双向逻辑电平转换器是一种电子器件,用于在不同电压逻辑电平之间进行转换。它可以将一个逻辑电平转换为另一个逻辑电平,从而确保在不同电压环境下的设备之间能够正常通信和协作。
2024-02-19 16:54:00465 48VPOE开关电源适配器测试电压应力,开机及正常工作电压应力没有问题,测试输出短路时IC电压应力峰值高达700V,IC内置MOS耐压650V,试了不同IC也是有这种情况,怎样才能把短路电压应力降低一些?附:短路时电压应力图
2021-12-01 07:59:25
提升导通能量,当栅极电阻降低时,导通能量也随之降低。图2 Eon和Rg的关系曲线当横跨栅极电阻器的压降超过了半桥转换器上MOSFET的阈值电压,就会发生寄生导通,即米勒效应。此时,反向恢复能量(Err
2019-07-09 04:20:19
电流检测电阻 R1输出电容器 C5输出整流二极管 D4 EMI对策 实装PCB板布局与总结使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例 前言设计中使用的电源IC专为SiC-MOSFET优化評価
2018-11-27 16:40:24
-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例 前言设计中使用的电源IC专为SiC-MOSFET优化評価編绝缘型反激式转换器的性能评估和检查要点 所谓隔离型反激式转换器的性能评估和检查要点 性能评估事例中所使用电源IC
2018-11-27 16:38:39
时间trr快(可高速开关)・trr特性没有温度依赖性・低VF(第二代SBD)下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比,大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
希望一种器件就能满足其所 有应用要求,从而简化 BOM 并降低成本。利用多电平转换器很容 易达到 1500 VDC以上的高工作电压(例如大规模储能使用2000 VDC), 此类电压对于为安全而实施
2018-10-30 11:48:08
分为三大类:开关的驱动,组合电源的正确选择,以及功率转换器环路的正确控制。[color=rgb(51, 51, 51) !important]在SiC MOSFET驱动方面,工程师需要考虑新的问题,比如
2019-07-16 23:57:01
节能课题。以低功率DC/DC转换器为例,随着移动技术的发展,超过90 %的转换效率是很正常的,然而高电压、大电流的AC/DC转换器的效率还存在改善空间。众所周知,以EU为主的相关节能指令强烈要求电气
2018-11-29 14:35:23
简介 在过去的几十年中,半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅MOSFET(parasitic parameters),以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率标准以及市场对效率
2023-03-14 14:05:02
摘要Type II 补偿器通常用于电流模式控制的开关转换器回授电路,一般可获得良好的线电压与负载调节及瞬时响应。然而当工作点(如输入电压或负载电流)改变,原设计的补偿器可能会有稳定度变差,或相位裕度
2019-07-23 07:27:19
在开关电源转换器中,如何充分利用SiC器件的性能优势?
2021-02-22 07:16:36
您可能会把模数转换器或者数模转换器缺少输出稳定性的原因归咎于实际转换器本身。但其实转换器周围的电压参考才是真正的罪魁祸首。我们将围绕电压参考如何改变转换器性能作介绍?
