放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器，功率放大器，开关，衰减器，移相器以及上/下边变频器的定制，欢迎咨询。
2024-03-15 09:36:37
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模块。QPA3333选用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片，频率范围为 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
的功率放大器，如：射频晶体管、MMIC功率放大器、混合放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器，功率放大器，开关，衰减器，移相器以及上/下边变频器的定制，欢迎咨询。
2024-03-04 09:49:08
AMCOM的AM08011039WM-00（SN-R）是种光纤宽带GaAs MMIC功率放大器。具备25dB的小信号增益值，在8V偏置电压下，在8到11GHz频率段上的输出功率>
2024-02-27 09:25:49
卡可以设置一个PIN码以及一个PUK码。PIN码是个人识别码（Personal Identification Number），PUK码是个人解锁码（Personal Unblocking Key）。在本文
2024-02-19 16:20:56
572 PIN针是公母连接器中的关键导体，影响电流和信息传输。LC系列公母插头的PIN针有多种排列，适用于大多数智能设备，采用紫铜导体、冠簧结构等独特优势。PIN针与线束压接成型，避免了焊接氧化的缺点。欢迎了解更多产品信息。
2024-01-27 16:20:39446 
微波天线和基站天线是无线通信系统中常见的天线类型。本文将详细介绍微波天线和基站天线的定义、作用、结构、特点、应用以及区别等方面。 一、微波天线的定义和作用 微波天线是一种用来接收和发送微波信号的设备
2024-01-09 16:16:10390 的介绍。 一、尺寸标准 连接器pin针的尺寸标准主要包括长度、直径和形状等。这些尺寸参数需要精确控制，以保证连接器pin针与插孔的配合精度。长度：连接器pin针的长度是指从插针尾部到插针头部的距离。长度标准通常包括公差范围，以确保不同批
2024-01-04 17:00:25896 射频微波连接器在各种高频率和高精度信号传输领域中发挥着至关重要的作用。启源微波的连接器有着体积小、机械电气性能优越、频带宽、可靠性高、驻波比小、插损低、耐磨损、耐腐蚀、使用寿命长的特点。随着
2023-12-14 17:30:39225 
报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
开关和按钮的不同特点和用法！ 开关和按钮是常见的电子设备或电器的组成部分，它们在控制电路或操作电子设备时起着关键的作用。虽然它们都用于控制电气电路的通断或启停，但它们之间存在一些不同的特点和用法
2023-12-11 10:40:46394 联合电子决定降低I-Pin端部直线段高度，从根本上解决I-Pin电机的核心问题，即开发X-Pin电机技术。
2023-12-11 09:37:07391 
。由于这些优势，GaN HEMT在射频功率放大器、微波通信、雷达、卫星通信和电源应用等领域被广泛采用。 然而，GaN HEMT也存在一些限制，其中一个是它不能作为低压器件使用。下面将详细探讨为什么GaN HEMT不能做成低压器件，以及该限制的原因。 首先，为了明
2023-12-07 17:27:20337 定向传输微波信号和微波能量的传输线可称之为微波传输线，常用的TEM模传输线有同轴线，微带线，带状线和共面波导，TE模和TM模传输线有矩形波导，圆波导，椭圆波导和瘠波导等。本次推文就简单介绍几种典型微波传输线的理论和仿真分析。
2023-12-07 10:36:45556 
GaN是常用半导体材料中能隙最宽、临界场最大、饱和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15909 
在 RF 设计中，当我们旨在将功率从信号链中的一个模块传输到下一个模块时，驻波是不可取的。事实上，驻波会影响不同射频和微波系统的性能，从电波消声室到微波炉等日常电器。
2023-12-04 11:31:11558 
MSUSB30/MSUSB30N 是一款高速、低功耗双刀双掷 USB 模拟开关芯片，其工作电压范围是+1.8V 至+5.5V。可Pin to Pin兼容FSUSB30/SGM7222。其具有低码间偏移、高通道噪声隔离度、宽带宽的特性。
2023-11-30 14:26:46177 
产品，包括各种单个功能射频芯片以及高集成芯片解决方案，可 用于无线微波通信、测试与测量仪器仪表以及军工等高可靠性市场。ADI同时提供丰富的设计资源，为RF系统的开发提供了极大便 利，包括免费设计工具、FMC快速原型开发平台、Circuits from the Lab® 参考设计和
2023-11-28 16:06:36
