IGBT关断时，集电极电流Ic迅速减小到0，急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感，产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上，使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短，也可能对IGBT
2022-08-23 11:02:04
5420 
在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。 IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子（电子和空穴），从而控制IGBT的导通和关断。
2023-01-17 13:59:2912950 
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。
2023-03-15 09:23:39888 IGBT模块内部 杂散电感的定义 IGBT半桥逆变电路工作原理以及当IGBT1开通关断时的电压电流波形如图1所示，Lσ代表整个换流回路（条纹区域内）所有的杂散电感之和（电容器，母排，IGBT模块
2023-08-18 09:08:182225 
在IGBT模块的使用过程中，关断时刻的电压尖峰限制着系统的工作电压，特别在高压平台的应用中对于模块电压尖峰要求更高
2023-10-10 10:15:16591 
至此，我们完整地分析了关断瞬态过程中IGBT内部的空穴浓度分布变化从而引起的电荷存储变化，而电荷对时间的变化率即对应电流。
2023-12-01 14:06:37418 
。所以用户最好再在IGBT的栅射极或MOSFET栅源间加装Rge。 IGBT驱动电路的设计要求 对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路
2012-07-25 09:49:08
，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i IGBT在关断过程 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。第一段是按照MOS管关断的特性的 第二段是在MOSFET关断
2011-08-17 09:26:02
IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究
2013-06-11 16:00:20
关断波形如下所示，然后管子就坏了，求解
2017-07-14 13:41:21
6us内关断，不过驱动芯片有DESAT脚，无IGBT下测试，生效时间6us内。)于是想先在低压下同样操作看异常波形在哪。目前在50V母线电压情况下做关断，测出有下面这样的波形，从C极关断时候的高压看
2019-07-04 21:27:32
器件，在这里可以理解为一种利用电信号（电流/电压）控制开关断的开关器件，不同于机械开关，它的开关速度非常快。三个修饰词“绝缘、栅、双极性”的核心关键词在“栅极”和“双极性”上。“栅极”意味着IGBT是个
2023-02-10 15:36:04
）；2、通过观察IGBT的栅极波形，评估IGBT驱动板是否能为IGBT开启提供足够的驱动电流；3、获取IGBT在开通、关断过程的主要参数，以评估Rgon与Rgoff的选择是否合适；4、观察开通、关断
2019-09-11 09:49:33
90kW变频器，当电流达到110A以上时，IGBT在关断的时候，出现这个波形，请问是怎么回事？在110A以下就不出现。这是IGBT Vce的电压波形，当关断的时候还要再开通一下，这样不就很容易上下桥直通了吗？这是怎么回事呢？是米勒效应导致的吗？如何解决呢？
2017-07-24 10:06:32
上次我们讨论了IGBT关断过程中门极电压对载流子的控制过程，得出结论：通过门极电阻改善IGBT关断特性并不理想，主要因为IGBT是双极性器件，我们控制门极电压实际上控制的是注入到N-基区的电子电流
2023-02-13 16:20:01
和发射极的过压/过流和栅极的过压/过流引起。 IGBT失效机理：IGBT由于上述原因发生短路，将产生很大的瞬态电流——在关断时电流变化率di/dt过大。漏感及引线电感的存在，将导致IGBT集电极
2020-09-29 17:08:58
的均衡措施。用相关的试验证实一些分析结论。关键词：IGBT并联、静态与动态电流、均衡措施1 引言随着市场对兆瓦级大功率变流器的需求与日俱增，IGBT并联方案目前已成为一种趋势。 这主要源于IGBT并联
2018-12-03 13:50:08
管并联方案的时候也很好用。 RGext：由工程师设置，包含Rgon（开通电阻）和Rgoff（关断电阻），一般在设计时通过不同的充放电回路来设置不同的Rgon和Rgoff；栅极电阻对IGBT的开关
2021-02-23 16:33:11
电感上的尖峰，实际上此时IGBT真实的门极电压Vge为0。开通的时候存在电压尖峰，关断的时候也会存在，道理同上。大家仔细看一下图1b中绿色的门极关断波形，也会发现一个下垂的小尖峰。
2021-04-26 21:33:10
关断IGBT的触发，实现过流保护。 IGBT散热器模块的过流检测 (2)、驱动电路中设有保护功能。如日本英达公司的HR065、富士电机的EXB840～844、三菱公司的M57962L等，是集驱动与保护
2012-06-19 11:26:00
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关
2021-09-09 07:16:43
=0或者负电压时（负电压作用：可靠关断），IGBT断开。 常见的有IGBT单管和IGBT模块两种结构。 2.IGBT主要参数 ①集电极—射极电压（VCE）：截止状态下集电极与发射极之间
