国际整流器公司IR推出高度创新的600V车用IGBT平台COOLiRIGBT,适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用,包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。
2012-05-17 10:00:201085 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 英飞凌科技推出全新600V CoolMOS P6 产品系列,专为提升系统效率及易于使用所设计,补足了专注提供顶尖效能(CoolMOS CP)及强调使用方便性(如 CoolMOS C6 或 E6)两者之间的技术区间。
2012-11-13 08:54:331680 Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。
2013-04-19 09:08:311795 无论是应用在太阳能或者电动汽车领域的继电器,还是应用在手机、平板等智能终端的连接器,松下都投入了大量的研发力量,并推出了受业界肯定的产品。在日前举办的高交会电子展,松下电器元器件公司展示了他们最新的产品,并给观众带来了全新的产品应用方案。
2013-12-02 11:02:474500 近日,德州仪器 (TI) 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111115 为了适应市场新趋势,松下电器机电自身在寻求转变,在转变当中也将提供更加本土化、更加灵活和更能满足市场需求的产品,同时也将会做一些差异化的战略能够更好的为汽车、手机厂商服务。
2017-03-28 09:24:323008 松下电器机电(中国)有限公司自动化营业总括部执行总监施琳表示:“中国企业正处于智能制造转型升级的阶段,松下机器电机凭借在车载、电池、元器件、工业自动化等为客户提供系统化解决方案和定制化服务,赢得了
2018-03-22 16:36:516930 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:321787 线。该器件采用超级结结构,耐压600V,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品,于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 -通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机电路板尺寸- 中国上海, 2023 年 10 月 26 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)继去年英飞凌收购GaN Systems之后,2024年1月,另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001553 描述 TIDA-00915 设计是一款三相逆变器,用于驱动具有 2kWPEAK 的 200V 交流伺服电机。该设计具有 600V 和 12A LMG3410 氮化镓 (GaN) 电源模块,具有集成
2018-10-31 17:33:14
描述这款简单的隔离型反激式设计可在 200mA 的条件下将 50V 至 600V 的输入电压转换成 15V。LM5021-1 控制器因其脉冲跳跃模式而适用于绿色环保模式转换器。由于脉冲跳跃模式的最大
2018-12-14 15:37:05
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容,四个场效应管组成的对管,后经变压器,再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管,大功率场效应管,两个对管。问问是怎么回事,会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一个项目,直流输出有600V,输出与控制板完全隔离,现在我想通过电阻分压的方式对其进行采样。分别对输出+和输出-作分压采样。但是因为输出地相对板子地是悬浮的,所以分压电路设计上难把握。请问板上大声有没有有经验的或有想法的不吝赐教。另外问一下有没有用过隔离式直流电压采样器件的吗
2015-09-29 16:25:27
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
)压力检查。该测试观察设备的退化和故障,以确定其预期寿命。英飞凌英飞凌科技已开发出一种由四部分组成的过程,该过程可证明其CoolGaN 600V技术和产品合格。第一阶段要求开发人员根据JEDEC
2020-09-23 10:46:20
D功放的音质也将得到有效的提升。
针对目前主流的GaN Class D应用,三安集成推出了200V 20mΩ的低压GaN功率器件,同时采用自主设计的半桥电路测试平台对200V 20mΩ GaN
2023-06-25 15:59:21
额定击穿电压器件中的半导体材料方面胜过Si.Si在600V和1200V额定功率的SiC肖特基二极管已经上市,被公认为是提高功率转换器效率的最佳解决方案。 SiC的设计障碍是低水平寄生效应,如果内部和外部
2022-08-12 09:42:07
1、测触点电阻 用万能表的电阻档,测量常闭触点与动点电阻,其阻值应为0,(用更加精确方式可测得触点阻值在100毫欧以内);而常开触点与动点的阻值就为无穷大。由此可以区别出那个是常闭触点,那个
2020-06-22 09:39:36
一般的固态继电器,都是有四条腿,两条输入,两条输出,在输入端加信号时,输出端导通。输入信号消失时,输出端截止。相当于带1个常开触点的继电器。那么有没有这种固态继电器,就是在输入端加信号时,输出端截止。输入信号消失时,输出端导通,相当于带1个常闭触点的继电器。
2013-12-18 10:37:17
行程开关、压力继电器等元件,在不受外力的情况下,断开状态的触点是常开触点、闭合状态的触点是常闭触点。
2020-03-05 09:00:50
好好学习松下电器的用法
2017-06-11 15:02:08
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
IRS26302D:保护式600V三相栅极驱动器
2016-06-21 18:26:25
Labview里有常闭触点、常开触点的控件么?
