国际整流器公司IR推出高度创新的600V车用IGBT平台COOLiRIGBT,适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用,包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。
2012-05-17 10:00:201085 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,适合在10kHz以下工作的电机驱动应用,包括冰箱和空调的压缩机。
2012-09-05 11:09:19999 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出600V绝缘闸双极电晶体 (IGBT) 系列,藉以优化在10kHz以下操作的马达驱动应用,包括冰箱及空调的压缩机。
2012-09-06 09:51:001768 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 推出 IRGR4045DPbF 和 IRGS4045DPbF,以此拓展绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 系列。全新 600V 超高速沟道
2012-10-17 09:27:03919 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IR4311M 和IR4312M,以扩充PowIRaudio™ 集成式功率模块系列。
2013-01-14 11:38:242117 与600V IGBT3一样,新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念(如图1 所示),但与600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大约15%,并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,为不间断电源 (UPS) 、太阳能
2011-11-16 08:54:111023 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出紧凑型三相位600V IC IRS2334SPbF和IRS2334MPbF,适用于节能家电及工业应用中的反相电机驱动器。
2012-03-21 08:57:311200 中国上海, 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 SLM2003/IRS2003STRPBFSLM2005/IRS2005STRPBF600V IGBT/MOS管 栅极驱动:SLM2101S/IR2101STRPBFSLM2103S/IR
2020-03-18 09:14:05
0前言家用逆变焊机因其体较小,操作方便,市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点,一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容,四个场效应管组成的对管,后经变压器,再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管,大功率场效应管,两个对管。问问是怎么回事,会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一个项目,直流输出有600V,输出与控制板完全隔离,现在我想通过电阻分压的方式对其进行采样。分别对输出+和输出-作分压采样。但是因为输出地相对板子地是悬浮的,所以分压电路设计上难把握。请问板上大声有没有有经验的或有想法的不吝赐教。另外问一下有没有用过隔离式直流电压采样器件的吗
2015-09-29 16:25:27
很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等
2012-07-09 10:01:42
很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等
2012-07-09 11:53:47
在高压600V,额定电流10A的压缩机电机控制中,IGBT经常烧坏,主要有哪些原因导致它损坏。
2024-02-22 17:58:38
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域.IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定
2021-09-09 08:27:25
采用IR51H420构成的高可靠性节能灯电子镇流器电路图
2019-10-31 09:10:48
独立高侧和低侧参考输出通道。该输出驱动器有一个高脉冲电流缓冲级,适用于最小的驱动器跨导,同时浮动通道可以用来驱动工作在高达600V高侧配置的N沟道功率MOSFET或 IGBT。这些器件可为两种通道提供
2008-11-13 20:40:15
1. 特性 高端悬浮自举电源设计,耐压可达 600V 适应 5V、3.3V 输入电压 最高频率支持 500KHZ VCC 和 VB 端电源带欠压保护 低端 VCC 电压范围 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
Tvjop=25 °C条件下1200V/150A EconoPACK TM 4 IGBT模块的关断和开通特性。 图4:导通和关断EconoPACK TM 4 , VCE=600V,IC=ICnom, RG
2018-12-03 13:49:12
IRS26302D:保护式600V三相栅极驱动器
2016-06-21 18:26:25
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性:欠压锁定,电压高达600V耐负瞬态电压,dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
` SLM2104S 600V IGBT/MOS管半驱动动IC 封装SOP8 IR2104S* VOFFSET 600 V max.* IO+/- 130 mA/270 mA* VOUT 10 V
2018-09-07 15:03:06
` 产品特点:*输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A*高端悬浮自举电源设计,耐压可达600V*适应5V,3.3V 15V输入可方便与TTL,CMOS电平相匹配。*最高频率支持500KHZ*输出
2018-08-24 16:10:23
`Sillumin数明SLM2101S 600V IGBT/MOS驱动芯片有降低系统开关损耗,节省成本完美代替IR2101S SLM2101S 产品特性:(完全代替IR2101S)* VOFFSET
2018-08-23 15:29:42
,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图
2012-06-19 11:36:58
各位大大,最近在做双向逆变,想问一下用2变比的高频变压器,高压侧600V降压到300v,升压的时候可以从300V升压超过600V吗,有人说高频变压器可以升压超过原来高压侧输入的电压,请问有懂这个的能说一下能实现升压超过2变比的吗
2018-03-17 15:26:54
提高了50V,达到650V。图1图1 全新650V IGBT4的截面图。相对于600V IGBT3的改进:芯片厚度增加 (y)、沟道宽度降低(z)、背部P射极能效提高。650V IGBT4动态特性
2018-12-07 10:16:11
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成电路(HVIC)。这19款新型HVIC采用半桥设计,配有高端和低端驱动器,可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
骊微电子是芯朋微一级代理商,提供ID2206D 600V 单相风扇驱动芯片,可兼容替代IR2106,更多驱动产品手册 、应用料资请向骊微电子申请。>>
2021-12-22 13:57:58
本文将介绍英飞凌的第三代采用沟槽栅场终止技术的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的应用。在介绍最新沟槽栅场终止技术的背景后,本文探讨如何充分利用IGBT静态与动态性能改进和175℃的
2009-11-20 14:30:2788 供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104,提供ID7U603SEC-R1关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
供应ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片可替代ir2304,提供ID5S609SEC-R1 关键参数 ,广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护
1.1 IGBT的结构特点
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211331 IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器,它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术,并采用双直插式封装,可用于工作母线电压高达600V的系统中。其输入与标准
2009-12-08 10:21:386702 500V和600V的高压MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 IR推出汽车驱动应用的AUIRS2301S 600V IC
国际整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,适用于汽车电机驱动、微型逆变器驱动和通用三相逆变器应用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411350 IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC
美国国际整流器公司(IR)上市了+600V耐压的车载设备用栅极驱动IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 IR)推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出适用于DC-DC节能汽车应用的 AUIRS2191S 600V 驱动 IC 和 AUIRGP50B60PD1
2010-11-16 09:07:571063 带 600V半桥栅极驱动器的镇流器控制IC 应用:照明 IR2153 IR53H420 IR64HD420 IR2156 IR21571 IR21592 IR21593 IR2166 IR
2011-02-09 09:28:4729 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列,适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用
