手册说L9369的PROM不是非易失存储，那么如果芯片掉电（VBP），PROM中的数据是否会全部丢失？
EPB应用是否要求VBP挂KL30上
2024-03-21 07:19:54
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
3 月 5 日消息，美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术，从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 美光公司近日举办了一场演讲，介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:35
61 近期的演示会上，美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出，DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:24190 三星作为行业领军者，在本季度DRAM营收达到79.5亿美元，环比增长近50％，主要受益于1αnm DDR5的出货提速，服务器DRAM出货量跃增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162 DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
近日，三星电子宣布在硅谷设立下一代3D DRAM研发实验室，以加强其在存储技术领域的领先地位。该实验室的成立将专注于开发具有更高性能和更低功耗的3D DRAM，以满足不断增长的数据存储需求。
2024-01-31 11:42:01362 的能力。
SD NAND FLASH 的主要特点包括：
安全性：SD NAND FLASH 提供了硬件和软件层面的安全性保护，包括加密和访问控制，以确保存储的数据不容易被盗取或篡改。
高密度
2024-01-24 18:30:00
近日，三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器，这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性，有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03282 有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价，但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月DRAM价格上涨2%-3%，大幅提升DRAM价格，但低于当月3D TLC NAND约10%的涨幅。
2024-01-08 16:43:54466 根据最新的存储器模组行业消息，随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升，三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格，涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:16872 随着上游原厂酝酿提价，多家存储器模块业者已经开始备货，以应对潜在的市场变化。预计供应给OEM厂商的合约价将在二季度起全面反映DRAM的涨价趋势。
2024-01-03 15:34:13733 部分存储模组厂已接到三星通知，要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上，且该通知并未涉及NAND闪存定价，故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%，不及3D TLC NAND约10%；
2024-01-03 10:46:21550 RAM来维持它的运行和使用，只有在保存相关文件时才会转存到 microSD 卡。
正是这种搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的记忆，RAM 是掉电不保存，而 microSD 卡则是掉电保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
DRAM芯片全称是动态随机存储器，是一种随机存储器（RAM），与CPU直接交换数据，可随时读写且速度快，断电后存储数据丢失，是易失性存储器，也就是俗称的“内存”。
2023-12-26 12:25:561003 
从存储芯片的市场表现来看，两大类别DRAM（动态随机存取存储器）与NAND Flash（闪存存储器）目前的价格较今年谷底都出现了上涨。
2023-12-19 15:19:32136 直线电机怎样优化它的速度环，有什么标准
2023-12-15 07:35:15
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
dram和nand的区别 DRAM和NAND是两种不同类型的存储器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种随机存取存储器，而NAND（Not AND）是一种逻辑
2023-12-08 10:32:003905 DRAM芯片市场一直以来主要由三星、SK海力士和美光三家海外存储厂商主导，东海证券在今年9月份发表的一份研报中指出，在2023年第二季度，三星电子占全球DRAM市场营收的38.14%，SK海力士占比达 32.29%，美光的市占率也达到25.03%，市场高度集中。
2023-12-05 16:26:31507 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
易失性存储和精确的实时时钟，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于该存储系统中。铁电存储器PB85RS2MC在系统主要是实现数据的非易失性存储和的实时时
2023-11-27 10:17:05
DRAM制造技术进入10nm世代（不到20nm世代）已经过去五年了。过去五年，DRAM技术和产品格局发生了巨大变化。因此，本文总结和更新了DRAM的产品、发展和技术趋势。
2023-11-25 14:30:15536 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情况下，DRAM——尤其是高带宽存储器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有着良好的记录，也有成熟的工艺，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 
20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27378 DRAM有多种类型可供选择。有些速度非常快，如HBM，但也很昂贵。其他类型速度较慢，但价格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，变化的是，在异构架构中，两者都可以发挥重要作用，以及多种其他DRAM类型和更狭义的存储器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
