电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>IGBT/功率器件>IGBT的开通过程

IGBT的开通过程

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

驱动电路中的误开通及应对方法

功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一个受门极电压控制的开关。当门极电压大于开通阈值时,功率器件就会被开通;而当门极电压低于开通阈值时,功率器件就会被关断。但在实际的应用中,由于器件及外围线路寄生参数的影响,会导致原本关断的功率器件会被误开通
2022-11-29 10:16:286081

详解IGBT开关过程

IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态,即VGE为负压VGC-,后级输出为阻感性负载,带有续流二极管。
2023-03-15 09:23:39888

探究IGBT开关过程及其驱动设计的关键因素

IGBT在二极管钳位感性负载条件下的电路如图1所示,该电路为IGBT常用电路,可作为IGBT开关特性的测试电路,评估IGBT开通及关断行为。
2024-03-15 10:25:51194

IGBT

通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N
2012-07-25 09:49:08

IGBT 系统设计

,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。  动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取:    IGBT开通过程  IGBT开通过程中,分为几段时间  1.与MOSFET类似的开通过程,也是
2011-08-17 09:26:02

IGBT中频电源并联谐振式电流型逆变器原理 字号:+ -

IGBT的驱动也可以不受负载功率因数的限制。 电流型逆变器的直流侧串联了电感厶,为保持电流连续,在换流过程中,上、下桥臂IGBT必须遵守先开通盾关断的原则,即应有一段重叠时间(t,)。该换流重叠时间的长短与逆变器输出配线电感密切相关,电感大,时间就长。
2013-02-21 21:02:50

IGBT到底是个什么玩意儿?它为什么叫IGBT呢?

。两者相对比,双极性晶体管由于同时有电子和空穴参与导电,所以其关断速度相比单极性晶体管来说更慢。具体原因我们以今天的主角IGBT为例,通过分析IGBT在关断过程中载流子的移动和分布来解释以上这点。当
2023-02-10 15:36:04

IGBT双脉冲测试原理解析

);2、通过观察IGBT的栅极波形,评估IGBT驱动板是否能为IGBT开启提供足够的驱动电流;3、获取IGBT开通、关断过程的主要参数,以评估Rgon与Rgoff的选择是否合适;4、观察开通、关断过程
2019-09-11 09:49:33

IGBT在关断的时候,出现这个波形,是怎么回事呢?是米勒效应吗?

90kW变频器,当电流达到110A以上时,IGBT在关断的时候,出现这个波形,请问是怎么回事?在110A以下就不出现。这是IGBT Vce的电压波形,当关断的时候还要再开通一下,这样不就很容易上下桥直通了吗?这是怎么回事呢?是米勒效应导致的吗?如何解决呢?
2017-07-24 10:06:32

IGBT封装过程中有哪些关键点?

IGBT封装过程中有哪些关键点?
2019-08-26 16:20:53

IGBT并联设计参考

作为Rg,1/3部分作为Re。辅助Re 能够降低由于功率换流回路杂散电感不对称引起的动态电流不平衡。图7为由辅助Re形成的一个负反馈机制开通过程,其中一个IGBT开关速度快,另一个则相对较慢,近而在杂散电感
2018-12-03 13:50:08

IGBT有哪些动态参数?

管并联方案的时候也很好用。    RGext:由工程师设置,包含Rgon(开通电阻)和Rgoff(关断电阻),一般在设计时通过不同的充放电回路来设置不同的Rgon和Rgoff;栅极电阻对IGBT的开关
2021-02-23 16:33:11

IGBT栅极电压尖峰分析

二阶微分方程: IGBT开通过程的理想波形如图3所示,开通瞬态门极电压尖峰主要发生在开通延迟阶段(图中未画出门极电压尖峰)。 图3.IGBT开通理想波形这个时候IGBT还没有开通,由于开通瞬态IGBT
2021-04-26 21:33:10

IGBT开通关断时间一般从哪些方面考虑?