2021-01-20 16:16:27
。在额定电压下关断箝位电感电流的能力强于PT型IGBT。因此，PT型IGBT不适用于电感负载电路和马达驱动等电路，而且短路持续时间TSC较短，一般不给出短路安全工作区。所以，NPT型IGBT的可靠性高于
2017-03-16 21:43:31
电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极N 一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+基极
2018-10-18 10:53:03
开启IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？关断IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？
2021-10-14 09:09:20
常见的逆变电路的元件主要分为分立器件的IGBT和集成的IGBT模块，这些又分为不同电压等级和电流大小，那么IGBT的开通时间和关断时间是否相同，如果不相同，哪个时间更长一些？并且，在设计IGBT
2024-02-25 11:06:01
、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点．是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作
2012-07-18 14:54:31
，在第二个尖峰达到最大点之后CE电压快速下降至母线电压的一半，因为是上下桥的IGBT各分担一半电压。请问CE的电压波形为什么会有两个尖峰，是由什么造成的，是驱动电压的原因还是什么，如果是驱动电压关断时的原因，那么是关断时的密勒效应影响的吗？
2024-02-25 11:31:12
给输入侧，以便于采取相应的解决措施。在IGBT关断时，其C～E极两端的电压必定是超过7V的，但此时，过流检测电路失效，HCPL-316J芯片不会报故障信号。实际上，由于二极管的管压降，在IGBT的C～E
2009-09-04 11:37:02
耦反馈给输入侧，以便于采取相应的解决措施。在IGBT关断时，其C～E极两端的电压必定是超过7V的，但此时，过流检测电路失效，HCPL-316J芯片不会报故障信号。实际上，由于二极管的管压降，在IGBT
2012-09-09 12:22:07
VCE为15V，IGBT导通。当HCPL-316J输出端VOUT输出为低电平时，上管(T1)截止，下管(T1)导通，VCE为-9V，IGBT关断。以上就是IGBT的开通关断过程。
2008-10-21 09:38:53
、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。1导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外
2018-08-27 20:50:45
本人最近利用Multisim软件在做一个全桥逆变电路，用到里面自带的IGBT模块，按说明文档驱动电压为±20V，然而给定驱动脉冲，IGBT并未正常开通、关断，本人用到的脉冲发生模块为Sources下
2012-12-08 10:24:05
开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些
2017-04-15 15:48:51
不间断电源中IGBT关断吸收电路资料，给大家分享一下！
2013-04-06 02:13:12
画出了IGBT一个桥臂的典型结构。在正常运行时，两个IGBT将依次开通和关断。如果两个器件同时导通，则电流急剧上升，此时的电流将仅由直流环路的杂散电感决定。图1 电压源逆变器的典型结构当然， 没有谁故意使两个
2019-04-23 08:00:00
`如题这是IR芯片的HO的控制信号这是我用一个2K电阻串IGBT后接5v电压测试电阻电压图IGBT关断时间差不多200个us了IGBT手册里给的 关断总的时间不超过500ns `
2015-11-30 17:22:32
几种IGBT短路保护电路图7是利用IGBT过流时Vce增大的原理进行保护的电路，用于专用驱动器EXB841。EXB841内部电路能很好地完成降栅及软关断，并具有内部延迟功能，以消除干扰产生的误动作
2009-01-21 13:06:31
IGBT的驱动保护电路IGBT在电磁振荡中的应用
2021-04-08 06:35:30
降低相关的开关损耗，以获得较高的有效输出电流。因此，需要对IGBT的关断特性进行优化，达到适用于较低损耗的快速dIc/dt。但系统很容易会发生振荡，并且硬开关行为会导致严重的电磁干扰问题，因此需将换向
2018-12-06 10:05:40
开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡该如何降低呢？
2023-05-09 14:54:06
， 功率大于5kW的应用场合具有很大优势。在全桥逆变电路中， IGBT是核心器件， 它可在高压下导通， 并在大电流下关断， 故在硬开关桥式电路中， 功率器件IGBT能否正确可靠地使用起着至关重要的作用
2011-09-08 10:12:26
IGBT的对比 虽然NPT（非穿通）IGBT通过减少关断过渡期间少数载流子注入量并提高复合率而提高了开关速度，但由于VCE（sat）较高而不适合某些大功率应用，因为其n-衬底必须轻度掺杂，结果在关断状态
2018-09-30 16:10:52
）的开通损耗。IGBT（右侧）和续流二极管的关断损耗会随着杂散电感的升高而增大。IGBT和二极管的软度和电流突变行为前文已经表明寄生电感可能对总体损耗平衡有益。但是杂散电感还可能导致振荡，比如由电流突变
