1、 正向偏置安全工作区正向偏置安全工作区,如图4所示。它是由最大漏源电压极限线I、最大漏极电流极限线Ⅱ、
2017-10-26 11:35:199709 海飞乐技术20V MOSFET场效应管现货选型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小电流开关用
2020-03-03 17:36:16
的是,MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此,对于硬开关MOSFET应用而言,体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说,IGBT组合封装二极管
2018-08-27 20:50:45
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压吗?
2023-05-16 14:26:16
.MOSFET的 工作原理 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管
2019-06-14 00:37:57
金属-氧化层半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路
2020-07-06 11:28:15
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-06 12:23:46
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-17 15:47:18
在做电机驱动的时候很多人会用到MOSS管在这里详细讲解MOSFET管驱动电路
2016-01-20 14:15:56
MOSFET管的耐压在150左右,电流在80A左右,MOSFET管怎么选择?什么型号的MOSFET管子合适。主要用在逆变器上面的。谢谢??
2016-12-24 14:26:59
规格书中最大脉冲电流会定义在最大持续电流的4倍,并且随着脉冲宽度的增加,最大脉冲电流会随之减少,主要原因就是MOSFET的温度特性,这一点可以从之后讲到的安全工作区图形中清楚看到。理想情况下,理论上
2018-07-12 11:34:11
类型。 MOSFET的工作原理: MOSFET是一种可控制的三极管,由 Gate(门) 、 Drain(漏极)和Source(源极)构成。当在Gate上施加一个能通过MOSFET的电压,则形成电场
2023-03-08 14:13:33
与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等
2018-12-28 15:44:03
文章,这么看来,也不算是巧合)之外,我被问到的最多的问题可能就是安全工作区 (SOA) 曲线了。这是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地带,这是因为每个供应商都有各自生成SOA曲线的方法,并且在提供有
2018-09-05 15:37:29
什么是MOSFET管?由哪几部分组成?MOSFET的主要参数是什么?如何选型?
2022-02-23 06:57:53
SOA是“Safety Operation Area”的缩写,意为“安全工作区”。・需要在SOA范围内使用MOSFET等产品。・有五个SOA的制约要素,不满足其中任何一个要素的要求都有可能会造成损坏
2022-07-26 18:06:41
内部二极管的反向恢复时间trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列与标准型AN系列相比,trr速度提高至约1/5。同时,反向恢复电流Irr也降低至约1/3。这些特性的提升
2018-11-28 14:27:08
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑
MOSFET结构及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
着一定的饱和程度,也对应着跨导限制的最大电流。恒流区也被称为放大区,因为MOSFET也可以作为信号放大元件,可以工作在和三极管相类似的放大状态,MOSFET的恒流区就相当于三极管的放大区。另外恒流区还可
2016-12-21 11:39:07
。SOA的温度降低方法双极晶体管篇 MOSFET篇※降低的温度基本是元件的温度。关于元件温度的详细计算方法,请参照 "元件温度的计算方法" 。附属 SOA(安全工作区域)的温度降低
2019-05-05 09:27:01
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率
2012-07-09 10:01:42
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率
2012-07-09 11:53:47
的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET 截止,切断PNP 晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。由此可知,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定:——IGBT 栅极与发射极之间的电压
2018-10-18 10:53:03
和Flyback等电路(对MOSFET体二极管没有要求),因为LLC电路工作过程中,MOSFET的体二极管要参与大电流的过程,因此LLC电路中的MOSFET对体二极管参数有了很高的要求。以下
2019-09-17 09:05:04
,称为安全工作区,如下图所示。安全工作区可以避免管子因结温过高而损坏。图2 器件手册SOA曲线图示波器的测试应用非常简单,使用电压、电流探头正常测试开关管的VDS和IDM,并打开SOA分析功能,对照
2019-02-18 22:40:00
损耗的限制形成一个工作区域,称为安全工作区,如下图所示。安全工作区可以避免管子因结温过高而损坏。2、器件手册SOA曲线图:示波器的测试应用非常简单,使用电压、电流探头正常测试开关管MOS管的VDS
2019-04-08 13:42:38
工作区,如下图所示。安全工作区可以避免管子因结温过高而损坏。图2 器件手册SOA曲线图示波器的测试应用非常简单,使用电压、电流探头正常测试开关管的VDS和IDM,并打开SOA分析功能,对照数据手册