2011-09-26 17:53:29
相比,能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V~数千V的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成,因此采用SiC可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。理论上
2019-07-23 04:20:21
适配器解决方案能够以更低的成本实现更多功能。与e-mode等其他氮化镓解决方案相比,我们的常闭型SuperGaN®场效应晶体管(FET)设计简便并具有类似标准硅的驱动性能,同时能以极小的空间占用提供更高
2021-08-12 10:55:49
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
请问有用过两路常开一路常闭继电器的吗,请把继电器型号或网址发给我
2013-11-26 15:49:54
为什么在plc控制系统中,停止按钮和热继电器要使用其常闭触头呢?求大神解答
2023-03-02 17:53:42
为什么急停信号接常闭,而程序中用常开?初学PLC解惑很多初学PLC的朋友都会有这样的疑惑,明明急停按钮接的是常闭,为什么程序里用常开?今天就为大家解惑!最简单的梯形图逻辑常开 常闭 是开关量的两个状态
2020-09-27 07:53:06
对于一般的三极管,晶闸管,我们都可以理解成:给一个足够强的信号后,一个电子开关导通。就类似于给一个继电器线圈通电后,常开触点吸合导通。那么什么器件能起到常闭触点的功能,就是没有信号时,触点导通,有信号时触点断开。
2013-11-28 14:04:19
要想区分NPN和PNP的常开常闭,首先要知道这两种输出信号的模式下其电路图情况。那么我就手绘一下图纸然后根据图纸来解释。(手绘图太粗糙,各位别介意哈),同时要想区分常开常闭的真实情况,还需要准备一个
2021-10-29 06:46:09
LMG3410 单通道 GaN 功率级包含一个 70-mΩ、600-V GaN 功率晶体管和采用 8-mm × 8-mm QFN 封装的专用驱动器。直接驱动架构用于创建常关器件,同时提供 GaN 功率晶体管
2022-04-12 14:11:49
功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-0961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™ F2...
2022-01-20 07:36:11
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
描述高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-0961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级
2018-10-25 11:49:58
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
利用现有图片中的电路,怎么才能设计出一个常闭或者常开常闭可选的电路
2021-07-22 10:31:10
`赛盛尔工厂店常开常闭触点NO NC的区别在常态(不通电)的情况下处于断开状态的触点叫常开触点,处于闭合状态的叫常闭触点,在触点闭合(断开)过程中,不产生运动的触点叫静触点。常开型NO,常闭型NC指
2020-03-07 12:01:16
您好,有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件,因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时,它只显示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟,我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
`根据Yole Developpement指出,氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体企业受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
松乐5V继电器控制220V的插座通断,继电器的常开,常闭,公共端几个引脚怎么与插座相连?
2015-01-20 23:36:39
,例如在线路浪涌的情况下,松下X-GaN器件的设计具有很大的漏极 - 源极击穿极限。实际上,当前可用的符合600V操作的晶体管的静态场依赖击穿电压在900V至1kV的范围内(图7)。作为副作用,它允许
2023-02-27 15:53:50
求推荐一款导通电阻毫欧级别的常闭型固态继电器,或者其他的导通电阻很小的也行,不想用电磁继电器,要求就是常态下是闭合,给电才导通
2021-01-09 09:50:06
各位大大,最近在做双向逆变,想问一下用2变比的高频变压器,高压侧600V降压到300v,升压的时候可以从300V升压超过600V吗,有人说高频变压器可以升压超过原来高压侧输入的电压,请问有懂这个的能说一下能实现升压超过2变比的吗
2018-03-17 15:26:54
一种优秀的解决方案,其优点是同类最好的硅辐射硬设备的20倍,同时仍然保持明显更小和更低的成本。剑桥 GaN 器件有限公司首次推出增强型氮化镓新技术本次综述的最终成果来自2022年亚太经合组织会议
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
本帖最后由 傲壹电子 于 2017-6-16 10:38 编辑
1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
继电器常开常闭演示电路attach://299054.rar
2015-11-18 08:07:40
后面还要操作USB_ID拉高或者悬空,完全拉低之后不就不能控制了么。所以我的想法是使用类似常闭的继电器之类的,把USB_ID接到常闭点,另一个常闭点接地,然后插入USB线后,手机检测到ID为低,即输出
2015-10-19 17:11:07
各位路过的大神们,CD4051是常开的模拟开关芯片。请问有没有八路常闭的模拟开关芯片???