2021-04-07 06:33:14
等于输入,同时 或 的输出又变为高电平。另外 和 输出的脉冲信号又控制符号触发器置位或清零,指出方向。 表示正向, 表示反向。图5--32是电压频率转换的波形图。电压频率转换器的输出一方面作为工作台
2009-05-07 00:07:34
和SiC-MOSFET:SCT2H12NZ的隔离型准谐振AC/DC转换器示例下一篇文章计划介绍用于设计的电源IC和准谐振类型。关键要点:・准谐振方式的隔离型AC/DC转换器的设计案例。・功率开关中使用SiC-MOSFET。
2018-11-27 17:03:34
电压。 该款 IC 的基本构建块集成了多个组件,如线性稳压器、RC 振荡器、电压电平转换器以及四个功率 MOS 开关。为实现无闭锁 (latch-up-free) 的操作,电路会自动感测该器件最负极
2009-10-28 14:46:23
虽然大多数制造商已在电路中使用采购的开关模式电源,但他们通常对于在设计中使用第三方 DC/DC 转换器仍然有所迟疑。其中有两个主要原因:一方面是 DC/DC 转换器以低直流电源工作,属于相对简单
2018-12-03 09:53:40
额定击穿电压器件中的半导体材料方面胜过Si.Si在600V和1200V额定功率的SiC肖特基二极管已经上市,被公认为是提高功率转换器效率的最佳解决方案。 SiC的设计障碍是低水平寄生效应,如果内部和外部
2022-08-12 09:42:07
电路。MDQ500-16-ASEMI单相整流模块也可以用在开关电源中,那么MDQ500-16在开关电源中有什么作用呢? MDQ500-16参数描述型号:MDQ500-16封装:M34特性:单相整流模块电性
2021-08-26 16:54:15
用于电压转换的每个开关模式稳压器都会引起干扰。在电压转换器的输入端和输出端,有一部分是通过线传输的,但也有一部分是辐射的。这些干扰主要是由快速开关的边缘引起的。
2019-08-02 07:14:00
场效应晶体管。拓扑如图2所示采用谐振技术,利用变压器的磁化电感(LM)和漏电感(LK)的谐振加上小的输出电容(CO)来实现零电压开关(ZVS),限制关闭电流,消除体二极管导通。图2:高频总线转换器在高频
2019-04-04 06:20:39
不同性能的电平转换器,有双向和单相配置、不同电压转换和不同速度的,用户根据需要选择最好的方案。器件间板级通信(如MCU到外设)往往靠SPI或I2C.对于SPI,采用单向电平转换器是合适的,而对于I2C
2018-09-30 16:26:58
围向接地。该电压可通过辅助绕组的匝数比 (NA/NP)传感。当控制器观察到变压器失电,就可增加t5延迟来实现谷值开关。注意,图4 中的波形只是一个截图,此时转换器工作在近临界传导状态下,正在进行谷值
2018-10-09 14:20:15
为什么应该在SEPIC转换器中使用耦合电感?
2024-02-06 06:58:00
。设计挑战然而,SiC MOSFET 技术可能是一把双刃剑,在带来改进的同时,也带来了设计挑战。在诸多挑战中,工程师必须确保:以最优方式驱动 SiC MOSFET,最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36
直接影响转换器的体积、功率密度和成本。 然而,所使用的半导体开关远非理想,并且由于开关转换期间电压和电流之间的重叠而存在开关损耗。这些损耗对转换器工作频率造成了实际限制。谐振拓扑可以通过插入额外的电抗
2023-02-21 16:01:16
摘要 本文介绍了碳化硅(SiC)器件在高频率 LLC 谐振 DC/DC 转换器中的应用。此类转换器可用于母线转换器、电动汽车充电机、服务器电源和储能系统。在开关频率较高的情况下,LLC 变压器
2023-02-27 14:02:43
降低转换器效率,并会导致不可接受的热应力。与基于电感的传统降压型转换器相比,开关式电容转换器 (电荷泵) 可显著提高效率并缩小解决方案尺寸。在电荷泵中,采用飞跨电容代替电感以存储能量并将其从输入端传递到
2020-10-27 07:58:39
IC比预想中更易于使用‧ 开关稳压器的优点‧ 制作DCDC转换器电路‧ 正确使用三端稳压器和开关IC‧ 总结使用开关稳压器制作DCDC转换器开关稳压器IC是一种电源IC,可从某一直流电压中获取所需电压
2022-07-27 11:20:39
方法,由于平均电流和饱和电流更低,电感和电感器体积都大大减小。 输出纹波电压输出滤波器级中的纹波电流抵消可带来比单相转换器更低的输出电容器纹波电压。这就是多相转换器为什么是首选的原因。方程式 1
2018-09-19 11:43:05
