如下图所示,GD32F4系列内部SRAM分为通用SRAM空间和TCMSRAM空间,其中通用SRAM为从0x20000000开始的空间,TCMSRAM为从0x10000000开始的64KB空间。大家
2024-02-24 09:43:16186 赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元(访问时间高达20 ns)与基于硅氧化物和亚硝酸盐,氧化物硅(SONOS)的非易失性存储元件相结合,可提供快速的异步读写访问速度,并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
2024-02-19 10:52:40191 我正在与 SafetPack 为 TC38x 调试的无损测试 (MBIST) 合作。 但我找不到 Geth Tx/Rx RAM 和 gtm_mcsxslow/Fast-DPLL RAM 的正确的 SRAM 初始化过程。
你能否给我一些关于上面提到的 RAMS 的初始化过程的提示。
2024-02-01 07:09:22
赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元(访问时间高达20 ns)与基于硅氧化物和亚硝酸盐,氧化物硅(SONOS)的非易失性存储元件相结合,可提供快速的异步读写访问速度,并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
2024-01-09 10:54:28171 移远通信声明: 关于移远产品用途及安全合规性的澄清
2024-01-06 08:28:58105 问一下大家.
如何放大10nV 直流信号. (内阻是60K) .用普通运放是放大不了的.太多噪声.
2024-01-02 06:36:47
RAM来维持它的运行和使用,只有在保存相关文件时才会转存到 microSD 卡。
正是这种搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的记忆,RAM 是掉电不保存,而 microSD 卡则是掉电保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
SRAM (Static Random Access Memory)是一种高速、随机访问的存储器,它以其快速的读写操作和不需要刷新的特点而受到广泛使用。本文将详细介绍SRAM的读写电路设计
2023-12-18 11:22:39496 西门子 EDA的内存技术专家Jongsin Yun说, SRAM 的微缩滞后于逻辑收缩,主要是由于最新技术中严格的设计规则。过去,我们对 SRAM 有单独的设计规则,这使我们能够比基于逻辑晶体管
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来,SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。
2023-12-06 11:15:31635 该 FRAM 芯片(铁电随机存取存储器)配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片(铁电随机存取存储器)配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
AD8138 -- 使用过的第一款ADI的运算放大器!
应用:使用在 CMMB数字电视接收机中。
用途:作为AD9203的单端转差分的输入buffer,把单端的低中频IQ信号变为差分。同时提供
2023-11-23 06:48:10
nv32f100为什么能模拟usb通讯,比如hid键盘之类的,而其他单片机必须要有usb外设才能用
2023-11-03 08:21:47
EPM1270F256C4N,ALTERA/阿尔特拉,即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N,ALTERA/阿尔特拉,即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么实现一个非阻塞性的串口屏收发
2023-10-24 08:15:33
AT32 部分型号有零等待闪存和非零等待闪存,程序在零等待闪存执行速度比在非零等待闪存执行速度快,如果有函数对执行速度有要求,可以将该函数加载到零等待区执行。当零等待闪存使用完后,如果还有函数对执行速度有要求,可以将该函数加载到 SRAM 执行,前提是SRAM 还有足够的空间存放该函数代码。
2023-10-20 06:10:59
如何捕捉并重现稍纵即失的瞬时信号?
2023-10-18 06:26:54
使用MM32F3270 FSMC驱动SRAM
2023-09-18 16:29:50918 M0 core上运行。非易失性闪存允许进行场上堆栈升级。• 低功耗特性:• BlueNRG可以使应用程序满足适度紧密的峰值电流需求。在输出功率为1dBm时,最大峰值电流只有10mA。极低功率的休眠
2023-09-08 06:02:47
飞思卡尔的Kinetis设备提供FlexMemory技术,该技术为灵活的内存使用提供了多功能和强大的解决方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM组成。
FlexNVM是一种非易失
2023-09-04 06:29:35
让一颗SRAM型FPGA在太空长期稳定运行的难度,就类似练成独孤九剑的难度。
2023-08-15 10:36:081898 SRAM型FPGA属于核心元器件,因此对SRAM型FPGA进行抗辐照加固设计非常必要。今天贫道主要给大家布道一下SRAM型FPGA在轨会遇到的问题及其影响。
2023-08-11 10:32:461086 SRAM型FPGA属于核心元器件,因此对SRAM型FPGA进行抗辐照加固设计非常必要。今天贫道主要给大家布道一下SRAM型FPGA在轨会遇到的问题及其影响。
2023-08-11 10:30:451264 动态存储运行时数据在神经网络的推理过程中。
•AXI接口M1用于允许更低带宽和更高带宽的内存事务
延迟因此,AXI M1接口可以连接到较慢或较少突发的存储器例如闪存或DRAM。内存用于运行时的非易失性
2023-08-02 06:37:01
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列),内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列),内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦
2023-07-24 09:29:49
本次操作的SRAM的型号是IS62WV51216,是高速,8M位静态SRAM。它采用ISSI(Intergrated Silicon Solution, Inc)公司的高性能CMOS技术,按照512K个字(16)位进行组织存储单元。
2023-07-22 14:58:561092 具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC),具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:48:54
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC),具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:44:47
DS9034PC PowerCap是一款为非易失(NV) SRAM提供的锂电池电源帽,基于Dallas Semiconductor直接表面贴装PowerCap模块封装。PowerCap模块焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM,按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM,按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路,可将标准(易失性)CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源,以在RAM的电源处于边际(超出容限)条件时提供RAM写保护
2023-07-21 15:01:52
该 FRAM 芯片(铁电随机存取存储器)配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片(铁电随机存取存储器)配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩
2023-07-14 17:15:06
DeepCover®嵌入式安全方案采用多重先进的物理安全机制保护敏感数据,提供最高等级的密钥存储安全保护。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、实时
2023-07-14 15:15:30
NV021 Final 数据表
2023-07-10 21:00:310 NV4V31SF 数据表
2023-07-04 20:27:470 NV4V41SF 数据表
2023-07-04 20:27:360 NV4V31MF 数据表
2023-07-04 20:27:190 DS4510是CPU监控电路,具有内部集成的64字节EEPROM存储器和四个可编程的非易失性(NV) I/O引脚。它配备了工业标准I²C接口,使用 快速模式(400kbps)或
2023-07-04 16:58:41
DS4550是9位,非易失(NV) I/O扩展器,具有I²C兼容串行接口或IEEE® 1149.1 JTAG端口控制的64字节NV用户存储器。DS4550采用数字编程替代硬件跳线和机械开关,实现对数
2023-07-04 16:43:20
用途一:
定义一种类型的别名,而不只是简单的宏替换。可以用作同时声明指针型的多个对象。比如:
char* pa, pb; // 这多数不符合我们的意图,它只声明了一个指向字符变量的指针
2023-06-25 07:39:08
我正在尝试使用 MCUXpresso 配置工具版本 13.1 为 SRAM 配置 RT1172 SEMC。
我只将 SDRAM 视为一个选项:
在此处的类似帖子中有回复 (2022-08-30),这将在下一版本中通过“模式”设置提供:
是否有关于此功能可用性的状态更新?
