HM2302A-VB是VBsemi品牌的N沟道SOT23封装场效应管，主要参数如下：- 额定电压（VDS）：20V- 额定电流（ID）：6A- 开态电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS
2024-03-20 14:51:41
HM2300D-VB是VBsemi品牌的N沟道SOT23封装场效应管，主要参数如下：- 额定电压（VDS）：20V- 额定电流（ID）：6A- 开态电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS
2024-03-20 14:22:04
(ON)=27mΩ@VGS=10V，VGS=20V；阈值电压Vth=1.5V。 封装：SOP8 详细参数说明：该产品为双N沟道MOS场效应晶体管
2024-03-20 11:42:33
产品型号：HAT2028R-VB产品名称：VBsemi 双N沟道场效应管丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：双N沟道- 额定电压：60V- 额定电流：6A- 开启电阻：27m
2024-03-20 11:31:33
DTS3406-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管，参数如下：- 封装：SOT23- 额定电压：30V- 额定电流：6.5A- 导通电阻：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
2024-03-18 14:44:48
VBsemi CPH3441-TL-E-VB 是一款 SOT23 封装的 N-Channel 沟道场效应管。以下是详细参数和应用简介：- **参数说明:** - 工作电压（VDS
2024-03-16 16:02:12
**VB1240 (BSR202N-VB) N沟道场效应晶体管**- **电压：** 20V- **电流：** 6A- **导通电阻 (RDS(ON))：** 24mΩ @ VGS=4.5V
2024-03-15 13:44:53
APM2318AC-TRL-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管，丝印为VB1330，采用SOT23封装。以下是详细参数和应用简介：- 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定
2024-03-14 17:44:58
AP2318GEN-HF-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管，参数如下：- 封装：SOT23- 额定电压：30V- 额定电流：6.5A- 导通电阻：30mΩ @ VGS=10V, VGS
2024-03-14 11:46:07
产品型号：4946BW-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数：- MOS管类型：2个N-Channel沟道- 最大耐压：60V- 额定电流：6A- 开启电阻：RDS(ON)=27m
2024-03-08 17:54:12
3400-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管，丝印为VB1330，采用SOT23封装。以下是详细参数和应用简介：- 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压
2024-03-08 13:53:58
20VN+N沟道MOS管 8814 TSSOP8 贴片双NMOSFET 低压场效应管8814在电子元器件的世界里，MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，扮演着至关重要的角色。今天，我们将深入探讨
2024-03-07 20:22:17
无线充低压MOS管3G03 SOT23-6 30V N+P沟道MOS常用场效应管，是电子工程领域中常用的电子元器件之一。它在现代电子设备中扮演着重要的角色，特别是在无线充电领域，其应用更是广泛。首先
2024-03-07 20:19:09
场效应管，即场效应晶体管（简称FET），是一种电压控制型半导体器件。
2024-02-20 15:31:17
516 
型号：MT6680-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：- 封装：SOP8- 沟道类型：N—Channel- 最大耐压：30V- 最大电流：12A- 开态电阻：RDS(ON)=12m
2024-02-03 10:35:07
逆变器的场效应管发热原因 逆变器是一种将直流电转换为交流电的装置，常用于太阳能发电、风能发电等可再生能源系统中。其中，场效应管（MOSFET）是逆变器中的关键元件，负责开关直流电，实现直流电的变换
2024-01-31 17:17:01427 变大。
如果在栅源之间加负向电压，沟道电阻会越来越小失去控制的作用。漏极和源极可以互换。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型
2024-01-30 11:51:42
电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型层和导电沟道，沟道电阻
2024-01-30 11:38:27
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
产品不适合电动车控制器比如80V100A、150A、200A等需要抗大电流冲击的应用领域。最适合用的领域就是芯片+mos管的驱动方式、5A以内的普通逻辑开关或者高频开关应用。
惠海MOS管在典型应用领域
2024-01-20 15:30:35
不会有明显的改变。此时三极管功率基本不变，电流达到饱和，电压降也已经是最小值。
场效应管以N增强型为例，其本质是一个压控电阻，通过控制栅源电压控制漏源电阻，具有互导特性，输出阻值的变化比上输入电压
2024-01-18 16:34:45
举例而言，一个结型场效应管，采用自偏置结构，即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻，在电源和漏极接一个负载，此时场效应管可以看做是一个互导放大器，压控电流源，请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求
