IGBT/功率器件
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深度解析半导体工艺与分类
1950年发明，早期模拟电路广泛使用BIPOLAR工艺，BIPOALR工艺可以做到非常低的漏电，非常低的噪声，但是BIPOLAR最大问题是实现数字电路比较困难，或者占用面积较大。...
2024-03-08 5079
车企降价20%要求引发行业震动：SiC产业将面临怎样的影响？
电动汽车最大的成本为动力电池（占比约38%），电控占比约为6%。据英飞凌估算，电控成本中，功率半导体（IGBT/SiC等）约占40%，其次是DC-Link电容，成本占比约为16%。...
2024-03-08 309
探讨电感、磁珠与0欧姆电阻三大元件
电感是一种能够存储电能的元件，广泛应用于电源滤波、LC振荡电路以及中低频滤波电路中。其感抗与频率成正比，这意味着在高频下，电感对电流的阻碍作用会增强。...
2024-03-08 861
碳化硅（SiC）功率器件核心优势及技术挑战
SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的3倍以上，有利于高功率应用中...
2024-03-08 1594
MLCC陶瓷电容与普通电容器的区别
MLCC具有体积小、电容量大、高频使用时损失率低、适合大量生产、价格低廉及稳定性高等特性。在信息产品讲求轻、薄、短、小的发展趋势及表面贴装技术（SMT）应用日益普及的市场环境下，...
2024-03-07 2132
全球功率半导体市场迅猛增长：消费电子产品与新兴技术共同驱动
除了智能手机，通信设备、计算机、娱乐系统和家用电器等其他消费电子产品也对功率半导体市场产生了深远影响。...
2024-03-07 1189
一文解析SiC功率器件互连技术
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。...
2024-03-07 1492
电动车窗开关中MOS管的应用解析
MOS管以其卓越的开关特性而闻名，能够在微秒级别内迅速切换电流。这为电动车窗的开关提供了高效的能耗管理，显著减少了功率损耗，使得车辆在长时间使用中能够更加节能环保。...
2024-03-07 830
关于电容电抗的三个实例分享
随着施加到电容器的频率增加，其效果是降低其电抗（以欧姆为单位测量）。同样，当电容器两端的频率降低时，其电抗值也会增加。这种变化称为电容器的复阻抗。...
2024-03-07 813
场效应管怎么区分n沟道p沟道（MOS管导通条件）
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不...
2024-03-06 7338
场效应管是如何导通的 场效应管导通和截止的条件
在一般情况下，场效应管（FET）的导通电阻越小越好，因为较小的导通电阻意味着在导通状态下，FET可以提供更低的电阻，允许更大的电流通过。...
2024-03-06 8898
超导场效应管的分类及其原理分析
超导场效应管（Superconducting Field Effect Transistor，SFET）是一种新型的半导体器件，它结合了超导电性和晶体管的场效应特性，提供了低噪声、低功耗和高速等优异特性。...
2024-03-06 735
功率半导体2035年市值将达77,757亿日元，SiC等占45%
此次调查针对功率半导体18项、零部件材料20项、制造设备19项。调查期间为2023年10月至2024年2月。...
2024-03-06 368
BUCK电路为何电感成为难点，而非简单的MOS管与三元件组合？
什么是BUCK电路？BUCK电路就是降压斩波电路,是基本的DC-DC电路，用于直流到直流的降压变换；与之相对的是BOOST电路（BOOST电路...
2024-03-05 601
如何从不同角度分析电容去耦原理
从储能角度理解电容容易造成一种错觉，认为电容越大越好。而且容易误导大家认为储能作用发生在低频段，不容易向高频扩展。实际上，从储能角度理解，可以解释任何电容的功能。...
2024-03-04 513
五种主流的电平转换方案盘点
使用专用的电平转换芯片，只需给芯片两侧提供不同的电压，电平转换由芯片内部完成，如74xHC系列和74xHCT系列芯片，可实现七路3.3V与5V电平相互转换。...
2024-03-04 3142
碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中的深入应用解析
采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装技术发展滞后。...
2024-03-04 1996
三极管开关电路设计图原理
TTL晶体管开关电路按驱动能力分为小信号开关电路和功率开关电路；按晶体管连接方式分为发射极接地（PNP晶体管发射极接电源）和射级跟随开关电路。...
2024-03-04 2899
igbt能直接代替可控硅吗 IGBT直接代替可控硅会有什么影响？
可控硅具有优秀的反向阻断能力，适用于需要在极短时间内承受较高反向电压冲击的场合。而IGBT的反向阻断能力相对较弱，不适用于这种高反向电压冲击的场合。...
2024-02-29 3690
晶体管和集成电路是什么关系？
集成电路是通过一系列特定的平面制造工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连关系，“集成”在一块半导体单晶片上，并封装在一个保护外壳内，能...
2024-02-29 2563
碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更高的温度和电压下工作，实现更高的功率密度和效率。...
2024-02-29 1710
Qorvo推出创新紧凑型E1B封装1200V SiC模块
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。...
2024-02-29 425
为什么GaN被誉为下一个主要半导体材料？
拥有能够在高频下高功率运行的半导体固然很好，但尽管 GaN 提供了所有优势，但有一个主要缺点严重阻碍了其在众多应用中替代硅的能力：缺乏 P -类型。...
2024-02-29 432
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