2023-06-02 08:28:39
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量,所以,我需要做一个每秒累加的方法。问题:非易失性内存有写入限制,所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制?我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器,每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
一种便携式存储设备,当插入计算机时,被解析为内置硬盘设备。这也是一种非易失性闪存。与MMC和SD卡一样,USB闪存驱动器是一种更受欢迎的可移动存储形式。
5、RAM
RAM是一个易失性内存选项。一旦设备
2023-05-18 14:13:37
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据?其中的“刷新电路”什么意思?谢谢~
2023-05-10 14:56:06
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用户手册
2023-04-27 20:25:406 我正在使用 S32k358 uC,我想禁用内存区域的数据缓存。在框图中,我看到树形 SRAM 块 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的数据缓存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的数据缓存?
2023-04-23 08:01:09
几个问题。我应该如何在同步 ADMUX SRAM 模式下配置这个接口,或者你能给我发个参考吗?看了很多文档,发现关于同步SRAM模式的参考资料几乎没有。我在看SDK(fsl_semc.h)的时候,发现
2023-04-17 06:55:21
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中,我们需要将安全数据(例如密钥)存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
我正在阅读有关 FAT 文件系统组件的 Espressif 文档。在这份文档中,写到 FatFS 已经扩展了 API 函数,可以在运行时注册磁盘 I/O 驱动程序。你能解释一下什么是磁盘 I/O 驱动程序吗?它的用途是什么?
2023-04-13 08:39:16
NV040C语音芯片,可部分替代MCU的功能,通过通讯口调用NV040C语音芯片集成的标准功能模块,实现更多的扩展功能应用,在MCU开发设计上可节省1元以上的成本,同时省去产品开发过程中各类需求功能代码的开发和调试时间。
2023-04-10 12:45:27273 我想用非易失性密钥获取CMAC值(仅验证甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后,我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性,即使切断电源,信息也不会丢失,而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面,自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短,均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM,组织为512kx16,采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
可用于断电(NMI)中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存储中,分为用户应用程序存储区CodeFlash,用户非易失数据存储区DataFlash,系统引导程序存储区Bootloader,系统非易失配置信息存储区InfoFlash。一般在使用时
2023-04-07 11:46:50
ELP-04NV
2023-04-06 23:35:38
SRAM可以分为低速、中速、高速。===========================================================16位宽的SRAM//16BITSRAM指针
2023-04-06 15:13:03554 景和功能上都有所不同,语音时长也不同。 目前市面上需求量最多的是40秒和80秒的语音芯片,那么80秒的语音芯片有哪些呢? 一、NV语音芯片系列:NV080C、NV080D、NVG080W、NV080B等; 九芯电子的语音芯片主要是品牌代表N+语音系列V+语音时长(如080)+芯片系
2023-03-30 14:47:16446 今天就带你详细了解一下到底什么是SRAM,在了解SRAM之前,有必要先说明一下RAM:RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。
2023-03-30 14:11:51587 BOARD EVAL NV890101MWTX
2023-03-30 11:56:04
BOARD EVAL FOR NV890100
2023-03-30 11:54:40
BOARD EVAL NV890201MWTX
2023-03-30 11:54:30
BOARD EVAL FOR NV706271
2023-03-29 22:54:26
B02P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:59:06
B04P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:52:39
B03P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:50:16
ATTACHMNT NP3 PANEL CUTOUT NV3
2023-03-29 19:55:45
GASKET WATERPROOF FOR NV3Q 10/PK
2023-03-29 19:55:44
WATERPROOF PACKINGS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:44
Battery NV Series
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3Q
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:43
亲爱的社区,我有几个关于 SRAM ECC 的问题。1) SRAM 上的ECC 是否默认启用?哪些代码使 SRAM 上的 ECC 启用?2) 我试图从 M7 内核启动 A53 内核,所以我必须
2023-03-27 09:15:16
NV021 Final 数据表
2023-03-24 19:10:280 我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器(保证在重启时归零)对它们进行异或,我在重启时将其设置为随机数。(这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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