5 GaN氮化镓晶圆硬度强、镀层硬、材质脆材质特点，与硅晶圆相比在封装过程中对温度、封装应力更为敏感，芯片裂纹、界面分层是封装过程最易出现的问题。同时，GaN产品的高压特性，也在封装设计过程对爬电距离的设计要求也与硅基IC有明显的差异。
2023-11-21 15:22:36333 
射频（RF）滤波器是所有RF/微波系统的基础元件，特别是具备多个信道或频段的无线通信系统。RF滤波器的主要功能是衰减某些不需要频段中的信号，而只对所需频段中的信号产生最小的影响。
2023-11-21 09:16:06485 
电子发烧友网站提供《开关电源中的硬开关和软开关介绍.doc》资料免费下载
2023-11-14 09:49:270 电子发烧友网站提供《主要RF微波放大器性能点评.pdf》资料免费下载
2023-11-10 15:20:020 电子发烧友网站提供《SDH数字微波通信技术的组成、特点及应用.pdf》资料免费下载
2023-11-10 14:45:120 稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
今天就来了解一下，氮化镓（GAN)在应用过程中具有那些性能特点？
2023-11-09 11:43:53434 GaAs器件在微波领域的应用非常广泛，器件分类齐全，包括徽波分立器件、微波混合集成电路、微波模拟和数字单芯片集成电路等。
2023-11-08 11:01:19186 氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
普通二极管是P型半导体与N型半导体结合构成，而PIN则在P型半导体与N型半导体之间夹了一层I型半导体(即本征半导体)
2023-10-18 17:35:06366 
本文介绍双极性SPWM控制的特点，双极性控制都是高频开关，没有工频开关。Q1,Q2同步开关，Q3,Q4同步开关。
2023-10-18 12:23:221172 
今天来给大家推荐一个 Python 当中超级好用的内置函数，那便是 lambda 方法，本篇教程大致和大家分享 什么是 lambda 函数 lambda 函数过滤列表元素 lambda 函数
2023-10-17 11:27:48556 射频（Radio Frequency，RF）和微波（Microwave）是电磁波的两种特定频率范围，它们在许多方面有相似之处，但也有一些显著的区别。
2023-10-16 15:15:19909 Java Lambda表达式是Java 8中最重要的新特性之一。 它们是一种可传递的匿名函数，可以作为参数传递给方法或存储在变量中，因此可以在需要的时候调用它们。 基础 1. 简介 Lambda
2023-09-30 10:29:002262 上一章主要介绍了虹科高速数字化仪的特点、RF测试选型以及RF动态范围测量示例，本章将继续为大家介绍多通道采集分析正交调制信号、RF频率响应测量等内容。RF测试分析数字化仪获取数据并将其用于测量和分析
2023-09-23 08:05:11310 
目前中小 功率开关电源正朝着单片集成化的方向发展，本文详细阐述近年来问世的各种单片开关电源的性能特点及典型应用
2023-09-22 06:01:11
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化镓（GaN）是一种由氮和镓组成的半导体材料，因其禁带宽度大于2.2eV，故又称为宽禁带半导体材料。是微波功率晶体管的优良材料，也是在蓝色发光器件中具有重要应用价值的半导体。。GaN材料的研究和应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是发展微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。
2023-09-07 17:07:551783 
开关电源芯片U8722X是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。
2023-09-07 15:52:10466 M12连接器2pin外壳通常由金属或塑胶材料制成，具有保护M12连接器2pin和维持M12连接器2pin接口位置的作用。
2023-09-06 11:41:59990 
品英Pickering作为用于电子测试和验证的模块化信号开关和仿真解决方案的全球供应商，于近日发布了一款全新的免费在线使用的微波开关设计工具Microwave Switch Design Tool
2023-08-31 14:19:45308 2023年8月，品英Pickering——用于电子测试和验证的模块化信号开关和仿真解决方案的全球供应商，于近日发布新款基于PXI/PXIe的微波开关产品（40/42-890系列），为PXI产品家族
2023-08-31 14:14:07351 Java8 的一个大亮点是引入 Lambda 表达式，使用它设计的代码会更加简洁。当开发者在编写 Lambda 表达式时，也会随之被编译成一个函数式接口。