但是，存储芯片大企业的价格已经出现上涨迹象。还有外电报道说，已经从dram开始的存储器价格上升趋势正在扩大到nand闪存。
2023-11-13 14:53:28487 存储分为大存储和利基存储两大块。大存储包括用于手机、PC和服务器的DRAM以及3D Nand，主要供应商为以三星为代表的国际头部厂商。
2023-11-07 14:22:09133 笔电DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存储器模组合约价，10 月也较9 月上涨11.5%，到每单位33 美元。智能手机DRAM合约价也开始涨价。TrendForce 预计第四季行动DRAM
2023-11-03 17:23:09959 单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
在2023年2月在国际学会ISSCC上，三星电子正是披露了公司研发的存储容量为24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下图左）和硅芯片（下图右）。
2023-10-29 09:46:58783 
SSD主要由控制单元和存储单元(当前主要是FLASH闪存颗粒)组成，控制单元包括SSD控制器、主机接口、DRAM等,存储单元主要是NAND FLASH颗粒。
2023-10-27 10:27:03198 
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-10-26 10:45:10
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器（DRAM）的相关知识，包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34816 如何捕捉并重现稍纵即失的瞬时信号？
2023-10-18 06:26:54
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
非易失性的新技术，力求制造出同时替代闪存和DRAM的通用存储。 ULTRARAM 与闪存和DRAM的区别 闪存和DRAM作为已经被行业使用了数十年的存储形式，因为其特性不同，往往只能被分别用于特定场景中。以闪存为例，其具有非易失性、非破坏性读出和高度扩展性等特点，但缺点在于
2023-10-09 00:10:001311 在当前我们比较熟悉的存储产品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在寻求高带宽和低功耗的发展。
2023-10-07 10:18:221688 
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
内存应该是每个硬件工程师都绕不开的话题，稍微复杂一点的系统都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最为复杂也最贵的核心部件了，其设计，仿真，调试，焊接，等等都非常复杂，且重要。对DRAM
2023-09-25 11:38:421902 
SSD主要由控制单元和存储单元(当前主要是FLASH闪存颗粒)组成，控制单元包括SSD控制器、主机接口、DRAM等,存储单元主要是NAND FLASH颗粒。
2023-09-25 09:45:51161 
据消息人士透露，nand闪存价格从第三季度初的最低点开始逐渐反弹，到目前为止已经上涨了10%以上。他表示：“nand价格上涨将为dram价格上涨营造有利的市场氛围。存储器模块制造企业正在密切关注dram价格反弹的时间。
2023-09-20 10:19:50503 日前有消息称，存储芯片领域正在迎来一轮明显的复苏，特别是移动DRAM芯片销售行业。
2023-09-14 10:42:471045 在下面的图中显示了堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构图。下图(a)显示了堆叠式DRAM存储节点接触(SNC)结构。
2023-09-08 10:02:25592 
飞思卡尔的Kinetis设备提供FlexMemory技术，该技术为灵活的内存使用提供了多功能和强大的解决方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM组成。
FlexNVM是一种非易失
2023-09-04 06:29:35
新能源汽车的核心技术是大家熟知的动力电池、电池管理系统和整车控制单元。车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高性能非易失性存储技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析
2023-09-01 10:04:52
内存芯片在驱动ic市场和ic技术发展方面发挥了重要作用。市场上两个主要的内存产品分别是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093290 
软件可能会允许恶意行为者不正当地从特权内存(DRAM或CPU缓存)中收集少量敏感数据。
·ARM认为这些利用不会损坏、修改或删除数据。
·所有变体都基于导致高速缓存分配的推测性内存访问。
然后，可以
2023-08-25 07:15:47
用MEMS技术制造的新型传感器，就称为MEMS传感器。一般传感器的主要构造有敏感元件、转换元件、变换电路和辅助电源四部分组成。那么，MEMS传感器的主要构造是怎样的呢？
2023-08-23 17:38:541182 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器的存储元是电容器和晶体管的组合。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器存储位是用于存储数据的。晶体管用于控制电容器
2023-08-21 14:30:021022 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。 技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体
2023-08-08 14:24:12744 
在过去一段时间内，存储器市场遭受了来自PC和智能手机需求低迷的严重冲击，导致DRAM价格持续下跌，整个行业景气不振。特别是用于智能手机和PC上暂存数据的DRAM，价格长期跌跌不休，给厂商带来了巨大
2023-08-03 15:18:57841 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。
2023-08-03 12:27:03649 
据日经新闻7月31日报导，面向智能手机、PC的消费量DRAM价格已经连2个月呈现持平（价格未下跌）
