电子发烧友网站提供《高密度、3V至36V输入、1V至6V输出、2A电源模块采用增强型HotRod™ QFN封装TLVM13620数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 16:30:04
0 电子发烧友网站提供《高密度、3V 至36V输入、1V至16V输出、2A电源模块采用增强型HotRod™ QFN封装TPSM63602数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 16:22:350 在现代电子系统的核心组件中，内存的性能与稳定性至关重要。高密度DDR4芯片作为当前内存技术的杰出代表，不仅凭借其卓越的性能表现和微型化技术赢得了广泛认可，还在多个方面展现出了独特的优势。
2024-03-22 14:47:42
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的优越性能，全闪存存储阵列在数据中心中越来越受欢迎。这些存储系统使用SSD作为主存储和辅助存储，提供更快的数据访问、降低功耗并提高可靠性。 二、存储级内存 存储级内存(SCM)是一种新型非易失性内存，它将DRAM的速度与NAND闪存的
2024-03-18 17:39:22141 让量子计算机走出实验室造中国自主可控量子计算机量子芯片作为量子计算机的核心部件，扮演着类似于传统计算机中‘大脑’的角色。而与此同时，高密度微波互连模组则像是‘神经网络’，在量子芯片与外部设备之间
2024-03-15 08:21:0572 
全球连接与传感领域领军企业TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指电源连接器是市场上可实现最高电流密度的金手指电源连接器，能够支持高达3千瓦的电源功率，从而
2024-03-06 16:51:58
这位博主坚持认为，在今年的年底，小米仅计划生产搭载骁龙8 Gen 3或骁龙8 Gen 4处理器的机型。另外，预计这两款新品都将搭载超大容量的高密度硅负离子电池，屏幕大小、外观设计以及后置摄像头的配置保持不变。
2024-03-06 10:18:00131 3 月 5 日消息，美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术，从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 美光公司近日举办了一场演讲，介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:3561 数据中心和企业级应用设计的高级存储解决方案，其目标是通过智能化技术降低IT运营复杂度，同时最大化存储资源的效率和价值。该系统通常具备以下核心特征：高性能与优化：通过
2024-03-05 13:53:1780 
的布局也就成了大家设计PCB高频板时候需要探讨的关键点。接下来深圳PCBA公司为大家介绍下高频PCB设计布局的注意要点。 高频PCB设计布局注意要点 (1)高频电路倾向于具有高集成度和高密度PCB设计布线。使用多层板既是PCB设计布线所必需的，也是减少干扰的
2024-03-04 14:01:0271 VicorPoweringInnovation播客介绍了OLogic如何推崇高密度电源模块来推动当今的机器人革命从玩具到建筑工地工具OLogic加速机器人创意从概念到生产的进程马萨诸塞州安多
2024-02-28 00:00:00745 
特点●超高密度细胞沟设计为低RDS（开）。●坚固而可靠。●表面安装软件包。
2024-02-22 14:44:260 电子发烧友网站提供《SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET PL2300GD数据手册》资料免费下载
2024-02-21 14:35:290 DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
原有的DRAM采用2D结构，即大量元件密集排布在同一平面。然而，为了提升性能，储存行业正致力于开发高密度的3D DRAM。这项技术包括水平堆积和垂直堆积两种方式，均能有效地增加存储空间。
2024-01-29 09:31:17231 闪存技术，通常用于存储数据，并且具有一些额外的安全特性。这种技术结合了 NAND 闪存的高密度存储能力和安全性能。它通常用于存储数据，如图像、视频、音频、文档等，同时具备保护数据免受未经授权访问或篡改
2024-01-24 18:30:00
特性。这种技术结合了NAND闪存的高密度存储能力和安全性能。它通常用于存储数据，如图像、视频、音频、文档等，同时具备保护数据免受未经授权访问或篡改的能力。SDNA
2024-01-24 18:29:55373 
长江存储晶栈Xtacking架构的原理就是在两片独立的晶圆上，分别加工外围电路和存储单元，然后在芯片封装阶段将两者合二为一，更高效率的同时也实现了更高的密度、更快的速度。
2024-01-16 11:41:11354 