2023-08-24 10:25:22151 随着能够高频驱动的半导体“GaN”的普及，开关电源的高频化也逐渐变成了现实。变压器产品中使用铁氧体材料，但根据驱动频率的不同，磁芯损耗（铁耗）会有很大的变化，这是变压器设计的关键。本文将介绍为GaN
2023-08-22 17:06:07606 
XBG-M556是一款采用多普勒雷达技术,专门检测物体移动的微波感应模块。采用2.9G微波信号检测，该模块具有灵敏度高
2023-08-15 18:01:12605 
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为3.3eV，GaN（氮化镓）为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
该PIN二极管射频开关是VHF和UHF的理想天线开关，可与PIN二极管配合使用，PIN二极管是具有非常低内部电容的特殊高频开关二极管。PIN二极管的内阻可以通过直流控制电压在1至10.000
2023-07-25 15:25:071597 
Lambda表达式是一个可以内联在我们代码中的函数，我们可以将他传递给另外一个函数。
2023-07-18 16:26:14412 摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料对GaAs功率芯片与MoCu基板进行焊接，分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响，给出了GaAs芯片共晶焊的工艺参数控制要求，通过扫描电镜
2023-07-15 14:01:421276 
Lambda架构（Lambda Architecture）是由Twitter工程师南森·马茨（Nathan Marz）提出的大数据处理架构。这一架构的提出基于马茨在BackType和Twitter上的分布式数据处理系统的经验。
2023-07-15 12:47:13215 
GaAs工艺中也可以像传统的Si工艺一样集成无源和有源器件，但GaAs在某些方面会比Si工艺有优势，尤其是高频应用。
2023-07-11 10:42:341847 
CMPA2560025F是一种高电子迁移率的氮化镓（GaN）基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，GaN具有优越的性能，包括击穿电压越高，饱和电子漂移速度越高导热性
2023-07-05 15:04:321 在彩色电视机和其他一些电子设备中采用开关电源，开关电源中采用开关变压器，以下介绍了开关变压器的工作特点是什么，以及开关变压器电路的分析方法及注意事项，供大家参考。
2023-07-04 16:09:45885 
在小功率无线产品射频开关电路设计中，我们常常选用CMOS，GaAs，SOI等工艺的射频器件，其外围电路很简单，通常只需要配合电阻电容就可以正常工作。
2023-07-04 15:02:181539 
领域的热点。
如图1所示，GaN材料作为第三代半导体材料的核心技术之一，具有禁带宽度高、击穿场强大、电子饱和速度高等优势。由GaN材料制成的GaN器件具有击穿电压高、开关速度快、寄生参数低等优良特性
2023-06-25 15:59:21
该款全新免费在线工具，方便定制LXI微波开关系统配置 2023 年6月 21 日，于英国Clacton-on-Sea。 Pickering Interfaces作为用于电子测试和验证的模块化信号
2023-06-21 16:55:07383 电子发烧友网站提供《使用SmartThings控制RF开关.zip》资料免费下载
2023-06-20 11:30:031 GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN技术实现快速充电系统
2023-06-19 06:20:57
GaN高密度300W交直流变换器
2023-06-19 06:03:23
标准1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通过利用卓越的性能在GaN HEMT集成电路中，我们已经能够将开关频率推到600 kHz以上，同时保持97.5%的效率。当结合行业领先的图腾柱PFC，峰值整个系统的效率达到80Plus制定的Titanium标准。
2023-06-16 11:01:43
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
英国Pickering公司作为用于电子测试和验证的模块化信号开关和仿真解决方案的全球供应商，于今日发布了一款全新的免费在线使用的微波开关设计工具Microwave Switch Design
2023-06-15 14:22:19321 在使用这款交互式在线工具时，工程师可以设计不同组合的高性能微波LXI继电器，可选带宽最高110GHz，阻抗50Ω或75Ω，以及一系列连接器类型，还可以选择包括各个微波开关元器件的位置到相关的标签要求
2023-06-15 14:21:31344 BAL-0003RF/微波巴伦（或变压器）是一种设备，它以给定的阻抗接收输入信号，并以（可能）不同的输出阻抗输出相同的信号和信号的反相版本。它们适用于差分信号、集成电路测试以及一般实验室和实验用途