2017-11-17 16:46:03
压,则会在氧化层下方形成空穴通道。增强模式 N 通道N 通道耗尽和增强类型的符号加工n沟道MOSFET的工作原理是假设大多数载流子是电子。电子在通道中的运动负责晶体管中的电流。栅极端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45
栅极电压低于10V时,二极管电压钳位于各种漏极电流水平。在非线性曲线中见到的弯曲是二极管和欧姆区之间的转变点。图6:施加栅极电压时,N沟道MOSFET工作在第三象限的典型特性表1对N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行了比较。表1:N沟道和P沟道MOSFET的比较
2018-03-03 13:58:23
我想知道STL62P3LLH6 P沟道MOSFET的安全工作区图表是否正确http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24
,而且在高温条件下的工作也表现良好,可以说是具有极大优势的开关元件。这张图是各晶体管标准化的导通电阻和耐压图表。从图中可以看出,理论上SiC-DMOS的耐压能力更高,可制作低导通电阻的晶体管。目前
2018-11-30 11:35:30
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻,和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态,因为其S、D极的电压为二极管的压降,因此并没有线性区的过程,也就
2017-04-06 14:57:20
`<p><font face="Verdana">功率MOSFET管<br/>
2010-08-12 13:58:43
稳定一些。这也就是为什么过了平台区之后,管子不怎么震荡了,这也和上面这幅图表达的含义有关系的。上面这幅图相对来说比较关键。它是MOSFET工作的一个安全区域。MOSFET选型的合适与否,就要看上面这幅图
2021-09-07 15:27:38
MOSFET的安全工作区为什么SOA对于热插拔应用非常重要?
2021-03-08 07:49:01
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之间的关系,就必须对这三者的内部结构和工作原理有大致的了解,下面我将用最简单易懂的语言来为大家逐一讲解。BJT:双极性晶体管,俗称三极管。内部结构(以PNP型BJT为例
2023-02-10 15:33:01
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区,而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道,其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-01-06 22:55:02
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区,而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道,其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-12-10 21:37:15
毕设要求做一个脉冲发生器模拟局部放电脉宽需要达到纳秒级别我的想法是通过开关器件的高速开关来产生脉冲,然后用pwm芯片来控制开关管的导通现在的问题是,纳秒级别,也就是100MHz左右的频率,用mosfet和基于dds芯片产生的pwm控制信号可以完成这样的频率要求吗?
2016-04-21 16:01:49
,FIREOUT1为输出端。三极管那部分的电路输出和输入时一样是不是起保护作用?MOSFET的桥式怎么工作的,如何实现脉冲输出,请各位帮忙看一看。
2018-01-19 10:32:04
1、功率MOSFET安全工作区SOA曲线功率MOSFET数据表中SOA曲线是正向偏置的SOA曲线,即FBSOA曲线,那么这个安全工作区SOA曲线是如何定义的呢?这个曲线必须结合前面讨论过的功率
2016-10-31 13:39:12
功率MOSFET管的电流值有哪几种?如何去选取这些电流值呢?这些电流值又是如何影响系统的呢?
2021-09-08 08:00:58
大于B管,因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时,需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和:从上面的分析可以得到以下结论:(1)减小驱动电阻可以减小线性区持续的时间
2017-03-06 15:19:01
MOSFET的稳态特性总结(1):功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线(2):说明功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点:当门极不加控制时,其反向导通的稳态工作点同二极管。(3):稳态特性总结
2021-09-05 07:00:00
,二边的P区中间夹着一个N区,由于二个P区在外面通过S极连在一起,因此,这个结构形成了标准的JFET结构。 4 隔离栅SGT场效应晶体管 功率MOSFET的导通电阻Rds(on)和寄生的电容是一个相互
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。1、N沟通和P沟道
2016-12-07 11:36:11
简单;2.输入阻抗高,可达108Ω以上;3.工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗小;4.有较优良的线性区,并且场效应管(MOSFET)的输入电容比双极型的输入电容小得多
2011-12-19 16:52:35
;gt;图1-6:栅极电荷特性<br/>(8)正向偏置安全工作区及主要参数<br/>MOSFET和双极型晶体管一样,也有它的安全工作区
2009-05-12 20:38:45
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02:53
只能创建一个工作区?想创建一个新的工作区,但是说最多只有一个,那要工作区这个概念干嘛?
