整机应用中,EMC测试是现在必不可少的一个测试环节,其中EMC产生的原因和功率器件的振荡、电源纹波率等息息相关。随着生活需求的发展,电器设备的小型化、高集成化需求日益增加,尤其在缩小电感成本空间
2025-12-30 11:01:47
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本文导读SiC/GaN将开关速度推向纳秒级,800V高压下的损耗怎么测?ZUS示波器自带双脉冲测试功能,通过“两次脉冲”精准量化开关损耗与反向恢复数据。告别模糊的波形观察,用精确数据支撑电路优化
2025-12-24 11:41:34
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电流场景提供高效稳定的解决方案。主要参数输出功率:120 W(部分资料标注 60 W,以 120 W 为准)输入电压:标称 24 V,允许范围 23–30 V输出电压:0–±500 V 可调(双路对称
2025-12-24 11:32:29
对的声功率级。
测试对象:一台日常使用的笔记本电脑假设我们的被测对象是一台 17 英寸的办公笔记本,测试目标是:在不同工况下(空闲、办公负载、满载)测得其 A 计权声功率级,用于:
对比不同散热方案
2025-12-18 15:29:40
半导体分立器件静态参数测试仪系统在半导体研发、生产、质量控制及应用中具有重要的使用价值和意义,主要体现在以下几个方面: 1. 技术价值:确保器件性能与可靠性 半导体分立器件静态参数测试仪系统 精准
2025-12-16 16:22:19
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双脉冲测试技术解析报告:国产碳化硅(SiC)功率模块替代进口IGBT模块的验证与性能评估 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源
2025-12-15 07:48:22
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自动化测试设备(ATE)在验证当今高性能功率半导体方面发挥着关键作用:它们必须承受诸如高脉冲电流、高电压和快速开关等严苛应力,用于评估功率半导体器件是否足够坚固以满足其预期。在这些高电流测试环境中
2025-12-11 16:38:57
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扬杰科技干货分享- 如何用双脉冲测试更好的表征SiC MOS动态能力? 引言 随着碳化硅(SiC)MOS产品的迭代发展,SiC MOS相比于Si IGBT的高频应用潜力得到越来越多工程师
2025-12-02 09:36:22
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干扰其他设备易引发信道争抢、上网卡顿。
传统屏蔽箱吞吐量测试虽能反映实际体验,但批量生产场景中存在效率低、占地广的问题。RF功率耦合测试方案可实现1拖16批量测试,既保证射频参数的真实性,又能高效完成产
2025-12-01 10:40:40
NVM测试亟需超10ns窄脉冲、高幅值及高保真度激励。德思特脉冲发生器以5Vpp广幅和70ps超快边沿,完美解决PCM等器件的快速SET/RESET需求,提供高性能NVM测试方案。
2025-11-30 15:22:45
1294 的分立器件、复合器件及部分 IC 类产品的综合测试平台,覆盖从研发验证到量产筛选的全流程需求。 一、广泛适配的测试器件与参数 STD2000X 支持多达 20 类常见半导体器件 的静态参数测试,包括
2025-11-21 11:16:03
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DGS & DRB是功率器件可靠性测试中的关键内容。DGS评估器件检测碳化硅功率MOSFET 的栅极开关不稳定性,DRB评估器件芯片内部结构因高dv/dt 导致的快速充电老化现象。因此,季丰电子引入业内先进设备为广大客户提供检测服务,为产品质量把关,创造共赢。
2025-11-19 11:19:10
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随着新能源汽车、光伏储能以及工业电源的迅速发展,半导体器件在这些领域中的应用也愈发广泛,为了提升系统的性能,半导体器件系统正朝着更高效率、更高功率密度和更小体积的方向快速发展。对于半导体器件性能质量
2025-11-17 18:18:37
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至关重要。特别是在双脉冲测试中,光隔离探头不仅确保了测试的安全性,还提高了测试测量的准确性和可靠性。本文将深入探讨光隔离探头在双脉冲测试中不可或缺的原因。 双脉冲测试的作用 双脉冲测试(DPT)是一种用于评估电力电子器件如IGBT(绝缘栅
2025-11-14 16:46:06
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柜式动态测试系统(PSL-AC-2000PRO)为多功能动态 测试系统,支持不同电压/电流等级的单管与模块的双脉冲/多脉冲/短 路等动态测试能力。 柜式动态测试系统(PSL-AC-2000PRO
2025-11-14 16:06:48
桌面式动态测试系统(PSL-AC-2000SE)为开放式的动态测试系统,支持不同电压/电流等级的单管与模块的双脉冲/多脉冲/ 短路等动态测试能力。 桌面式动态测试系统(PSL-AC-2000SE
2025-11-14 14:09:40
产品简介柜式动态可靠性测试系统(DHTGB/DHTRB/DH3TRB)为高性能动态可靠性测试系统,支持不同封装形式的单管与模块 的DGS/DRB/DH3TRB实验。 柜式动态可靠性测试系统
2025-11-13 15:08:28
)的设计灵感来自 于乐高玩具,通过搭配能芯电子多类型的测试功能板、驱动器、参数 采集卡与动态可靠性测试软件,结合客户自有的示波器与探头,以搭 积木的形式形成设备。该
2025-11-13 14:27:58
在功率半导体器件研发与生产领域,对器件性能参数的精准测试是确保产品质量的关键环节。吉时利2614B大电流源表凭借其卓越的性能与多功能集成特性,成为应对高电压、大电流测试场景的理想选择,为功率器件
2025-11-13 11:46:25
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FTTR测试解决方案用‘三化’革新,让测试效率与成本控制不再对立!
