近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能极限，氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体
2022-08-22 09:44:01
3651 IGBT 功率模块工作过程中存在开关损耗和导通损耗，这些损耗以热的形式耗散，使得在 IGBT 功率模块封装结构产生温度梯度。并且结构层不同材料的热膨胀系数( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差较大
2022-09-07 10:06:184436 封装技术是一种将芯片与承载基板连接固定、引出管脚并将其塑封成整体功率器件或模块的工艺，主要起到电气连接、结构支持和保护、提供散热途径等作用[4]。封装作为模块集成的核心环节，封装材料、工艺和结构
2022-09-21 11:56:262298 SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新，包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联
2023-01-07 10:24:371062 在有限的封 装空间内，如何把芯片的耗散热及时高效的释放到外界环境中以降低芯片结温及器件内部各封装材料的工作温度，已成 为当前功率器件封装设计阶段需要考虑的重要问题之一。本文聚焦于功率器件封装结构
2023-04-18 09:53:235976 
针对功率器件的封装结构，国内外研究机构和 企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开 发实践，多种结构封装设计理念被国内外研究机构提出并研究，一些结构设计方案已成功应用在商用功率器件上。
2023-05-04 11:47:03893 
杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战，本文分析传统封装结构中杂散电感参数大的根本原因，并对国内外的现有
2023-09-24 10:42:40391 
，碳化硅器件持续的小型化和快速增长的功率密度也给功率模块封装与热管理带来了新 的挑战。传统封装结构和散热装置热阻较大，难以满足碳化硅器件高热流密度冷却需求，同时，高功率密度 模块散热集成封装需求
2023-11-08 09:46:441117 4G的技术演进道路及趋势报告从现有技术考虑，4G有三条可能的技术演进轨迹，但最终的趋势将是不同的无线通信技术在NGN架构下融合、共存，形成多层次的无线网络环境。2006年，在业界还在为3G牌照的归属猜测议论之时，4G已经“润物细无声”的走入人们的视野。[hide][/hide]
2009-12-18 16:40:24
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
模块化结构提高了产品的密集性、安全性和可靠性，同时也可降低装置的生产成本，缩短新产品进入市场的周期，提高企业的市场竞争力。由于电路的联线已在模块内部完成，因此，缩短了元器件之间的连线，可实现优化布线
2021-09-09 09:15:24
DigiPCBA 解决元器件库封装 有没有直接可以搜索元器件封装怎么单个导入
2021-03-18 10:17:32
半导体产品的集成度和成本一直在按照摩尔定律演进。在这方面，作为半导体产品的重要一支———可编程逻辑器件也不例外。“最先进的半导体工艺几乎都会在第一时间被应用在FPGA产品上。”骏龙科技公司
2019-10-29 06:02:53
应力会使光器件和光纤之间的对准发生偏移。在高精度加速度计和陀螺仪中，封装需要和MEMS芯片隔离以优化性能（见图1）。图1 常规晶圆级封装（WLP）结构示意图根据生产的MEMS器件类型的不同，电子性能
2010-12-29 15:44:12
为满足晶体管用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言，为这些
2019-07-05 06:56:41
为满足晶体管用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言，为这些
2019-07-09 08:17:05
。 传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，而且
2018-09-11 16:12:04
、IGBT、可控硅、电源模块、整流桥、功率电阻等领域工艺与技术已经趋于完善。 TO-247-3L封装结构与尺寸表 TO-247-2L封装结构与尺寸表 TO247安装注意事项： TO247
2020-09-24 15:57:31
半导体器件主要有功率模组、功率集成电路（即Power IC，简写为PIC，又称为功率IC）和分立器件三大类；其中，功率模组是将多个分立功率半导体器件进行模块化封装；功率IC对应将分立功率半导体器件与驱动
2019-02-26 17:04:37