2024-01-15 18:06:15
替代原有场效应管的替代品。本文将详细比较分析2586场效应管和3205场效应管两种常见型号的特性和性能，以确定3205能否替代2586。 一. 2586场效应管的介绍 2586场效应管是一种常见的N沟道MOS场效应管型号，广泛用于低功率放大器、电源电路和数字逻辑
2024-01-15 15:49:57317 场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词，查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容，这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍，进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47:48
。 一、场效应管MOS的基本原理 MOS是一种三端器件，由一个金属栅极和两个掺杂的硅衬底构成。它通过加在栅极上的电压控制硅衬底上的n型或p型区域中形成的沟道中的电流。栅极电压也可以改变沟道的导电性。 MOS的参数有很多，包括栅极-源极电压(Vgs)、漏极-源极电压(Vds)、沟道
2024-01-04 11:03:541295 (ON)=12mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth=1.8V应用简介：FDS5670-NL-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应晶体管（Po
2024-01-03 16:14:33
型号：FDC5612-VB丝印：VB7638品牌：VBsemi参数：- 封装：SOT23-6- 沟道类型：N—Channel- 最大耐压：60V- 最大电流：7A- 开态电阻：RDS(ON)=30m
2024-01-03 16:00:06
Ω@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=1.9V应用简介：CEP6086-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应管，封装为TO220。其主要
2023-12-29 16:41:42
(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=3.7V应用简介：FQP70N10-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应管，封装为TO220
2023-12-29 15:51:46
(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=1.7V应用简介：CMP100N03-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应管，封装为TO220
2023-12-29 11:14:25
(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=1.87V应用简介：CMD50N06B-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应管，封装为TO252
2023-12-28 17:13:41
(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=1~3V应用简介：FDS89161LZ-VB是一款双N—Channel沟道的场效应管，封装为SO
2023-12-28 16:23:34
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对n沟道MOS
2023-12-28 15:28:282868 
于电子设备中的半导体器件，其主要作用是放大和开关信号。场效应管的好坏直接影响到电子设备的性能和稳定性，因此对场效应管进行测量是非常重要的。本文将介绍场效应管好坏的测量方法。 外观检查 首先，我们需要对场效应管进行外观检查。观察场效应管是否有破损、烧焦、变形等现象。如果有这些现象，说
2023-12-28 14:53:31472 Ω@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=1.2~2.2V应用简介：AO3400-VB是一款N—Channel沟道的场效应管，封装为SOT23。其主要
2023-12-25 10:54:24
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压（Vth）：1.8V- 封装类型：TO252应用简介：30N10-VB是一款N沟道场效应晶体管（FET），具有高
2023-12-22 16:06:22
控制电流的流动。场效应管的结构主要由栅极、源极和漏极组成，栅极和源极之间通过绝缘层隔离，源极和漏极之间通过导电层连接。场效应管根据绝缘层的材料和掺杂方式可分为MOSFET和JFET两种。 MOSFET是一种绝缘层采用氧化物的场效应管
2023-12-21 11:27:16431 、细致地介绍这三种接法及其特点。 一、共源放大电路 共源放大电路是场效应管中最常用的接法之一。它由场效应管的源极作为信号源，负载电阻连接在漏极上，输入信号通过门极施加。工作原理如下： 当输入信号施加在场效应管
2023-12-20 10:45:02811 场效应管放大电路的原理 场效应管（FET）是一种三极管，常用于电子放大电路中。FET的原理是利用半导体材料的特性来控制电流和电压，以实现放大作用。通过理解FET工作的原理，我们可以了解到FET
2023-12-07 15:48:241317 Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。这里我们以增强型MOS为例分析。
场效应管是由源极，漏极，栅极组成，由于衬底的掺杂不同可分为N沟道和P沟道场效应管。（沟道
2023-11-28 15:53:49
如图：这个N沟道场效应管，这样接行不行？
2023-11-26 22:22:46
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管
