本文从实际应用出发,总结了过压、过流与过热保护的相关问题和各种保护方法,适用性强、应用效果好。
2011-11-21 16:13:321705 IGBT承受过电流的时间仅为几微秒,耐过流量小,因此使用IGBT首要注意的是如何进行IGBT保护电路设计。
2011-12-17 00:14:008626 现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片能保护到的IGBT的项。
2022-09-05 10:05:424179 上图是一个典型的三相逆变器拓扑结构,在这个图里面我们直接给出了经过直流母线之后的主电路拓扑,这个逆变器的工作典型流程是这样的
2023-10-02 15:54:00211 的技术、项目经验积累,着笔SiC相关设计的系列文章,希望能给到大家一定的参考,并期待与您进一步的交流。 作为系列文章的第四篇,本文主要针对SiC MOSFET 短路Desat 保护设计做一些探讨。 1. 什么是Desat Desat保护是功率MOSFET和IGBT保护中很重要的概念, 下面我
2022-08-01 14:39:002091 CMS79F53x为CMS自主8位RISC内核的电磁加热SoC,集成度高,工作电压频率:3.0V-5.5V @32MHz,可提供安全保护,并易过各项测试认证。
安全全面的IGBT保护
• 电压
2023-05-16 09:22:17
、电动工具和电动自行车· 电信电源线路保护电路· SMPS直流线路、MOSFET和IGBT保护电路· 消费类产品LNB电路和电源常州鼎先电子有限公司***邢思前专业生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD
2020-04-09 09:37:27
本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 编辑
GBT 工作原理及应用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的保护引言绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管
2021-03-17 11:59:25
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑
IGBT保护分析
2012-07-24 23:08:06
摘要:全面论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护的有关问题,并从实际应用中总结出各种保护方法,这些方法实用性强,保护效果好。 1 引言 IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制
2011-08-17 09:46:21
`<strong>IGBT保护电路设计方法<br/></strong><br/>[/hide]`
2009-12-02 11:03:27
实用性。全书共7章,分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域
2011-11-25 15:46:48
IGBT 发生短路,产生很大的瞬态电流,从而使 IGBT 损坏。IGBT 的保护通常采用快速自保护的办法即当故障发生时,关断 IGBT 驱动电路,在驱动电路中实现退饱和保护;或者当发生短路时,快速地关断
2019-12-25 17:41:38
,器件将失去阻断能力,栅极控制就无法保护,从而导致IGBT失效。实际应用时,一般最高允许的工作温度为125℃左右。2、超出关断安全工作区引起擎住效应而损坏。擎住效应分静态擎住效应和动态擎住效应。IGBT为
2020-09-29 17:08:58
IGBT 发生短路,产生很大的瞬态电流,从而使 IGBT 损坏。IGBT 的保护通常采用快速自保护的办法即当故障发生时,关断 IGBT 驱动电路,在驱动电路中实现退饱和保护;或者当发生短路时,快速地关断
2019-12-27 08:30:00
IGBT模块在列车供电系统中的应用及保护 摘 要:介绍了IGBT模块的结构、特点及其在列车供电系统中的应用,探讨了对IGBT的保护问题。 关键词:IGBT;应用;保护 2O世纪8O年代初
2012-06-01 11:04:33
IGBT模块的有关保护问题-IGBT模块散热器 对IGBT模块散热器的过流检测保护分两种情况: (1)、驱动电路中无保护功能。这时在主电路中要设置过流检测器件。对于小容量变频器,一般是把电阻R直接
2012-06-19 11:26:00
主要是关于IGBT的短路保护问题
2018-07-02 21:53:23
本资料的主要内容详细介绍了IGBT相关使用指南,包括用于IGBT驱动的集成芯片TLP250、EXB8..Series等芯片的结构简图,典型特征和使用方法;IGBT保护电路的应用实例和设计方法,保护
2019-03-05 14:30:07
IGBT过流保护的保护时间一般设定成多少合适?根据IGBT哪些参数得出来的那?
