MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘（SSD）可延长寿命
2024-03-18 10:24:36
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器件选型。 1. Compact系列CPLD总体介绍 Compact 系列器件是采用 55nm 工艺制造的低成本、高密度IO并具有非易失性的CPLD产品，采用先进的封装技术，提供上电瞬间启动功能；其中
2024-03-16 07:08:16
我用5.2的库生成的FOC程序对电机进行控制，上电后通过workbench 控制电机，正常启动电机后，串口会失联，电机还保持着失联前的状态转动
2024-03-15 06:37:12
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
努力，若不符合总线协议的要求，便失去了意义。因此，深入理解总线协议是每位信号完整性工程师的必备素质，它指引着工程师确保信号在传输过程中的完整性和准确性。
四、PCB布局关键
1、确保PCB设计品质
2024-03-05 17:16:39
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-02-19 11:32:41367 
，
qspi_obj.context);
}
...
}
其中，红色的字体定义如下
/** 在 quad 之后轮询内存的就绪状态时应用超时
* 启用命令已发出。 Quad 使能是一种非易失性写入
2024-01-31 06:01:09
台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:126646 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。
2024-01-18 16:44:044838 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM）这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
2024-01-18 14:44:00838 材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面： 注入掺杂 在碳化硅中，碳硅键能较高，杂质原子难以在其中扩散。因此，在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:14291 
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03208 
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大规模自旋轨道转移MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能，每比特开关能量低于100飞焦耳，耐用性超过10的15次方。
2024-01-05 11:47:18428 
高级汽车级桥式传感器信号调理芯片JHM150XJHM150X系列产品是针对惠斯通电桥式传感器信号设计的具有数字补偿算法高精度信号调理电路，可对传感器信号的偏移、灵敏度、温漂和非线性同时进行补偿。补偿算法的校准系数保存在片上的MTP中。 JHM1501是一款针对惠斯通电桥式传感器信号设计的具有数字补偿算法高精度信号调理电路，可对传感器信号的偏移、灵敏
2024-01-04 20:54:47
软件测试是软件开发过程中重要的一环，其目的是发现软件中存在的问题，并提供解决方案。因此，软件测试的八大特性对于保证软件的质量和稳定性至关重要。
1、功能性是指软件是否按照需求文档和设计文档正确
2024-01-02 10:15:12
我测试ADXL203（5V供电，输出电容0.047uF即100Hz），发现它的幅频特性曲线很差。
记录一组X轴数据如下：
水平静态Vo=2.55V
垂直静态Vo=1.55/3.55V
2024-01-02 07:22:44
RAM来维持它的运行和使用，只有在保存相关文件时才会转存到 microSD 卡。
正是这种搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的记忆，RAM 是掉电不保存，而 microSD 卡则是掉电保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
机械特性硬度是电机固有的吗，它和什么有关呢？和连接的负载有关系吗，调速时可以将其改变吗
2023-12-15 06:51:36
11月25日，由教育部高等教育司指导、国家示范性软件学院联盟主办、上海交通大学和OpenHarmony项目群技术指导委员会联合承办的“特色化示范性软件学院关键基础软件创新发展高峰论坛”在浙江省杭州市
2023-12-12 14:22:13220 
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
中图仪器SuperViewW1非接触表面形貌仪白光干涉仪具有测量精度高、功能全面、操作便捷、测量参数涵盖面广的优点。它基于白光干涉原理，以3D非接触方式，测量分析样品表面形貌的关键参数和尺寸，测量
2023-12-06 14:04:23
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:53213 
像mdk可以在整个工程中搜索关键字
IAR应该也有类似的功能吧，但是我貌似没有找到