方案延伸:流量/功率校验/信息核对一站式融合核心架构:BigTao6100测试系统 + Hunter OCT综测仪。极简
2025-11-11 17:03:02
云镓半导体乐高化组装,一键式测试|云镓GaN自动化双脉冲测试平台作为一种新型开关器件,GaN功率器件拥有开关速度快、开关损耗低等优点。当前不同GaN工艺平台下器件行为表现差异较大,且GaN器件的静态
2025-11-11 11:47:16
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摘要随着SiC、GaN等新型功率器件的广泛应用,功率器件动态参数测试对系统响应速度、同步精度和灵活性提出了更高要求。本文基于LiquidInstruments的Moku平台,提出一种可重构、高集成度
2025-10-31 14:09:44
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功率放大器测试解决方案分享——混凝土损伤超声检测
2025-10-30 19:09:02
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一台半导体参数分析仪抵得上多种测量仪器Keysight B1500A 半导体参数分析仪是一款一体化器件表征分析仪,能够测量 IV、CV、脉冲/动态 I-V 等参数。 主机和插入式模块能够表征大多数
2025-10-29 14:28:09
二极管、IGBT模块,大功率IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的V-I特性测试,测试600A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广
2025-10-29 10:39:24
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提供了有效解决方案。 一、动态特性测量的核心挑战与示波器优势 SiC器件具有高频、高压、高温特性,其动态参数(如开关损耗、栅极电压变化率dV/dt、反向恢复时间)直接影响系统效率与安全性。传统测试方法难以捕捉纳秒级的瞬态信号,
2025-10-17 11:42:14
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阻(RDS(on))、阈值电压等。 动态参数 :采用脉冲测试法(脉宽300μs-5ms)抑制温升,结合Kelvin四线法消除接触电阻误差。 I-V特性曲线生成 :支持全自动百点曲线测试,耗时仅数秒。 高效智能化操作 单参数测试速度达0.5ms/参数,支持多设备并
2025-10-16 10:59:58
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2025年9月,一场聚焦前沿技术的“碳化硅功率器件测试和应用高级研修班”在苏州圆满落幕。本次盛会汇聚了全国各地的企业研发精英与测试工程师,共同探索第三代半导体的测试挑战与行业未来。普源精电(RIGOL)受邀出席,携核心解决方案与现场工程师展开深度交流,以硬核技术实力点燃全场热情。
2025-10-13 13:57:46
420 功率放大器测试解决方案分享——光纤水听器动态压力测试
2025-10-10 18:34:05
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制成的 IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR 等功率器件、光耦、IC 进行精细的检测。其静态参数测试精度高达 16 位 ADC,无论是微小的电压波动、电流变化,还是电阻、电容等参数的细微
2025-10-10 10:35:17
倾佳电子旨在全面剖析双脉冲测试(DPT)作为功率半导体动态性能评估黄金标准的核心价值。
2025-09-17 16:57:34
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))、导通电阻(RDS(on))、阈值电压等。 动态参数:脉冲测试(脉宽300μs-5ms)抑制温升,结合Kelvin四线法消除接触电阻误差。 I-V特性曲线生成:支持全自动百点曲线测试,耗时仅数秒。 二、技术特点 高效性:单参数测试速度达0.5ms/参数,支持多
2025-09-12 16:54:01
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(电容-电压特性测试)是通过测量半导体器件在不同偏置电压下的电容变化,分析其介电特性、掺杂浓度及界面状态的关键技术。主要应用于功率器件(MOSFET/IGBT等)的寄生参数测量和材料特性研究。 二、核心测试内容 关键参数测量
2025-09-01 12:26:20
930 博微BW-4022A半导体分立器件综合测试系统可针对Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可进行高精度静态参数测试(包括导通、关断、击穿
2025-08-28 12:28:15
利用矢量网络分析仪对微波器件进行测试时,矢量网络分析仪的测试动态范围将影响被测微波器件(DUT)的测量范围、测量精度和测量速度。只有矢量网络分析仪的测试动态范围大于被测微波器件的动态范围时,才能获得
2025-08-27 17:33:33
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采用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) MOSFET 器件构建的新型功率转换器设计,需要精心的设计和测试以优化性能。
2025-08-25 14:53:23
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功率放大器测试解决方案分享——T型压电惯性驱动器
2025-08-14 18:32:34
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双Buck+HUSB380B2C固定分配功率方案双Buck 65W2C 降功率方案,采用慧能泰HUSB380B*2。两颗HUSB380B之间,可以通过FC引脚互联,用于识别设备插入检测。该方案支持3