常见的逆变电路的元件主要分为分立器件的IGBT和集成的IGBT模块,这些又分为不同电压等级和电流大小,那么IGBT开通时间和关断时间是否相同,如果不相同,哪个时间更长一些?并且,在设计IGBT
2024-02-25 11:06:01

IGBT的先短路在运行?

IGBT应用于变频器逆变电路中,存在这么一种情况,IGBT先短路再开通,请问这是一种什么样的过程?按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起来,然后启动变频器,此时这种过程就可以称之为先短路再
2024-02-29 23:08:07

IGBT的工作原理

1000V 的IGBT 通态压降为2~3V 。IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。2 .动态特性IGBT开通过程中,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds下降过程后期
2018-10-18 10:53:03

IGBT的损耗理论计算说明

形。  3、逆变桥动态过程分析  1)开通时刻电流由上管IGBT→电感或者负载→N线→上母线电容; 2)关断时刻电感进行续流→负载→N线→下母线电容→下二极管。  4、IGBT模块损耗组成部分  IGBT
2023-02-24 16:47:34

IGBT的短路过程分析

IGBT模块或者单管应用于变频器的制造,在做变频器的短路实验时,在IGBT开通时刻做出短路动作,IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。 但是在具体波形时,IGBT
2024-02-21 20:12:42

IGBT的驱动和过流保护电路的研究

,设计出具有过流保护功能的驱动电路,并进行了仿真研究。  2 IGBT的驱动要求和过流保护分析  1 IGBT的驱动  IGBT是电压型控制器件,为了能使IGBT安全可靠地开通和关断.其驱动电路必须满足
2012-07-18 14:54:31

IGBT短路过程分析?

IGBT短路时,假设在导通时短路,此时IGBT驱动电压达到稳定高值,就是IGBT已经完全导通,此时刻触发外部电路短路,用示波器查看驱动电压、CE电压和输出电流,变频器在极短的时间内响应后,驱动电压
2024-02-25 11:31:12

IGBT驱动板,IGBT驱动核,IGBT驱动芯,IGBT适配板,IPM之间的区别

`我需要通过LC电路产生一个1200A,2.5KHz的脉冲电流,所加电压500V,电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制,初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20

IGBT驱动波形

如图,英飞凌200A IGBT的带载驱动波形,开通与关断中震荡是什么原因造成的(圈住的部分),控制方式为单极性倍频。求大家指教
2019-06-18 23:13:05

IGBT驱动电路

管(T1)截止,下管(T1)导通,VCE为-9V,IGBT关断。以上就是IGBT开通关断过程。 结语   IGBT对驱动电路有一些特殊要求,驱动电路性能的优劣是其可靠工作、正常运行的关键所在,高性能
2012-09-09 12:22:07

igbt的驱动电路

VCE为15V,IGBT导通。当HCPL-316J输出端VOUT输出为低电平时,上管(T1)截止,下管(T1)导通,VCE为-9V,IGBT关断。以上就是IGBT开通关断过程
2008-10-21 09:38:53

MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?

MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗?
2023-05-16 14:33:51

MOS管的开通/关断原理

MOS管的开通/关断原理
2021-03-04 08:28:49

Multisim 全桥逆变 IGBT驱动问题

本人最近利用Multisim软件在做一个全桥逆变电路,用到里面自带的IGBT模块,按说明文档驱动电压为±20V,然而给定驱动脉冲,IGBT并未正常开通、关断,本人用到的脉冲发生模块为Sources下
2012-12-08 10:24:05

PWM方式开关电源中IGBT的损耗分析

。  3.2 电压测量  IGBT 开通和关断过程中电压的完整观测可以直接使用示波器探头, 但对于开通IGBT 电压拖尾过程和通态饱和压降的测量, 则需要使用箝位电路( 见图5) 。原因在于此时示波器的Y
2018-10-12 17:07:13

mosfet开通过程疑问

如图所示,Pspice仿真mosfet开通过程通过仿真得到的波形如图所示(蓝色是Vds,红色是Vgs,绿色是Id),与课本上给的开通过程有区别。想请教一下仿真图中的几个问题:为什么电流Id上升
2019-06-04 20:39:14

什么是IGBT的“死区时间”?如何减小这个死区时间?