2017-02-24 11:01:51
igbt保护电路短路保护电路的设计:由对图1所示电路的分析,可以得到igbt短路保护电路的原理更详细请查看:新型IGBT短路保护电路的设计
2008-10-21 01:19:56
谁帮俺女友画个电路图呀 关系寡人后半生幸福 有人吗联系QQ237029870重金大谢啊题目 igbt的过压过流软保护要求 ce端反向过压(大于300V)时能自动 保护。。正向电压在igbt触发
2014-04-21 10:49:28
说ACPL-336J是光耦隔离驱动的祖先,其实是彻底错误的,因为在它之前AVAGO还有很多歌版本。但是如果说它的生父AVAGO公司是光耦隔离驱动的祖先应该是没错的。中功率小功率的IGBT保护与驱动,用ACPL-336J再好不过了,如果不是特别特别抠成本的话。...
2021-11-16 08:33:20
基本参数:
CMS79F53x为CMS自主8位RISC内核的电磁加热SoC,集成度高,工作电压频率:3.0V-5.5V @32MHz,可提供安全保护,并易过各项测试认证。
安全全面的IGBT保护
2023-06-26 09:23:42
类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类
2022-02-17 07:44:04
`内容简介《IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例》结合国内外IGBT的发展和最新应用技术,以从事IGBT应用电路设计人员为《IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例》的读者对象,系统、全面地讲解
2021-07-24 17:13:18
的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。本书题材新颖实用,内容丰富,文字通俗
2015-05-29 10:47:00
IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例链接:https://pan.baidu.com/s/1Zhphe5yvZi5xHr7Ng4ppOg提取码:lwrt内容简介《IGBT驱动与保护电路设计
2022-02-17 11:29:03
时间范围是10 μs,但近年来的趋势是在往5 μs3以及某些条件下低至1 μs方向发展。4 此外,不同器件的短路耐受时间也有较大的不同,因此对于IGBT保护电路而言,通常建议内建多于额定短路耐受时间
2019-07-24 04:00:00
CMS79F53x为CMS自主8位RISC内核的电磁加热SoC,集成度高,工作电压频率:3.0V-5.5V @32MHz,可提供安全保护,并易过各项测试认证。安全全面的IGBT保护 • 电压,电流双
2023-04-04 14:21:38
至1 μs方向发展。此外,不同器件的短路耐受时间也有较大的不同,因此对于IGBT保护电路而言,通常建议内建多于额定短路耐受时间的额外裕量。IGBT过流保护无论出于财产损失还是安全方面的考量,针对过流
2019-10-06 07:00:00
几种IGBT短路保护电路图7是利用IGBT过流时Vce增大的原理进行保护的电路,用于专用驱动器EXB841。EXB841内部电路能很好地完成降栅及软关断,并具有内部延迟功能,以消除干扰产生的误动作
2009-01-21 13:06:31
,实现对IGBT的保护。由EXB841实现过流保护的过程可知,EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压,6脚的电压不仅与VCE 有关,还和二极管VD2的导通电压Vd有关。典型接线方法如图2,使用时
2017-07-11 22:55:47
CE过大使得VD2截止,使得VS1击穿,V3导通,C4通过R7放电,D点电位下降,从而使IGBT的栅一射间的电压UGE降低 ,完成慢关断,实现对IGBT的保护。由EXB841实现过流保护的过程可知
2019-03-03 06:30:00
(258.85 KB)下载次数: 633IGBT散热设计方法.pdf (1.24 MB) IGBT散热设计方法.pdf (1.24 MB)下载次数: 606IGBT保护电路设计方法
2010-08-26 22:25:24
【导读】保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用,本文讨论IGBT驱动电路和IGBT的保护,包括驱动电路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驱动电路、2SD315A
2018-09-26 15:53:15
to qualify for this job?产品安全, 电磁兼容及气候环境条件的基本知识。开关电源的设计知识。IGBT选型及功耗计算知识。IGBT保护知识。直流母线电容的选型知识。IGBT分立
2017-01-12 14:15:19
/dt等参数,并决定了IGBT静态与动态特性。因此设计高性能的驱动与保护电路是安全使用IGBT的关键技术[1,2]。 2 IGBT对驱动电路的要求 (1)触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度,即
2011-08-18 09:32:08
的驱动电路就和变换器整体方案的可靠性紧密相关。驱动器主要完成以下三个方面的功能,首先是驱动功能,为igbt开关提供足够大的驱动电流,保证igbt能在其控制下可靠地开通和关断;其次是驱动器要具有保护功能
2021-04-20 10:34:14
IGBT的驱动保护电路IGBT在电磁振荡中的应用
2021-04-08 06:35:30
使用IGBT首要注意的是过流保护,产生过流的原因大致有:晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损 坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。针对这些原因该如何设计电路呢?
