解析IGBT的控制原理

常用的过电流保护措施包括硬件关闭和软件关闭。硬件关闭意味着在检测到过流和短路信号时，页脚的输出为高，门信号被快速阻止以禁用IGBT。但是，一旦检测到过电流信号就关闭了硬件，则输出会连续跳跃，这可能会导致故障。为了提高保护电路的抗干扰能力，在硬件短路保护信号之后，即通过F信号，增加了软件阻断功能。

保护电路设置：如果负载继续短路，则变频器中的这些集成电路可能会使IGBT承受数毫秒的重复高电流脉冲。短路期间的强电流脉冲会危及IGBT的安全，并可能导致不可逆转的损坏。因此，一旦负载短路，应尽可能减少IGBT短路过电流的工作时间，从而应通过外部电路来阻止输入控制信号，以“防止IGBT短路”。持续传输。高电流脉冲。仅集成驱动器电路不足以完全保护IGBT，必须添加辅助保护电路以禁用输入驱动信号。

IGBT的控制原理(部分或全部)取决于栅极射极电压。

1、关闭。如果在栅极上施加负偏压或栅极电压低于阈值，则该沟道被禁止，N区域中不会注入空穴，在所有情况下，集电极电流都会随着电流MOsF的快速下降而逐渐减小。开关阶段，因为在开关开始之后，N层中仍然有载流子(少数载流子)，剩余电流(工作后的电流)值的减小就完成了。

2、导通。 IGBT硅芯片的结构与功率MOSFET的结构非常相似。主要区别在于IGBT的P增加。

3、反向阻断。当对收集鼓施加反向偏压时，它会受到反向偏压的控制，并且耗尽层将关闭以扩展到N区域。如果您将该层的厚度减小得太多，将无法实现有效阻断能力。因此，这种可能性非常重要。另一方面，如果您太大地增加了该区域的大小，它将继续增加并增加压降。

4、激活压降。电导率调制效果降低了电阻Ra并降低了导通状态下的电压降;

IGBT提供的通用变频电源已经实现了实用化和串行化。讨论了设备的主电路，控制系统的结构以及保持效果，抑制变压器偏磁的方法。给出了单相变频电源的控制电路，控制电路，保护电路和主要技术指标的设计原理。尽管第一个晶闸管的静态静态电源克服了变频单元的许多缺点，但晶闸管的关断取决于负载或附加的关断电路，控制复杂，性能动态也不理想，难以取得新的突破，取得技术成就。

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