`什么是光模块？光模块又有着哪些类型和参数？这些你知道吗？今天，小编就给大家分享一下光模块的类型、参数和发展史。 光模块的诞生可以从最早的1X9封装光模块说起，1X9封装光模块从诞生到现在也有近20
2017-11-01 13:36:50
用cadence画元器件封装，在已有元器件封装基础上如何修改封装的实体范围？
2015-09-28 17:07:45
和DRAM），40μm的芯片堆叠8个总 厚度为1.6 mm，堆叠两个厚度为0.8 mm。如图1所示。图1 元器件内芯片的堆叠 堆叠元器件（Amkor PoP）典型结构如图2所示： ·底部PSvfBGA
2018-09-07 15:28:20
都将按照自身的规律不断发展下去。封装中系统(SiP)是近年来半导体封装的重要趋势，代表着未来的发展方向。封装中系统在一个封装中集成多个形式各异、相对独立义紧密相连的模块以实现完整强大的功能，具有较短
2018-11-23 17:03:35
晶体管有H型、Q型封装的管芯一陶瓷一金属结构，双极型功率晶体管因成本低，仍占有一席之地，功率MOSFET向低内阻、低电压应用发展。管芯与封装占用面积之比也是功率器件封装改进的重要方向，在以往的SMT封装
2018-08-29 10:20:50
电传输性的影响作了系统的实验研究与分析，并论述了声表面波器件在封装方面的现状及其发展趋势。关键词：封装，声表面波器件，电传输性，滤波器，谐振器，移动通信中图分类号：TN305.94 文献标识码：A
2018-11-23 11:14:02
线路相对简单，散热结构完善，物理特性稳定。所以说，大功率LED器件代替小功率LED器件成为主流半导体照明器件的必然的。但是对于大功率LED器件的封装方法并不能简单地套用传统的小功率LED器件的封装方法
2013-06-10 23:11:54
白光LEI)制造工艺、器件设计、组装技术三方面的进展，LED发光性能一直在提高.其成本一直在降低。PN结设计、再辐射磷光体和透镜结构都有助于提高效率，因此也有助于提高可获得的光输出。目前多数的封装方式
2013-06-04 23:54:10
上海瞻芯该项专利中所提供的半导体结构和制备方法，相较于同种器件而言，其电场强度能够大幅降低，提高了半导体器件栅氧化层的可靠性。同时栅漏之间的电容也被大幅降低，从而极大的减少了开关功率的损耗
2020-07-07 11:42:42
支持模块化的趋势，通过降低其他封装技术的成本来实现。隐身的电子器件（嵌入式芯片）可有效防止逆向工程和造假。”嵌入式芯片是将多个芯片集成到单个封装体中的几种方法之一，但并不是唯一选择。TEL NEXX公司
2019-02-27 10:15:25
传热材料、功率母线、功率器件、铜层、陶瓷、集成无源模块、金属层、表面贴装芯片（驱动、检测及保护元件）等。这种三维多层集成封装技术，将功率模块、集成电路等做成三明治（Sandwich）结构形式。 图2 嵌入功率器件的多层集成封装的剖面图 :
2018-11-23 16:56:26
：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战，论文分析传统封装结构中杂散电感参数大的根本原因，并对国内外
2023-02-22 16:06:08
各位大神们，求Allegro中的一些器件PCB封装SP3232EEN DB9公头/母头插座 端子3P 功率电感5*5*2 功率电感4*4*2 SN74CB3Q3253 排针2X12p 排针2X12p
2017-09-30 17:31:25
汽车用基础电子元器件发展现状如何？国内汽车用基础电子元器件发展现状如何？汽车用基础电子元器件发展趋势是什么？
2021-05-17 06:27:16
为标准化模块，并封装为一体，构成集成电力电子模块。集成电力电子模块既不是某种特殊的半导体器件，也不是一种无源元件。它是按照最优化电路拓扑和系统结构的原则而设计出的包含多种器件的集成组件或模块。除了具备有功率
2018-08-28 11:58:28
给电阻和电容添加封装时，功率是怎么选定的，比如axial0.4他的功率是多少呢？？？
2013-07-24 19:14:55
ASIC、FPGA和DSP的应用领域呈现相互覆盖的趋势，使设计人员必须在软件无线电结构设计中重新考虑器件选择策略问题。本文从可编程性、集成度、开发周期、性能和功率五个方面论述了选择ASIC、FPGA
2019-07-26 06:09:25
）的工业系统需要多个电源轨，同时面临小尺寸和低成本的挑战。集成柔性功率器件可以为这种应用显著降低成本，减小解决方案尺寸。 集成柔性功率器件在同一封装内包含多个DC/DC转换器。这些DC/DC转换器可以是单个
2022-11-14 06:20:23
大功率LED封装结构的仿真设计:设计针对大功率L ED 的光学结构进行分析, 建立大功率L ED 的光学仿真模型, 模拟L ED 光强分布曲线,对实测数据和仿真结果进行了比较, 重点说明L ED 封
2008-10-27 17:08:31
41 小功率LED光源封装光学结构的MonteCarlo模拟及实验分析
摘要：采用MonteCarlo方法对不同光学封装结构的LED进行模拟，建立了小功率LED的仿真模型，应用空间二次曲
