MOSFET的漏伏安特性(输出特性):截止区(对应GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。功率MOSFET在开关状态下工作,即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37978 `30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容常规型号:25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N
2020-10-27 15:40:02
类型:SGT工艺NMOS低开启电压:1.7V封装:TO-252HG160N10L特点:低损耗高频率 大电流低开启电压 低内阻 结电容小低消耗 温升低 转换效率高过电流达 抗冲击能力强SGT工艺 开关损耗小`
2020-12-07 11:02:00
`2014 OPPO N3新品发布会10月29日,新款旗舰OPPO N3将于北京奥雅会展中心举办发布会,我们能从网上看到不少关于N3的曝光消息,随处可见配置、外观甚至是售价的曝光。据传,OPPO
2014-10-28 16:53:52
压场效率管(MOSFET)MOS管型号:HC021N10L-AMOS管参数:100V35A内阻:22mR(VGS=4.5V)结电容:1880pF类型:SGT工艺NMOS开启电压:1.8V封装:TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
(VGS=10V)内阻:28mR(VGS=10V)结电容:550pF结电容:650pF类型:SGT工艺NMOS类型:SGT工艺NMOS开启电压:1.8V开启电压:1.8V封装:TO-252封装:TO-252惠海半导体MOSFET选型表参考:
2021-06-11 14:05:36
MOSFET流过的电流降低到阈值-10mV时,控制器驱动功率MOSFET关闭。该芯片提供了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位等功能。PN8306产品特点:■ 内置13mΩ 40V
2020-05-06 15:39:58
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场,专注中低压MOS管的设计、研发、生产与销售
2020-09-24 16:34:09
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
。 40N120参数描述型号:40N120封装:TO-220特性:低功耗场效应管电性参数:40A 1200V集电极电流(IC):40A脉冲集电极电流(ICM):160A集电极-发射极电压(VCES
2021-12-03 16:38:53
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗
2018-08-27 20:50:45
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电
2019-04-10 06:20:15
和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑
2021-06-16 09:21:55
MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。 导通损耗 除了IGBT的电压下降时间较长外,IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由
2020-06-28 15:16:35
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中,MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间:Td(on)、上升时间:tr
2018-11-28 14:29:57
的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率MOSFET:R6004KNX的技术规格中摘录的。蓝线框起来的是VGS(th),条件栏中VDS=10V、ID=1mA,该条件下保证VGS
2019-05-02 09:41:04
,ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看,只要条件没有确定,就无法保证VGS(th)的值,因此在MOSFET的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率MOSFET
2018-11-28 14:28:20
和 管子 导通的关系 理解如下,不知 是否正确,还请前辈、大侠 指点(轻拍):1. 当VGS(th)≥4.1V时,所有的此规格的MOSFET均导通 ;2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15:55
功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适用于源极接地的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适用于源
2016-12-26 21:27:50
,特别是在高压的时候,内部的电场外强度大,进一步增加热电效应。因此,使用线性区的功率计算的SOA曲线,和实际的应用偏差非常大。对于大多开关电源和电力电子的应用,功率MOSFET工作在高频的开关状态,完全的导
2016-10-31 13:39:12
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析,可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数,进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示,在研发功率
2019-07-04 06:22:42
时刻并不一样,因此开通时刻和关断时刻的米勒平台电压VGP也不一样,要分别根据各自的电流和跨导计算实际的米勒平台电压。(2)模式M2:t6-t7在t6时刻,功率MOSFET进入关断的米勒平台区,这个阶段
2017-03-06 15:19:01
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程,也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性,基于上面的这些理论知识,就可以估算功率MOSFET在开关
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的数据表的开关特性中,列出了栅极电荷的参数,包括以下几个参数,如下图所示。Qg(10V):VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V)):VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd:栅极
2017-01-13 15:14:07
MOSFET的稳态特性总结1)功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线:2)说明:功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点:当门极不加控制时,其反向导通的稳态工作点同二极管。3)稳态特性总结:门
2021-08-29 18:34:54
MOSFET的稳态特性总结(1):功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线(2):说明功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点:当门极不加控制时,其反向导通的稳态工作点同二极管。(3):稳态特性总结
2021-09-05 07:00:00
,功率MOSFET很少接到纯的阻性负载,大多数负载都为感性负载,如电源和电机控制;还有一部分的负载为容性负载,如负载开关。既然功率MOSFET所接的负载大多数为感性负载,那么上面基于阻性负载的开关特性
2016-12-16 16:53:16
,二边的P区中间夹着一个N区,由于二个P区在外面通过S极连在一起,因此,这个结构形成了标准的JFET结构。 4 隔离栅SGT场效应晶体管 功率MOSFET的导通电阻Rds(on)和寄生的电容是一个相互
2016-10-10 10:58:30
的功率MOSFET的G极、S极加上正向电压后,在G极的下面的P型体区,就会形成一个非常薄的反型层N型,这样D极的N、反型层N、S极的N,就会形成导通的路径。图1:N沟道(左)、P沟道MOSFET结构P
2016-12-07 11:36:11
MOSFET的稳态特性总结(1):功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线(2):说明功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点当门极不加控制时,其反向导通的稳态工作点同二极管。(3):稳态特性总结
2018-10-25 16:11:27
。为了改善某些参数的特性,如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有 不同的结构及工艺,构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。图2是一种N沟道增强型功率场效应管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
通;P沟道MOSFET通过施加给定的负的栅-源极电压导通。MOSFET的栅控决定了它们在SMPS转换器中的应用。例如,N沟道MOSFET更适用于以地为参考的低侧开关,特别是用于升压、SEPIC、正向和隔离
2021-04-09 09:20:10
杰理AC697N是什么?杰理AC697N有哪些特性?杰理AC697N有哪些优点?AC697N在低功耗、主动降噪、高清音质的表现是什么?
