手册说L9369的PROM不是非易失存储，那么如果芯片掉电（VBP），PROM中的数据是否会全部丢失？
EPB应用是否要求VBP挂KL30上
2024-03-21 07:19:54
通过外部引脚可配置BOOT从SRAM中启动，上电过程SRAM没有初始化，BOOT从SRAM启动的作用是什么，这个我不能理解。
我想实现所有程序都在SRAM中运行，有没有实现的方法？
2024-03-12 07:30:49
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
我将一个数组定义在SRAM2中，另一个数组定义在CCM中，我可以利用memcpy这个函数来将SRAM2里的数据拷贝到CCM中吗。
因为我看总线矩阵图，CCM的D-BUS和SRAM2并无交集，是不是也就意味着这两块内存互相无法进行交互呢？
2024-03-06 08:21:14
FX3自带SDK中的例程GPIF ii sram-master：读写sram指令中的地址由状态机中的地址计数器来决定，请教一下如何在FX3固件代码中指定读写sram的地址，可否提供一个例程或相关文档
2024-02-27 07:20:24
如下图所示，GD32F4系列内部SRAM分为通用SRAM空间和TCMSRAM空间，其中通用SRAM为从0x20000000开始的空间，TCMSRAM为从0x10000000开始的64KB空间。大家
2024-02-24 09:43:16
186 
我正在与 SafetPack 为 TC38x 调试的无损测试 (MBIST) 合作。 但我找不到 Geth Tx/Rx RAM 和 gtm_mcsxslow/Fast-DPLL RAM 的正确的 SRAM 初始化过程。
你能否给我一些关于上面提到的 RAMS 的初始化过程的提示。
2024-02-01 07:09:22
PSOC6如何把变量定义在外部串行SPI SRAM中，并且在使用时可以跟内部SRAM变量使用方法类似
2024-02-01 06:33:40
，
qspi_obj.context);
}
...
}
其中，红色的字体定义如下
/** 在 quad 之后轮询内存的就绪状态时应用超时
* 启用命令已发出。 Quad 使能是一种非易失性写入
2024-01-31 06:01:09
您能告诉我 PSoC™ 4中SRAM阵列的数据保持电压吗？
我想知道在 VDD 电源电压下降或上升时 SRAM 可以保留数据的最小电压。
MPN： PSoC™ 4100S Max/CY8C4148AZI-S555
2024-01-19 06:08:12
运行/example中的Power_On_Self_Test为什么SRAM并不能成功读写。用示波器看SRAM的管脚，使能和读写的管脚一直都是高电平，这是为什么？
2024-01-12 07:17:25
RAM来维持它的运行和使用，只有在保存相关文件时才会转存到 microSD 卡。
正是这种搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的记忆，RAM 是掉电不保存，而 microSD 卡则是掉电保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
——Teeworlds 。
什么是 Teeworlds
Teeworlds （激战世界） 是一款免费的在线多人射击游戏，拥有独特的像素艺术风格和简单而刺激的游戏玩法。以下是关于 Teeworlds
2023-12-25 19:47:25
SRAM (Static Random Access Memory)是一种高速、随机访问的存储器，它以其快速的读写操作和不需要刷新的特点而受到广泛使用。本文将详细介绍SRAM的读写电路设计
2023-12-18 11:22:39496 西门子 EDA的内存技术专家Jongsin Yun说， SRAM 的微缩滞后于逻辑收缩，主要是由于最新技术中严格的设计规则。过去，我们对 SRAM 有单独的设计规则，这使我们能够比基于逻辑晶体管
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来，SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。
2023-12-06 11:15:31635 NVSRAM的工作原理基于将SRAM部分的数据在断电前复制到NVM单元中，并在重新上电时将数据从NVM恢复到SRAM。
2023-12-05 16:46:59271 NVSRAM在通信设备中具有良好的性能和可靠性，使其成为一种受欢迎的数据存储解决方案。
2023-12-05 16:02:33456 NVSRAM和NVRAM都涉及非易失性存储技术，但它们在实现方式和应用方面有一些区别。
2023-12-05 10:55:25417 非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM) 是一种即使断电也能保留数据的存储器，提供非易失性存储。
2023-12-05 10:09:56303 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
SRAM 的数量是任何人工智能处理解决方案的关键要素，它的数量在很大程度上取决于您是在谈论数据中心还是设备，或者是训练还是推理。但我想不出有哪些应用程序在处理元件旁边没有至少大量的 SRAM，用于运行人工智能训练或推理。
2023-11-12 10:05:05452 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么实现一个非阻塞性的串口屏收发