2023-11-24 16:54:18633 如何区分场效应管的三个电极？场效应管可以算是三极管吗？ 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种使用电场效应来控制电流的电子器件。它由源极（source）、栅极
2023-11-21 16:05:231294 请问：CMOS管的功耗与MOS管的导电沟道的关系？
2023-11-20 07:01:20
场效应管是一种半导体器件，它可以用来放大或者控制电流 。根据结构的不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。其中，JFET是由一个pn结构组成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521230 
场效应管FET（Field Effect Transistor），是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，分为结型（JFET）和绝缘栅型（MOSFET简称MOS）。
2023-11-17 16:26:131516 
工艺以及可靠性等多个方面。下面将详细介绍如何判断一个场效应管的好坏。 首先，对于场效应管，最重要的性能参数是其放大能力和开关能力。放大能力衡量了场效应管作为放大器时的增益，而开关能力则决定了场效应管作为开关时的速度和稳定性。同时还需关注的参数
2023-11-17 11:41:30690 环路24V电压接的场效应管的漏极，VCC接源极，DRIVE接栅极，AD421的电路就是按数据手册上接的，COM没有接24V的地。
为什么通电后场效应管的三个管脚都是24V，换了芯片跟FET也依然是这样。
2023-11-16 07:23:24
MOS管和场效应管有什么关系？对于初学者来说，这两个名字常常让人混淆，MOS管到底是不是场效应管？
2023-11-13 17:23:05756 
供应APG080N12 106a120v耐压n mos管-丝印:G080N12场效应管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供APG080N12规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-10-27 17:29:52
场效应管不导通，LED能亮吗？
2023-10-17 07:09:53
场效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
在过去的十几年中，大功率场效应管引发了电源工业的革命，而且大大地促进了电子工业的发展。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
供应AP3400A 30v耐压n沟道mos管兼容万代AO3400-3400 mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP3400A规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:30:52
供应AP3400A N沟道 30V 5.8A MOS场效应管-mos3400规格参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供mos3400规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:28:26
0 供应AP30N03K 低结电容 30V MOS-30N03K场效应管参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30N03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:14:000 手触摸容易坏，为什么MOS管书名叫场效应管呢？场是电场的场，效应就不用了吧！很多ESD都是呈峰值短暂的尖峰浪涌电压，但能量维持时间短。MOSFET的栅极源极之间是绝缘的，其GS之间有一个电容。根据U
2023-09-25 10:56:07
供应AP30H150KA 30V 150A N沟道MOS管-30h150场效应管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H150KA规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:39:500 于各种电子设备中。而“场效应管”这个名称则来源于MOS管的工作原理，下面就详尽、详实、细致地介绍一下MOS管为何被称为场效应管。 首先，我们需要介绍一下MOS管的结构和工作原理。MOS管由栅极（gate
2023-09-20 17:05:41933 场效应晶体管简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。 一、场效应管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
不同的应用场景中表现出了不同的特性。本文将详细介绍结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别。 首先，结型场效应管（JFET）是一种三端器件，其基本结构由一根n型或p型半导体材料的两端之间夹有一层p型或n型材料组成。这个p-n结被
2023-09-18 18:20:512224 ，因此需要进行严格的测试和检测，以确保其可靠性和稳定性。 一、场效应管的类型 场效应管有两种类型：N沟道场效应管（N-channel FET）和P沟道场效应管（P-channel FET）。这两种类型的场效应管具有相似的结构和工作原理，但具有不同的尺寸和性能特征，
2023-09-02 11:31:243310 场效应管MOSFET是mos管吗？场效应管mos管的区别？场效应管和mos管有什么不一样的地方？ MOSFET和场效应管（FET）都属于半导体器件中的一种，类似晶体管。MOSFET是MOS（金属
2023-09-02 11:31:152542 场效应管的原理与作用 场效应管在电路中起什么作用？ 场效应管，也被称为晶体管，是一种重要的电子元件。它由一个半导体材料制成，可以调节电流的流动，被广泛应用于电路的放大和开关控制。 场效应管
2023-09-02 11:31:132856 场效应管好坏测量方法 mos怎么测量好坏？ 场效应管（MOS）是一种半导体器件，其被广泛应用于各种电路中。在使用场效应管前，我们需要先测量其好坏，以确保其正常工作，否则可能导致电路故障。本文将介绍