2022-01-04 11:27:07
沟道场效应管MOSFETP沟道场效应管MOSFET:如果要工作,源极电压 (VS ) 必须比 栅极电压 (VG )大,且栅源电压(VGS)不能小于漏源电压 (VDS )。N沟道场效应管MOSFET:如果
2022-09-06 08:00:00
[size=13.63636302948px]BUCK电路里面如果用MOSFET做开关管,TL494做脉冲宽度调制 (Pwm) 控制电路,请问怎么驱动MOSFET,,,加在栅极上的电压好像要很高。。 求大神解答!
2014-11-15 16:35:11
所示。Q1为放电管,使用N沟道增强型MOSFET,实际的工作中,根据不同的应用,会使用多个功率MOSFET并联工作,以减小导通电阻,增强散热性能。RS为电池等效内阻,LP为电池引线电感。 正常工作
2018-09-30 16:14:38
和研究领域。频率为20~30kHz,使用可控硅整流器的谐振电源已经使用了多年。MOSFET管的出现使电路可以工作在更高的频率,大量研究人员正着手开发各种频率为0.3~5MHz的新型谐振电路拓扑。
在
2023-09-28 06:33:09
微波功率管是什么?微波功率管的安全工作区是什么?微波功率管在使用中会遇到哪些问题?
2021-04-21 07:09:41
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46:38
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计
2021-10-28 10:06:38
见到的弯曲是二极管和欧姆区之间的转变点。图6:施加栅极电压时,N沟道MOSFET工作在第三象限的典型特性。表1对N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行了比较。表1:N沟道和P沟道MOSFET的比较。
2021-04-09 09:20:10
电压等于0的时候,漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏,当所有的讨论都是基于源级接地的电路时,当耗尽型MOSFET、JFET的栅源电压大于0时,电流怎么变化,两种管子工作在
2019-04-08 03:57:38
怎样解决MOSFET并联工作时出现的问题? 来纠正传统认识的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05:04
与归一化瞬态热阻关系图SOA注意事项功率MOSFET数据手册中,相关极限参数和安全工作区SOA曲线都是基于工作温度TC =25 ℃下的计算值。例如,一款MOS管的BVDSS为600V,但这个600V
2020-04-22 07:00:00
各位前辈,请问关于晶闸管的安全工作区(SOA)应该怎么刻画呢?
2017-06-20 15:40:06
别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 80 ns 典型接通延迟时间: 28 ns MOS管开关MOSFET 和 BJT 的工作区域的命名有所不同。BJT 中的截止,放大和饱和区相对于MOSFET 为截止,饱和,变
2020-03-09 15:36:41
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时,所能施加的最大的额定电压,测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET的N+源极和P-体区形成的结
2023-02-20 17:21:32
MOSFET工作也可以工作在饱和区,即放大区恒流状态,此时,电流受到沟道内电子数量的限制,改变漏极电压不能增加流通电流。功率MOSFET从放大区进入稳态工作可变电阻区,此时,VGS驱动电压对应的的放大恒流状态
2016-08-15 14:31:59
可以工作在三个区:关断区、线性区(恒流区)和可变电阻区,线性区(恒流区)相当于三极管的放大区,有时候也称为放大区;可变电阻区相当于三极管的饱和区,在这个区域MOSFET基本上完全导通。 当驱动开通脉冲
2016-11-29 14:36:06
个寄生的晶体管,当IC大到一定程度,寄生晶体管导通,栅极失去控制作用。此时,漏电流增大,造成功耗急剧增加,器件损坏。安全工作区随着开关速度增加将减小。 (6)栅极偏置电压与电阻
2009-05-12 20:44:23
请问如何在软件中找到下图的MOSFET管?这种MOSFET管型号是什么?
