)0x0010U)/*!< PHY Duplex mask*/
不能工作。
查看LAN8720A芯片手册,微雪LAN8720A模块对比原子开发板的原理图,有一些区别:
1。PHY地址是1
2024-03-22 07:57:11
PLC之所以高速发展,除了工业自动化的客观需要外,还有许多适合工业控制的独特优点,它较好地解决了工业控制领域中普遍关心的可靠、安全、灵活、方便以及经济等问题,其主要特点如下。
2024-01-20 09:27:21409 什么是交流负载的特点和特性? 交流负载是指在交流电路中产生的电阻、电容和电感等元件所承受的负荷。交流负载的特点和特性决定了交流电路的稳定性、功率传输能力以及效率等重要参数。下面将详细介绍交流负载
2024-01-18 15:12:42280 CA51F003T3芯片是基于1T 8051内核的8位微控制器,它具有高性能、低功耗、高可靠性等特点,被广泛应用于各种嵌入式系统中。一、CA51F003T3芯片的特点1. 高性能
2023-12-21 18:32:30
什么是磁敏电阻?磁敏电阻的主要特性 磁敏电阻(Magnetic-Sensitive Resistor),也被称为磁敏电阻器或磁敏电感,是一种电阻器的变种,具有对磁场敏感的特性。磁敏电阻器是通过
2023-12-20 10:34:04652 10F-10M+ 主要特性 y 超宽带,直流至 110GHz y 低插入损耗,典型值为 0.32 dB。y 直体 y 出色的 VSWR,1.10:1 典型值。10F-10M+ 产品概述
2023-12-16 13:43:51
FLASH闪存是一种非易失性内存,闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
2023-12-15 14:06:27419 个完全集成的,高性能的RF收发器与一个8051微处理器,8kB的RAM,32/64/128/256KB闪存,以及其他强大的支持功能和外设。CC2530提供了101dB的链路质量,优秀的接收器灵敏度
2023-12-07 15:02:44
寿命、较远工作范围以及在拥挤环境中的使用寿命都是要满足的重要设计要求。在本文中,我们将介绍 LPWAN 的主要特性、该技术的最佳用例,以及客户采用的一些最常见 LPWAN 解决方案。
2023-11-27 16:05:51416 ):tuyaos-development-board-t2
二、开发板资源
32 bit RISC-MCU
2Mbyte 闪存
256 KB RAM
外设:6xPWM、2xUart、1xSPI、1xI2C、5xADC
==MCU
2023-11-25 23:38:02
电子发烧友网站提供《MOS管的特性、驱动以及应用电路.doc》资料免费下载
2023-11-14 10:18:270 请问mm32f103怎么通过SOLA的方式把音频变调不变速输出,主要是升调,通过复制法能提高频率,但是杂音大吗,有办法滤除吗
2023-11-09 08:06:35
STM32F103最高频率是72Mhz,mm32F103最高主频为96MHz。
2023-11-09 06:15:52
采用OV7670带缓存摄像头模块,用MM32F103能做简单的视频处理吗,比如判断颜色和形状,可以使用外部sdram
2023-11-08 06:27:16
stm32f103mini板子芯片改mm32f103不运行是什么原因,是不是硬件还要修改
2023-11-02 07:40:57
MM32F0010使用总结
2023-11-01 17:07:03465 flash_internal_all_erase(),即将闪存控制寄存器(FLASH_CTRL)的 bit2 置 1 选择为整片擦除,然后将bit6 置 1 触发擦除操作。
2023-10-20 08:21:03
