非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:15
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我有个应用设计，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外扩了一片铁电存储器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作电压下都能正常工作，但铁电存储器FRAM的工作电压
2024-03-13 08:04:03
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
ROM（Read-Only Memory）是一种只读存储器，用于存储计算机程序和数据，它在计算机系统中扮演着非常重要的角色。ROM的存储内容在制造时就被写入，并且在计算机运行过程中不能被改变。ROM
2024-02-05 10:05:10739 1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
2024-01-23 18:17:51517 
只读存储器（ROM）是一种计算机存储设备，用于存储固定数据和指令，其特点如下： 数据固定性：只读存储器中的数据是在出厂时被编程固化的，用户无法进行修改。这意味着ROM中的信息是静态的、不可
2024-01-17 14:17:39290 ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
随着人们对计算机和电子设备的需求不断增长，存储器的种类也越来越多。其中，RAM（Random Access Memory，随机访问存储器）是计算机中最常用的一种存储器。RAM可以分为两种类型，一种
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03208 
人工智能芯片通常使用 SRAM 存储器作为缓冲器（buffers），其可靠性和速度有助于实现高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 需要在设计和开发过程中遵循一些最佳实践。本文将详细介绍如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.选择适当的存储器类型： MCU的NVM通常有多种类型可供选择，例如闪存（Flash）、EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）和FRAM（非易失性RAM）。根据需要，选择适当的
2023-12-15 10:10:49503 描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
明渠流量计广泛应用于城市供水引水渠、火电厂冷却水引水和排水渠、污水治理流入等流量的测量。智能明渠流量计系统的测量是通过旋桨式流速传感器来测量流速；通过压力传感器测量水位；采用铁电存储器实现了数据的非
2023-11-27 10:17:05
存储中，铁电存储器在数据存储方面的出色性能，可以应用在大量的现代仪器仪表中，如水表、煤气表、门禁系统、医疗设备、自动取款机、汽车记录仪、工业仪器等等。国产铁电存储器
2023-11-21 09:59:20
单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-10-26 10:45:10
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
的应用而言，传感器节点都发挥着重要作用。 传感器节点是一种微型嵌入式设备，隶属于无线传感器网络，要求它的价格低、功耗小，这些限制导致其携带的处理器能力比
2023-10-24 10:18:01
对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM) 就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-10-19 09:28:15
存储领域发展至今，已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用。
2023-10-17 15:45:50521 
内存地址空间是否一定大于所有物理存储器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
自举程序存储在 STM32 器件的内部自举 ROM 存储器（系统存储器）中。在生产期间由 ST编程。其主要任务是通过一种可用的串行外设（USART、CAN、USB、I2C 等）将应用程序下载到内部
2023-09-28 07:15:06
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM)就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-09-22 08:01:59496 
存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
Flash存储器是一种非易失性存储器，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。
2023-09-09 16:22:282617 存储器是计算机中的重要组成部分，用于存储程序、数据和控制信息等。根据存储信息的介质和访问方式的不同，存储器可以分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和硬盘存储器等几类。本文将介绍存储器的工作原理、分类及结构。
2023-09-09 16:18:272106 STM32 F7 概述• STM32总线架构和存储器映射• 总线架构• 存储器映射• Cache• STM32F7性能• Boot模式• 片上闪存(Flash)• 系统配置控制器(SYSCFG)• 复位和时钟控制(RCC)• 电源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根据专利要点，提供本申请的一种存储器是检测方法及存储半导体相关技术领域中存储单位与上线之间漏电测定的复杂技术问题，该存储器的检测方法如下：选通字线，通过位线在所有存储单元中写设定存储。
2023-09-07 14:27:24523 
或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。故此铁电存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件，无论是BMS，还是VCU，这些系统
2023-09-01 10:04:52
随着高速数据通信的进步，数据更频繁地发送意味着对非易失性存储器的需求增加，因为非易失性存储器可以承受这种频繁的数据操作。铁电存储器是具有物联网新时代所要求的高读写耐久性和快速写入速度的理想存储设备
2023-08-24 10:05:59
库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
存储器子系统的主要功能是在云计算和人工智能 (AI)、汽车和移动等广泛应用中尽可能快速可靠地为主机（CPU 或 GPU）提供必要的数据或指令。片上系统 (SoC) 设计人员可以选择多种类型的存储器