画出了IGBT一个桥臂的典型结构。在正常运行时,两个IGBT将依次开通和关断。如果两个器件同时导通,则电流急剧上升,此时的电流将仅由直流环路的杂散电感决定。图1 电压源逆变器的典型结构当然, 没有谁故意使两个
2019-04-23 08:00:00

使用28335调试的过程中,当暂停程序时,出现IGBT开通,使IGBT烧坏,换用IPM,仍然出现此问题,请问应该如何解决?

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-11 14:30 编辑 在使用28335调试的过程中,当暂停程序时,出现IGBT开通,使IGBT烧坏,换用IPM,仍然出现此问题,所以应该不是驱动
2018-06-11 08:01:47

功率MOSFET的开关损耗:开通损耗

中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程开通损耗,以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示,RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻,RG2为功率
2017-02-24 15:05:54

变频器IGBT模块的静态测量过程分享

变频器中使用的IGBT模块是七单元集成模块(FP15R12KE3G),即三单元整流器,三单元逆变器和一体式制动器。模块具有温度自检单元,通过万用表的二极管文件测量。1. 整流桥的静态测量三相桥式
2023-02-16 18:03:09

基于EXB841的IGBT驱动与保护电路研究

通时尾部电压下降是较慢的。实践表明,当工作电压较高时,Uce下降至饱和导通时间约为4~5µs,而过流检测的延迟时间约为2.7µs.因此,在IGBT开通过程中易出现
2011-08-18 09:32:08

对MOS管开通过程进行详细的分析

,里面空穴没有了,出现了大量电子。  看到下面这张图是不是很熟悉。  但是我觉得还可以从MOSFET的半导体原理出发来,详细分析MOS管的开通。分析MOS管的开通过程时,需要使用它的等效模型,如下图所示
2023-03-22 14:52:34

影响IGBT驱动电路性能参数的因素

)。但由于CE端产生了电压尖峰, 故使集电极电流iC有了一个负向的尖峰。  另外, 开通过程中, 由于二极管D1的反向恢复电流IRM将叠加在集电极电流iC上, 这也会使IGBT实际流过的电流存在一个尖峰
2011-09-08 10:12:26

怎样去设计BLDC通过IGBT进行驱动的电路呢

怎样去设计BLDC通过IGBT进行驱动的电路呢?BLDC电机中的死区时间究竟是指什么?
2021-09-18 08:56:44

杂散电感对高效IGBT4逆变器设计的影响

可大幅降低开通损耗。在本例中,损耗由40mW降低至 23.2mW。尽管在开通过程中,dI/dt可降低IGBT的电压,但在关断过程中,它也可增大IGBT的关段电压尖峰。因此,直流母线寄生电感的增加会增大
2018-12-10 10:07:35

浅析IGBT门级驱动

时,为获得最小导通压降,应选取Ugc≥(1.5~3)Uge(th),当Uge增加时,导通时集射电压Uce将减小,开通损耗随之减小,但在负载短路过程中Uge增加,集电极电流Ic也将随之增加,使得IGBT
2016-11-28 23:45:03

浅析IGBT门级驱动

时,为获得最小导通压降,应选取Ugc≥(1.5~3)Uge(th),当Uge增加时,导通时集射电压Uce将减小,开通损耗随之减小,但在负载短路过程中Uge增加,集电极电流Ic也将随之增加,使得IGBT
2016-10-15 22:47:06

浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

  硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下
2023-02-27 16:03:36

电动汽车工程师想知道的IGBT知识及应用

等优点,已广泛应用于变频器和其他调速电路中。图4理想等效电路与实际等效电路绝缘栅双极型晶体管基本特性如下:①静态特性IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 ②IGBT开通过程、关断过程
2018-11-01 11:04:57