近日，三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器，这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性，有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03282 【摘要/前言】 “角度”，这个词每天都出现在我们的生活中，有物理学的角度，如街边的拐角，还有视觉上的角度和观点中的角度~ Samtec新型 AcceleRate® mP 高密度电源/信号互连
2024-01-05 11:47:24103 
电子发烧友网站提供《PL2302GD N沟道高密度沟槽MOSFET英文资料》资料免费下载
2024-01-05 11:12:440 电子发烧友网站提供《PL2300GD N沟道高密度沟槽MOSFET英文资料》资料免费下载
2024-01-05 11:08:290 随着上游原厂酝酿提价，多家存储器模块业者已经开始备货，以应对潜在的市场变化。预计供应给OEM厂商的合约价将在二季度起全面反映DRAM的涨价趋势。
2024-01-03 15:34:13733 DRAM芯片全称是动态随机存储器，是一种随机存储器（RAM），与CPU直接交换数据，可随时读写且速度快，断电后存储数据丢失，是易失性存储器，也就是俗称的“内存”。
2023-12-26 12:25:561003 
门。尽管它们都是用于存储数据的，但在构造、功能、性能和应用方面存在很多区别。 首先，DRAM和NAND的构造方式不同。DRAM是由一个个存储单元组成的，每个存储单元由一个电容和一个开关组成。在读写数据
2023-12-08 10:32:003905 高密度互连印刷电路板：如何实现高密度互连 HDI
2023-12-05 16:42:39226 
54V，有效降低了电源全链路损耗，改善了数据中心能效。结合在气流优化、液冷散热等方面的技术改进，以及第四代英特尔 至强 可扩展处理器带来的更高能耗比，我们推出了绿色的高密度算力整机柜方案，打造了可持续的数据中心典范。我们也和英特尔将技术成果标准化，帮助更多企业构建绿色的高密度算力
2023-12-01 20:40:03467 
增加3D（三维）NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度技术的基本技术预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间，新的基础技术的引入和转化很可能会变得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26244 
2023年11月24日，雷赛智能基于二十余年伺服行业成功经验，历经一年多努力，研发成功FM1系列高密度无框电机和微型伺服驱动器，推动人形机器人等产业发展，帮助广大客户进行进口替代和升级降本。
2023-11-27 17:28:10872 
电子发烧友网站提供《一种高密度、易于设计的通道间隔离模拟输入模块完整解决方案.pdf》资料免费下载
2023-11-23 10:34:550 电子发烧友网站提供《突破PLC DCS多通道模拟输入通道间隔离、高密度和EMI高辐射的设计障碍.pdf》资料免费下载
2023-11-22 10:42:400 内部功能，这种产品也被称作异步 DRAM 。 DRAM 的存储单元的长宽比接近 1：1，为阵列（Array）形状，存储器的地址线则被分为行（Row）（地）址线和列（Column）（地）址线。行址线用来
2023-11-17 09:26:27378 何谓半导体存储器？ 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 与磁盘和光盘装置等相比，具有 数据读写快 存储密度高 耗电量少 耐震 等特点。 关闭电源
2023-11-15 10:20:01731 
高密度、高复杂性的多层压合pcb电路板
2023-11-09 17:15:32870 JSCJ长晶长电科技面向5G射频功放推出的高密度异构集成SiP解决方案即将在国内大规模量产
2023-11-01 15:20:20254 ROM存储和RAM存储在物理结构上有什么区别，如何才能实现只读存储和随机存储？
2023-10-30 07:09:38
SSD主要由控制单元和存储单元(当前主要是FLASH闪存颗粒)组成，控制单元包括SSD控制器、主机接口、DRAM等,存储单元主要是NAND FLASH颗粒。
2023-10-27 10:27:03198 
简仪推出新产品高密度多功能数据采集模块——PCIe/PXIe-5113/5113s，针对高密度模拟输入通道需求提供高性价比的解决方案，扩展DAQ数据采集产品的涵盖范围。 产品亮点 01 高密度模拟
2023-10-25 14:30:59450 三星电子在此次会议上表示：“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram，目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外，三星正在准备10纳米dram的新的3d构架，并计划为一个芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 如何开发与存储位置无关的STM32应用？