2018-12-10 10:07:35
绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-11-28 23:45:03
绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-10-15 22:47:06
16A，电压600V，我的直流侧电压只有48V，检测的电流也只有2A左右，但是断电后IGBT都很烫。 是不是在关断的瞬间的尖峰电压击穿了GE，有什么措施呢？我门极只加了个驱动电阻50欧，还要不要加什么电路呢？（开关频率10K， 死区2us）
2017-07-17 21:19:30
我在做软开关，使用的是英飞凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大负载时驱动波形会有振荡现象，有个别大神说可能是IGBT问题，有用过这个信号的大神吗？这个管子怎么样？
2019-03-14 16:50:48
不是研究半导体的，很多参数也不知道！下面从内部机理层面再来描述一下IGBT的关断过程：首先看一下IGBT关断之前内部载流子的分布情况，图5对应图4 中t0时刻以前，即通态下IGBT内部载流子的分布情况
2023-02-13 16:11:34
% Inom（IC=300A）电流关断时，600V IGBT3会产生一个很高的过冲电压VCE,max 和阶跃振荡。相反，特别为这种高电流应用设计的650V IGBT4，即使典型直流电压达到300V
2018-12-07 10:16:11
igbt工作原理
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。
2007-12-22 10:36:06
117 硬开关斩波电路中的IGBT的关断电压波形电路
2010-02-17 23:08:171878 
两个反向阻断型IGBT反向并联时的电路和关断波形电路
2010-02-18 10:47:481450 
具有软栅压、软关断保护功能的IGBT驱动电路
2010-03-14 18:58:015431 
IGBT的保护措施，主要包括过压保护和过流保护两类。使用中，对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压，可以采用适
2010-11-09 18:01:181536 
IGBT的吸收电容设计计算，吸收电路是用以控制关断浪涌电压和续流二极管恢复浪涌电压的。
2016-01-12 11:46:2038 高压IGBT关断状态失效的机理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾，关断速度
2017-05-14 10:09:4253166 
IGBT单管和IGBT模块的控制电路是一样的，它们的作用和工作原理基本一样，IGBT模块可以看成是多个IGBT单管集成的模块。IGBT模块封装技术拓展了IGBT的运用领域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 
IGBT栅极负偏电压—UGE直接影响其可靠运行，负偏电压升高时集电极的浪涌电流明显下降，对关断能耗无显著的影响。—UGE与集电极浪涌电流和关断能耗Eoff的关系分别如图2（a）和（b）所示。栅极电阻
2017-05-16 09:05:375142 
IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
2017-06-05 15:43:4814787 
的重要因素。基于压接式IGBT模块双脉冲测试平台，介绍一种基于关断电流最大变化率的压接式IGBT模块结温提取方法，分析压接式IGBT芯片结温和模块关断电流最大变化率间单调变化关系，并利用压接式IGBT模块封装结构固有的寄生电感有效获取关断电流最大
2018-02-01 10:20:499 出增加门极阻容补偿网络后串联IGBT动态电压不均衡度和关断时间影响的计算公式，并提出门极阻容网络参数的选取原则。建立基于Lumped Charge方法的IGBT半物理数值模型，对IGBT门极阻容补偿网络进行仿真验证。给出了实际测试工况下的补偿网络参数，建立IGBT串联
2018-03-08 11:29:4021 BJT 是一种电流控制型器件, 发射极e和集电极c传导的工作电流受基极b引入的较小电流的控制, 如等效电路所示, BJT受MOSFET漏极电流控制. 在IGBT关断td(off
2018-12-22 12:41:5538202 
IGBT由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）三个极控制。如图1，IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。
2019-04-24 15:38:2383762 ，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。 由于寄生参数以及负载特性的影响，IGBT的实际开通与关断过程比较复杂，如图1为IGBT的开通关断过程示意图，图中栅极驱动波形较为理想化，集电极电流以及集电极-发射极电压的波形大致上是实际波形，只有细节被理想化。
2021-02-19 09:31:1215196 
在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06:016718 
有源钳位电路的目标是钳住IGBT的集电极电位，使其不要到达太 高的水平，如果关断时产生的电压尖峰太高 如果关断时产生的电压尖峰太高，或者太陡，都会使 IGBT受到威胁。 IGBT在正常情况关断时会