2023-10-24 08:15:33
AT32 部分型号有零等待闪存和非零等待闪存，程序在零等待闪存执行速度比在非零等待闪存执行速度快，如果有函数对执行速度有要求，可以将该函数加载到零等待区执行。当零等待闪存使用完后，如果还有函数对执行速度有要求，可以将该函数加载到 SRAM 执行，前提是SRAM 还有足够的空间存放该函数代码。
2023-10-20 06:10:59
随着工业4.0的出现，工厂的智能化和互联性正在日益提高。智能工厂中的机械设备就能够采用所连接的无线传感器节点的实时数据，提前预测可能发生的故障，并通知控制系统采取纠正措施，以避免意外的系统停机。累积
2023-10-19 11:27:37
如何捕捉并重现稍纵即失的瞬时信号？
2023-10-18 06:26:54
注射器正压密合性测试仪 品质可靠/济南三泉智能科技有限公司 注射器密合性正压测试仪是具有安全、高效、精确、易操作、实时记录和便于携带等优点，可以为注射器的生产和质检提供有效的测试手段，下面
2023-09-20 09:10:50
注射器密合性正压测试仪 品质可靠/济南三泉智能科技有限公司 注射器密合性正压测试仪是具有安全、高效、精确、易操作、实时记录和便于携带等优点，可以为注射器的生产和质检提供有效的测试手段，下面
2023-09-19 08:59:43
使用MM32F3270 FSMC驱动SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
在PPSSPP社区和赛昉科技软件团队的共同努力下，PPSSPP 9月最新发布的1.16版本中增加了基于IR的全新RISC-V JIT后端，现在各位游戏爱好者们可以在VisionFive 2上玩PSP
2023-09-11 17:17:26
注射器密合性正压测试仪 品质可靠 注射器密合性正压测试仪是具有安全、高效、精确、易操作、实时记录和便于携带等优点，可以为注射器的生产和质检提供有效的测试手段，下面三泉智能为您提
2023-09-07 16:30:08
飞思卡尔的Kinetis设备提供FlexMemory技术，该技术为灵活的内存使用提供了多功能和强大的解决方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM组成。
FlexNVM是一种非易失
2023-09-04 06:29:35
应用程序: 此示例代码使用 M032 在 SRAM 中运行 ISR 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000
硬件: NuMaker-M032SE
2023-08-31 09:21:19
内核支持内部中断和外部中断，其中内部中断包括计时器中断和软件中断。这里我们以Nuclei SDK中demo_timer为例，简单讲解内部中断的非向量处理模式。
系统环境
Windows
2023-08-16 07:58:31
让一颗SRAM型FPGA在太空长期稳定运行的难度，就类似练成独孤九剑的难度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA属于核心元器件，因此对SRAM型FPGA进行抗辐照加固设计非常必要。今天贫道主要给大家布道一下SRAM型FPGA在轨会遇到的问题及其影响。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA属于核心元器件，因此对SRAM型FPGA进行抗辐照加固设计非常必要。今天贫道主要给大家布道一下SRAM型FPGA在轨会遇到的问题及其影响。
2023-08-11 10:30:451264 
动态存储运行时数据在神经网络的推理过程中。
•AXI接口M1用于允许更低带宽和更高带宽的内存事务
延迟因此，AXI M1接口可以连接到较慢或较少突发的存储器例如闪存或DRAM。内存用于运行时的非易失性
2023-08-02 06:37:01
nvSRAM使用传统的捕获电荷技术进行非易失性存储。由于温度和过多的写入周期会导致数据损耗，因此数据可能会泄漏。
2023-07-25 15:36:04244 DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
本次操作的SRAM的型号是IS62WV51216，是高速，8M位静态SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技术，按照512K个字（16）位进行组织存储单元。
2023-07-22 14:58:561092 
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:48:54
DS9034PC PowerCap是一款为非易失(NV) SRAM提供的锂电池电源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面贴装PowerCap模块封装。PowerCap模块焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护
2023-07-21 15:01:52
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩
2023-07-14 17:15:06
DeepCover®嵌入式安全方案采用多重先进的物理安全机制保护敏感数据，提供最高等级的密钥存储安全保护。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、实时