2010-06-04 15:55:3518 文章论述了大功率LED封装中的散热问题，说明它对器件的输出功率和寿命有很大的影响，分析了小功率、大功率LED 模块的封装中的散热对光效和寿命的影响。对封装及应用而言，
2010-10-22 08:53:33136 现代功率模块及器件应用技术
引言
最近20年来，功率器件及其封装技术的迅猛发展，导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的
2009-04-09 08:54:241001 
智能功率器件的原理与应用
摘要：目前，功率器件正朝着集成化、智能化和模块化的方向发展。智能功率器件为机电一体化
2009-07-15 07:56:561565 
SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与S
2009-11-19 08:48:432355 本文介绍了大功率电力电子器件I P M 智能功率模块，给出了模块的内部电路结构及功能特点。以通用变频电源的设计为例，介绍了以I P M 智能功率模块为核心的主电路及其控制电路的设
2011-12-22 14:30:11105 1998年前，LED封装结构比较单一，主要以小功率LAMP系列为主。而2000年以来，随着SMD系列产品的诞生，不断有新的LED封装结构出现。与此同时，LED封装结构主要根据应用产品的需求而改变
2012-07-11 09:37:004481 
高可靠功率器件金属封装外壳的技术改进
2017-09-12 14:30:4714 目前国际功率半导体器件的主流主品功率MOS器件只是近年来才有所涉及，且主要为平面栅结构的VDMOS器件，IGBT还处于研发阶段。
2017-09-20 17:46:5944 本文详细介绍了光收发模块的封装技术及其发展趋势。
2017-11-06 10:51:5658 本文介绍了VISHAY汽车级功率器件的设计及应用趋势。
2017-11-20 16:44:2524 本文介绍了什么是功率半导体器件，对功率半导体器件分类和功率半导体器件优缺点进行了分析，分析了功率半导体模块的发展趋势以及功率半导体器件的基本功能和用途。
2018-01-13 09:19:4317515 可控硅模块通常被称之为功率半导体模块。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类
2018-01-26 17:30:5115979 
由于以前器件的存在，多是分离式器件(discrete device)或模块(module)形式，而不是更习见的集成电路封装；其生产工厂多为传统的6吋厂、8吋厂，而使用制程最多止于0.13/0.11微米，因此比较少接受到关注。
2018-11-16 16:23:146237 Carsem（嘉盛半导体）是分立功率器件行业的领先OSAT厂商，是全球最大的封装和测试组合产品供应商之一。
2019-07-02 15:05:043984 功率器件的封装方法，其特征在于，在管芯内充以高热导率的流体使之完全充满。戚者也可以在芯片表面涂敷一层高热导率的薄膜。
2020-05-09 10:28:414405 
小包并输送能量，在输出端使之重新成为另一种连续的能量流，而这些主要便是依靠功率半导体器件及特定的电路结构来实现的。下面列举了电力电子器件的一些应用场合： 功率半导体按照不同的分类标准可以进行如下分类： ①按照控制特性分
2022-12-02 17:07:193803 SKiiP功率半导体器件的封装技术指将DCB陶瓷基片和散热器直接热压接构成，因此可以去掉铜底板。这使得该技术在可靠性和结温方面具有内在的优势。两种新的功率模块系列产品利用这项技术，把压力连接的设想
2021-01-18 16:47:1614 随着电子产业的发展，电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率模块在瞬态和稳态情况下都要有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块
2022-03-20 12:13:372907 3D封装对电源器件性能及功率密度的影响
2021-05-25 11:56:0315 产业发展趋势 5G对光模块速率需求提升，25/50/100Gb/s光模块成前中回传主流需求 为了满足大带宽、低延时、广覆盖的要求，5G无线接入网架构从4G的基带处理单元、射频拉远单元两级结构演进为集中单元、分布单元和有源天线单元三级结构，相应的
2021-06-18 15:28:441592 器件的可靠性备受业界的期待。而其中关键的影响因素是功效器件封装失效的问题。本文介绍功率器件封装的内涵和分类，通过对失效机理的分析，提出功率器件封装工艺优化的路径。 封装工艺是为了提升电子设备运行的可靠性，采取的相应保护措施，即
2021-07-05 16:45:154054 随着新一代 IGBT 芯片结温及功率密度的提高，对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文
章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势，重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电