2023-09-02 11:20:101063 n沟道增强型绝缘栅场效应管 n沟道增强型绝缘栅场效应管，又称nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一种非常
2023-09-02 10:05:251534 场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。场效应管有两种类型：n沟道型（n-channel）和p沟道型（p-channel），它们
2023-09-02 10:05:176876 了实现场效应管的控制，就需要用到一些驱动芯片，下面我们就来详细介绍一些常用的场效应管驱动芯片。 1. IR2110 IR2110是一款用于驱动单个或双路MOS场效应管的高压、高速驱动芯片。它采用了IR公司自主开发的高速和高电压集成电路工艺，
2023-08-25 15:47:392610 工作原理 场效应管（FET）是一种三极管，可以通过改变栅极电压调节源极和漏极之间的电阻。场效应管的原理是利用电场控制载流子浓度，其主要特点是输入电阻大，高频特性好。场效应管可以分为N沟道和P沟道两种结构。 可控硅（SCR）是一种双
2023-08-25 15:41:381549 供应AP2080Q 场效应管（MOSFET）20V 30A参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP2080Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 16:45:380 供应AP2335 场效应管(MOSFET) SOT-23 丝印2335 P沟道 20V7A，是铨力半导体代理商，提供AP2335规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 16:24:490 场效应晶体管简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2023-08-18 16:01:28591 
结型场效应管栅极反偏但仍有电流，MOS场效应管栅极绝缘，没有电流。
2023-08-17 09:19:34617 
与源极、栅极与漏极之间均采用 SiO2绝缘层 隔离，MOSFET因此又被称为 绝缘栅型 场效应管。 市面上大家所说的功率场效应晶体管通常指绝缘栅MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简
2023-08-16 09:22:213852 
下图是一个由 RC 电路和 P 沟道场效应管组成的延时关机电路
2023-08-14 17:02:131018 
场效应管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子器件。
2023-07-28 10:06:295256 
20V N沟道增强型MOS场效应管FS8205规格书
特点
专有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式：SOT23-6、TSSOP-8
2023-07-03 15:18:312 Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET,1960年诞生）组成。 2 场效应管的分类及工作原理 场效应管是一种单极型晶体管，与双极型晶体管BJT都属于晶体管。 在双极型晶体管中
2023-06-29 09:21:342018 
（ Meta Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET,1960年诞生 ）组成。 2 场效应管的分类及工作原理 场效应管是一种单极型晶体管，与双极型晶体管BJT都属于晶体管。 在双极
2023-06-28 08:39:283644 
供应PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET，提供PTS4842双mos管关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:45:17
供应HY3810NA2P 100V180An沟道增强型场效应管，提供HY3810NA2P 100v mos管手册及关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:23:141 供应超致mos管 SSF70R450S2 TO-220F 700V n沟道场效应管，提供SSF70R450S2关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 13:53:03
场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
mos管漏极电压8V,栅极电压9V，仍低于源极12V电压，持续导通。现电路板出现故障后，栅极电压上升很快，达到11.7V，mos管截止，造成漏极无电压输出，达不到输出供电效果。请教大神们讲解下此电路原理，最有可能出错的地方？mos管和运放经过单独验证，是正常的
2023-06-05 22:50:12
1.是N沟道，耗尽型的场效应管，是耗尽型。像图上这样的话，带？的那端应该是什么极？是源极还是漏极？
2.电路不接管子之前电流还可以，接上场效应管，上电就短路，焊下来后测量栅极和源极之间不导通，源漏
2023-05-16 14:24:38
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？为什么？
2023-05-09 09:06:062437 
为什么测量场效应管的输入电阻时要用测量输出电压的方法呢？
2023-05-06 16:15:01
，包括二极管（Diode）、NPN管（BJT NPN）、PNP管（BJT PNP）、P沟道MOS场效应管（PMOS），以及N沟道MOS场效应管（NMOS）。选择好元器件类型后，在面板右下方会出现所选元器件
2023-04-27 16:28:47
9V P 沟道 MOS 场效应管
2023-03-24 13:58:22
12V P 沟道 MOS 场效应管
2023-03-24 13:44:14
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