引言对于电流在 25 A 左右的低压转换器应用而言,单相降压控制器非常有效。若电流再大的话,功耗和效率就开始出现问题。一种较好的方法是使用多相降压控制器。本文将简单比较,使用多相降压转换器和单相
2022-11-23 06:04:49
减小。 输出纹波电压 输出滤波器级中的纹波电流抵消可带来比单相转换器更低的输出电容器纹波电压。这就是多相转换器为什么是首选的原因。方程式 1 和方程式 2 计算出了每个电感中所抵消的纹波电流百分比
2018-11-26 16:52:21
装置机器人商用空调工业用照明(路灯等)内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC产品阵容产品名称封装电源电压范围MOSFET工作频率VCC OVP *^1^FB OLP *^2^工作温度范围
2022-07-27 11:00:52
了约22%。橙色部分表示开关损耗,降低的损耗大部分是开关损耗。在30kHz条件下,首先是IGBT的开关损耗大幅增加。众所周知,这是IGBT高速开关所面对的课题。全SiC功率模块的开关损耗虽然也有
2018-11-27 16:37:30
三电平(ThreeLevel,TL)整流器是一种可用于高压大功率的PWM整流器,具有功率因数接近1,且开关电压应力比两电平减小一半的优点。文献[1]及[2]提到一种三电平Boost电路,用于对整流桥
2012-12-27 16:57:40
介绍了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管的100KHz,10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT:RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD+IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* • SiC肖特基势垒二极管(SiC
2022-07-27 10:27:04
电容器和一个二极管实现了开关电压的充分利用,以产生一个负输出。一个耦合电容器 C5 在停机期间增添了输入至输出断接功能,这与 CUK 转换器是相似的。图 2:–120V 负输出转换器图 3 示出了一个
2018-08-23 14:22:18
1700V高耐压,还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外,与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合,还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件,还促进充分发挥
2018-12-04 10:11:25
描述在输入电压范围为 9V 至 18V,电流为 12A 时,该汽车单相同步降压转换器可提供 3.3V 电压。短时间运行的扩展输入电压范围为 4.5V 至 32V。主要特色高效率紧凑的尺寸低输入和输出电压纹波
2018-09-30 09:19:55
输入电压为较高的48 V时MOSFET开关损耗将增加。新方法新的创新型控制器设计方法将一个开关电容转换器与一个同步降压转换器结合起来。开关电容电路将输入电压降低2倍,然后馈入同步降压转换器。这种技术先将
2018-10-23 11:46:22
降低整个转换器的可靠性。然后,这一问题在4开关降压-升压转换器中翻了一番,因为它有两个阶段――降压和升压。当设计人员直接将降压转换器的电路参数复制到4开关降压-升压转换器的升压段时,就会产生错误。随着这种拓扑结构在应用中越来越受欢迎,了解dv/dt电感导通问题变得越来越重要。
2020-10-30 09:04:18
。随着这种拓扑结构在应用中越来越受欢迎,了解dv/dt电感导通问题变得越来越重要。在4开关降压-升压转换器中,dv/dt电感导通是由同步整流MOSFET在降压段和升压段快速升高的漏源电压引起的。由于
2019-07-16 06:44:27
电压为较高的48 V时MOSFET开关损耗将增加。 新方法 新的创新型控制器设计方法将一个开关电容转换器与一个同步降压转换器结合起来。开关电容电路将输入电压降低2倍,然后馈入同步降压转换器。这种
2018-12-03 10:58:08
设计方面,SiC功率模块被认为是关键使能技术。 为了提高功率密度,通常的做法是设计更高开关频率的功率转换器。 DC/DC 转换器和应用简介 在许多应用中,较高的开关频率会导致滤波器更小,电感和电容值
2023-02-20 15:32:06
滤波电感。有了电容滤波器,LLC转换器还可以使用额定电压较低的整流器,从而降低系统成本。此外,次级侧整流器可实现零电流转换,大大减少了反向恢复损耗。利用LLC拓扑结构的各项优势,可进一步提高效率,降低
