CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
在新一代电力电子技术领域，氮化镓（GaN）技术因其出色的抗辐射能力和卓越的电气性能，已成为太空任务的革命性突破的关键。氮化镓 (GaN) 技术已成为天基系统的游戏规则改变者，与传统硅 MOSFET 相比，它具有卓越的耐辐射能力和无与伦比的电气性能。
2024-02-26 17:23:14
219 
HMC8205BCHIPS是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器，其主要技术参数如下：频率范围：0.4 GHz至6 GHz输出功率：在频率范围内，最大输出功率为45.5 dBm (相当于35 W)功率
2024-02-16 17:33:52
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议
2024-01-11 18:17:32865
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
氮化镓（GaN）芯片是一种新型的半导体材料，由氮化镓制成。它具有许多优越的特性，例如高电子迁移率、高耐压、高频特性和低电阻等，这使得它在许多领域有着广泛应用的潜力。以下是几个氮化镓芯片的应用领域
2024-01-10 10:13:19436 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化镓技术（GaN技术）是一种基于氮化镓材料的半导体技术，被广泛应用于电子设备、光电子器件、能源、通信和国防等领域。本文将详细介绍氮化镓技术的用途和应用，并从不同领域深入探讨其重要性和优势
2024-01-09 18:06:36294 事通讯设备产品规格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz)：0最高频率(MHz)：2000最高值输出功率(W)：200增益值(分贝)：24.0效率（％）：70额定电压(V)：27类型：封装分立晶体管封装类别：法兰盘、丸状技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。
2023-12-15 16:44:11462 在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。
2023-12-14 09:23:06547 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
作为一种新型功率器件，GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。
2023-12-07 09:44:52777 
什么是氮化镓 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化
2023-11-24 11:05:11822 GaN氮化镓晶圆硬度强、镀层硬、材质脆材质特点，与硅晶圆相比在封装过程中对温度、封装应力更为敏感，芯片裂纹、界面分层是封装过程最易出现的问题。同时，GaN产品的高压特性，也在封装设计过程对爬电距离的设计要求也与硅基IC有明显的差异。
2023-11-21 15:22:36333 
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。上次带大家了解了它的基础特性：氮化镓（GAN)具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学
2023-11-09 11:43:53434 氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293605 
氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
GaN近期为何这么火？如果再有人这么问你，你可以这样回答：因为我们离不开电源。
2023-11-02 10:32:041265 
渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓（GaN）功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。 目前，英飞凌共有 450 名氮化镓技术专家和超过 350 个氮化镓技术专利族。英飞凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52206 随着世界希望电气化有助于有效利用能源并转向可再生能源，氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术的时机已经成熟。传统硅MOSFET和IGBT的性能现在接近材料的理论极限，进一步发展只是以缓慢和高成本实现微小
2023-10-25 16:24:43641 
交割日，GaN Systems现已成为英飞凌的一部分。 英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“氮化镓技术为支持脱碳的更节能、更节能的二氧化碳解决方案铺平了道路。收购GaN Systems显著加快了我们的GaN路线图，并通过掌握所有相关功率半导体技术，进一步加强了英飞凌在电源系统
2023-10-25 14:51:13477 10 月 25 日，英飞凌科技股份公司今日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案
2023-10-25 11:38:30189 
随着各大手机和笔记本电脑品牌纷纷进入氮化镓快充市场，氮化镓功率器件的性能得到进一步验证，同时也加速了氮化镓技术在快充市场的普及。目前，快充源市场上氮化镓主要以三种形式使用，即GaN单管功率器件、内置驱动器的GaN功率芯片以及内置控制器、驱动器和GaN功率器件的封装芯片。其中，GaN单管功率器件发展最快
2023-10-23 16:38:59292 随着科学技术的不断进步，电力电子设备的应用越来越广泛，而在这些设备中，电源是一个非常重要的部件。近年来，氮化镓（GaN）材料在电源领域的应用逐渐受到关注，成为推动新型电源解决方案的重要力量。
2023-10-20 16:41:43229 随着科学技术的不断进步，电力电子设备的应用越来越广泛，而氮化镓（GaN）材料在提高能源效率方面发挥着重要作用。本文将讨论氮化镓材料的特性，氮化镓在电力电子设备中的应用，以及氮化镓解决方案如何实现更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344 
氮化镓（GaN）是电力电子行业的一个热门话题，因为它可以实现80Plus钛电源、3.8 kW/L电动汽车（EV）车载充电器和电动汽车（EV）充电站等设计。在许多特定的应用中，GaN已经取代了传统
2023-10-13 15:25:33355 
全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:23476 
干货 | 氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要
2023-09-27 16:13:56484 
15年左右行业内开始掀起风磁编码器替代光电编码器，而且在22年的时候国内几家磁编发展迅速取得了很大的成绩，可是23年开始随着光电编码成本的下调技术的革新，又有客户回归到用光电的技术。
是不是现在达到一个平衡点了？还是说磁编还有突破的空间？
2023-09-26 13:03:43
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。意法半导体的数字电源解决方案可以使用专用的评估板、参考设计、技术文档和eDesignSuite软件配置器和设计工具来实现
2023-09-06 07:44:16
在竞争激烈的当今市场中，可再生能源、储能、电源适配器、电源充电器和数据处理应用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解决方案来提高性能，以满足不断增长的电信、汽车、医疗保健和航空航天行业的需求。氮化镓