2023-11-08 07:21:59
高精度测量。电机特性常数测试系统测试项目：1、转矩-转速特性及效率：转矩转速曲线 电机效率；2、关键特性参数的测量：持续转矩
2023-10-28 13:12:56
littlevgl这个GUI怎么样？相比EMWIN有什么特色？
2023-10-28 07:03:46
用于传感器接口设计的运算放大器，哪几项特性最为关键？ 传感器接口设计是电子系统设计中非常重要的一个步骤。运算放大器作为传感器接口中最常见的电路元件，因为它能帮助我们完成信号放大、滤波和线性化等功能
2023-10-25 11:50:32235 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么实现一个非阻塞性的串口屏收发
2023-10-24 08:15:33
2/4用于电机运动时候检测电机失步、堵转和力矩控制。TriCOder用来检测电机在静止时候的丢步可以检测出丢失的步数。 TMC5272 TMC5271将传动由MCU程序完成的运动控制功能也集成在内
2023-10-22 11:41:32
随着工业4.0的出现，工厂的智能化和互联性正在日益提高。智能工厂中的机械设备就能够采用所连接的无线传感器节点的实时数据，提前预测可能发生的故障，并通知控制系统采取纠正措施，以避免意外的系统停机。累积
2023-10-19 11:27:37
如何捕捉并重现稍纵即失的瞬时信号？
2023-10-18 06:26:54
1.XL-942S非车载充电机现场特性测试仪产品介绍XL-942S非车载充电机现场特性测试仪集成了现场校验仪、功率分析仪、示波录波器、BMS模拟器软件、车辆直流接口电路模拟盒、绝缘电阻测试仪等部分
2023-10-13 17:38:21
IAR能否支持对兆易的GD32进行编程开发
2023-10-11 07:30:23
亘存科技成立于2019年，是一家以mram技术为中心，致力于设计、开发和销售相关产品的Fabless企业。总公司设在深圳，在上海、苏州等地设有r&d中心和支持团队。
2023-09-20 10:27:21660 作为紫光同创Logos2系列中高端FPGA开发板，盘古100K开发板_PG2L100H关键特性评估板以其强大的板载资源，全方位国产化方案，高容量、高带宽，海量外围接口等特性，广受用户好评。盘古
2023-09-19 11:13:12
LPS33HW代表了最新一代高性能MEMS气压传感器，它专为可穿戴设备而设计，也适用于工业设备和电表。LPS33HW也可以耐受氯、溴和盐水等化学物质，非常适合在泳池和海水中游泳时使用。它还可以耐受
2023-09-13 06:19:07
作为紫光同创Logos2系列中高端FPGA开发板，盘古100K开发板_PG2L100H关键特性评估板以其强大的板载资源，全方位国产化方案，高容量、高带宽，海量外围接口等特性，广受用户好评。盘古100K开发板可实现复杂项目的开发评估，满足多方位的开发需求。
2023-09-08 15:13:01
M0 core上运行。非易失性闪存允许进行场上堆栈升级。• 低功耗特性:• BlueNRG可以使应用程序满足适度紧密的峰值电流需求。在输出功率为1dBm时，最大峰值电流只有10mA。极低功率的休眠
2023-09-08 06:02:47
（STSAFE-A110 微控制器（以下统称为 STSAFE））可增强安全性。安全服务是一种可升级的代码，提供了一组服务，非安全应用程序可以在运行时间使用这些服务，这些服务管理着与非安全应用程序相隔离的关键资产。非安全
2023-09-06 07:52:32
MCU作为数字电源设计中的最关键的器件，了解其相关特性对产品的设计尤为重要。STM32F3/STM32G4/STM32H7系列由于其拥有先进的高精度定时器以及丰富模拟外设资源，目前在数字电源产品中被广泛应用。本课件涵盖了STM32与数字电源应用相关的关键外设的详细介绍以及动手实验。
2023-09-06 06:03:16
飞思卡尔的Kinetis设备提供FlexMemory技术，该技术为灵活的内存使用提供了多功能和强大的解决方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM组成。
FlexNVM是一种非易失
2023-09-04 06:29:35
作为一种磁性技术，MRAM本质上是抗辐射的。这使得独立版本在航空航天应用中很受欢迎，而且这些应用对价格的敏感度也较低。它相对较大，在内存领域，尺寸意味着成本。
2023-08-30 15:28:50407 作为紫光同创Logos2系列中高端FPGA开发板，盘古100K开发板_PG2L100H关键特性评估板以其强大的板载资源，全方位国产化方案，高容量、高带宽，海量外围接口等特性，广受用户好评。盘古
2023-08-11 11:40:32
M480系列特色功能Trust Boot，让您每次开机运行的程序都是可信赖的
2023-08-10 16:24:22314 
的订单分一杯羹，不少厂商都已经搭建出了具备独特竞争力的特色工艺产线，且在汽车、工业的市场的强劲态势下，他们也都纷纷开启了特色工艺的扩产流程。
2023-08-09 00:15:001139 引言：在晶振选型时，除了关键参数之外，也需要考虑更多的特性与参数，保证系统超长期运行的稳定性和可靠性，本节主要介绍有关晶振的各项关键特性和参数。（传送门：Analog series-OSC-1：无源晶振的基础）
2023-07-23 10:52:181469 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护
2023-07-21 15:01:52