非易失性的新技术,力求制造出同时替代闪存和DRAM的通用存储。 ULTRARAM 与闪存和DRAM的区别 闪存和DRAM作为已经被行业使用了数十年的存储形式,因为其特性不同,往往只能被分别用于特定场景中。以闪存为例,其具有非易失性、非破坏性读出和高度扩展性等特点,但缺点在于
2023-10-09 00:10:001311 。
关键特性
全志H618,四核ARM Cortex™-A53处理器
ARM Mali G31图形处理器
WIFI & 蓝牙
2G LPDDR4 RAM
8G eMMC闪存
1
2023-10-08 15:25:13
本编程手册介绍了如何烧写STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的闪存存储器。为方便起见,在本文中出特别说明外,统称它们为STM32F
2023-09-26 06:18:33
片上闪存特性和系统框图
存储空间组织架构
用户闪存
系统闪存
OTP
选项字节
闪存读接口
等待周期
指令预取
指令高速缓存
数据高速缓存
擦除和编程操作
读保护和写保护
STM32F2和STM32F1的闪存特性比较
2023-09-13 07:10:38
)、40ms (最大值) 闪存接口特性 带预取指令缓冲的读接口 选项字节装载器 闪存的编程/擦除操作 保护类型 写保护 读保护:0级、1级和2级
2023-09-12 07:26:04
12mm储能连接器是一种广泛应用于各种环境和应用领域的高可靠性连接器。其独特的结构和设计使其具有以下特点:
2023-09-11 10:08:30852 6mm储能连接器具有高电流和电压承载能力、快速安装和连接、安全可靠、多功能性和兼容性以及可维修和更换等优点,适用于大规模和高功率储能系统的连接,是储能领域中不可或缺的重要元件之一。
2023-09-06 11:48:35533 实现ECU节省空间特点,兼顾小型化与高特性
2023-08-15 14:35:42328 Vol.1 C0G特性及高耐压MLCC的特点与替换解决方案
2023-08-03 11:39:38418 MQTT 的主要特性 MQTT 协议是为工作在低带宽、不可靠网络的远程传感器和控制设备之间的通讯而设计的协议,它具 有以下主要的几项特性: ①、使用发布/订阅消息模式,提供一对多的消息发布,解除
2023-07-30 14:42:15871 负反馈特性主要包括:能够减小增益变化率敏感性,能够改善输入输出阻抗,能够扩展频率带宽,以及减小电路的非线性和噪声等等。
2023-07-11 14:53:351514 RTKA226110DE0010BU 用户手册
2023-07-04 19:51:120 RTKA223011DE0010BU 用户手册
2023-07-04 19:34:080 RTKA223021DE0010BU 用户手册
2023-07-04 19:08:370 RTKA214020DE0010BU评估板手册
2023-07-03 20:46:420 RTKA223181DE0010BU评估板手册
2023-07-03 19:52:310 RTKA211605DR0010BU 示范板手册
2023-06-30 20:38:130 RTKA210130DE0010BU评估板手册
2023-06-30 20:30:550 RTKA211630DE0010BU评估板手册
2023-06-29 19:31:120 RTKA211820DE0010BU评估板手册
2023-06-29 19:30:240 RTKA211450DE0010BU评估板手册
2023-06-29 19:28:280 RTKA211250DE0010BU评估板手册
2023-06-29 19:27:430 RTKA211835DE0010BU评估板手册
2023-06-29 19:27:120 1 评估板简介创龙科技TLT3-EVM是一款基于全志科技T3处理器设计的4核ARM Cortex-A7高性能低功耗国产评估板,每核主频高达1.2GHz,由核心板和评估底板组成。评估板接口资源丰富