电机驱动器MCU拆解之IGBT分析

与驱动板进行连接,组合成为一个完整的整体。  在运行过程中有开损耗、关损耗等,会造成IGBT会发热,温度升高,影响性能,因此,需要散热系统为IGBT模块提供散热,IGBT模块配备用于冷却液的针状散热翅片
2023-03-23 16:01:54

讨论一下IGBT的关断过程

应用极为广泛。但是你真的了解IGBT吗?今天我们就来讨论一下IGBT的关断过程,在开始之前,先抛出一个问题,大家可以考虑一下,图1展示了IGBT关断门极电阻和电压尖峰的关系:图1. IGBT关断过压与门
2023-02-13 16:11:34

请问MOS管的门极开通电压为多少伏?

MOS管的门极开通电压典型值为多少伏?那么IGBT的门极开通电压典型值又为多少伏呢?
2019-08-20 04:35:46

高压IGBT应用及其封装

安装过程我们看到,它在安装过程中发挥的作用。产品性能,我们应用IGBT过程中,开通过程IGBT是比较缓和的,关断过程中是比较苛刻。大部分损坏是关断造成超过额定值。我们看到红色区线条件下,关断的时候
2012-09-17 19:22:20

IGBT模块驱动保护要点

IGBT 栅极驱动电压Uge1/ 理论上Uge≥Uge(th),IGBT 即可开通;一般情况下Uge(th)=5~6V2/ 当Uge 增加时,通态压降减小,通态损耗减小;但IGBT 承受短路电流能力减小;当Uge
2010-03-14 18:50:4156

基于EXB841的IGBT驱动电路设计及优化

摘要:介绍了绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)器件驱动电路设计的一般要求,对EXB841芯片的工作过程作了深入的分析,研究了EXB841对IGBT开通和关断以及过流保护的原
2010-06-13 08:41:19268

IGBT开关等效电路和开通波形电路

IGBT开关等效电路和开通波形电路
2010-02-17 17:22:572966

[3.7.1]--IGBT开通特性

IGBT
jf_60701476发布于 2022-11-24 23:30:48

功率MOSFET的开通和关断原理

开通过程[ t0 ~ t4 ]: -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止状态,t0 时,MOSFET 被驱动开通; -- [t0-t1]区间,MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升,在t1 时刻,到达维持电压Vth,MOSFET 开始导电;
2012-03-14 14:22:46288

串联晶闸管在大脉冲电流下的开通过程研究

串联晶闸管在大脉冲电流下的开通过程研究_王晨
2017-01-07 17:16:231

IGBT与MOS管的区别,IGBT与可控硅的区别,IGBT驱动电路设计

会减低;MOS就是MOSFET的简称了;IGBT和MOS是全控器件,是电压型驱动,即通过控制栅极电压来开通或关断器件;可控硅是半控器件,电流型驱动,即给栅极通一定的电流,可以是可控硅开通,但是一旦开通
2017-05-14 10:09:4253166

晶体管IGBT基础知识阐述,对称栅极IGBT电路设计与分析

在正常情况下IGBT开通速度越快,损耗越小。但在开通过程中如有续流二极管的反向恢复电流和吸收电容的放电电流,则开通的越快,IGBT承受的峰值电流越大,越容易导致IGBT损坏。因此应该降低栅极驱动
2017-05-17 14:18:332996

IGBT器件封装结构对并联芯片开通电流的影响

对于压接式IGBT器件,封装结构引起的寄生参数不一致将导致开通瞬态过程中并联IGBT芯片的电流分布不一致,使部分芯片在开关瞬态过程中的电流过冲太大,从而降低了开通性能。采用寄生参数提取、电路建模
2018-01-07 11:04:087

详细IGBT开通过程(IGBT结构及工作原理)

IGBT作为具有开关速度快,导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件,研究它的开通和关断过程当然是必不可少的,今天我们就来说说IGBT开通过程
2019-01-01 15:04:0048899

IGBT驱动要点及保护电路分析过程结果

IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。在设计栅极驱动电路时,当栅极驱动电压大于阈值电压时IGBT即可开通,一般情况下阈值电压Uge(th)=5~6V。这样即可以使IGBT开通时完全饱和
2019-07-26 09:46:2516179