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩
2023-07-14 17:15:06
Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 ML51的ADC有哪些特色
2023-06-19 15:32:54
我有一个我创建的项目，我想上传固件 OTA。
我看过 Arduino OTA，但是我的代码是用非操作系统构建的（不是在 Arduino 平台上）。
有谁知道我如何添加 OTA 功能？我正在使用 SDK 版本 1.5.4
2023-06-09 08:15:49
Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP 借助MRAM，汽车厂商可以更高效地推出新功能，加速OTA升级，消除量产瓶颈 恩智浦计划于2025年初推出采用该技术
2023-05-26 20:15:02396 种开关和控制插入模块 ·包括 Keysight(原Agilent) BenchLink Data Logger 软件 ·非易失存储器存储 50
2023-05-23 17:21:06
种开关和控制插入模块 ·包括 Keysight(原Agilent) BenchLink Data Logger 软件 ·非易失存储器存储 50
2023-05-19 10:37:09
一种便携式存储设备，当插入计算机时，被解析为内置硬盘设备。这也是一种非易失性闪存。与MMC和SD卡一样，USB闪存驱动器是一种更受欢迎的可移动存储形式。
5、RAM
RAM是一个易失性内存选项。一旦设备
2023-05-18 14:13:37
其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
2023-05-12 16:31:39268 请问这个三态门为什么不能实现非功能？它的逻辑表达式不应该是A非吗？
2023-05-10 17:44:20
targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用户指南中的说明使用 CAAM 可信纯密钥加密/解密非易失性存储上的数据，但 bsp 不包括使用 CAAM 标记密钥加密所需
2023-05-09 08:45:33
AXI 协议有几个关键特性，旨在改善数据传输和事务的带宽和延迟
2023-05-06 09:49:45716 S3A1604是一种NETSOL MRAM存储芯片。具有SPI总线接口、XIP(就地执行)性能和基于硬件/软件的数据保护系统。可以取代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允许带宽扩展选项。
2023-04-27 17:33:44420 请问这个三态门为什么不能实现非功能？它的逻辑表达式不应该是A非吗？
2023-04-26 11:49:06
本文中，我们将深入介绍压敏电阻的参数和用途。 一、压敏电阻的基本概念压敏电阻是一种非极性电子元器件，其特殊材料以超高电阻值作为其基础特性。当电压在预设的范围内时，它的电阻值保持为较高的值，但当电压超过
2023-04-20 15:08:04
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462544 我想将 iMX RT1024 连接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 数据表声明它与 SRAM 接口兼容但是，通过比较 MR5A16A 数据表和 iMX RT1024 参考手册
2023-04-17 07:52:33
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
中，车载电子系统设计的复杂度显著提升，对于存储产品而言，大容量、实时响应、高可靠性和安全性必不可少，兆易创新车规级GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有丰富
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP（就地执行）功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl（串行外围接口）是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
风暴、地震和恐怖袭击等紧急情况。智能电网还允许在发生设备故障或中断时自动重新路由，因为它具有双向交互功能。智能电网的概念模型如图1所示。 实现物联网与智能电网集成的关键技术 通信技术。在智能电网中使
2023-04-06 16:29:53
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
在PLC(可编程逻辑控制器)产品中，MRAM芯片的应用也日渐普及，本文将介绍MRAM芯片应用于PLC产品上的特性。--代理商：吉芯泽科技
2023-03-29 16:31:221169 
请教一下大神伺服电机失步时是怎样得到补偿的？
2023-03-23 15:34:44
我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器（保证在重启时归零）对它们进行异或，我在重启时将其设置为随机数。（这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
电子发烧友App
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