2023-05-26 17:23:20
氮化镓（GaN）是用于在干扰器中构建RF功率放大器（PA）的主要技术。GaN 具有独特的电气特性 – 3.4 eV 的带隙使 GaN 的击穿场比其他射频半导体技术高 20 倍。这不仅是GaN的高温可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干扰设备能够满足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
RF LDMOS之于早期蜂窝网络，氮化镓（GaN）之于现代和高频应用。与砷化镓（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN长期以来一直具有难以超越的优势：
2023-05-24 10:11:56686 GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011374 
所谓，RF MEMS 开关，是一种是小型的微机械开关，功耗低，可以使用传统的 MEMS 制造技术生产。它们类似于房间中的电灯开关，其中触点打开或关闭以通过开关传导信号。在 RF MEMS 器件的情况下，开关的机械组件只有微米级尺寸。与电灯开关不同，在 RF MEMS 开关中传导的信号在射频范围内。
2023-05-23 15:09:18776 
和Coff可以做的很小，便于实现很好的开关特性，但是，PIN二极管的偏置电源电压需要通过低通滤波器直接施加到RF信号端，PIN的集成也非常昂贵。相较于二极管，FET是三端口器件，不需要通过低通滤波器就可以
2023-05-23 15:07:282738 
在《[射频开关（RF Switch）基础]》讨论了高频信号中信号衰减的发生方式和原因。它还讨论了造成这种性能下降的两个主要原因：线路中的功率耗散和传输线路中的反射引起的功率损耗。然而，迄今为止所有
2023-05-23 15:04:351102 
RF MEMS开关是一种小型微机械开关，具有低功耗，可以使用传统的MEMS制造技术生产。它们类似于房间里的开关，通过打开或关闭接触点来传导信号。
在RF MEMS设备的情况下，开关的机械部件仅有几微米大小。与普通开关不同的是，RF MEMS开关传导的信号处于射频范围内。
2023-05-23 14:58:51860 
EGN-RF-SWITCH-01控制盒是恩基尼（上海）物联科技有限公司基于目前市面上广为需求的免换传统墙体开关嵌入式控制方案。控制盒支持RF无线学习/控制并兼容传统开关。
2023-05-23 14:56:391187 
和带宽（例如 NI PXI-2594 2.5 GHz 4x1 多路复用器）。虽然这些规格在评估阶段确实很重要，但它们并没有为买家提供足够的信息来做出明智的购买决定。本教程的目的是向您介绍设计 RF 开关网络时必须考虑的以下七个重要规范：
2023-05-23 14:50:211477 
从工作原理上进行分类，RF微波开关可以分为机电开关和固态开关，机电开关包括电磁继电器和舌簧继电器。机电开关是依靠机械接触作为其机械结构，而固态开关称为无触点开关，一般由电力电子技术实现
2023-05-23 14:47:401086 
RF开关是无线通信设备内的高频电路中，用于信号路径切换的元件。
1天线开关模块
天线开关模块是用于手机无线电路，是附加在ANT底部以及GSM用LPF等的附加电路
2023-05-23 14:39:161303 
射频微机电系统(RF MEMS)是MEMS技术的一大重要应用领域，也是20世纪90年代至今研究MEMS技术各领域中飞速发展的热点。射频微机械开关体积小，功耗低，且插入损耗、隔离度等微波性能均远优于
2023-05-23 14:35:50610 
从驱动方式和机械结构的角度介绍了不同的RF MEMS开关类型，分析了各类MEMS开关的性能及优缺点，分析了MEMS开关在制作和发展中面临的牺牲层技术、封装技术、可靠性问题等关键技术和问题，介绍了MEMS开关的发展现状及其在组件级和系统级的应用，以及对MEMS开关技术的展望
2023-05-23 14:29:05517 
射频微波开关可在传输路径内高效发送信号，此类开关的功能可由四个基本电气参数加以表征。
2023-05-22 10:11:35725 
，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和军用雷达范畴，在所有 RF 细分市场中获得应用。
2023-05-19 11:50:49626 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过[氮化镓GaN驱动器的PCB设计
2023-05-17 10:19:13832 
本文内容翻译自一篇Qorvo的应用笔记，虽然标题是针对GaN偏置电路设计的一些基本准则，但实际上对GaAs也是适用的。基于化合物半导体做射频功放的同学应该都是有概念的，正好这篇文章做了总结，就随手分享共同学习一下。
2023-05-10 09:52:512538 