2023-08-17 09:54:20414 
铁电存储器被用于医疗病人治疗是生命监护仪，记录或监控病人的生命体征—心率、脉搏、血压、体温等。这些监护仪存储着病人预先记录的基准信息，可以和最近测量的数据进行对照，如果发生异常情况，监护仪就会
2023-08-16 10:30:26
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的动态存储器控制器（DMC）和静态存储器控制器
2023-08-02 14:51:44
总线（AHB）。它是一种可重复使用的软IP块，其主要目的是减少专用集成电路（ASIC）开发的上市时间。它包含一个AHB测试接口控制器（TIC）AMBA主块，可用于使用外部应用的TIC矢量测试系统。
我们
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统外围设备，由ARM开发、测试和许可。SC054 ASB SMC是一个AMBA从模块，连接到高级系统总线
2023-08-02 07:39:45
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的静态存储器控制器（SMC）。AHB MC有一个
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的动态存储器控制器（DMC）和静态存储器控制器
2023-08-02 06:26:35
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
带存储器的双路可寻址开关DS2406提供了一种简便的方法，通过1-Wire®总线远程控制一对漏极开路晶体管和回读每个晶体管的逻辑电平，从而实现闭环控制。每个DS2406都具有工厂刻度在片内的64位
2023-07-13 16:16:25
铁电存储器(FRAM)具有非易失性，读写速度快，没有写等待时间等优势，能够像RAM一样操作，低功耗，擦写使用寿命长，芯片的擦写次数为100万次，比一般的E2PROM存储器高10倍。特别适合在为工业
2023-06-29 09:39:03382 的信息不会丢失，且锂电池还存在使用寿命的问题，所以当使用了FRAM（铁电存储器）上述问题就将迎刃而解。将国产FRAM PB85RS128替代以前SRAM组成的显示屏
2023-06-28 11:43:30
易失性存储器的发展历程 继续关于存储器的发展回顾，上期我们回顾了非易失性存储器的发展史，本期内容我们将回顾易失性存储器的发展历程。易失性存储器在计算机开机时存储数据，但在关闭时将其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 存储器是用来进行数据存储的（指令也是一种数据），按使用类型可分为只读存储器ROM(Read Only Memory)和随机访问存储器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最为常见的一种形式。
2023-06-27 16:45:30458 
PLC系统中的存储器主要用于存放系统程序、用户程序和工作状态数据。PLC的存储器包括系统存储器和用户存储器。
2023-06-26 14:02:453775 半导体存储器一般可分为易失性(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non Volatile Memory)。易失性存储器是指数据信息只有在通电条件下才能保存，断电后数据会丢失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
磁表面存储器——磁表面存储器，它们都是利用涂敷在载体表面薄层磁性材料来记录信息的，载体和表面磁性材料统称为记录介质。
存储密度——磁表面存储器单位长度或单位面积磁层表面所能存储的二进制信息量
2023-05-26 11:27:061409 和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。 PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工
2023-05-26 10:14:23
器必须具有如下三方面的功能：1、写入速度快，能及时记录数据，2、能在掉电的情况下保存数据，3、能记录数据发生的准确时刻。使用国产铁电存储芯片PB85RS2MC是一种
2023-05-24 11:42:10
EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。
狭义的EEPROM：
这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失
2023-05-19 15:59:37
与NOR Flash相比，其读取速度慢得多。由于NAND电路的布局，存储器是串行访问的。这些设备可以一次写入一个字节到单个内存地址。NAND是理想的数据存储器。它通常存在于需要频繁上传和覆盖大文件
2023-05-18 14:13:37
单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
通过quad SPI接口选择FLASH存储器与RT1172一起使用时，应该将其设置为Buffer Read模式还是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。在第十三章以及第二十七章，已讲解存储器到存储器传输方式以及存储器到外设传输方式，本章将讲解DMA外设到存储器传输方式。使用串口1作为外设，通过串口调试助手等向开发板发送数据，数据会被返回给开发板并通过串口调试助手显示。
2023-04-20 16:37:41
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。前面已讲解过关于存储器到存储器数据传输方式，本章将讲解存储器到外设的传输方式以及在下一章将会讲解外设到存储器的传输方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462544 本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
和用于读取，写入和擦除数据的操作略有不同。而EEPROM指的是电可擦可编程只读存储器是一种存储器，可以在字节级别读取，写入和擦除数据。另一方面Flash是EEPROM的一种，在结构上以块的形式排列，在块中
2023-04-07 16:42:42
样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
，并与FRAM兼容。两种产品都使用标准的SRAM并行地址（A0-16），字节宽的双向数据引脚（DQ0-7）和控制信号（/E，/W，/G）。每个模块都可以由一个公共的定时接口支持，并且将用作随机存取读
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
存储器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存储器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K（8 K×8）位I2C存储器FRAM
2023-03-27 13:39:18
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