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电子发烧友网>模拟技术>IGBT/功率器件>Vishay新款12V芯片级MOSFET可有效降低超便携产品功耗

Vishay新款12V芯片级MOSFET可有效降低超便携产品功耗

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2011-03-02 10:19:301341

Vishay发布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT

日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40850

Vishay Siliconix推出新款P沟道30V芯片级MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13631

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB

Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383

Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET

的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13844

Vishay推出应用在便携电子中的最低导通电阻的新款MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道
2014-04-29 16:30:44886

Vishay新款20V MOSFET提高便携式电子产品功率密度和可靠性

PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855

Vishay发布新款芯片级MOSFET,可减少智能手机、平板电脑中的功耗

新的芯片级MICRO FOOT P沟道Si8457DB在1.8V栅极驱动下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET当中最低的导通电阻,也是唯一VGS 达到±8V的此类器件,为锂离子电池供电的应用提供了额外的安全裕量。
2018-08-28 09:10:001047

Vishay推出0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET

;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%,而导通电阻则与之相当甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持设备中的负载切换,包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在
2019-01-01 16:29:01380

芯片级封装有助于便携式医疗设备减小尺寸并减轻重量

借助晶圆级芯片级封装,介入性检测、医学植入体、一次性监护仪等便携式医疗设备的设计师可以减小尺寸、降低功耗需求。
2019-04-16 16:30:533380

SOP-8封装220V变12V芯片家电供电芯片WD5208

开关电源。220V变12V最简单不用变压器降压方法就是用WD5208电源芯片,缩小电源体积,即高电压,又可以大大降低便携式移动设备的生产成本。
2022-09-02 22:01:393230

12V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMCM4401VNE

12V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMCM4401VNE
2023-03-01 18:40:040

性能提升,功耗降低!,这样的MOSFET是你的最爱么?

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2023-12-04 15:09:36114

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