沟道通孔（Channel Hole）指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面，穿过多层存储单元的细长孔洞。
2024-03-20 10:19:47
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沟道通孔（Channel Hole）指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面，穿过多层存储单元的细长孔洞。这些通孔贯穿整个堆叠结构，并填充了导电材料，它们在每个存储层之间形成导电通道，从而使电子能够在在存储单元间移动，进行读取、写入和擦除操作。
2024-03-20 10:17:5331 
FPGA（现场可编程门阵列）属于硬件设备，而不是软件。它是一种可编程的硬件设备，由大量的逻辑单元、存储单元和互连资源组成，能够实现复杂的数字电路和系统设计。
2024-03-14 17:08:59122 存储器层次结构可以从图片中清晰的看出来，图片中共分为六级，越向上的层次，存储器速度越快，容量更小，造价越高。
2024-02-19 14:03:42415 
通过多级存储器的设计，存储器层次结构能够在存储容量和访问速度之间找到一个平衡点。高速缓存存储器和主存储器提供了快速的访问速度，而辅助存储器则提供了大量的存储空间。
2024-02-19 13:54:42121 
与主存储器（内存）和辅助存储器（外存）有不同的特点和应用场景。 首先，我们来详细了解ROM的特点和分类。ROM是一种非易失性存储器，这意味着即使在断电或重启系统后，存储在ROM中的数据仍然保持完整。这是由于ROM的存储单元是由非可更改的电路或栅电势器构成
2024-02-05 10:05:10737 SRAM 中的每个存储单元由多个触发器构成。每个触发器可以存储一个位的数据，并在电源供电时一直保持该状态，不需要刷新操作。
2024-02-05 09:31:57950 ，包括其结构、特点以及如何写入数据。 一、STM32 Flash的结构 STM32 Flash存储器通常被分为多个扇区，每个扇区大小为2KB到256KB不等，根据不同的型号有所不同。每个扇区可以独立进行
2024-01-31 15:46:03419 随机访问存储器（RAM）分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。由于动态存储器存储单元的结构非常简单，所以它能达到的集成度远高于静态存储器。但是动态存储器的存取速度不如静态存储器快。
2024-01-19 15:47:38514 
篇文章中将详细讨论RAM的工作原理以及为什么它会丢失数据。 一、RAM的工作原理 随机存取存储器（RAM）是一种常见的计算机内存类型，用于临时存储数据。它通过让CPU快速访问存储的数据来提高计算机性能。RAM是由许多存储单元组成的，每个单元都有
2024-01-16 16:30:19840 长江存储晶栈Xtacking架构的原理就是在两片独立的晶圆上，分别加工外围电路和存储单元，然后在芯片封装阶段将两者合二为一，更高效率的同时也实现了更高的密度、更快的速度。
2024-01-16 11:41:11354 
SSD主要由控制单元和存储单元组成，控制单元包括SSD控制器、主机接口、DRAM等，存储单元主要是NAND FLASH颗粒。NAND FLASH内部存储读写的基本单元为Block和Page。
2024-01-02 10:16:58277 
NOR Flash是一种基于NOR门结构的闪存，NOR是逻辑门电路中的“或非”门。NOR Flash具有并行访问结构，这意味着每个存储单元都有一个地址，可以直接访问任何存储单元，这使NOR Flash具有快速的随机访问能力，适用于执行代码和读取关键数据。
2023-12-27 14:37:05293 门。尽管它们都是用于存储数据的，但在构造、功能、性能和应用方面存在很多区别。 首先，DRAM和NAND的构造方式不同。DRAM是由一个个存储单元组成的，每个存储单元由一个电容和一个开关组成。在读写数据
2023-12-08 10:32:003905 从架构上看，CMOS图像传感器类似于一个存储器memory，它有大量存储单元，支持行和列的寻址操作，区别在于存储器是电路写入内容，而sensor中的内容是可见光或近红外光线写入的。
2023-12-07 10:08:37190 
要了解存储器的寻址方法，须先掌握其编址方法。S7 -200 SMART PLC的存储单元编址有一定的规律，它将存储器按功能不同划分成若干个区，如I区（输入继电器区）、Q区（输出继电器区）、M区、SM区、V区、L区等，由于每个区又有很多存储单元，因而这些单元需要进行编址。PLC存储区常采用以下方式编址。