2019-02-14 14:26:17
较差,一旦出现意外就会使它损坏。为此,必须但对IGBT进行相关保护。 过流保护生产厂家对IGBT提供的安全工作区有严格的限制条件,且IGBT承受过电流的时间仅为几微秒(SCR、GTR等器件承受过流时间为
2011-10-28 15:21:54
的应力更大,故 IGBT 的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而,在选择 IGBT 时除了要作降额考虑外,对 IGBT 的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。1 IGBT 的工作原理IGBT
2021-03-19 15:22:33
是10 μs,但近年来的趋势是在往5 μs3 以及某些条件下低至1 μs方 向发展。4 此外,不同器件的短路耐受时间也有较大的不同,因 此对于IGBT保护电路而言,通常建议内建多于额定短路耐受时 间
2018-08-20 07:40:12
耐受时间。过去,这一时间范围是10 μs,但近年来的趋势是在往5 μs以及某些条件下低至1 μs方向发展。此外,不同器件的短路耐受时间也有较大的不同,因此对于IGBT保护电路而言,通常建议内建多于额定
2021-08-12 07:00:00
1 μs方向发展。此外,不同器件的短路耐受时间也有较大的不同,因此对于IGBT保护电路而言,通常建议内建多于额定短路耐受时间的额外裕量。IGBT过流保护无论出于财产损失还是安全方面的考量,针对过流条件
2018-07-30 14:06:29
是10 μs,但近年来的趋势是在往5 μs以及某些条件下低至1 μs方向发展。此外,不同器件的短路耐受时间也有较大的不同,因此对于IGBT保护电路而言,通常建议内建多于额定短路耐受时间的额外裕量
2018-11-01 11:26:03
栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是:更高的短路电流电平、更小的芯片尺寸,以及更低的热容量和短路耐受时间。这凸显了栅极驱动器电路以及过流检测和保护功能的重要性。本文讨论现代工业电机驱动中
2018-10-10 18:21:54
。过去,这一时间范围是10 μs,但近年来的趋势是在往5 μs以及某些条件下低至1 μs方向发展。此外,不同器件的短路耐受时间也有较大的不同,因此对于IGBT保护电路而言,通常建议内建多于额定短路耐受时间
2019-04-29 00:48:47
。如果需要,可以在控制器之间使用另一级别的基本隔离,以在系统级别实现增强型隔离。该方法可优化系统的隔离成本并带来额外的紧凑优势。该设计还展示了栅极驱动器的互锁功能,该功能可以在击穿期间保护 IGBT。该
2018-09-30 09:44:42
进行保护的器件,用于保护汽车电子产品的理想方案。 电动汽车电机驱动 由于电动汽车及混合动力机车的电池工作电压范围较大,在刹车能量回收、发电机发电、短路保护等工况下,防止IGBT产生过压失效成为一个必须
2018-12-18 13:54:53
CMS79F53x为CMS自主8位RISC内核的电磁加热SoC,集成度高,工作电压频率:3.0V-5.5V @32MHz,可提供安全保护,并易过各项测试认证。
安全全面的IGBT保护
• 电压
2023-06-06 09:37:55
的电容中并在1/4LC周期时被二极管截止,随后能量在电阻中耗散。但是目前遇到的问题在于在关闭电流时可以听到电路中某个位置有打火放电的声音,无法确定来源。这个声音在加上0.47uF的IGBT保护电容之前
2019-04-09 00:32:50
、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。高压
2022-02-17 07:41:52
(PWM)控制输出电压。三相逆变器还使用6个隔离式栅极驱动器驱动IGBT。除了IGBT和隔离式栅极驱动器,三相逆变器还含有直流母线电压感应、逆变器电流感应与过热、过载和接地故障等IGBT保护。在暖通空调
2018-08-29 15:10:42
针对IGBT逆变弧焊机可靠性问题讨论,提出了采用电流型PWM控制电路逐个脉冲进行检测的控制方法。试验结果表明:该控制方法具有控制线路简单,可靠性高的特点。IGBT逆变焊机
2009-07-03 15:49:1964 谈论了IGBT的驱动电路基本要求和过流保护分析,提供了IGBT驱动电路和过流保护电路。
2010-08-08 10:16:51425 系统介绍逆变器中IGBT 的驱动与保护技术, 给出了IGBT 对驱动电路的要求, 介绍了三菱公司的IGBT
驱动电路M 57962L 以及IGBT 的过压、过流、过热保护等措施。这些措施实
2010-10-13 15:45:2884 igbt工作原理及应用