2022-05-06 15:15:556 IGBT 功率模块基本的封装工艺介绍，给初入半导体芯片制造封装的工程师作为参考资料。
2022-06-17 14:28:4251 广义的光通信器件按照物理形态的不同，可分为：芯片、有源光器件、无源光器 件、光模块与子系统这四大类。其中，有源光收发模块在光通信器件中占据蕞大 份额，约 65%。有源光器件主要用于光电信号转换，包括激光器、调制器、探测器和集成器件等。
2022-06-30 11:02:412521 
直接导线键合结构最大的特点就是利用焊料，将铜导线与芯片表面直接连接在一起，相对引线键合技术，该技术使用的铜导线可有效降低寄生电感，同时由于铜导线与芯片表面互连面积大，还可以提高互连可靠性。
2022-07-27 15:08:592298 日前，贝思科尔举办了《功率器件Power Cycling测试与数据后处理分析》线上直播活动。 本次直播主要针对各种先进封装工艺的功率器件和模块的快速发展，分析该领域功率器件模块的Rth热测试和PC
2022-10-21 17:15:541928 针对要求最严苛的功率开关应用的功率分立元件和模块的封装趋势，从而引入改进的半导体器件。即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙类型，将显着提高功率开关应用的性能，尤其是汽车牵引逆变器
2022-11-16 10:57:40539 
SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新，包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联
2022-12-12 13:57:581468 大家好，我们都知道无论是**功率半导体模块封装设计**还是**功率变换器的母线**设计，工程师们都在力求 **杂散电感最小化** ，因为这样可以有效减小器件的 **开关振荡及过压风险** ，今天我们结合主流功率半导体厂商的SiC MOSFET模块，聊一下低杂感模块封装内部是如何设计的？
2023-01-21 15:45:00914 
意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比，意法半导体先进的ACEPACK SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。
2023-01-16 15:01:251079 
来源：意法半导体 2023 年 1 月 16日，中国——意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK™ SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比，意法半导体先进的ACEPACK
2023-01-18 15:40:29361 作为电子系统中的基本单元，功率半导体是电力电子设备正常运行不可或缺的部件，应用场景广泛，且需求日益丰富。从行业技术和性能发展来看，功率半导体器件结构朝复杂化演进，功率半导体的衬底材料朝大尺寸和新材料
2023-02-03 09:46:40976 
功率器件到底在半导体中扮演着什么角色呢？在本文中，我们将从功率器件的概况、市场分布与竞争格局、国内外发展差
距以及国产化替代的现状等几个方面，简要探讨一下功率器件行业的现状与趋势。
2023-02-16 15:11:217 功率器件及功率模块的散热计算，其目的是在确定的散热条件下选择合适的散热器，以保证器件或模块安全、可靠地工作。目前的电子产品主要采用贴片式封装器件，但大功率器件及一些功率模块仍然有不少用穿孔式封装，这主要是可方便地安装在散热器上，便于散热。
2023-02-16 17:52:29675 我们拿慧制敏造碳化硅半导体出品的KNSCHA碳化硅二极管封装接下来我们来看一下碳化硅二极管的贴片封装，常见的有有TO-263和TO-252封装，随着近些年电源对于功率密度要求不断提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等，是电子装置中电能转换与电路控制的核心。功率半导体器件种类众多，按集成度可分为功率IC、功率模块和功率分立器件三大类
2023-02-22 15:41:02560 功率半导体器件一直是电力电子技术发展的重要组成部分，随着电力电子应用领域的不断扩展和电力电子技术水平的提高，功率半导体器件也在不断发展和创新。目前，功率半导体器件发展的主要趋势和方向包括以下几个方面
2023-02-28 11:22:193017 功率器件的封装正朝着小体积和3D封装发展，在工作损耗不变的情况下，使得器件的发热功率密度变得更大，在热导率和热阻相同的情况下，会使得封装体和裸芯的温度更高，高温会带来许多问题。
2023-03-20 17:49:46964 功率半导体模块主要应用于电能转换和电能 控制，是电能转换与电能控制的关键器件，被誉为 电能处理的“CPU”，是节能减排的基础器件和核心技术之一