2023-07-14 15:15:30
终端或ATM读卡器提供安全保障。磁卡数据可采用AES或DES/TDES算法加密。IC带有快速擦除非易失SRAM (NVSRAM)、硬件随机数发生器(RNG)、电压攻
2023-07-14 14:28:53
芯片检测中的非破坏分析有哪些？
2023-06-27 15:20:08
我想使用 i.mx8mp 处理器将来自 anvo 的 nvSRAM ANV32AA1W 配置到我的定制板中。
我已将其包含在 DTS 中，如下所示
&ecspi2
2023-06-08 09:08:17
我正在尝试使用 MCUXpresso 配置工具版本 13.1 为 SRAM 配置 RT1172 SEMC。
我只将 SDRAM 视为一个选项：
在此处的类似帖子中有回复 (2022-08-30)，这将在下一版本中通过“模式”设置提供：
是否有关于此功能可用性的状态更新？
2023-06-02 08:28:39
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
我要在SDRM中建立一个大的数组，请问如何定位到SRAM中？
2023-05-26 06:12:06
://bbs.elecfans.com/jishu_2354763_1_1.html
再加个控制设备：
现在就可以通过非接触式传感器玩游戏了！！！！
2023-05-24 22:27:11
我使用 Wemos D1 mini 制作了一款简单但具有挑战性的游戏。
我尽量使说明尽可能详细，但如果您对此有任何疑问，请告诉我。
您所要做的就是将魔杖从电线的一端拿到另一端。它有一个 OLED
2023-05-23 06:14:41
一种便携式存储设备，当插入计算机时，被解析为内置硬盘设备。这也是一种非易失性闪存。与MMC和SD卡一样，USB闪存驱动器是一种更受欢迎的可移动存储形式。
5、RAM
RAM是一个易失性内存选项。一旦设备
2023-05-18 14:13:37
摘要：上一篇文章我们具体讲解了FSMC的原理配置，这一章主要是关于使用FSMC的SRAM初始化流程，以及使用STM32CubeMX对FSMC进行配置。
2023-05-14 10:27:391300 
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用户手册
2023-04-27 20:25:40
6 我正在使用 S32k358 uC，我想禁用内存区域的数据缓存。在框图中，我看到树形 SRAM 块 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的数据缓存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的数据缓存？
2023-04-23 08:01:09
S32DS、RTD和LLCE CAN驱动有对应的工具版本吗？我想知道，LLCE driver是否可以在非autosar os中运行，是否有关于LLCE Driver +S32DS3.5的文档可以学习。
2023-04-18 09:21:58
我现在使用 RT1176 作为我们的控制单元。为了在我们的产品中获得更多性能，我们在我们的板上添加了一个 FPGA。 它们通过同步 ADMUX SRAM 模式下的 SEMC 相互通信，但我对时序图有
2023-04-17 06:55:21
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存储中，分为用户应用程序存储区CodeFlash，用户非易失数据存储区DataFlash,系统引导程序存储区Bootloader，系统非易失配置信息存储区InfoFlash。一般在使用时
2023-04-07 11:46:50
SRAM可以分为低速、中速、高速。===========================================================16位宽的SRAM//16BITSRAM指针
2023-04-06 15:13:03554 
今天就带你详细了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先说明一下RAM：RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。
2023-03-30 14:11:51587 
嗨恩智浦专家，我知道 MIMXRT1xxx 能够在 ITCM 中运行 hello_world 但是 MIMXRT595 中没有 ITCM 只有 SRAM。MIMXRT595-EVK是否可以在SRAM中运行hello_world zephyr示例？
2023-03-30 06:38:30
亲爱的社区，我有几个关于 SRAM ECC 的问题。1) SRAM 上的ECC 是否默认启用？哪些代码使 SRAM 上的 ECC 启用？2) 我试图从 M7 内核启动 A53 内核，所以我必须
2023-03-27 09:15:16
我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器（保证在重启时归零）对它们进行异或，我在重启时将其设置为随机数。（这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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