一文详解IGBT模块并联动态均流方法

动态工作指电力电子器件的开通和关断过程IGBT的开关频率越高,动态均流问题对整个系统的影响就越大。
2020-05-02 17:21:0010468

IGBT开关特性的实例分享

IGBT器件T1通过双脉冲信号两次开通和关断。换流的变化率di/dt导通过电阻RGon来调节的,VCC是直流母线电压。
2020-05-02 17:51:003613

详细解读IGBT开关过程

IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态,即VGE为负压VGC-
2021-02-19 09:31:1215196

功率MOSFET的开通过程开通损耗资料下载

电子发烧友网为你提供功率MOSFET的开通过程开通损耗资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-04 08:55:5057

双脉冲开关的特性是什么,IGBT开通和关断过程描述

IGBT开关过程中通常用开通延迟td(on)、关断延迟td(off)、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06:016718

如何通过设计确保IGBT并联均流措

由于并联IGBT自身参数的不一致及电路布局不对称等,必引起器件电流分配不均,严重时会使器件失效甚至损坏主电路,因此,IGBT并联的重点是考虑如何通过设计确保均流。目前现有的一些IGBT并联均流措施包括:降额法、栅极电阻匹配法、发射极电阻反馈法、外加电感平衡法等。
2022-02-18 11:11:332878

IGBT开关时间的定义

IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态,即VGE为负压VGC-
2022-03-26 18:33:364680

IGBT门极开通电压尖峰是怎么回事?

这个时候IGBT还没有开通,由于开通瞬态IGBT输入电容相当于短路,因此门极电流Ig快速上升至峰值电流,随后门极电容会逐渐被充电至开启阈值电压Vge,th,米勒平台Vgep,最后到Vcc,门极电流也逐渐减小至0。
2022-04-26 15:14:326085

脉冲器件开通关断会引起什么问题

IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一样,过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。
2022-05-24 09:56:242215

MOS管的开通过程

如图,MOS管内部有寄生电容Cgs,Cgd,Cds。因为寄生电容的存在,所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程
2022-08-25 09:47:265204

详解IGBT开关过程

IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态,即VGE为负压VGC-,后级输出为阻感性负载,带有续流二极管。
2023-01-10 09:05:471975

浅谈MOS管开通过程的米勒效应及应对措施

在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中,所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应,本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10 14:05:506736

关于对IGBT关断过程的分析

上一篇,我们写了基于感性负载下,IGBT开通过程,今天,我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析,而今 天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。
2023-02-22 15:21:339

IGBT双脉冲测试的原理

(一)IGBT双脉冲测试的意义 对比不同IGBT的参数及性能; 获取IGBT开通和关断过程的参数; 评估驱动电阻是否合适; 开通和关断过程是否有不合适的震荡; 评估二极管的反向恢复行为和安全
2023-02-22 15:07:1511

IGBT的开关时间说明

IGBT的开关时间说明 IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态
2023-02-22 15:08:431

IGBT直通短路过程问题分析

目录 1、IGBT的工作原理和退饱和 1.1 IGBT 和 MOSFET结构比较 1.2 IGBT 和 MOSFET 在对饱和区的定义差别 1.3 IGBT 退饱和过程和保护 2、电感短路和直通短路
2023-02-22 15:14:446

IGBT的相关知识

  三相逆变器为什么是六单元模块? 两个IGBT模块控制一相 (具体原理如下) 1 ) 栅极驱动电压IGBT开通时, 正向栅极电压的值应该足够令IGBT产生完全饱和, 并使通态损耗减至最小, 同时
2023-02-22 14:29:220

栅极驱动参数对IGBT开通的影响

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS绝缘栅型场效应管组成的复 合全控型电压驱动式功率半导体器件
2023-02-23 09:52:070

IGBT半桥模块吸收电容计算方法

与母线电压相减使IGBT模块电压下降,因此不需要为开通过程增加吸收电容),而合理地增加吸收电容可以解决该问题。
2023-02-23 09:11:1216

说说IGBT开通过程

一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理,不同的行业对使用IGBT时,对于其深入的程度可能不一样,但是作为一个开关器件,开通和关断的过程
2023-05-25 17:16:251262

9.3.3 开通过程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

9.3.3开通过程9.3晶闸管第9章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产
2022-03-28 14:59:59223

8.2.12.1-4 开通过程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.12.1开通过程,0
2022-03-08 09:22:21234

如何通过门极电阻来调整IGBT开关的动态特性呢?

