半导体利用 SiC 来减少能量损失并延长太阳能和风能电力转换器的使用寿命。SiC（碳化硅）由于其宽带隙而用于高功率应用。
2024-03-22 09:36:20
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半导体器件， 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度
2024-03-22 08:37:2528 
证监会近日公开披露，江苏芯长征微电子集团股份有限公司（简称“芯长征”）已正式开启首次公开发行股票并上市的辅导备案工作。作为一家高新技术科技企业，芯长征致力于新型功率半导体器件的研发与制造，其核心业务
2024-03-15 17:08:05408 近日，长城汽车公司旗下的芯动半导体与全球知名的半导体企业意法半导体在深圳签署了重要的战略合作协议，旨在稳定SiC芯片的供应，共同应对新能源汽车市场日益增长的需求。这一合作不仅彰显了长城汽车在新能源领域的雄心壮志，也为公司的垂直整合战略注入了新的动力。
2024-03-15 10:03:43166 近日，国内领先的半导体企业芯动半导体与国际知名半导体供应商意法半导体成功签署碳化硅（SiC）芯片战略合作协议。这一协议的达成，标志着双方在SiC功率模块领域的合作迈出了坚实的一步，将共同推动SiC芯片在新能源汽车市场的广泛应用。
2024-03-15 09:44:4398 半导体开发出第一个单片式集成电路时，事情开始变得非常有趣了。看一看下面这张由计算机历史博物馆提供的照片，它展示了一些参与这一开创性工作的早期先驱（我们称其为八叛逆）。请注意，照片中的每个人都穿着夹克，打着
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
2023年，东芝半导体的功率器件销售额估计约为1000亿日元，其中35%用于汽车市场，20%用于工业市场。
2024-03-04 18:10:33307 江苏芯长征微电子集团股份有限公司（简称“芯长征”）正式启动A股IPO进程，并已向证监会提交上市辅导备案报告。该公司是一家在新型功率半导体器件领域具有领先技术的高新技术企业，专注于IGBT、coolmos、SiC等芯片产品的研发、设计以及IGBT模块的封装和测试。
2024-02-27 13:58:21298 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种半导体功率器件。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101分立器件认证l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101认证试验广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验，为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务，同时，我们也开展了间歇工作寿命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，结合了绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）的特点。IGBT被广泛应用于电力
2024-01-22 11:14:57273 今日（1月18日），意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。
2024-01-19 09:48:16254 
IGBT是一种高性能功率半导体器件，常用于驱动大功率负载的电路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）两个器件构成。它结合
2024-01-12 14:43:521677 半导体放电管是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。当浪涌电压超过转折的电压VBO时，器件被导通，这时它呈现一般PN结二极管的正向电压降（VF
2024-01-04 16:52:07
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 广州广汽部件有限公司是广汽集团全资子公司，在珠三角、长三角和华中等地设有47家分公司以及1家技术中心，员工总数超过2万人。而其合作伙伴中车时代半导体则为中车时代电气集团全资子公司，在大功率晶闸管、IGCT、IGBT以及SiC器件及其组件方面拥有顶尖技术
2023-12-15 15:33:29308 12月14日，第三代半导体行家极光奖在深圳重磅揭晓，派恩杰半导体荣膺“中国SiC器件Fabless十强企业”称号。
2023-12-15 10:57:45466 功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数
2023-12-15 09:54:25311 
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器
2023-12-13 16:36:19134 
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
储能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 两个环节。两种方案，光储一体以及单独储能系统。独立的储能系统，功率半导体器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光储一体可能占比超过 60-70%，单独储能系统占比 30%。
2023-12-07 13:49:21239 
功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗
2023-12-05 16:31:25240 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶闸管等等，主要用于工业和电力系统（正因如此，早期才被称为电力电子器件）后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展，现在功率半导体器件已经非常广泛，在计算机、通行、消费
2023-12-03 16:33:191135 
IGBT 属于功率半导体器件, 在新能源汽车领域, IGBT 作为电子控制系统和直流充电桩的核心器件, 直接影响电动汽车的动力释放速度,车辆加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽车应用中
2023-12-01 15:48:31
基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
三菱电机公司宣布将与Nexperia B.V.结成战略合作伙伴关系，共同为电力电子市场开发硅碳（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其广带隙半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，这些芯片将用于Nexperia开发SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