2023-12-07 09:43:58255 
Nor Flash采用NOR门结构，其中每个存储单元都有不同的地址用于直接访问。这种并行访问功能可以实现高效的随机访问和快速的数据检索。
2023-12-05 15:21:59363 Nor Flash 中的编程和擦除操作涉及写入数据和擦除存储单元的特定步骤。
2023-12-05 15:19:06321 闪存编程也不涉及将数据写入存储单元，为确保准确编程，Nor Flash 支持字节级编程，允许写入或修改单个字节，而无需擦除整个块。
2023-12-05 14:03:22390 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
无共享体系结构 （SNA：Shared-Nothing Architecture） 是一种分布式计算体系结构，其中每个更新请求都由计算机群集中的单个节点（处理器/内存/存储单元）满足。目的是消除节点
2023-11-27 10:12:52320 
安全存储功能中使用的重要结构体 在整个安全存储功能的操作过程中，存在一些很重要的结构体，这些结构体用于记录或保存所有安全文件和dirf.db文件的操作信息，这些结构体的关系框图如图所示
2023-11-21 14:36:07137 
内部功能，这种产品也被称作异步 DRAM 。 DRAM 的存储单元的长宽比接近 1：1，为阵列（Array）形状，存储器的地址线则被分为行（Row）（地）址线和列（Column）（地）址线。行址线用来
2023-11-17 09:26:27378 的地址，这样只要知道了存储单元的地址，就可以找到这个存储单元，其中存储的指令就可以被取出，然后再被执行。
单片机的特点
体积小，结构简单
控制能力强
低电压，低功耗
优异的性能、价格比
FPGA
2023-11-14 15:30:30
存储器容量是可编程序控制器本身能提供的硬件存储单元大小，程序容量是存储器中用户应用项目使用的存储单元的大小，因此程序容量小于存储器容量。设计阶段，由于用户应用程序还未编制，因此，程序容量在设计阶段是未知的，需在程序调试之后才知道。
2023-11-12 09:46:27416 逻辑单元在FPGA器件内部，用于完成用户逻辑的最小单元。
2023-10-31 11:12:12540 
ROM存储和RAM存储在物理结构上有什么区别，如何才能实现只读存储和随机存储？
2023-10-30 07:09:38
SSD主要由控制单元和存储单元(当前主要是FLASH闪存颗粒)组成，控制单元包括SSD控制器、主机接口、DRAM等,存储单元主要是NAND FLASH颗粒。
2023-10-27 10:27:03198 
盘点芯邦科技存储主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片 存储主控芯片是一种集成电路芯片，用于控制和管理存储设备。它负责管理多个存储单元 （如内存、固态硬盘、闪存卡等）之间的数据传输和存取操作
2023-10-25 12:43:001054 
设计都涉及到对RAM的读写操作。在FPGA芯片中，RAM也叫做存储块（Block RAM），可以存储大量的数据。 FPGA中的RAM可以一次读取多个数据，这是因为RAM的结构是一个多列的数据表格，其中每一列都是一个包含多个存储单元的块。通过在时钟的一次上升沿来读取RAM中的数据，这个操作必须在一个
2023-10-18 15:28:20597 它来进行跨时钟域传输数据。 一、双口RAM的工作原理 双口RAM是一种有两个读写口的存储器，因此可以在两个时钟域之间传输数据。它通常由一个存储单元阵列和控制逻辑电路组成。其中，存储单元阵列负责存储数据，控制逻辑电路则负责管理存储单
2023-10-18 15:24:01472 据悉，东京电子新技术的目标是能够长时间储存数据的3d nand闪存。该公司开发了一种新的通道孔蚀刻方法，该方法是将垂直孔快速深插入存储单元。3D nand的存储器容量可以通过将存储器单元层垂直堆积来增加，如果层数增加，就需要性能更高的装置。
2023-10-16 14:39:49368 怎么把单片机存储单元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
固态驱动器（SSD）是一种由固态电子存储芯片阵列构成的存储设备，由控制单元和存储单元组合而成。其接口规范、功能和使用方法与传统硬盘完全一致，外形和尺寸也相同。与传统硬盘相比，SSD提供了更快的读写速度和更高的可靠性。
2023-10-12 09:29:07746 