2023-09-06 06:38:52
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
华为Mate60系列手机在近期在华为商城上架并全面开售，掀起了手机行业的热潮。
2023-09-04 14:42:27884 氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料
➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
开关电源纹波波形 开关电源纹波波形是在开关电源输出端出现的交流纹波电压，通常在直流电压上叠加的一种电压波形。这种波形会对电路的正常工作产生严重的干扰，因此对电源的输出纹波进行有效的抑制是非
2023-08-29 10:38:491410 的尺寸和更轻的重量。 传统硅晶体管有两种类型的损耗：传导损耗和开关损耗。 功率晶体管是开关电源中功率损耗的主要原因。 为了遏制这些损失，GaN 晶体管（取代旧的硅技术）的开发已引起电力电子行业的关注。
2023-08-28 17:03:082026 
生长氮化镓薄膜，形成GaN基础器件的结构。由于氮化镓材料的性质优良，GaN技术被广泛应用于LED、高频功率放大器、射频器件等领域。
2023-08-22 15:17:312375 氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
氮化镓电源方案功率通常达到65W、100W、120W等，氮化镓功率器件生产商英诺赛科推出INN650D260A氮化镓200w电源方案设计3C+2A多口输出。英诺赛科INN650D260A氮化
2023-08-08 21:28:181273 
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数（
2023-08-03 14:43:28225 。安世博能源科技为电源行业领导厂商，拥有完整电源供应器、电动车充电模块及车载充电器产品解决方案。结合 GaN Systems 尖端的氮化镓功率器件、在车用领域所累积的应用实绩，与安世博能源科技在高功率电源系统设计及批量生产的卓越能力，此次策略合作将为中国电动车行业
2023-08-03 09:52:19253 
氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据中心节约多达 700 万美元的能源成本。
2023-08-01 09:32:001330 
相对于传统的硅材料，氮化镓电源在高功率工作时产生的热量较少，因为氮化镓具有较低的电阻和较高的热导率。这意味着在相同功率输出下，氮化镓电源相对于传统的硅电源会产生较少的热量。
2023-07-31 15:16:233602 友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的实体图 近年来，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料在消费电子领域的渗透率不断提升，其能够以高能效和高功率密度实现电源转换，在快充时代备受欢迎。针对此趋势，大联大友尚基于ST ViperGaN50器件推出了GaN电源转换器方案，能够优化电
2023-07-20 18:05:06499 
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27410 
作为电力电子领域的核心技术之一，基于GaN的电能转换技术在消费电子、数据中心等领域有广泛应用，这对提高电能的高效利用及实现节能减排起着关键作用。
2023-06-29 10:17:12481 
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
GaN技术实现快速充电系统
2023-06-19 06:20:57
前言
橙果电子是一家专业的电源适配器，快充电源和氮化镓充电器的制造商，公司具有标准无尘生产车间，为客户进行一站式服务。充电头网拿到了橙果电子推出的一款2C1A氮化镓充电器，总输出功率为65W，单口
2023-06-16 14:05:50
电机逆变器功率开关的比较电机逆变器:三相拓扑•IGBT:行业“主力”开关速度慢，损耗低•MOSFET:更快的开关，更好•氮化镓:几乎没有开关损耗
2023-06-16 11:31:56
作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大
2023-06-16 10:51:097122 纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时，近来氮化镓(GaN
2023-06-12 10:53:287386 
对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。
2023-06-12 10:17:171813 
氮化镓（GaN）作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域被广泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过[氮化镓GaN驱动器的PCB设计
2023-05-17 10:19:13832 
由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212330 
、笔记本电脑、路由器等数码产品中。基于氮化镓功率器件，研发出的快充电源方案，可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等提供更高的充电功率，极大提升充电体验。本文介绍了一款65W氮化镓（1A2C） PD快充电源方案，该方案采用功成半导体最新
2023-04-21 11:00:201613 
65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率。
2023-04-20 09:40:201226 
氮化镓正取代硅，越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中 作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种
2023-04-19 17:23:01934 来源：德州仪器 氮化镓正取代硅，越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中 作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN
2023-04-19 16:30:00224 爱美雅）将隆重推出M版多协议兼容65W氮化镓快充头方案，目前已与国内通信龙头及国内一线零售品牌建立了合作关系，未来这款2C1A的氮化镓GaN快充头将卷入65W及45W以下的多口充电需求。
2023-04-11 16:21:36557 
1A2C-65W氮化镓（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V宽输入电压，输出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，内置MGZ31N65-650V氮化镓开关管；采用PD3.0协议IC。
2023-04-07 09:37:16570 NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计
2023-04-03 11:12:17553 
应对不同的应用场景。2. 应用领域 适配器 充电器 AC-DC 开关电源特性 集成氮化镓直接驱动（6V DRV） 集成高压启动（700V） 集成高压 BROWN-IN &
2023-03-28 10:31:57
灵活应对不同的应用场景。2. 应用领域 适配器 充电器 AC-DC 开关电源. 特性 集成氮化镓直接驱动（6V DRV） 集成高压启动（700V） 集成高压 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
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