IGBT的开关特性是通过对门极电容进行充放电来控制的,实际应用中经常使用+15V的正电压对IGBT进行开通,再由-5V…-8V…-15V的负电压进行关断。
2023-07-04 14:54:051699

谈谈二极管与IGBT少子寿命的影响

IGBT开关过程中通常用开通延迟td(on)、关断延迟td(off)、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。图5是IGBT整个开关过程的波形。
2023-07-12 11:07:38326

来自英飞凌开发者社区的10问10答——IGBT

Q在IGBT器件的开通过程中,栅极电荷Qg的充电过程是怎样的?A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的数据手册中如图1所示,给出了栅极电荷Qg和栅极电压Vge的关系。图2为IGBT器件简化示意图。栅极电荷的充电过程可以分为以下三个区域。
2023-08-02 08:17:09802

igbt怎样导通和关断?igbt的导通和关断条件

、N型漏源和门极组成。因其高电压和高电流开关能力,广泛应用于电力和电能控制器的控制中。 IGBT的导通和关断是通过控制门极电压来实现的。下文详细介绍IGBT的导通和关断条件,以及具体的导通和关断过程IGBT
2023-10-19 17:08:028172

IGBT双脉冲测试的意义和原理

对比不同IGBT的参数及性能; 获取IGBT开通和关断过程的参数; 评估驱动电阻是否合适; 开通和关断过程是否有不合适的震荡;
2023-11-10 09:12:32786

IGBT动态测试参数有哪些?

和性能,动态测试是必不可少的。下面将详细介绍IGBT动态测试的参数。 1. 开通特性测试(Turn-on Characteristics Test): 开通特性测试是通过控制IGBT的输入信号,来检测
2023-11-10 15:33:51885

MOS管开通过程的米勒效应及应对措施

MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
2023-11-27 17:52:431378

IGBT的动态特性及开通过程

导通时,当栅极电压高于阈值电压,电流开始通过IGBT。饱和电压下降速度表示在IC(集电极电流)上升到特定值时,VCE(集电极-发射极电压)下降的速度。
2024-02-06 10:42:42268

IGBT开通过程发生的过流、短路故障

IGBT开通过程发生的过流、短路故障 IGBT是一种三端功率半导体器件,常用于电力电子领域。它具有开关速度快、工作温度范围广、损耗小等优点,因此在各种电源、驱动、变换和控制系统中得到广泛应用。 然而
2024-02-18 11:14:33309

IGBT通过程发生的过流、短路故障

IGBT通过程发生的过流、短路故障 IGBT通过程中可能发生的过流、短路故障一直是电力电子领域研究的热点问题之一。IGBT 是一种新型的功率半导体器件,它结合了普通晶体管的低压控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247

退饱和电路的实现机理是什么样的?IGBT退饱和过程和保护

退饱和电路的实现机理是什么样的?IGBT退饱和过程和保护 退饱和电路的实现机理是当IGBT工作在饱和状态时,通过引入一定的电路设计和调整,使IGBT在过载或故障情况下能够自动退出饱和状态,以保护
2024-02-18 14:51:51423

什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间?

的重要指标,直接影响着设备的工作效率和可靠性。 开通时间 开通时间是指从驱动信号施加到IGBT导通的时间。在开通过程中,当控制极(门极)施加一个适当的正电压时,控制电流通过绝缘栅而在MOS层形成电子-空穴对。电子从N型区向P型区注入,并
2024-02-20 11:19:16280

已全部加载完成