系统存储器用来存放PLC生产厂家编写的系统程序，用户不能修改。 如：存放系统工作程序（监控程序）；存放命令解释程序；存放功能子程序的调用管理程序；存放存储系统参数。
2023-10-04 15:13:00209 
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
SSD主要由控制单元和存储单元(当前主要是FLASH闪存颗粒)组成，控制单元包括SSD控制器、主机接口、DRAM等,存储单元主要是NAND FLASH颗粒。
2023-09-25 09:45:51161 
电子发烧友网站提供《如何配置存储器保护单元(MPU).pdf》资料免费下载
2023-09-25 09:33:45
0 单片机可以使用链表结构存储数据吗
2023-09-20 07:56:38
电子发烧友网站提供《用于Zynq UltraScale+设备中PL隔离的存储器和外设保护单元.pdf》资料免费下载
2023-09-13 15:23:160 GX1831 数字温度计提供 12bit 分辨率的温度测量，可以通过可编程非易失性存储单元实现温度的下限和上限报警。
2023-09-12 14:12:58275 
存储器是计算机中的重要组成部分，用于存储程序、数据和控制信息等。根据存储信息的介质和访问方式的不同，存储器可以分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和硬盘存储器等几类。本文将介绍存储器的工作原理、分类及结构。
2023-09-09 16:18:272105 本文以Cortex-A53处理器为例，通过访问 处理器中的 **内部存储单元** （tag RAM和dirty RAM），来读取cache line 中的MOESI信息。
2023-09-08 14:35:44423 
在下面的图中显示了堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构图。下图(a)显示了堆叠式DRAM存储节点接触(SNC)结构。
2023-09-08 10:02:25592 
根据专利要点，提供本申请的一种存储器是检测方法及存储半导体相关技术领域中存储单位与上线之间漏电测定的复杂技术问题，该存储器的检测方法如下：选通字线，通过位线在所有存储单元中写设定存储。
2023-09-07 14:27:24523 
电子发烧友网站提供《基于存储体系结构的重要性.pdf》资料免费下载
2023-08-30 17:20:250 电子发烧友网站提供《存储体系结构的现代化.pdf》资料免费下载
2023-08-30 16:58:280 电子发烧友网站提供《存储体系结构注意事项:SAN和HCI.pdf》资料免费下载
2023-08-30 11:31:310 电子发烧友网站提供《网络下一代企业存储：NVMe结构.pdf》资料免费下载
2023-08-28 11:39:450 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器的存储元是电容器和晶体管的组合。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器存储位是用于存储数据的。晶体管用于控制电容器
2023-08-21 14:30:021022 PrimeCell TrustZone Memory Adapter(TZMA)是符合AMBA标准的片上系统外围设备。
TZMA允许在安全分区和非安全分区之间共享高达2MB的单个物理存储单元。
分区
2023-08-17 08:04:57
ARM系统MMU(SMMU)体系结构为存储器管理单元(MMU)实施提供了灵活的实施框架，具有多个实施定义的选项。
该体系结构可用于系统级的MMU。
它基于转换表中保存的地址映射和内存属性信息，支持从
2023-08-12 06:25:35
ETMv4跟踪单元通过生成跟踪元素来跟踪处理元素或PE的执行。
ETMv4体系结构定义了从PE的执行生成这些跟踪元素。
ETMv4跟踪单元可以生成两个跟踪元素流：
·指令跟踪元素流。
·如果实现并
2023-08-11 07:59:35
使用DDR4作为外接存储单元时，蜂鸟e203的访问地址为0x40000000,但是经过vivado的Block design后使用DDR4，在板子上跑测试DDR4读写程序，报store访问异常
2023-08-11 06:17:58
体系结构包括当计数器达到阈值时产生中断的机制。
在CoreSight性能监视单元体系结构中，事件计数器是单调增加的。但是，在某些情况下，PMU提供监控器来测量组成部分例如，监控器可能在分配资源时递增
2023-08-09 07:20:43