2022-11-10 06:45:30
。 LLC 转换器和二极管类型 LLC是一种常用拓扑,可为初级侧桥晶体管提供零电压开关,如图1所示。它允许使用高开关频率,同时保持出色的效率水平,因为初级MOSFET中的开关损耗最小。在次级侧,输出
2023-02-21 16:27:41
工程界普遍认为,当升压转换器必须提供高输出电压、在低输入电压下工作、提供高升压比或支持高负载电流时,需使用多相位功能。相比单相位设计,多相位升压设计有多项优势,包括:提高效率、改善瞬态响应,以及降低
2020-09-30 09:27:31
工程界普遍认为,当升压转换器必须提供高输出电压、在低输入电压下工作、提供高升压比或支持高负载电流时,需使用多相位功能。相比单相位设计,多相位升压设计有多项优势,包括:提高效率、改善瞬态响应,以及降低
2022-07-01 09:34:22
开关转换器包括无源器件,如电阻器、电感、电容器,也包括有源器件,如功率开关。当您研究一个功率转换器时,这大多数器件都被认为是理想的:当开关关断时,它们不会降低两端的电压,电感不具有电阻损耗等特性
2020-10-28 07:28:36
假设您有一个 SiC 晶体管应用,它需要大约 +15V 的正栅极驱动电压和大约 -4V 的负栅极驱动电压,以获得最佳性能和最低开关损耗(图 1)。您查看制造商的数据表,发现具有这种特殊非对称输出电压组合的隔离式 DC/DC 转换器不作为标准产品存在。你能做什么?
2022-04-12 17:23:13
实际电池电压调整直流母线电压 (380-425V)。这是为了帮助DC/DC转换器以较小的增益范围工作。为了在功率密度、效率、热性能和传导EMI之间取得平衡,图腾柱PFC的高频半桥Q1和Q3的开关频率
2023-02-27 09:44:36
描述该参考设计是一种宽输入电压范围的 SEPIC 转换器,使用经济高效的分立启动电路提供高达 30W 的连续输出功率,可提供高达 80V 的输入。另一个分立 UVLO 电路可防止低输入电压下的大输
2022-09-16 07:05:21
描述PMP21274 是采用 LM5112 控制器的单相升压转换器。此参考设计的输入工作电压为 12V 至 50V。此设计具有 54V 输出,能够提供 2.5A 持续电流。LM5112 具有旁路功能
2018-10-14 11:38:38
随着相位增多而提高,交错操作会显著降低轻载效率。因此,与单相转换器相比,交错式多相转换器具有更高的重载效率,但轻载效率则较低。转换器的效率为(公式3):[img][/img] 对于单相转换器,空载
2011-07-14 08:52:28
。ALD4213模拟开关内部的集成电平转换器和逻辑门提供逻辑转换,可将单个5V输入转换为±5V逻辑摆幅。该电路在时钟控制下闭合两个开关S 1和S 4。在一个时钟周期的前半部分,C 1充电至等于输入电压V
2020-06-03 13:57:17
求推荐一个最低电压1.3V,400MHZ以上的电平转换器
2020-06-27 14:46:16
来减小电感器尺寸,但是这会降低转换器效率,因为与开关相关的损耗会导致不可接受的热应力。与传统的基于电感的降压转换器相比,开关电容转换器(电荷泵)可显着提高效率并缩小解决方案尺寸。在电荷泵中,使用飞跨
2019-04-16 18:27:07
用户选择四种不同的运作模式。它由四个级联降压-升压转换器的单相象限组成,包括四个开关、一个电感器和两个电容器。根据不同电子开关的功能,电路可以降低或升高输入电压。开关组件由碳化硅(SiC
2021-07-13 07:30:00
用户选择四种不同的运作模式。它由四个级联降压-升压转换器的单相象限组成,包括四个开关、一个电感器和两个电容器。根据不同电子开关的功能,电路可以降低或升高输入电压。开关组件由碳化硅(SiC
2022-04-15 14:51:38
连续导通模式(CCM)反激式转换器通常用于中等功率隔离应用。与非连续导通模式(DCM)操作相比,CCM操作的特点是峰值开关电流更低,输入和输出电容更小,EMI更低,工作占空比范围更窄。这些优点以及
2018-09-12 09:19:55
降低了工作占空比,从而实现了更高的开关频率,更小的元件尺寸和更低的FET电压。降低的占空比还可以提供更多的控制器选择,这些控制器以前在传统的升压转换器中实现时无法以足够高的占空比工作。
2020-08-10 14:27:34
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
设计一个简易的AD转换器的采样保持电路,要求采样方波的上升沿采样,高电平保持,低电平时归零。该如何设计模拟开关呢?