2023-10-18 16:46:38285 
Zynq中存储程序的地方有QSPI Flash，SD卡，EMMC。
2023-10-17 17:00:38635 怎么把单片机存储单元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
、SPI、USART、I2C、USB、，可以…）。IAP已为希望更新其应用程序软件的用户实现通过在程序执行期间对闪存程序存储器进行重新编程来对其自身进行编程。主要IAP的优点是能够重新编程闪存和数
2023-10-10 07:42:44
MCU中整数是用什么方式来存储的
2023-10-10 07:33:50
对于嵌入式开发者来讲，对产品设计小型化的追求似乎是永无止境的。这种追求带来了两个直接的挑战：一是如何在有限的空间内“堆料”，满足不断增加的功能性要求；二是如何实现高密度、高可靠的互连，以满足系统连接
2023-10-04 08:10:012595 
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 使用的熟练情况，直接关系到系统设计的优劣。本文试着用比较通俗系统的图片和文字来解说，DRAM中一个基本电路单元的工作原理。
2023-09-25 11:38:421902 
SSD主要由控制单元和存储单元(当前主要是FLASH闪存颗粒)组成，控制单元包括SSD控制器、主机接口、DRAM等,存储单元主要是NAND FLASH颗粒。
2023-09-25 09:45:51161 
电子发烧友网站提供《如何配置存储器保护单元(MPU).pdf》资料免费下载
2023-09-25 09:33:450 开发完成的高密度成品制造解决方案进入产能扩充阶段，预计2024年起相关产品营收规模翻番，将有利促进第三代半导体器件在全球应用市场的快速上量。 碳化硅，氮化镓产品相对于传统的硅基功率器件具有更高的开关速度，支持高电流密度，耐受
2023-09-19 10:20:38379 高密度服务器播放 rtsp 流出现断连情况验证
2023-09-18 07:14:50
在下面的图中显示了堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构图。下图(a)显示了堆叠式DRAM存储节点接触(SNC)结构。
2023-09-08 10:02:25592 
根据专利要点，提供本申请的一种存储器是检测方法及存储半导体相关技术领域中存储单位与上线之间漏电测定的复杂技术问题，该存储器的检测方法如下：选通字线，通过位线在所有存储单元中写设定存储。
2023-09-07 14:27:24523 
富士胶片株式会社和 IBM宣布共同开发了原始记录容量达50TB的磁带存储系统，为目前全球最高磁带容量(*1)。富士胶片已开始生产高密度磁带，用于IBM企业级磁带驱动器 TS1170。第六代 IBM 3592 JF磁带采用了新开发的精细混合磁性颗粒技术，可实现更高的数据存储容量。
2023-09-05 16:47:16336 虹科电源测试系统ATE升级实现更高的测试密度和更低的测试成本01高密度精度测量单元HK-HDPMU在单板上提供多达192个额外的独立参数测量单元(PMU)通道。虹科解决方案将增加并行测试，而无需创建
2023-09-04 16:22:23317 
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2023-09-01 15:21:431 数据中心机房高密度布线是我们现在经常关注的问题，这是因为高密度光纤配线箱的使用，很多人对于这一点有很多疑问，其实我们从数据中心机房网络布线系统的结构就可以看出，当前最重要的有四种，分别是集中化直连
2023-08-29 10:13:49235 
电子发烧友网站提供《通过博科FC16-64端口刀片简化高密度电缆部署.pdf》资料免费下载
2023-08-28 14:36:280 /秒)到1600 MB/秒。
更快的网络技术的好处很容易理解。数据传输更快。链接较少为了完成相同的任务，需要管理的设备更少，消耗的功率更少。
采用第五代光纤通道。一些服务器和存储技术的进步推动了对更大的SAN带宽，包括应用程序和存储容量的增长，高密度服务器
2023-08-25 17:19:060 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器的存储元是电容器和晶体管的组合。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器存储位是用于存储数据的。晶体管用于控制电容器