2011-04-12 09:47:051054 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ,该产品为焊接、高功率整流等感应加热
2011-09-28 09:08:05916 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列,专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化
2011-10-13 09:03:46847 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相栅极驱动器IC,适用于电动汽车和混合动力汽车中的车用高压电机驱动应用。
2011-10-21 09:45:211669 华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型绝缘栅双极晶体管)以及600V Trench PT IGBT(沟槽穿通型绝缘
2012-05-29 08:47:481938 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘闸双极电晶体 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术,为工业及节能
2012-11-21 09:39:40994 国际整流器(IR)推出新一代绝缘闸双极电晶体(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8) 1200伏特(V)IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越的性能。
2012-11-27 09:17:331054 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日扩充600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,这些经过优化的新器件尤为适合不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业电机和焊接应用。
2013-02-19 10:58:47995 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF,新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。
2014-03-10 09:50:221531 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在为焊接应用做出优化。
2014-08-19 16:31:532356 2014年10月21日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:421975 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)近日发布600V车用IGBT产品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,针对混合动力汽车和电动车中的小型辅助电机驱动应用而优化,包括空调压缩机应用等。
2014-12-11 11:48:092248 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 高压Gatedriver 600V工艺,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高压Gatedriver 600V工艺,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 描述bp6901a / bp6908a是一种高电压,高速半桥预潜水员对功率MOSFET和IGBT。它具有高侧和低侧的输入,以及具有内部死区时间的两个输出通道,以避免交叉传导。输入逻辑水平与3.3v/5v/15v信号兼容。浮高侧通道可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3756 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驱 动 器。 MIC4609具有300 ns的典型输入滤波时间,旨在避免出现意外的脉冲和获得550 ns的传播延时。MIC4609具有 TTL输入阈值。
2018-07-02 09:24:0011 IR2133IR2135 / IR2233IR2355(J&S)是高压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,用于3相应用。专有的HVIC技术可实现坚固耐用的单片结构
2018-05-31 13:00:0058 该Ir2104(S)是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器与依赖高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,降低
2018-07-17 08:00:00175 商业化正处于起步阶段,FS技术更是远远落后于发达国家。本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法,并通过
2019-12-19 17:59:0025 SVF12N60F/S/K 600V N沟道增强型场效应管资料下载。
2022-02-16 14:52:580 的MOSFET和IGBT栅极驱动器,广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。 ir2110替代芯片ID7S625特征 ■ 芯片工作电压范围10V~20V ■ 输入
2022-07-30 16:48:441471 AN-9085 智能电源模块,600V Motion SPM®3 ver.5 系列用户指南
2022-11-14 21:08:341 IGBT 坚固性
2022-11-15 19:54:221 600V SPM® 2 系列热性能(通过安装扭矩)
2022-11-15 20:04:030 关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM/li> 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 无需自举二极管和限流电阻 当保护电路被激活时,警报输出(...
2023-02-08 13:43:21561 600V耐压IGBT IPM:BM6337x系列 关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 优化内置...
2023-02-08 13:43:21869 RJP60V0DPM 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340 RJP60V0DPM-80 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470 RJH60T04DPQ-A1 数据表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000 RJH60M7DPQ-E0 数据表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000 RJH60D5BDPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480 RJH60A01RDPD-A0 数据表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270 RJH60A83RDPD-A0 数据表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 RJH60A83RDPD-A0 数据表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 RJP60V0DPM 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320 RJP60V0DPM-80 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430 RJH60T04DPQ-A1 数据表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020 RJH60M6DPQ-E0 数据表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310 RJH60M7DPQ-E0 数据表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160 RJH60M5DPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090 RJH60D5BDPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470 逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
2023-03-29 09:24:35935 电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 供应5a、600v耐压igbt SGTP5T60SD1DFS可代换AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS规格书参数 ,可应用于光伏,变频器,UPS,SMPS以及PFC等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:48:131 供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 供应50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:15:592 供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105 供应ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 ,提供SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数 ,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:39:344 供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304,提供id5s609芯片资料关键参数 ,广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134
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