2017-12-12 19:14:45
600V IGBT3,全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外,该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成电路(HVIC)。这19款新型HVIC采用半桥设计,配有高端和低端驱动器,可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
特点:常闭式 操作力:30±10gf  
2022-06-06 11:45:15
本文将介绍英飞凌的第三代采用沟槽栅场终止技术的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的应用。在介绍最新沟槽栅场终止技术的背景后,本文探讨如何充分利用IGBT静态与动态性能改进和175℃的
2009-11-20 14:30:2788 英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势,可降低设
2009-06-23 21:17:44594 松下电器选择恩智浦硅调谐器打造蓝光DVD录像机
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布,松下电器选择恩智浦业界领先的DVB-T硅调谐器推出可接收地面电视节目的高
2010-01-14 08:51:211007 适用于节能家电的创新功率转换器件
英飞凌科技股份公司近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列。全新的600V RC IGBT驱动系列(RC指逆向导
2010-01-23 08:37:071109 英飞凌推出适用于节能家电的创新功率转换器件
英飞凌科技股份公司近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列。全新的600V RC IGBT驱动系列(RC指
2010-01-25 08:44:19759 600V MOSFET继续扩展Super Junction FET技术
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 500V和600V的高压MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 IR推出汽车驱动应用的AUIRS2301S 600V IC
国际整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,适用于汽车电机驱动、微型逆变器驱动和通用三相逆变器应用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411350 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出的600V FRED PtTM Hyperfast串级整流器。
2011-04-01 09:36:43783 在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上,英飞凌科技600V逆导型(RC)IGBT家族的两名新成员闪亮登场。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13744 松下电器新近发布的应用于互联网数字电视的UniPhier MN2WS0220片上系统中采用了多项ARM技术
2011-06-14 08:41:09796 罗姆开发了采用SiC功率元件的功率模块,额定电压和电流分别为600V和1000A。该产品是与美国Arkansas Power Electronics International公司共同开发的。之所以能承受1000A的大电流,是因为采用了沟
2011-10-12 09:48:461281 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列,专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化
2011-10-13 09:03:46847 美国Transphorm公司发布了耐压为600V的GaN类功率元件。该公司是以美国加州大学圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人员为核心创建的风险企业,因美国谷歌向其出资而备受功率半导体
2012-05-18 11:43:441931 瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150m(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情
2012-06-26 11:03:40794 基于数十年的电源管理创新经验,德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应晶体管(FET)功率级工程样片,从而使TI成为首家,也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。
2016-05-05 14:41:39874 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 许永红、童海华 创业百年之际,松下电器产品质量问题频发。 国家质检总局官网信息显示,因存在安全隐患,松下电器(中国)有限公司(以下简称“松下电器”)将在中国召回两个型号约1.5万台电视机。而早在
2018-04-29 10:20:0010530 日本松下电器公司10月25日发布消息称,已与中国火锅餐饮巨头海底捞携手推出一项新业务,将开发并提供由手臂型机器人在厨房为火锅配菜的餐饮产业自动化系统,该系统首先应用在10月28日在中国北京开业的智能餐厅中,然后逐步推广。
2018-10-27 10:50:372775 CoolGaN是英飞凌GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)系列产品。最近该公司推出了两款进入量产的产品——CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN开关管专用驱动IC GaN
2018-12-06 18:06:214654 日前,丰田汽车与松下电器就成立新能源汽车用方形电池事业合资公司达成合作意向。
2019-01-23 14:32:091085 达拉斯, 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于数十年的电源管理创新,德州仪器(TI)(纳斯达克股票代码:TXN)今天宣布推出600 -V氮化镓(GaN)70mΩ场效应晶体管(FET
2019-08-07 10:17:061929 此外,英飞凌GaN工艺产品正为众多系统增加重要价值,无论是消费还是工业应用,如服务器、电信设施、无线充电、音频、适配器以及充电器等。这里小编为大家举个例子——采用600V,70mΩ CoolGaNTM(IGT60R070D1)器件设计了3.6kW电信设施SMPS系统。
2019-09-24 08:49:114039 据日本消息报道,因不堪持续亏损,日本松下电器决定退出半导体产业,并计划将其半导体事业公司股权出售给中国台湾华邦电子子公司新唐科技。
2019-11-29 14:59:144841 英飞凌功率器件在电机驱动中的应用说明。
2021-05-19 16:00:5338 以IMD112T iMOTION™ Driver, iMOTION™智能驱动器——带功率器件驱动的电机控制器为核心的吊扇方案,功率器件:PFC采用8A 650V TRENCHSTOP™5 H5 IGBT ,逆变器采用3A 600V逆导型IGBT。
2022-06-15 10:06:161352 GaN功率器件包括SBD、常关型FET、级联FET等产品,主要应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。随着技术水平的进步与成本控制,GaN材料将在中低功率取代硅基功率器件,在300V~600V电压间发挥优势作用。
2023-02-08 09:36:081456 优越的电气参数,呈现出最佳效能 强茂新推4颗封装于TO-252AA的600V功率FREDs,以拓展LowVF系列和LowTrr的产品线;此功率FRED的LowVF系列适用于DCMPCF电路
2023-03-06 11:56:27180 GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657
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