2023-10-25 12:07:38
相工作是透明的。所有 4 相的限流值和开关频率都可以非常容易地用单个电阻编程,就像在单相设计中一样。类似地,输出电压设置和环路补偿与其它熟悉的 DC/DC 转换器设计也没有不同。这种类型 POL
2019-05-13 14:11:41
SiC-MOSFET用作开关的准谐振转换器IC。在使用电源IC的设计中,要使用SiC-MOSFET需要专用的电源IC设计中使用的电源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”这款IC
2018-11-27 16:54:24
。这对于优化CLLC转换器的效率非常重要,尤其是在高频下。直流母线最大电压为425V,电池为450V。考虑到降额可靠性要求,在OBC应用中最好使用650V SiC MOSFET。为了提供6.6kW
2019-10-25 10:02:58
为什么使用DC-DC转换器应尽可能靠近负载的负载点(POL)电源?效率和精度是两大优势,但实现POL转换需要特别注意稳压器设计。接近电源。这是提高电源轨的电压精度、效率和动态响应的最佳方法之一。负载
2021-12-14 07:00:00
`DC/DC转换器是利用MOSFET开关闭合时在电感器中储能,并产生电流。当开关断开时,贮存的电感器能量通过二极管输出给负载。如下图所示。所示三种变换器的工作原理都是先储存能量,然后以受控方式释放
2019-03-25 16:31:54
时的占空比通常限制在50%以下,并在每个开关周期复位变压器磁芯。一般会用第三绕组实现磁通量复位。当功率电平在200W以下时,通常使用单开关正激转换器。由于FET上的电压应力是输入电压、反射的变压器电压
2018-10-16 19:33:11
。随着这种拓扑结构在应用中越来越受欢迎,了解dv/dt电感导通问题变得越来越重要。在4开关降压-升压转换器中,dv/dt电感导通是由同步整流MOSFET在降压段和升压段快速升高的漏源电压引起的。由于
2018-10-30 09:05:44
有助于将晶体管保持在安全工作区域。图3比较了恒流和折返限流两种方案的VOUT与IOUT响应曲线。与恒流限流相反,输出电流(IOUT)的减小降低了功耗,从而降低了开关转换器的热应力。图3. 恒流和折返两种
2018-10-23 11:46:36
开关转换器包括无源器件,如电阻器、电感、电容器,也包括有源器件,如功率开关。当您研究一个功率转换器时,这大多数器件都被认为是理想的:当开关关断时,它们不会降低两端的电压,电感不具有电阻损耗等特性
2019-08-07 08:19:32
处理器(例如ADSP-CM419F)完成。最后,利用高能效隔离式∑-∆型转换器(例如AD7403)检测电压,从而实现设计的紧凑性。在Si IGBT到SiC MOSFET的过渡阶段,必须考虑混合拓扑结构
2018-10-22 17:01:41
。MOSFET不是逻辑电平,并且引脚DRVUV和DRVSET与INTVCC相连,以提供10V栅极驱动。引脚VPRG1连接到INTVCC,以在第一个通道上选择5V输出电压。图2显示了转换器的效率。DC1998A
2019-10-25 09:59:35
为了减小输出电容和电感的尺寸以节省印刷电路板(PCB)空间,越来越多的高输入电压DC/DC转换器在更高的开关频率下工作。然而,随着输出电压降至5V和更低,设计更快的开关高输入电压降压DC/DC转换器
2019-07-16 23:54:06