2023-06-28 10:11:48
,CC2530结合了一个完全集成的,高性能的RF收发器与一个8051微处理器,8kB的RAM,32/64/128/256KB闪存,以及其他强大的支持功能和外设。
CC2530提供了101dB的链路质量
2023-06-26 15:29:59
1 评估板简介创龙科技TL64x-EVM是一款基于TI Sitara系列AM64x双核ARM Cortex-A53 + 单/四核Cortex-R5F + 单核Cortex-M4F多核处理器
2023-06-13 17:18:31
内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001982 测速电机主要特点及应用:主要特点包括高效能、低噪音以及高精度。电机采用了特殊的转子设计和优质的变频器控制系统,可以实现Gao达98%以上的效率,同时,在使用中产生的噪音也非常小,较大噪音值不超过55分贝。此外,该电机的测速精度达到了0.5%,可以满足各种精度要求高的应用场合。
2023-05-29 09:21:35956 RFXF0010 产品简介 Qorvo 的 RFXF0010 变压器专为需要小型、低成本和高度可靠的表面贴装组件的应用而设计。可以在宽带、无线和其他通信系统中找到应用程序。这些
2023-05-26 11:04:59
我想我只是发布了我尝试使用 Sonota32.exe(32 位版本的 sonota.exe)ota 闪存 sonoff 克隆 T1 触摸墙开关的摘要。关于制造此特定设备的人,我最好的猜测是一家名为
2023-05-26 07:33:28
RTKA211835DE0010BU评估板手册
2023-05-22 18:43:000 我们有一个带有 S32G2 和 MT35XU512ABA1G12-0SIT(微米八进制 SPI 闪存)的定制板连接到端口 A。
我们正在尝试从此内存启动。
我们遵循了这个应用笔
2023-05-22 09:35:01
RTKA211630DE0010BU评估板手册
2023-05-19 18:38:260 RTKA211820DE0010BU评估板手册
2023-05-19 18:37:470 RTKA211450DE0010BU评估板手册
2023-05-19 18:35:590 RTKA211250DE0010BU评估板手册
2023-05-19 18:35:050 大家好,
我尝试在 RT1160-EVK 上使用八进制闪存,但没有取得太大成功。
我按照电路板用户手册中的概述修改了电路板上的电阻器。已将 SW1 设置为 0010,将 SW2 设置为
2023-05-18 06:28:12
我一直在使用 4D Systems 的带触摸屏的出色 LCD 显示模块,用于适合标准欧洲 80mm x 80mm 面板的室内恒温器。
显示模块围绕 ESP8266 构建,包括一个 SD 卡插槽
2023-05-17 08:29:00
Marki Microwave 的 PD-0010 是一款功率分配器,频率为 DC 至 10 GHz,插入损耗为 0.25 至 1 dB,输入功率为 1 W,幅度
2023-05-15 18:05:21
我如何闪存 ESP 模块 3 以及有多少内存?
2023-05-10 12:48:37
QPD0010产品简介Qorvo 的 QPD0010 是采用 DFN 封装的 SiC HEMT 上的非对称双路径分立式 GaN,工作频率范围为 2.5 至 2.7 GHz。在每条路径中都有一个单级
2023-05-09 12:24:23
,功率 1 W。标签:带连接器的模块,不平衡到平衡。BAL-0010 的更多细节可以在下面看到。产品规格产品详情零件号BAL-0010制造商马基微波炉描述200 KH
2023-05-08 16:39:51
资源域控制模块(XRDC)中有一个MRC,
我想知道MRC、MPU、MMU在用途或特性上的区别?以及优缺点?