2023-08-21 14:30:021022 器技术，每种技术都具有不同的特性和高级功能。双数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 已成为主系统存储器最主流的存储器技术，因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、无限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
MPO光纤配线架应用于大型数据中心机房MDF，近几年来，MPO高密度光纤配线架在机房布线中应用广泛，得到项目的青睐使用，这就有很多人有一个疑问，到底是什么样的有点让此类配线架火起来的，下面就跟着
2023-08-09 09:58:56285 
快充需求推动了高密度适配器的蓬勃发展。在实际的适配器设计中，花样繁多的新型开关功率器件、拓扑和控制方案不计其数。
2023-08-02 11:31:42226 
电子发烧友网站提供《用于高密度和高效率电源设计的意法半导体WBG解决方案.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:54:170 ，状态仍然会保留，即断电不丢失。
NAND Flash
存储单元串联排列的结构称为 NAND Flash，NAND Flash的一个特点是可以高密度排列存储单元。
NAND Flash 相比较于
2023-07-28 16:23:18
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器是一种易失性存储器，意味着当断电时，存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据，电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电，电容会迅速失去电荷，导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:032204 PCB的布局也就成了大家设计PCB高频板时候需要探讨的关键点。接下来深圳PCBA公司为大家介绍下高频PCB设计布局的注意要点。 高频PCB设计布局注意要点 (1)高频电路倾向于具有高集成度和高密度PCB设计布线。使用多层板既是PCB设计布线所必需的，也是减少
2023-07-19 09:26:08518 联讯仪器PXIe源测量单元(SMU)集成高精度源和测量单元，可利用PXIe源测量单元构建高密度并行测试系统，以满足大规模半导体集成电路的高通道密度，并增加配置的灵活性，最大化测试效率，降低测试成本。
2023-07-18 00:00:00385 
当工业4.0浪潮席卷而来，智能传感器在工厂环境中日益普及。广泛使用的传感器正带来一个重要变化，即要在旧款控制器内处理大量IO，包括数字IO或模拟IO。由此，构建可控尺寸和热量的高密度IO模块成为关键。本文中ADI将重点介绍数字IO。
2023-07-13 16:56:041119 
存储主控芯片是一种集成电路芯片，用于控制和管理存储设备。它负责管理多个存储单元（如内存、固态硬盘、闪存卡等）之间的数据传输和存取操作。存储主控芯片通常包括处理器、内存控制器、接口控制器等功能模块，以实现高效、可靠的数据传输和存储管理。
2023-07-10 15:50:172807 petaexpress云存储服务是一种海量、安全、低成本、高可靠的云存储服务，是一种通过互联网在远程服务器上保存数据、访问和管理数据存储服务。 云存储服务的优势 1、总体成本：使用云存储，不需要购买
2023-07-07 16:48:24398 Weiking 灌封型宽范围输入电压DC-DC WK4128**D-08G系列 产品概述 WK4128**D-08G系列DC-DC电源模块内部采用高密度组装工艺方法，并配合使用具有优异性
2023-07-03 11:08:55310 
摘要：提出了一种只读高密度光盘的DPD信号检测方法，阐述了DPD信号检测中均衡电路和相位检测器的原理和设计方法，并基于CPLD器件实现了光盘高频读出信号的相位差检测。实验结果表明，本文提出的方法可以准确检测光盘的DPD信号。
2023-06-29 17:07:390 存储芯片行业目前正面临长时间亏损衰退的情况，DRAM价格已经跌至不可再降的水平，但巨头厂商似乎计划推动价格上涨。
2023-06-29 14:57:32617 据悉，dram的批发价格是存储器事业者和顾客公司之间每个月或每个季度决定的。业界人士表示：“目前价格还处于季节的最后阶段，因此个别制造企业面临的状况有所不同。”并称：“如果下级企业的库存水位上升，是否会受到价格调整，还需要进一步观察。”
2023-06-29 11:00:47393 说明 使用“扫描 RLO 的信号上升沿”指令，可查询逻辑运算结果 (RLO) 的信号状态从“0”到“1”的更改。该指令将比较 RLO 的当前信号状态与保存在边沿存储位（ ）中上一次查询的信号状态
2023-06-28 16:20:11355 
光纤连接器的高密度布局和设计方法是在有限的空间内实现更多连接器数量的一种策略，以提高光纤网络系统的容量和效率。