UMS CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶体管，CHK8201-SYA集成化2个CHK8101A99F功率棒封装形式，能够单独浏览，可以产生45W的搭配输出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32:02103 Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 64pin 国标封装) (R20UT1425XJ0100_CHECK_PIN_EJ)
2023-05-05 19:16:150 RF 频率范围通常为 500 MHz 至 2 GHz，高于 100 MHz 的设计被视为 RF。微波频率范围高于 2 GHz。射频和微波电路与典型的数字和模拟电路之间存在相当大的差异。本质上，射频信号是非常高频的模拟信号。
2023-04-29 17:35:00901 
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212330 
那么，这是否意味着GaN将在每种应用中取代GaAs？答案是否定的，这就是为什么Microchip生产分立式以及GaN和GaAs MMIC产品，并拥有业内最广泛的RF半导体产品之一，从低
2023-04-23 09:44:14329 
Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 52pin 国标封装) (R20UT1387XJ0100_CHECK_PIN_EJ)
2023-04-21 19:51:060 、光伏发电、光伏逆变器等领域。 GaN功率器件有哪些优势？功率密度高，开关速度快，损耗低，功耗小；高频高速，可以有效降低系统成本；可在更高频率下工作；更高的散热能力和可靠性。 GaN的优势 GaN功率器件是在传统的硅基功率器件上叠加了
2023-04-21 14:05:42831 Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 100pin 国标封装)
2023-04-20 19:40:320 Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 64pin 国标封装) (R20UT1380XJ0100_CHECK_PIN_EJ)
2023-04-20 19:24:260 GaN:RX65T300 HS2A是一种基于氮化镓技术的功率器件，具有较低的导通电阻和开关损耗、高的开关速度和可靠性。其特点和优势如下：1. 低导通电阻：GaN:RX65T300 HS2A的导通电
2023-04-20 15:16:01618 在 Python 中，Lambda 表达式是一种非常强大的工具，它可以让你快速创建小型匿名函数，而不需要显式地定义函数名称。Lambda 表达式通常用于传递函数对象或简单的函数式编程。
2023-04-19 15:51:11683 在 Python 中，Lambda 表达式是一种非常强大的工具，它可以让你快速创建小型匿名函数，而不需要显式地定义函数名称。Lambda 表达式通常用于传递函数对象或简单的函数式编程。
2023-04-19 15:49:58479 SW-231-PIN（非 RoHS）匹配的 GaAs SPST 开关（非 RoHS）匹配的 GaAs SPST 开关 MACOM 的 SW-231-PIN 是一款
2023-04-17 11:39:16
掌握基本的射频微波理论知识;熟练使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso，calibre)、EMX等电磁仿真以及射频芯片设计软件;熟悉CMOS、GaN、GaAs、IPD 等多个厂家的工艺;具有多次射频/微波/毫米波前端芯片的流片成功经验。
2023-04-15 14:00:44842 薄膜开关的三大特点，希望大家通过本文的介绍，可以对薄膜开关的工作有一定的认识与了解：（1）密封性能好：因为薄膜开关是一种整体都密封起来的零件，开关的触点不受外界环境的干扰，所以不用担心腐蚀的问题，也不容易产生氧化;同时还可以防灰尘的污染，可以应用在各种恶劣的环境中....
2023-04-14 16:53:33606 
通常来说，lambda起到了一种函数速写的作用，允许在使用的代码内嵌入一个函数的定义。在你仅需要嵌入小段可执行代码的情况下它们会带来一个更简洁的代码结构。
2023-04-03 11:44:29584 NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计
2023-04-03 11:12:17553 
的问世，固态器件开始在低频段替代真空管，尤其是随着GaN，SiC等新材料的应用，固态器件的竞争力已大幅提高[1]。本文将对两种器件以及它们竞争与融合的产物——微波功率模块（MPM）的发展情况作一介绍与分析，以充分了解国际先进水平，也对促进国内技术的发展有所助益。
2023-03-29 09:24:45880
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