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电子发烧友网>今日头条>用于紫外探测高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列的研究

用于紫外探测高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列的研究

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了解光电二极管操作的光伏和光电导模式

光电流   光电二极管的基本输出是从阴极流过器件到阳极的电流,与照度大致成线性比例。(不过请记住,光电流的大小也受入射光波长的影响——在下一篇文章中将对此进行更多介绍。)光电流通过串联电阻或电流
2023-05-02 11:09:441082

瞬变抑制二极管的特性参数

或等于其最大反向漏电流ID。 ②最小击穿电压VBR和击穿电流IR VBR是瞬变二极管最小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,瞬变二极管是不导通的。当瞬变二极管流过规定的1mA电流(IR)时,加入瞬
2023-04-25 16:58:23

MARP-BA56 光电二极管

 MARP-BA56背面雪崩光电二极管 56 GBaudMARP-BA56 是一款背照式雪崩光电二极管 (APD) 芯片。该芯片可在 1250 至 1650 nm 范围内使用,并且在
2023-04-23 15:47:05

混合硅基光电探测器的各项性能研究

在本例中,我们将研究混合硅基光电探测器的各项性能。单行载流子(uni-traveling carrier,UTC)光电探测器(PD)由InP/InGaAs制成
2023-04-23 09:31:10895

艾迈斯欧司朗新型光电二极管为可穿戴设备生命体征监测应用提供出众性能

全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗(瑞士证券交易所股票代码:AMS)近日宣布,推出新型光电二极管TOPLED D5140 SFH 2202。与现有的标准光电二极管相比,这款光电二极管性能更加
2023-04-19 14:36:001161

InGaAs单光子雪崩焦平面研究进展

单光子探测器是一种可检测单个光子能量的高灵敏度器件。按工作原理不同,单光子探测器可分为光电倍增管(PMT)、超导单光子探测器(SSPD)和单光子雪崩光电二极管(SPAD)。
2023-04-15 16:00:591405

新型光电二极管为可穿戴设备生命体征监测应用提供出众性能

- 与市场上的标准光电二极管相比,新推出的TOPLED® D5140 SFH 2202光电二极管具有更高的灵敏度,线性度也更出色;
2023-04-15 09:36:261055

碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

小型化。然而,必须首先解决一个问题:SiC MOSFET反向操作期间,体二极管双极性导通会造成导通电阻性能下降。将肖特基势垒二极管嵌入MOSFET,使体二极管失活的器件结构,但发现用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18

是否可以将光电二极管直接连接到芯片?

我正在使用 NXP 的 NHS3152 NTAG NFC,我想知道是否可以将光电二极管直接连接到芯片(通过电流到数字或模数转换器),而不必在我的电路中加入运算放大器。我期望大约 30 - 150 nA 的光电流。
2023-04-04 07:25:41

请问mosfet搭建的H桥为什么比二极管搭建的H桥功耗要低呢?

请问mosfet搭建的H桥为什么比二极管搭建的H桥功耗要低呢?
2023-03-31 13:56:01

什么是TVS二极管?TVS的主要参数有哪些?

  一、什么是TVS二极管  TVS二极管是一种齐纳二极管,主要用于静电保护,用于吸收来自外部接口和端子的静电和短脉冲电压。其工作原理是对于受到保护状态时对电路呈现的是高阻抗状态,而当瞬间电压超过其
2023-03-29 11:11:24

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