2021-07-02 20:09:43
小弟是电子初学者,经常在设计电路时MOSFET管出现损坏,请问造成MOSFET管损坏有哪些原因?
2019-02-19 10:15:25
从本篇开始,介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
减小RDS(on)的值,就需要找到一种对漂移区进行重掺杂的方法,并大幅减小epi电阻。图2:平面式MOSFET的电阻性元件通常,高压的功率MOSFET采用平面型结构,其中,厚的低掺杂的N-的外延层,即
2018-10-17 16:43:26
,在实际应用中,TC 的温度远高于 25 度,因此,SOA 曲线是不能用来作为设计的验证标准。功率 MOSFET 的 SOA 定义,参考文献:功率 MOSFET 安全工作区 SOA:真的安全
2020-03-24 07:00:00
时,IAS和EAS则均大于常规 MOSFET。 COOLMOS的最大特点之一就是它具有短路安全工作区(SCSOA),而常规MOS不具备这个特性。 COOLMOS的SCSOA的获得主要是由于转移特性的变化
2023-02-27 11:52:38
嗨,我的FET狂热爱好者同行们,欢迎回到看懂MOSFET数据表博客系列的第2部分!作为一名功率MOSFET的产品营销工程师,在FET数据表的所有内容中,除了电流额定值(本博客系列中的下一篇文章,这么看来,也不算是巧合)之外,我被问到的最多的问题可能就是安全工作区 (SOA) 曲线了。
2017-04-18 11:35:0115147 了解MOSFET数据手册中的安全工作面积(SOA)下
2018-08-23 05:27:001998 了解MOSFET数据手册中的安全工作面积(SOA)上
2019-04-23 06:19:001557 Hot Swap™电路设计中最具挑战性的方面通常是验证不会超过MOSFET的安全工作区(SOA)。与LTspice IV ®一起分发的SOAtherm工具简化了这项任务,使电路设计人员能够立即评估应用的SOA要求以及所选N沟道MOSFET的适用性。
2019-04-16 08:22:004778 除了RDS(ON)之外,在MOS管的选择过程中还有几个MOS管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下,设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(SOA)曲线,该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上,SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。
2019-06-18 14:40:216794 作为一名功率 MOSFET 的产品营销工程师,在 FET 数据表的所有内容中,除了电流额定值之外,我被问到的最多的问题可能就是安全工作区 (SOA) 曲线了。这是一片需要某些技巧和手段才能完全了解
2021-01-06 00:09:0015 MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在
2021-03-20 08:32:3316 看懂MOSFET数据表,第2部分—安全工作区 (SOA) 图
2022-11-03 08:04:457 每个 MOSFET 数据手册都包含一个 SOA 图,该图描述了 MOSFET 暴露于特定电压和电流的最长时间。图1显示了恩智浦半导体数据手册中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N沟道
2023-01-04 15:08:121732 パパーMOSFETの安全动作领域ニツいテ
2023-04-27 20:03:580 在功率MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA(Safe Operation Area)图片,这个安全工作区域图告诉我们只有MOSFET工作在曲线内才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA图。
2023-05-15 16:16:311176 以上就是MOSFET的漏-源极处于正偏置状态基本工作原理,还有必要关注MOSFET在通态时的特性,会出现与结型场效应晶体管一样的线性、过渡、饱和等区域。
2023-06-03 11:22:09836 了解MOSFET安全工作区域SOA如果您想知道或担心您的MOSFET在极端条件下或极端耗散情况下究竟能承受多少功率,那么您应该查看器件的SOA数据。在这篇文章中,我们将全面讨论MOSFET数据表
2022-05-11 09:59:021108 MOSFET安全工作区域SOA是啥?了解MOSFET安全工作区域SOA如果您想知道或担心您的MOSFET在极端条件下或极端耗散情况下究竟能承受多少功率,那么您应该查看器件的SOA数据。在这
2023-05-09 09:47:03861 mosfet工作原理 jfet和mosfet的区别 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种现代电子器件,常用于电子电路中的开关和放大器。它的工作原理与JFET(结型场效应晶体管)有很大
2023-11-22 17:33:301061
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