2021-07-02 07:12:51
`AP15N10 N沟道100V(D-S)MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V(D-S)MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
150V转3.3V 5V 12V 等不同的输出。
恒流主要是:各种照明场景,包括:舞台灯 车灯 摄影灯 球泡灯 台灯 投影仪 磁吸灯 吸顶灯等等,它们有大功率,大电流,发热小,共阳等特性,往往需要12V
2024-01-20 15:30:35
. 总所周知,IR不仅是全球功率半导体领先供应商,还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合
2012-11-12 15:40:55
,特性,驱动以及应用电路。1,MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P
2012-12-18 15:37:14
的设计而言,它大幅降低了MOSFET导通电阻,并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计,使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术,这主要是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道的,并且通过在栅极上施加正电压导通。 MOSFET多数是载流子器件, N沟道
2018-03-03 13:58:23
。此外,为了进一步提高电机的效率并减小尺寸,对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下,ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又开发出在Nch
2021-07-14 15:17:34
MOSFET模型仿真验证Id_Vds有效性MOSFET模型导通电压Vgs(th)验证MOSFET模型导通电阻测试验证与体二极管I-V特性测试电路搭建MOSFET模型体二极管正向电流与正向电压关系I_V性能仿真验证
2017-04-12 20:43:49
,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别:关断损耗特性前面多次提到过,SiC功率元器件的开关特性优异,可处理
2018-12-03 14:29:26
与IGBT相比,SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻,非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是,在实际应用中,工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展,性能有望进一步提升。从下一篇开始,将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点,但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。< 相关产品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
- ID特性 SiC-MOSFET与IGBT不同,不存在开启电压,所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。 而Si-MOSFET在150°C时导通电阻上升为室温条件下的2倍以上
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT这种双极型器件结构(导通电阻变低,则开关速度变慢),就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同,不存在开启电压,所以
2019-04-09 04:58:00
采用IGBT这种双极型器件结构(导通电阻变低,则开关速度变慢),就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同,不存在开启电压,所以
2019-05-07 06:21:55
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ,高压开关的突破.SCT30N
2017-07-27 17:50:07
50MR;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
时,客户工程师发现:Vin=5V,ID=100mA,VGS=2.5V时,Q1的导通压降只有0.06V,那么,这是不是表明:功率MOSFET在反向工作的时候,VTH比正向导通的时候低?是不是二极管的分流
2017-04-06 14:57:20
新的功率密度和能效标准。 极低的门极电荷,输出电荷以及极低的导通电阻使得New OptiMOS成为服务器,数据通信和电信产品电压调节器上的最佳选择。40V, 60V OptiMOS更为DC/DC变换器
2012-07-13 10:50:22
性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗
2019-03-06 06:30:00
):1200V栅极-发射极电压(VGES):±25VG-E阈值电压(VGE):5.5VG-E漏电流(IGES):250nA工作温度:-55~+150℃引线数量:3 什么是MOS管40N120的导通特性
2021-12-29 16:53:46
近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度,更好的温度特性使得系统损耗大幅降低,效率提升,体积减小,从而实现变换器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
中低压场效率管(MOSFET)MOS管型号:HG012N06LMOS管参数:60V50A内阻:14mR(VGS=4.5V)结电容:550pF类型:SGT工艺NMOS开启电压:1.8V封装
2020-07-31 11:03:26
电路结构,每个桥臂上管可以使用P管,也可以使用N管。(2)通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端,可以使用P管,也可以使用N管。(3)笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个
2019-04-04 06:30:00
上周六华为官方宣布将于北京时间10月22日20点举行华为Mate 40系列新品发布会,而本次发布会除了华为Mate 40系列还将有哪些新品呢?华为本次发布会可能会带来:1、华为Mate40系列四款
2020-10-12 17:40:11
MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载,需要各种不同的负载电流,如Bluetooth®、Wi-Fi或处理器轨。多数
2022-11-17 08:05:25
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率 MOSFET 应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用