2022-05-09 17:39:115 总结一下，对于米勒电流引起的寄生导通，在0V关断的情况下，可以使用米勒钳位来抑制。当出现非米勒电流引起的寄生导通时，如果不想减慢开关速度增加损耗的话，加个负压会是一个极其便利的手段。
2022-05-12 11:57:068079 
上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今
天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。
2023-02-22 15:21:339 （一）IGBT双脉冲测试的意义 对比不同IGBT的参数及性能； 获取IGBT开通和关断过程的参数； 评估驱动电阻是否合适； 开通和关断过程是否有不合适的震荡； 评估二极管的反向恢复行为和安全
2023-02-22 15:07:1511 ，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。 由于寄生参数以及负载特性的影响，IGBT的实际开通与关断过程比较复杂，如图1为IGBT的开通关断过程示意图，图中栅极驱动波形较为理想化，集
2023-02-22 15:08:431 , 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由
于对IGBT关断机理认识不清, 对关断时间随电压和电流的变化规律认识不清, 导致无法解释在使用过程中出现的电流拖尾长、
死区时间长等现象, 不能充分发挥IGBT的性能; 导致IGBT因使用不当, 烧毁。今天我们就IGBT关断时的
2023-02-22 14:57:543 电，使IGBT关断。由图2可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则
2023-02-24 10:56:127 开通、导通和关断损耗构成了 IGBT 芯片损耗的总和。关断状态损耗可以忽略不计，不需要计算。为了计算 IGBT 的总功率损耗，须将这三个能量之和乘以开关频率。
2023-03-01 17:52:451204 一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程
2023-05-25 17:16:251262 
) 。采用深槽刻
蚀和回填工艺制备了 p 柱和 p 体区分离的超结 IGBT 器件。测试结果表明，该器件击穿电压高于
660 V，在导通电流 20 A 时，其饱和导通压降为 1. 7 V，相比于传统超结 IGBT 器件更低，关断
能量为 0. 23 mJ，远低于传统超结 IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000 米勒电容对IGBT关断时间的影响 IGBT，即绝缘栅双极性晶体管，是一种高效、高稳定性的半导体器件。它是一种功率开关元件，能够控制大电流和高电压的开关。IGBT的关断时间是非常重要的一个参数
2023-09-05 17:29:421284 IGBT器件栅极电压波形振荡的原因？
2023-09-16 08:32:131715 
igbt怎样导通和关断？igbt的导通和关断条件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种晶体管，可以用作开关。IGBT由P型注入区、N型衬底
2023-10-19 17:08:028172 IGBT的工作原理 IGBT一定要加负压才能关断吗？IGBT的导通和关断条件有几种？ 一、IGBT的工作原理 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即增强型
2023-10-19 17:08:082597 IGBT在控制极上加正电压可以控制导通，电压为0时可以让其关断，那么加一个反压呢？IGBT会是什么情况？ 关于IGBT在控制极上加反压的情况，我们需要探讨IGBT的结构、工作原理以及反压对其产生
2023-10-19 17:08:11861 对比不同IGBT的参数及性能；
获取IGBT开通和关断过程的参数；
评估驱动电阻是否合适；
开通和关断过程是否有不合适的震荡；
2023-11-10 09:12:32786 
其从关断状态到通态状态的时间和性能。以下是开通特性测试的参数： 1.1 开通时间（Turn-on time）：指的是从关断状态开始，IGBT完全进入
2023-11-10 15:33:51885 了MOSFET和BJT的优点，具备高电压和高电流开关能力。 IGBT的工作原理可以分为四个阶段：导通、关断、过渡和饱和。 1. 导通阶段：在导通阶段，IGBT的门极电压（V_GS）通过控制电压源施加，使得MOSFET部分的导电层建立。这导致P型基区变窄，触发NPN晶体管的导通。 2. 关断阶段
2024-01-12 14:43:521681 什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间？ 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种主要应用于功率电子装置中的半导体器件，其具有低导通压降和高关断速度等优点。开通时间和关断时间是评估IGBT性能
2024-02-20 11:19:16280 GTO、IGBT等电力电子元件关断的时候是不是都要负电压的？ GTO和IGBT是两种常见的电力电子元件，它们在关断过程中确实需要负电压。 首先，让我们了解一下GTO和IGBT的工作原理。 GTO
2024-02-20 11:28:49374 IGBT的主要功能在于其能够作为全控器件，即可以触发导通，也可以触发关断。这使得IGBT在电能变换和控制中起到关键作用。
2024-03-14 16:43:51308 
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