2025-08-13 13:22:57
本方案旨在为材料提供电压-电流动态特性测试解决方案。通过激励源对材料施加特定波形的电压或电流激励,使用数据采集系统采集经过材料后的电压、电流等信号变化,以此分析材料的动态特性。通过对电压和电流信号
2025-08-10 15:30:30
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主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态特性、开关特性。这些测试中最基本的测试就是静态参数测试。静态参数主要是指本身固有的,与其工作条件无关的相关参数。主要包括:栅极开启电压、栅极击穿电压、源极漏
2025-08-05 16:06:15
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在新能源电池、功率半导体、柔性电子等前沿应用场景中,材料常被置于快速脉冲、电压尖峰或大电流冲击的复杂工况下,其导电路径、发热行为乃至失效机理都会随瞬态电气条件而剧烈变化。如果只依赖稳态直流或低频测试
2025-08-05 10:25:21
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的“瞬时刺客”· 单纤双杀漏洞:脏污光纤一次插拔,同时拉低Tx/Rx功率上报值(关联性超90%);· 不可复现性:同一设备连续测试5次,Rx功率波动达±0.8dB(远超0.5dB门限
2025-07-30 17:01:09
输出与测量能力,满足最苛刻的功率器件静态、动态参数测试需求 选型指南: 应用领域 晶圆级测试(Chip Probing):在研发阶段快速筛选器件原型,评估工艺参数影响。在生产线上进行晶圆级分选
2025-07-29 16:21:17
功率变换器是电能利用的重要装置,其性能主要取决于其核心—功率半导体器件,常见类型有 MOSFET、IGBT 和二极管。传统 Si 器件已逼近材料极限,成为进一步提升效率和功率密度的瓶颈。
2025-07-29 11:15:20
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半导体分立器件主要包括: 二极管 (如整流二极管、肖特基二极管) 三极管 (双极型晶体管、场效应管) 晶闸管 (可控硅) 功率器件 (IGBT、MOSFET) 2. 核心测试参数 电气特性 :正向/反向电压、漏电流、导
2025-07-22 17:46:32
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产品介绍 HUSTEC-DC-2010晶体管直流参数测试系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件测试的多年
2025-07-16 11:12:26
在氮化镓和碳化硅之后,氧化镓(Ga₂O₃)正以超高击穿电压与低成本潜力,推动超宽禁带功率器件进入大规模落地阶段。
2025-07-11 09:12:48
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,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试600A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通
2025-07-08 17:31:04
1892 晶体管参数测试系统是用于评估半导体分立器件电气性能的专业仪器设备,其核心功能是对晶体管的静态/动态参数进行精密测量与特性分析。以下是系统的关键要素解析: 一、系统核心功能 静态参数测试
2025-07-08 14:49:56
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测试法(脉宽300μs-5ms)抑制温升,结合Kelvin四线消除接触电阻误差,确保大功率器件极限参数准确性 高效智能化操作 单参数测试速度达0.5ms/参数,百点I-V曲线生成仅需数秒 支持自动
2025-07-04 11:39:43
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半导体参数测试需结合器件类型及应用场景选择相应方法,核心测试技术及流程如下: 一、基础电学参数测试 电流-电压(IV)测试 设备 :源测量单元(SMU)或专用IV测试仪,支持
2025-06-27 13:27:23
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IGBT产品技术参数较多,一般会包含如下几种类型参数:静态参数,动态参数,热参数。动态测试,主要是用于测试IGBT动态参数,目前,主要采用双脉冲测试方案。其测试主要方法是,加载脉冲电压,用获取IGBT在开启,或者关闭瞬间的电压,电流变化情况,并计算出相应的参数
2025-06-26 16:26:16
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双脉冲测试 精确的能量损耗测量是双脉冲测试的关键目标之一。消除电压探头和电流探头之间的时序偏差是在示波器上进行精确功率和能量测量的关键步骤。 适用于4B系列、5B系列和6B系列MSO(混合信号示波器
2025-06-25 17:17:02
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进行数据分析
一体化器件表征分析仪支持 IV、CV、脉冲/动态 IV 等测量功能,让您尽享分析乐趣
能够捕获其他传统测试仪器无法捕获的超快速瞬态现象
可以在 CV 和 IV 测量之间快速切换,无需重新
2025-06-21 18:38:19
功率放大器测试解决方案分享——压电技术的支撑架状态监测
2025-06-20 18:16:17
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主机;SPP5000系列配备24bit ADC,精准测量脉冲/5G信号峰值功率。全系覆盖4kHz~40GHz,满足实验室、现场及脉冲测试需求,国产替代选择!