2023-06-26 15:20:001129 路由器、智能穿戴设备等各类终端产品。随着5G的导入，模块要有更高的功率，工作频率、更大的带宽和更小的模组尺寸。 长电科技面向5G射频功放打造的高密度异构集成SiP解决方案，具备高密度集成、高良品率等显著优势。该方案通过工艺流程优化、
2023-06-19 16:45:00355 GaN高密度300W交直流变换器
2023-06-19 06:03:23
Holt集成电路公司的HI-3220是一个单体系列芯片CMOS高密度应用数据管理IC能够管理、存储和转发航空电子数据16个ARINC 429接收信道之间的消息，以及八个ARINC 429发射信道
2023-06-15 15:14:352 Holt集成电路公司的HI-3220是一系列单片CMOS高密度应用数据管理IC，能够在16个ARINC 429接收通道和8个ARINC 429-发送通道之间管理、存储和转发航空电子数据消息，使这些
2023-06-15 11:20:44
随机存储器可以随时从任何一个指定地址中读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中
2023-06-05 15:49:47785 
选通管（Selector）。为了抑制交叉存储阵列的漏电流问题，往往引入选通管与存储单元集成设计。相比于非易失性器件，易失性忆阻器作为选通管时，不需要额外的复位操作，简化了外围电路的设计，有助于存储芯片的高密度集成；
2023-06-02 14:43:371592 
高密度互连 (HDI) 需求主要来自于芯片供应商。最初的球栅阵列封装 (BGA) 支持常规过孔。
2023-06-01 16:43:58523 
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
被相关人阅读。新手对电脑的设计空间。虽然内存技术在密度和性能方面有所提高，
而新的存储设备技术为设计方案、原理和方法提供了改进的特性-在这个惊人的完整的论文中提出的气味学将仍然有几十年的有用。我只希望有一本书在三十多
2023-05-26 15:42:590 以更低的成本获得更高的存储性能可能会在存储设备的设计中造成瓶颈。为了实现更高的性能，设备必须使用片上DRAM，这增加了总体成本。这就是统一内存扩展（UME），JEDEC规范的出现。它被定义为 JEDEC UFS（通用闪存）规范的扩展。JEDEC UFS设备使用NAND闪存技术进行数据存储。
2023-05-26 14:22:28673 
磁表面存储器——磁表面存储器，它们都是利用涂敷在载体表面薄层磁性材料来记录信息的，载体和表面磁性材料统称为记录介质。
存储密度——磁表面存储器单位长度或单位面积磁层表面所能存储的二进制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在这个技术革命的时代，人工智能应用程序、高端服务器和图形等领域都在不断发展。这些应用需要快速处理和高密度来存储数据，其中高带宽内存 （HBM） 提供了最可行的内存技术解决方案。
2023-05-25 16:39:333396 
，降低了成本。
flash 分为 nor flash 和 nand flash：
nor flash 数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦
2023-05-19 15:59:37
电子发烧友网报道（文/周凯扬）在存储行业有些萎靡不振的当下，大部分厂商都在绞尽脑汁地去库存，也有的厂商考虑从新的技术方向给存储行业注入生机，比如最近发布了3D X-DRAM技术的NEO
2023-05-08 07:09:001982 
内存芯片中每个单元都有以字节线和比特线组合的独立地址。以2016年主流4GB单面8芯片内存条为例，每粒内存芯片有4G个独立地址。
2023-04-25 10:05:085448 
被广泛应用于在布线过程里需要高密度集成光纤线路环境中。 解决高密度高速传输需求的MPO MPO，全名Multi-fiber Push ON，是用来做设备到光纤布线链路的跳接线。MPO光纤跳线由MPO连接器和光缆组成。MPO连接器是一种使用精密模具成型在机械
2023-04-18 01:16:005585 
。根据闪存的类型，闪存的使用寿命会缩短，大多数闪存产品在磨损开始恶化存储完整性之前，能够承受大约10000至1000000次擦除/写入循环。就大小和成本而言，闪存具有比EEPROM更小的存储单元尺寸，并且实现成本更低。原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:42:42
的可擦写次数多，并且性能有所提高。如果这两种存储器的成本一样，肯定会选择MRAM。当采用65nm工艺的自旋注入MRAM量产时,将有可能实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代。原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:41:05
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