Arm®密钥管理单元（KMU）是一种集中的密钥管理架构，用于存储对称密钥材料（资产）。存储在KMU中的密钥对于软件或其他硬件组件来说是不可读的。
软件只能使用存储在KMU中的资产通过将密钥导出到加密
2023-08-09 06:43:22
DynamIQ™ 共享单元（DSU）包括支持DynamIQ的L3存储系统、控制逻辑和外部接口™ 簇DynamIQ™ 集群微体系结构将一个或多个核心与DSU集成，以形成一个集群，该集群实现为指定的配置
2023-08-08 06:48:05
汽车微控制器正在挑战嵌入式非易失性存储器（e-NVM）的极限，主要体现在存储单元面积、访问时间和耐热性能三个方面。在许多细分市场（例如：网关、车身控制器和电池管理单元）上，随着应用复杂程度提高
2023-08-04 14:24:46333 
布局即可实现替换。
NAND Flash Menory
介绍 NAND Flash 有关资料均来自 KIOXIA 官网 。
存储单元结构
下图为闪存的内部存储单元结构（横截面）。存储单元是数据存储
2023-07-28 16:23:18
日志结构存储在当今存储系统中被广泛使用，然而其中的垃圾回收会将有效数据重新写入导致写放大现象。
2023-07-28 10:31:52205 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
ROM中的资料永远无法做修改。 高度集成化的NAND构成。（1个晶体管单元） 数据的写入方法 在Wafer过程内写入信息 “1”：将离子注入晶体管 “0”：不注入离子 数据的读取方法 使读取单元
2023-07-12 17:35:25736 
忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。
2023-07-12 11:10:53355 
在FPGA的设计中的，内部的FIFO和RAM是两种非常常见的存储单元
2023-07-11 17:23:33956 东北大学近日宣布，单晶钴（Co）/铂（Pt）结构是一种简单的铁磁/非磁双层结构，可以在不使用外部磁场的情况下通过电流注入来磁化。表明Co/Pt结构可以用光记录信息，也可以有效地用电记录信息，并且，他们已经开发了一种非易失性磁场，可以存储来自光纤和电线的数据。宣布已成功开发一种记忆材料。
2023-07-11 09:59:55171 
存储主控芯片是一种集成电路芯片，用于控制和管理存储设备。它负责管理多个存储单元（如内存、固态硬盘、闪存卡等）之间的数据传输和存取操作。存储主控芯片通常包括处理器、内存控制器、接口控制器等功能模块，以实现高效、可靠的数据传输和存储管理。
2023-07-10 15:50:172807 随着更快的图形处理单元（GPU）能够提供明显更高的计算能力，存储设备和GPU存储器之间的数据路径瓶颈已经无法实现最佳应用程序性能。
2023-07-08 15:10:39201 
锁存器(Latch)是一种对脉冲电平敏感的存储单元，它们可以在特定输入脉冲电平作用下改变状态。锁存，就是把信号暂存以维持某种电平状态。
2023-07-06 15:10:39646 
通用型PLC的硬件基本结构如图1所示，它是一种通用的可编程控制器，主要由中央处理单元CPU、存储器、输入/输出（I/O）模块及电源组成。
2023-07-04 16:56:57666 
可编程控制器的结构多种多样，但其组成的一般原理基本相同，都是以微处理器为核心的结构。通常由中央处理单元（CPU）、存储器（RAM、ROM）、输入输出单元（I/O）、电源和编程器等几个部分组成。
2023-07-04 16:44:531727 Nand Flash根据每个存储单元内存储比特个数的不同，主要分为 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell） 、 TLC（Triple-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）四大类。
2023-06-30 12:20:23829 
一、前言 本篇介绍STM32芯片的存储结构，ARM公司负责提供设计内核，而其他外设则为芯片商设计并使用，ARM收取其专利费用而不参与其他经济活动，半导体芯片厂商拿到内核授权后，根据产品需求，添加各类
2023-06-22 09:20:001040 
而存算一体则是把存储单元和处理单元合二为一，把数据和计算融合在同一片区中，这样处理的好处在于可以直接利用存储器进行数据处理，从根本上消除冯诺依曼架构计算存储分离的问题，尤其特别适用于现代大数据大规模并行的应用场景。
2023-06-20 15:49:251168 
C语言里变量是一个有名字的，具有具体属性的一个存储单元，可以将变量直接就理解为内存。