全球知名半导体制造商罗姆（ROHM）开发出一款高输出功率半导体激光二极管RLD90QZW3，非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR的工业设备领域的AGV（无人搬运车）和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。
2023-11-28 09:03:32309 
2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。
2023-11-25 16:50:53451 虽然是同一电力半导体公司，但是三菱电机与安世半导体的另一个焦点、电子电力半导体为中心的“各离散元件的组合”，高性能sic模块产品的信赖性的性能提供业界名声；onse半导体元件的开发、生产、认证领域具有几十年的丰富经验。目前还提供高品质的宽带配件。
2023-11-24 12:28:54282 半导体分立器件是电子元器件中的重要组成部分，它们在电子设备中发挥着重要的作用。本文将介绍半导体分立器件的基本概念、分类、应用和发展趋势。
2023-11-23 10:12:56792 
三菱电机今天宣布，将与安世半导体建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。
2023-11-15 15:25:52473 
SiC功率开关，利用意法半导体最先进的第二代和第三代SiC MOSFET技术，确保低 RDS(开)值。这些器件
2023-11-14 15:48:49356 11月13日， 三菱电机株式会社（TOKYO：6503）宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，Nexperia将用于开发SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，这些半导体材料也称为第三代
2023-11-03 12:10:02273 
本文将详细介绍各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局，以及现在的产能应用情况等，探讨车企大规模进入功率半导体行业背后的原因，助力车规级功率半导体产业的健康持续发展。
2023-11-02 11:40:30296 
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路等功能的模块化电子元件。它是一种用于高功率电力电子设备中的半导体器件，常用于高压、高电流的交流/直流变换器、逆变器和直流/直流变换器中。
2023-10-27 11:40:052510 
如今，半导体元器件已成为电子应用中不可或缺的一部分。半导体元器件的需求主要受生命周期较短的消费电子影响。
2023-10-24 16:43:51604 能。❖功率半导体芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，传统Si基和新兴的第三代半导体SiC等，它们的特性受制于其本身的设计，同时也需要看于其搭配的封装材料和
2023-10-24 09:45:033033 
解更多公司，建议查询相关网站。 sic功率半导体技术如何实现成果转化 SIC功率半导体技术的成果转化可以通过以下途径实现： 与现有产业合作：寻找现有的使用SIC功率半导体技术的企业，与他们合作，共同研究开发新产品，将技术转化为商业化
2023-10-18 16:14:30586 SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造 而成的晶圆片。衬底可以直接进入 晶圆制造环节生产半导体器件，也 可以经过外延加工，即在衬底上生 长一层新的单晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于，其在设计的时候，需要多一块区域，来承担外加的电压，如图5所示，300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相比，明显尺寸更大，这也是功率半导体器件的有点之一。
2023-10-18 11:16:21879 
提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此，罗姆已经
2023-10-17 11:24:11257 ，是目前国内IGBT领域的领军企业。公司主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块，实现了进口替代
2023-10-16 11:00:14
一 F-200A-60V 半导体器件测试机专为以下测试需求研制： 二 技术参数
2023-10-12 15:38:30
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括：新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域，在
2023-10-07 10:12:26
机械保护和使用不同半导体器件实现的固态断路器(SSCB)的优缺点，还将讨论为什么SiC固态断路器日益受到人们青睐。一、保护电力基础设施和设备输配电系统以及灵敏设备都
2023-09-26 17:59:09535 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
一、LED灯相关知识
LED Light Emitting Diode,即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合
2023-09-25 06:36:25
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心器件，也是目前MOS-双极型功率器件的主要发展方向之一。
2023-09-22 16:54:103334 
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25890 IGBT 属于功率半导体器件, 在新能源汽车领域, IGBT 作为电子控制系统和直流充电桩的核心器件, 直接影响电动汽车的动力释放速度, 车辆加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11591 解决方案·低压伺服驱动解决方案·基于SiC的光伏逆变器DC-AC解决方案·8通道IO-Link主站解决方案
▌峰会议程
▌参会福利
1、即日起-9月27日，深圳用户报名预约【意法半导体工业峰会2023
2023-09-11 15:43:36
ChatGPT变聪明了吗？如何计算IGBT器件的工作结温Tvj
2023-09-09 08:16:11654 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。
2023-09-07 09:55:521084 
调查结果显示，SiC、GaN（氮化镓）等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件，市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24364 