2023-03-24 17:29:233748 
作为高可靠性芯片连接技术，银烧结技术得到了功率模块厂商的广泛重视，一些功率半导体头部公司相继推出类似技术，已在功率模块的封装中取得了应用。
2023-03-31 12:44:271885 通过对现有功率器件封装方面文献的总结，从器件封装结构散热路径的角度可以将功率器件分为单面散热器件、双面散热器件和多面散热器件。
2023-04-26 16:11:33918 
等。 由于功率开关元件在操作时产生很多热量，因此功率模块封装选择具有优异的散热性能的材料是重要的，并且因为功率开关元件应在垂直方向上彼此平行布置，所以功率模块封装被设计成具有优异的导热性和热扩散性的封装结构。 因此，目前在功率
2023-05-31 09:32:31289 化、多功能化和体积紧凑化的发展趋势。为实现封装器件低电感设计，器件封装结构更加紧凑，而芯片电压等级和封装模块的功率密度持续提高，给封装绝缘和器件散热带来挑战。在有限的
2023-04-20 09:59:41711 
单元，IGBT模块得到越来越广泛的应用。IGBT器件封装形式主要有焊接式和压接式两种，其中焊接式发展成熟，应用广泛。IGBT模块的封装结构比较复杂，是由多种材料组合
2023-05-18 10:11:522952 
功率器件是指用于控制、调节和放大电能的电子元件。它们主要用于处理大功率电信号或驱动高功率负载，例如电机、变压器、照明设备等。
2023-06-28 17:02:091649 功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035068 
碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701 
封装技术是一种将芯片与承载基板连接固定、引出管脚并将其塑封成整体功率器件或模块的工艺，主要起到电气连接、结构支持和保护、提供散热途径等作用[4]。封装作为模块集成的核心环节，封装材料、工艺和结构直接影响到功率模块的热、电和电磁干扰等特性。
2023-08-24 11:31:341050 
功率半导体器件在现代电力控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是其中两个最为常见的器件类型。它们都可以用于控制大功率负载和驱动电机等应用，但是它们的内部结构和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494679 尤其是在目前功率器件高电压、大电流和封装 体积紧凑化的发展背景下，封装器件的散热问题已 变得尤为突出且更具挑战性。芯片产生的热量 会影响载流子迁移率而降低器件性能。此外，高温 也会增加封装不同材料间因热膨胀系数不匹配造 成的热应力，这将会严重降低器件的可靠性及工作寿命。
2023-09-25 16:22:28365 
长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398 传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，而且不具备足够的坚固性。
2023-10-09 15:20:58299 
传统的功率模块基本结构分层图来说说其构成：可见，我们前面聊的很多的半导体芯片，只是功率模块中的一部分，除此之外还包括其他的成分。而这些成分的选择和搭配，再结合半导体芯片的特性，将决定功率模块的整体性
2023-10-24 09:45:033037 电动汽车近几年的蓬勃发展带动了功率模块封装技术的更新迭代。
2023-10-24 16:46:221114 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域。该封装结构包括转接板以及间隔贴装在转接板上的第一器件、第二器件和第三器件，第一器件、第二器件和第三器件之间相互间隔设置，以在第三器件朝向第一器件和第二器件的一侧形成第一间隙槽，第一器件和第二器件之间形成第二间隙槽
2023-11-06 10:44:22301 
和导电性的要求外，更能提高 IPM 芯片密度的设计，并配合未来铜烧结键合的方向，有效帮助 SiC 模块充分发挥高功率的性能。
2024-01-03 14:04:45232 
分析多方面因素综合作用下的功率器件失效过程和机理。半导体模块在实际的工作中不仅涉及热应力，同时还受振动、湿度等因素影响，现有研究主要集中在温度对器件可靠性的影响，较少分析多种因素共同作用下的失效机理。
2024-01-03 16:21:05354 
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 共读好书 敖国军 张国华 蒋长顺 张嘉欣 （无锡中微高科电子有限公司） 摘要： 倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚（焊球、焊柱、针）、盖板（气密性
2024-02-21 16:48:10132 
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