2023-06-15 08:49:521534 
随机存储器可以随时从任何一个指定地址中读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中
2023-06-05 15:49:47785 
锁存器（ latch）是电平触发的存储单元，数据存储的状态取决于输入时钟（或者使能）信号的电平值，仅当锁存器处于使能状态时，输出才会随着数据输入发生变化。
2023-06-02 15:45:551442 
选通管（Selector）。为了抑制交叉存储阵列的漏电流问题，往往引入选通管与存储单元集成设计。相比于非易失性器件，易失性忆阻器作为选通管时，不需要额外的复位操作，简化了外围电路的设计，有助于存储芯片的高密度集成；
2023-06-02 14:43:371592 
是逻辑块。逻辑块的关键部分是输入的多路复用器、触发器和查找表（LUT）。每个块通过垂直和水平布线连接到相邻的块，以实现互连，电源和接地。配置数据位被水平地馈送到存储单元，而垂直信号选择要加载的存储单元
2023-06-02 14:03:57
锁存器（Latch），是电平触发的存储单元，数据存储的动作取决于输入时钟（或者使能）信号的电平值。仅当锁存器处于使能状态时，输出才会随着数据输入发生变化。
2023-06-02 11:32:251153 
铁电存储器硬件接线图传统的数据存储器，读写速度较慢，存储单元反复擦写后容易损坏，无法满足机舱油气浓度数据存储的要求，故此，国产铁电存储器可快速读写，擦写次数可达1E6 次读/写操作*1，是本方案最理想的选择。
2023-05-18 12:39:21137 
和模块：与太阳能电池连接并从中捕获能量的前端；将能量引导至存储单元（电池或超级电容器）的电源管理功能，以及控制从存储单元提取能量的电力负荷管理模块。
2023-05-18 09:16:14785 
锁存器（latch）：是电平触发的存储单元，数据存储的动作（状态转换）取决于输入时钟（或者使能）信号的电平值，尽当锁存器处于使能状态时，输出才会随着数据输入发生变化。
2023-04-25 11:00:478481 
内存芯片中每个单元都有以字节线和比特线组合的独立地址。以2016年主流4GB单面8芯片内存条为例，每粒内存芯片有4G个独立地址。
2023-04-25 10:05:085448 
存储器容量是可编程序控制器本身能提供的硬件存储单元大小，程序容量是存储器中用户应用项目使用的存储单元的大小，因此程序容量小于存储器容量。
2023-04-23 10:32:16982 PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，对标富士通和赛普拉斯从原料上能做到不含铅，无污染。
2023-04-20 11:29:57224 。根据闪存的类型，闪存的使用寿命会缩短，大多数闪存产品在磨损开始恶化存储完整性之前，能够承受大约10000至1000000次擦除/写入循环。就大小和成本而言，闪存具有比EEPROM更小的存储单元尺寸，并且实现成本更低。原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:42:42
SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步动态随机存储器，同步指存储器的工作需要参考时钟。
2023-04-04 17:11:323330 
PLC梯形图中的某些编程元件沿用了继电器这一称号，如输入继电器、输出继电器、内部辅佐继电器等，可是它们不是实在的物理继电器，而是一些存储单元（软继电器），每一软继电器与PLC存储器中映像寄存器的一个存储单元相对应。
2023-04-04 11:49:525069 CPU遵循的是 **冯·诺依曼架构** ，其核心是存储程序/数据、串行顺序执行。因此CPU的架构中需要大量的空间去放置存储单元（Cache）和控制单元（Control），相比之下计
2023-03-31 14:51:364938 
存储器内部结构基本都差不多，一般由存储阵列，地址译码器和输出控制电路组成。存储阵列以外的电路都称为外围电路（Periphery）。存储阵列是memory的核心区域，它有许多存储单元组成，每个存储单元
2023-03-30 14:50:044974 
堆栈指令是FX系列中新增的基本指令，用于多重输出电路，为编程带来便利。在FX系列PLC中有11个存储单元，它们专门用来存储程序运算的中间结果，被称为栈存储器。
2023-03-29 16:28:12410
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