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的保护引言 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其
2008-06-19 09:45:1811135 igbt保护电路
短路保护电路的设计:由对
2008-10-21 01:19:32909 利用电流传感器进行过流检测的IGBT保护电路
图8是利用电流传感器进行过流检测
2009-01-21 13:14:262197 图2为IXDN404组成的IGBT实用驱动与保护电路,该电路可驱动1200V/100A的IGBT,驱动电路信号延迟时间不超过150ns,所以开关频率图2由IXDN404组成的IGBT保护与驱动电路图1IXDN404电路原理图可
2009-06-30 20:33:491767
IGBT的保护
摘要:通过对IGBT损坏机理的分析,根据其损坏的原因,采取相应措施对其进行保护,以保证其安全可靠工作。
关键词
2009-07-11 10:08:20943 IGBT的保护措施,主要包括过压保护和过流保护两类。使用中,对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压,可以采用适
2010-11-09 18:01:181536 1 引 言
弧焊逆变电源广泛应用于造船、机械、汽车、电力、化工、石油、轻工业、航天、国防工业等部门。
2011-01-11 11:10:28990 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS
2011-08-23 14:11:44281 IGBT应用的关键问题是驱动电路和保护电路,本文根据在实际工作中对IGBT的应用讨论有关IGBT的驱动及保护问题。
2011-08-26 10:45:542090 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管。
2011-11-04 15:36:59225 2012-02-29 20:36:5362 2015-06-11 16:41:4658 (PWM)控制输出电压。 三相逆变器还使用6个隔离式栅极驱动器驱动IGBT。除了IGBT和隔离式栅极驱动器,三相逆变器还含有直流母线电压感应、逆变器电流感应与过热、过载和接地故障等IGBT保护。 在暖通空调、太阳能泵等许多终端应用中,平衡成本与
2017-04-26 11:43:00541 IGBT元件往往采用多并联形式,因此如果某个IGBT元件发生故障,将会导致并联回路中的大量IGBT损坏。而常用的快速检测方法中或多或少存在着一些无法避免的缺点,因此需要一种新的快速检测法来满足满足IGBT保护的实际要求。
2017-05-24 10:49:2510504 绝缘栅双极晶体管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保护以避免短路、过载和过电压等错误情况所造成的损坏和故障,这些保护是确保如电机驱动以及
2017-09-12 11:00:4018 有频率为20-50KHz的电流流过,励磁线圈产生高频磁场,若有铁锅置于炉面上,则锅底产生涡流,涡流克服锅内阻而转换成热能。 由于电磁炉是采用这种磁场感应电流的加热原理,它的关键元器件是大功率IGBT高速交替开关,IGBT的保护是电磁炉的重点
2017-10-16 16:55:254 本文论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护相关问题,并从实际应用中总结出各种保护方法,这些方法实用性强,保护效果好,是IGBT保护电路设计必备知识。 IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种
2017-12-04 09:15:042946 如果短路发生在负载通道或者桥接旁路,IGBT的集电极电流完全增大,造成晶体管饱和。如今市场上的IGBT模块只能防短路很短的时间。为了防止IGBT被热负荷摧毁,在安全时间内检测到短路并且可靠地关断IGBT是至关重要的。
2018-06-29 15:33:00639 ,一旦出现意外就会使它损坏。为此,必须但对IGBT进行相关保护。 过流保护 生产厂家对IGBT提供的安全工作区有严格的限制条件,且IGBT承受过电流的时间仅为几微秒(SCR、GTR等器件承受过流时间为几十微秒),耐过流量小,因此使用IGBT首要注意的是
2017-12-10 11:46:3916 【导读】保证 IGBT 的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用,本文讨论IGBT驱动电路和IGBT的保护,包括驱动电路 EXB841 /840、 M57959L /M57962L厚膜驱动电路
2017-12-11 10:05:09137 一旦发生短路,IGBT的集电极电流增加到超过既定值,则C-E间的电压急剧增加。