积塔半导体技术的集成电路芯片制造企业作为模拟电路、功率器件生产技术的研究开发及制造聚焦于bcd， igbt/frd， sgt/mosfet， tvs， sic芯片等广泛服务汽车电子、工业控制、电源管理、智能终端、乃至轨道交通、智能电网等尖端包括的应用市场。
2023-09-04 11:30:21451 Transistor）都是半导体器件，用于控制电流和电压。IGBT和MOSFET在功能和结构上非常相似，但它们有一些不同之处。 1. 结构 IGBT是由三极管和场效应管两个半导体器件组成的复合型器件
2023-08-25 14:50:013233 一、什么是SiC半导体？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581144 
在汽车行业的应用趋势碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用领域。在电动汽车中，碳化硅功率器件的应用主要为两个方向，一个
2023-08-17 16:41:23816 
在功率电子领域，要论如今炙手可热的器件，SiC要说是第二，就没有人敢说第一了。随着原有的Si基功率半导体器件逐渐接近其物理极限，由第三代SiC功率器件接棒来冲刺更高的性能，已经是大势所趋。 与传统
2023-08-16 08:10:05270 
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器
件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四个区域组成：N+型集电极、P型漏极、N型沟道和P+型栅极。
2023-08-08 09:45:12619 
随着半导体工艺技术的发展，芯片集成度不断提高，封装尺寸越来越小，半导体器件面临着更高的热应力挑战。结温过高不仅降低了器件的电气性能，而且增加了金属迁移率和其他退化变化，从而导致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381967 
半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。利用半导体材料制作的各种各样的半导体器件和集成电路，促进了现代信息社会的飞速发展。
2023-08-07 10:22:031978 
近年来萨科微半导体发展神速，在掌握第三代半导体碳化硅功率器件技术的基础上，萨科微slkor投入大量精力和资金，推出了IGBT和电源管理芯片等系列高端产品。萨科微副总经理贺俊驹介绍，在功率器件应用市场
2023-07-31 11:14:43404 
功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035049 
今年以来，国外某些国家仍然在拉动其盟友在对中国的半导体领域进行打击，意味着国产化半导体的进程将进一步加速。如今在国内，是否有纯国产的IGBT单管生产厂家的产品型号值得推荐呢？
2023-07-14 10:29:28408 
MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上的固态半导体器件，且都属于电压控制器件。
2023-07-07 09:15:451490 
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 IGBT作为一种新型功率半导体器件，是工业控制及自动化领域的核心元器件，其作用类似于人类的心脏，能够根据装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。因此，IGBT
2023-06-25 15:37:321286 
科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产，打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。
2023-06-25 14:47:29342 这种向电气化的转变日益决定了汽车功率半导体的整体市场需求。最初，汽车电源市场由硅 IGBT 和 MOSFET 主导，SiC 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙半导体的机会仅限于特斯拉等早期采用者。
2023-06-20 15:18:19239 
从应用角度对常用半导体元件模型作总结。
2023-05-22 09:40:37874 
特瑞仕半导体是专注于电源IC的模拟CMOS专业集团，Phenitec Semiconductor是特瑞仕半导体的子公司，此产品是由Phenitec Semiconductor开发的SiC SBD芯片搭载于多功能TO-220AC封装投放市场。
2023-05-16 11:32:28190 半导体厂Onsemi于今年四月底宣布与中国吉利汽车集团旗下的极氪汽车签署SiC功率元件LTSA(Long-Term Supply Agreement)，极氪车款未来将藉由搭载Onsemi提供
2023-05-16 08:42:16250 据统计，IGBT、MOS管、电源管理IC等在储能逆变器里占比高、数量多，是必不可少的半导体器件。
2023-05-08 15:46:30862 
）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432099 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗和低导通压降的优点。
2023-04-15 14:23:581287 及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39
评估，以改善动态特性和可靠性，并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率半导体器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV级SiC MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件
2023-04-07 10:30:21728 IGBT器件研制的障碍。为解决这一瓶颈问题，近年来，国内外专家学者们也将关注的焦点放在了IGBT模块的热失效分析方面。热阻这一表征半导体器件热传导的参量也成了热失
2023-04-04 10:14:09965 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作为一种新型功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是工业控制及自动化领域的核心元器件，IGBT 被称为电力电子行业里的“CPU”。
2023-03-30 10:58:011094 近年来，以SiC（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。
2023-03-28 10:00:302031 IGBT、MCU、以及SIC会是接下来新能源汽车智能化比较长期的需求点，根据特斯拉Model3的车型用量来看，单车使用IGBT是84颗，或者48颗Sic MOsfet（技术更优），MCU的供应商是意法半导体，基本可以结论，Sic和IGBT会是未来的重点方向。
2023-03-24 10:18:36630
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