CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管是分立式碳化硅基氮化镓HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-26 23:23:18
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-26 22:58:56
Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级、不匹配晶体管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41
667 Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏电源轨运行，为各种
2024-01-03 12:33:26
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 氮化镓（GaN）晶体管在工作过程中产生的热量和由此引起的温升会导致性能下降并缩短器件的寿命，因此亟需开发有效的散热方法。
2023-12-22 10:47:00489 
的 GaN HEMT功率氮化镓-用于雷达 C/X 波段的 GaN HEMT功率氮化镓-用于海洋雷达的 GaN HEMT功率氮化镓-用于雷达 L/S 波段的 GaN
2023-12-15 17:43:45
报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。
2023-12-14 09:23:06547 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
使用较低的Rds（on）可以降低传导损耗，而使用GaN可以减小芯片尺寸并降低动态损耗。当GaN与铝基异质结构结合时形成二维电子气体（2DEG）的能力导致了备受青睐的高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件
2023-11-06 09:39:293608 
无论是在太空还是在地面，这些基于GaN的晶体管都比硅具有新的优势。
2023-09-28 17:44:221864 
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。
2023-09-13 16:06:07247 氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 开发的一款无与伦比的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。适用于A类、AB类和线性放大器，能处理多种波形
2023-08-26 15:40:57
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
200-W；4400 - 5000 MHz；50 欧姆输入/输出匹配；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
150瓦；2900 – 3500 兆赫；50V；用于 S 波段雷达系统的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款专门设计的高效率氮化镓 (GaN) 高电子
2023-08-07 16:52:50
150瓦；2900 – 3500 兆赫；50V；用于 S 波段雷达系统的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款专门设计的高效率氮化镓 (GaN) 高电子
2023-08-07 16:50:51
320-W；4.0-GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CGHV40320D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有
2023-08-07 14:40:06
180-W；直流 - 2 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入
2023-08-07 14:09:28
180-W；直流 - 2 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入
2023-08-07 14:07:15
180-W；直流 - 2 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有
2023-08-07 14:04:59
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:52:20
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:50:28
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:48:33
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:46:18
70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
75-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60075D5 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能
2023-08-07 13:39:03
60-W；直流至 2700 MHz；50V；适用于 LTE 和脉冲雷达应用的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV27060MP 是一款 60W 氮化镓 (GaN) 高电子
2023-08-07 11:34:30
波段性能进行优化的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV35060MP 适用于 2.7 至 3.1 GHz 和 3.1 至 3.8 GHz
2023-08-07 11:31:57
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:22:14
40-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60040D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-07 11:19:46
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力
2023-08-07 11:15:10
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力
2023-08-07 11:13:00
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力
2023-08-07 11:08:31
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 10:57:26
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 10:50:07
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力。CGHV27030S
2023-08-07 10:45:27
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力
2023-08-07 10:43:16
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力
2023-08-07 10:38:36
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-07 10:35:51
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路
2023-08-07 10:33:50
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-07 10:31:47
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-07 10:26:30
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-07 10:23:54
15瓦；直流 - 6.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率
2023-08-07 10:21:42
240-W；1800 – 2300 MHz；用于 WCDMA 的 GaN HEMT；LTE；无线MAX Wolfspeed 的 CGH21240F 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN
2023-08-07 09:34:30
120W 射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）；高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40120；采用 28 伏电源轨运行；提供
2023-08-07 09:15:24
120-W；UHF – 2.5 GHz；用于 WCDMA 的 GaN HEMT；LTE；MC-GSMWolfspeed 的 CGH09120F 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子
2023-08-07 09:13:02
120-W；1800 – 2300 MHz；用于 WCDMA 的 GaN HEMT；LTE；无线MAXWolfspeed 的 CGH21120F 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子
2023-08-07 09:00:48
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-03 17:06:31
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-03 16:54:07
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-03 16:51:14
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:27:54
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:22:28
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数（
2023-08-03 14:43:28225 25瓦；6.0 - 12.0 GHz；氮化镓MMIC；功率放大器Wolfspeed 的 CMPA601C025 是一款碳化硅衬底上基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-03 14:32:57
15-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60015D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-03 14:14:18
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越
2023-08-03 14:06:49
8瓦；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60008D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括更高
2023-08-03 11:36:09
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-03 11:11:41
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-03 11:07:32
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
的是用于蓝光播放器的光盘激光头）。
在光子学之外，虽然氮化镓晶体管在1993年就发布了相关技术，但直到2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而来的高电子迁移率晶体管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551652 
)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低开关损耗，原因在于： 栅极电容和输出电容更低。
2023-06-12 10:53:287386 
GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
2023-05-25 15:14:061219 
当今市场上有许多晶体管选择，它们将各种技术与不同的半导体材料相结合。因此，缩小哪一个最适合特定设计的范围可能会令人困惑。在这些选择中，GaN晶体管是，但是什么使它们与众不同呢？
2023-05-24 11:08:30665 UMS CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶体管，CHK8201-SYA集成化2个CHK8101A99F功率棒封装形式，能够单独浏览，可以产生45W的搭配输出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32:02103 由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212330 
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化镓晶体管，工作频率为 DC 至 3.5 GHz，功率为 50 W，增益为 17 dB。它采用陶瓷封装，面向军事和大批量商业市场。
2023-04-14 15:39:35
电子发烧友App
工商网监
评论