2018-05-29 14:43:5942 一旦发生短路,IGBT的集电极电流增加到超过既定值,则C-E间的电压急剧增加。根据这种特性,可以将短路时的集电极电流控制在一定的数值以下,但是在IGBT上仍然有外加的高电压、大电流的大负荷,必须
2018-06-20 08:00:0040 本资料的主要内容详细介绍了IGBT相关使用指南,包括用于IGBT驱动的集成 芯片 TLP250、EXB8..Series等芯片的结构简图,典型特征和使用方法;IGBT保护 电路 的应用实例和设计方法
2019-04-11 16:49:44101 IGBT失效场合:来自系统内部,如电力系统分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变都会引起过电压和过电流;来自系统外部,如电网波动、电力线感应、浪涌等。归根结底,IGBT失效主要是由集电极和发射极的过压/过流和栅极的过压/过流引起。
2019-09-02 09:40:324442 绝缘栅双极晶体管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保护以避免短路、过载和过电压等错误情况所造成的损坏和故障,这些保护是确保如电机驱动以及
2021-03-15 15:11:162461 说ACPL-336J是光耦隔离驱动的祖先,其实是彻底错误的,因为在它之前AVAGO还有很多歌版本。但是如果说它的生父AVAGO公司是光耦隔离驱动的祖先应该是没错的。 中功率小功率的IGBT保护与驱动,用ACPL-336J再好不过了,如果不是特别特别抠成本的话。...
2021-11-09 15:51:0075 、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。高压
2021-12-22 18:56:3220 /lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类
2021-12-22 18:56:4315 光伏逆变器是光伏系统非常重要的一个设备,主要作用是把光伏组件发出来的直流电变成交流电,除此之外,逆变器还承担检测组件、电网、电缆运行状态,和外界通信交流,系统安全管家等重要功能。一款全新逆变器的产出需要两年多的时间,前期需要投入大量的人力和物力去研发和测试。
2022-03-31 15:06:593006 电流传感器检测主要采用闭环霍尔电流传感器进行采样,受限于霍尔传感器的频带宽度及控制采样电路的延迟,实时性可能还有待提高;di/dt检测主要是依据IGBT的功率E级和驱动E级之间的寄生电感来判断电流的大小,而此电感参数并不容易测量。
2022-09-05 10:00:492213 (th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。
测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
高压源标配
2023-02-15 15:47:180 IGBT保护的问题 现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片能保护到的IGBT的项。1.Vce过压2.Vge过压3.短路保护4.过高的di/dt 主要是看一下短路保护和过流保护短路的定义1.桥臂内短路
2023-02-23 09:57:0015 /VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。
测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
2023-02-24 10:02:543 )、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。
测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
2023-02-24 09:58:000 /VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。
测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
2023-02-24 10:01:210 /VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。
测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
2023-02-24 09:46:510 电子发烧友网站提供《IGBT的保护电路设计方法.pdf》资料免费下载
2023-11-18 09:39:4710
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