= V drive Q g Fsw –较低的R DS(on)减小了传导损耗,其中V drive是驱动电压,F sw是FET开关频率。除了Q g和R DS(on)之外,在高频转换器中选择组件时,考虑C
2022-05-11 10:17:28
= V drive Q g Fsw –较低的R DS(on)减小了传导损耗,其中V drive是驱动电压,F sw是FET开关频率。除了Q g和R DS(on)之外,在高频转换器中选择组件时,考虑C
2022-05-25 10:08:50
零电压开关全桥转换器设计降低元器件电压应力
很多电源管理应用文章都介绍过采用 ZVS(零电压开关)技术实现无损转换的优势。为了实现 ZVT(零电压转换),漏-源电
2009-11-03 09:03:33787 电平转换器,电平转换器原理和相关电路分析
在新一代电子电路设计中, 随着低电压逻辑的引入,系统内部常常出现输入/ 输出逻辑不协
2010-03-24 14:41:148176 在于谐振电容吸收了开关管和续流二极管的结电容,谐振电感吸收了变压器的漏感.使得功率器件的电压应力大大降低,负载范围也变宽。
2016-05-11 14:54:564 本文提出一种零电压零电流开关PWM复合式全桥三电平变换器,该变换器的一个桥臂为三电平桥臂,其开关管的电压应力为输入电压的一半,可在很宽的负载范围内实现零电压开关,可以选用 MOSFEI;另一个
2016-05-11 15:15:165 TXS0202是一个2位电压电平转换器,用于在芯片间USB(IC-USB)应用中优化。
2018-05-11 11:25:5810 开关电源(DC-DC转换器)真的会降低模数转换器的性能吗?
2018-12-12 14:17:543793 新唐I²C电平转换器家族产品提供I²C/SMBus接口双向电压电平的转换,并同时提供高规格的ESD保护。
2019-11-19 09:40:541470 随着技术的进步,设备必须继续具有出色的性能和效率。尽管传统的多电平转换器 ( MLC ) 满足了这些需求,但它们仍然需要大量的电力电子开关和支持电路,并且系统复杂,所有这些都会导致额外的成本和庞大的系统。本文讨论了一种有效的 MLC 修改,它使用先进技术来增强传统类型的转换器。
2022-07-29 09:54:29635 和高功率应用。2在这种配置中,总线电压是平均分配的,这使我们可以使用低额定值的设备。在 NPC 转换器中使用 SiC MOSFET 增加了高开关频率和电荷密度的优势,但以设计问题为代价,因为在 SiC 二极管 NPC (DNPC) 的情况下,内部开关的器件电压大于外部开关)。
2022-08-04 10:41:261532 微控制器之间进行 DATA、RST 和 CLK 信号转换。高速电平转换器可支持 B 类、C 类 SIM 卡,并支持未来的 IO 电压为 1.2 V 的主机处理器。
2022-08-11 10:49:591752 本设计笔记展示了如何通过降低振荡器频率来提高电压转换器的效率。在20mA电压转换器上增加一个振荡器电容可降低振荡器频率,从而在降低IO值时提高电压转换效率。采用 ICL7660 电荷泵。
2023-01-14 11:03:11882 此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”,本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个是功率开关中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480
评论
查看更多