2023-08-02 18:25:48351 动态存储运行时数据在神经网络的推理过程中。
•AXI接口M1用于允许更低带宽和更高带宽的内存事务
延迟因此，AXI M1接口可以连接到较慢或较少突发的存储器例如闪存或DRAM。内存用于运行时的非易失性
2023-08-02 06:37:01
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器是一种易失性存储器，意味着当断电时，存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据，电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电，电容会迅速失去电荷，导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:032204 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护
2023-07-21 15:01:52
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩
2023-07-14 17:15:06
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
为了实现这一功能，还必须适合用于辅助计算的dram。现有智能手机使用的移动dram的速度是有限的。sk海力士根据苹果公司的要求，提供了最适合操作r1芯片的dram。大幅增加了输入/输出（i/o）频道的数量，可以将数据迅速传送到存储器内外。
2023-07-12 09:39:56375 据悉，DRAM批发价格为存储厂商和客户间每个月或每季敲定一次。业内人士称，目前价格还在季末的拉锯战中，个别厂商面对的情况不一样，若下游企业本身的库存水位高，会不会接受价格调整还需再观察。
2023-06-29 15:41:10262 存储芯片行业目前正面临长时间亏损衰退的情况，DRAM价格已经跌至不可再降的水平，但巨头厂商似乎计划推动价格上涨。
2023-06-29 14:57:32617 据悉，dram的批发价格是存储器事业者和顾客公司之间每个月或每个季度决定的。业界人士表示：“目前价格还处于季节的最后阶段，因此个别制造企业面临的状况有所不同。”并称：“如果下级企业的库存水位上升，是否会受到价格调整，还需要进一步观察。”
2023-06-29 11:00:47393 ，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 半导体存储器一般可分为易失性(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non Volatile Memory)。易失性存储器是指数据信息只有在通电条件下才能保存，断电后数据会丢失，主要
2023-06-25 14:30:181959 
DRAM错误数据主要通过Linux检错纠错驱动程序采集。同时获取每个CE的微观地址信息，即channel、rank、bank、row和column。
2023-06-01 14:34:21183 
存储器是集成电路领域的通用器件，其市场用量巨大，从类型上分为 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
内存系统：缓存、DRAM、磁盘是第一本以某种方式呈现整个层次结构的书一致性，涵盖完整的内存层次结构，并以重要的细节处理每个方面。这本书作为专家设计人员的权威参考手册，但是它是如此完整，以至于可以
2023-05-26 15:42:59
0 DRAM 连接32位SDRAM时，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM
2023-05-19 15:59:37
;
Adafruit_MCP23017 mcp;
易失性无符号长 last_interrupt；// 用于存储上次中断的时间（以毫秒为单位），用于去抖动
int debounce_delay = 100
2023-05-19 09:44:15
设备和RAM。
NOR Flash和NAND Flash都是非易失性存储介质，即使没有电源，也可以保留数据。MultiMediaCard (MMC)和Secure Digital (SD)卡是符合相应
2023-05-18 14:13:37
汽车是半导体行业增长最快的领域之一。据预测，汽车领域内存（DRAM）与存储（NAND/ NOR）市场总值将从 2021 年的 40 亿美元增长到 2025 年的 100 亿美元 （如图 1 所示
2023-05-17 09:33:18417 
基于先进CXL 2.0的128GB CXL DRAM将于今年量产，加速下一代存储器解决方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179 SRAM（Static RAM）不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据？其中的“刷新电路”什么意思？谢谢~
2023-05-10 14:56:06
电子发烧友网报道（文/周凯扬）在存储行业有些萎靡不振的当下，大部分厂商都在绞尽脑汁地去库存，也有的厂商考虑从新的技术方向给存储行业注入生机，比如最近发布了3D X-DRAM技术的NEO
2023-05-08 07:09:001982 
文件。我为配置工具提供了一个自定义的 dcd.bin 文件。
最近我对我的程序进行了更改：我更改了分散文件以将目标文件之一存储在 DRAM 的未缓存部分中。由于我进行了此更改，配置工具在尝试构建
2023-04-28 07:02:14
电子发烧友网报道（文/黄晶晶） SK海力士近日发布全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品。
2023-04-23 00:01:002616 
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
中，车载电子系统设计的复杂度显著提升，对于存储产品而言，大容量、实时响应、高可靠性和安全性必不可少，兆易创新车规级GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有丰富
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
在CH573存储中，分为用户应用程序存储区CodeFlash，用户非易失数据存储区DataFlash,系统引导程序存储区Bootloader，系统非易失配置信息存储区InfoFlash。一般在使用时
2023-04-07 11:46:50
三相异步电动机为什么会旋转？怎样改变它的方向？
2023-04-07 10:12:18
请教一下大神伺服电机失步时是怎样得到补偿的？
2023-03-23 15:34:44
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