成均馆大学的研究团队联合开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法，通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列，并称作微盘阵列（Microdisks arrays）。
2023-12-18 10:07:15510
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