2019-11-17 08:00:00
、加湿器、美容仪等电源开关应用30V 60V 100V 150V系列 SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容常规型号:3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03`
2020-08-29 14:51:46
的阻抗过高,则从MOSFET发出的电流会产生足够高的电压以使其重新导通,寄生导通,从而导致额外的损耗甚至破坏。这个问题也会影响碳化硅MOSFET。 标准功率MOSFET最高可达800 V,有少数
2023-02-20 16:40:52
通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合
2020-03-10 17:30:59
通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 26 A Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms Vgs
2020-03-31 17:08:29
`海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管VGS(TH)(-大)@标识:5.5V @ 4mA:30V技术:MOSFET (metal Oxide)RDS(ON)(-大值)@标识,栅极电压
2020-03-20 17:11:50
: TO-264-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 300 V Id-连续漏极电流: 150 A Rds On-漏源导通电阻: 8.3 mOhms
2020-03-05 11:04:07
的过程,然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线,来理解其开通关断的过程,以及MOSFET在开关过程中所处的状态。1、MOSFET栅极电荷特性与开关过程基于栅极电荷的MOSFET的开通过程如图1所示,此图
2016-11-29 14:36:06
没有问题。但是,当深入理解功率MOSFET的转移特性和温度对其转移特性的影响,就会发现,功率MOSFET的正温度系数只有在MOSFET进入稳态完全导通后的状态下才能成立,在开关瞬态的过程中,上述理论
2016-09-26 15:28:01
电流值。AON6590(40V,0.99mΩ)电流连续漏极电流ID脉冲漏极电流IDM连续漏极电流IDSM雪崩电流IAS 1 连续漏极电流ID连续漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为电流ID,对于
2016-08-15 14:31:59
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
进一步减小,甚至消除。 结论 如今,新一代的40V和60V MOSFET可使设计工程师设计出更高功率密度的产品。开关性能的优化可使许多应用选用一个更低电压等级的MOSFET,从而全面优化通态电阻、成本
2018-12-06 09:46:29
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在
2011-08-17 14:18:59
PN结转化为掩埋PN结,在相同的N-掺杂浓度时,阻断电压还可进一步提高。 内建横向电场MOSFET的主要特性 1、 导通电阻的降低 INFINEON的内建横向电场的MOSFET,耐压600V
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-MOSFET:EN系列SJ-MOSFET具有“导通电阻低,开关速度快”的特征,但存在其高速性导致噪声比平面型大的课题。为改善这个问题开发了EN系列。该系列产品融合了
2018-12-03 14:27:05
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,
2010-11-11 15:34:22201 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程
2011-09-14 17:39:1765 特点和优势
1、国内第一颗采用SGT技术的P-100V的MOSFET产品;
2、P Channel产品在负载开关应用中,电路更简洁,高效;
2020-10-21 15:51:542267 的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统,是核心功率控制部件。 SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET结构及工艺制造方法,因其不需要在沟槽内生长厚的屏蔽电极介质层,同时Bsg具有良好的高温回流特性,具备良好的沟槽填充能力,可以将沟槽CD极大程度缩小
2020-12-25 14:02:0728404 MOSFET大致可以分为以下几类:平面型MOSFET;Trench (沟槽型)MOSFET,主要用于低压领域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽)MOSFET,主要用于中压和低压领域;SJ-(超结)MOSFET,主要在高压领域应用。
2021-01-22 08:41:429130 DYA-X40D150-P7台信环型接近开关
2021-07-29 14:50:371 功率MOSFET特性参数的理解
2022-07-13 16:10:3924 揭秘WAYON维安新研发的SGT MOSFET,三大优势前途无量!
2023-01-06 12:59:081797 前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性:在功率转换中,MOSFET基本上被用作开关。
2023-02-09 10:19:242519 摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技术。它具有快速开关和改进的dv/it能力,适用于MB/VGA、POL应用和DC-DC转换器等领域。本文将介绍CMS4070M的特点、应用领域以及关键性能参数。
2023-06-08 14:28:28663 安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 中压MOSFET,是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。 在大功率设备中,能源效率对于降低功耗和确保稳定性至关重要。利用美格纳尖端的沟槽式MOSFET技术,这些新发布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 功率MOSFET雪崩特性分析
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2024-01-23 13:36:49293
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