2023-05-06 07:51:35
i.MX8MM, i.MX8MQ
SDP: boot -f u-boot.imx
# Initialize SPI Flash
FB: ucmd sf probe ${spi_bus
2023-05-04 06:30:41
主要电阻器的特点 固定电阻器 特点 贴片固定电阻器 可在电路板表面直接贴装的具有电极形状的表面贴装用电阻器。方形贴片电阻器在固定电阻器中将近占9成,是现在一般使用的电阻器的主流产品。 碳膜固定电阻器
2023-04-30 15:00:001166 求一份CS32A010-Start_ V1.0开发资料shijiedian0010@163.com@163.com 谢
2023-04-27 16:35:04
RQA0010UXAQS 数据表
2023-04-26 19:50:200 RQA0010VXDQS 数据表
2023-04-26 19:50:000 EZ-0010 用户手册
2023-04-19 19:54:030 我的项目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有两个闪存数据块,如 RM 所示。 所以我的应用程序在主闪存阵列 1 中运行,并将主闪存阵列 2 用于我的保存数据区。但我无法在
2023-04-19 08:54:32
project_template_mc56f83xxx这就是我正在做的:#define DATA_FLASH_START 0x20000 #define FLASH_SECTOR_SIZE 0x800status_t f状态;uint8_t
2023-04-18 10:22:17
我们在项目中使用 LS1043A 处理器。我想知道如何启动处理器以及需要哪些软件包。连接闪存和 DDR 的软件是什么?需要所有与 LS1043A 相关的软件程序。您的帮助使我了解处理器并为它编写代码。
2023-04-18 07:33:22
MASWCC0010GaAs 吸收式,单电源MACOM 的 MASWCC0010 是一款带有集成 TTL 驱动器的 SP4T 吸收式 pHEMT 开关。该器件采用 MLP 塑料表面贴装封装。该开关
2023-04-17 13:48:58
函数在禁用这些寄存器后启用 P0_BFEN 和 P1_BFEN 寄存器。首先禁用闪存控制器缓存,经过一些闪存操作后,启用闪存控制器缓存。我不明白为什么他们在这些操作后启用缓存。 #include
2023-04-17 07:17:57
供应IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC电路igbt,提供SGT30T60SD1FD关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 16:13:31
供应SGT20T60SD1F 20A、600V igbt单管开关逆变器,提供SGT20T60SD1F关键参数 ,是士兰微IGBT代理商,更多产品手册、应用料资请向骊微 电子申请。>>
2023-04-03 15:40:25
供应600v 15a电机igbt驱动SGT15T60SD1F可代换IKA15N60T绝缘栅双极型晶体管,提供SGT15T60SD1F关键参数 ,可应用于光伏,变频器,UPS,SMPS以及PFC等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 15:14:03
. sc_seco_sab_msg() api的两个参数中“addr: address of message block ”是什么意思?(这意味着闪存 ram 地址?) 2. seco event 0xC1F729是什么意思? 如果有人知道该事件的含义以及需要如何处理它,那将有很大帮助。
2023-03-30 06:36:02
74737-0010
2023-03-29 22:45:39
35022-0010
2023-03-29 22:38:17
35023-0010
2023-03-29 21:59:52
43860-0010
2023-03-29 21:58:39
EWWR0010J1K00T9
2023-03-29 21:55:08
19099-0010
2023-03-29 21:54:01
DK0010T
2023-03-29 21:54:01
599-0010-007F
2023-03-29 21:52:14
EWWR0010J39R0T9
2023-03-29 21:36:22
0ZCJ0010FF2E
2023-03-29 17:38:45
61729-0010BLF
2023-03-28 18:12:03
502381-0010
2023-03-28 14:51:13
0ZTJ0010FF2E
2023-03-28 14:46:00
我损坏了 t1023wlan 板上的 u-boot 闪存,并尝试使用 jtag 连接器和 codewarrior TAP 重新闪存板。但是,当我尝试这样做时,我反复收到“错误:T1020:核心
2023-03-24 08:05:53
W25Q32JV 工作正常,但如何修改 ext_memory_setup.bat 以配置外部闪存?请注意,我们有另一块板使用 iMXRT1062 处理器和 flexspi1 上的相同外部 IS25LP128F 闪存。此处外部闪光灯的闪光效果很好。
2023-03-24 06:53:51
我们使用 MM9Z1_638 作为电池接线盒传感器板。当我们将 0V 和 0A 施加到 mm9z1_638 传感器板 A~H 点时,显示测试配置文件。我们通过CANBUS发现mm9z1
2023-03-23 06:13:54
我正在尝试编写代码来测试 LPC54s018-EVK 上的串行闪存。我需要首先确认逐个扇区擦除闪存是可行且有效的,然后继续我测试的其他阶段。(我不想一次擦除整个芯片,因为我们的主要软件需要从闪存中
2023-03-23 06:06:43
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