2025-06-19 11:46:12
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电路,高压功率开关,以及电流采样电阻,减少了外部元器件,极大地简化了系统应用。内置的频率抖动和软驱动设计能有效提高EMI性能。
FT8443BDx双风扇电磁炉方案18V500mA产品供应
2025-06-19 11:12:50
摘 要:针对双电机搅拌机存在的功率循环造成能源的浪费,而且影响电机使用寿命的问题,通过对循环功率的产生机理及其影响因素进行分析与研究,得出循环功率与设备参数及使用参数之间的关系,提出尽量采用单电机或
2025-06-19 10:38:17
Analog Devices MAX34427高动态范围功率蓄能器是专门的电流、电压和功率监视器。MAX34427用于确定系统的功耗。该器件的宽动态范围(20,000:1)可实现精确的功率测量
2025-06-18 11:03:33
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的FF6MR20W2M1H_B70CoolSiCSiCMOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电,ESSPFC,直流-直流变换器和太阳能等。这是一个用于测试半桥配置的2kVCoolSiC
2025-06-12 17:33:23
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功率器件作为电子系统中的核心元件,其动态特性直接影响着系统的效率、稳定性和可靠性。因此,对功率器件动态特性的准确测试显得尤为重要。普源示波器作为一种高性能的电子测量仪器,具有宽带宽、高采样率和大存储
2025-06-12 17:03:15
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在当今快速发展的电力电子技术领域,功率半导体器件的性能优化至关重要。双脉冲测试(DPT)作为一种关键的测试方法,为功率器件的动态行为评估提供了精准的手段。本文将深入解析双脉冲测试的原理、应用及泰克科技在这一领域的先进解决方案,并介绍泰克专家高远新书的相关内容。
2025-06-05 11:37:57
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LET-2000D系列是力钛科公司开发出的满足IEC60747-8/9标准的半导体动态参数分析系统。旨在帮助工程师解决器件验证、器件参数评估、驱动设计、PCB设计等需要半导体动态参数的场景所遇到
2025-06-05 10:02:46
在IGBT功率模块的动态测试中,夹具的杂散电感(Stray Inductance,Lσ)是影响测试结果准确性的核心因素。杂散电感由测试夹具的layout、材料及连接方式引入,会导致开关波形畸变、电压尖峰升高及损耗测量偏差。
2025-06-04 15:07:31
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随着技术的不断进步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)因其优异的性能被广泛应用于各种电子设备中。然而,这些器件在长期连续使用后会出现老化现象,导致性能退化。如何在短时间内准确评估这些器件的老化特性,成为行业关注的焦点。
2025-06-03 16:03:57
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限制到小于 10KHz 的应用,并且在整体效率成为关键参数的技术前沿应用中,它们正加速退出。
作为双极型器件,三极管依赖于被注入到基极的少数载流子来“击败”(电子和空穴)复合并被再次注入集电极
2025-06-03 15:39:43
的微孔雾化电路驱动方案是MCU+MOS管+三角电感/升压器的LC振荡电路,在同时驱动两个雾化片工作时,由于受到自身多个离散器件的影响,其不可避免地会导致性能参数波动有差异。
集成芯片LX8201-0B
2025-05-27 16:10:41
盛铂科技SCP4000系列4kHz至40GHz连续波平均功率计 和 SPP5000系列50MHz至40GHz脉冲峰值功率计,以袖珍式设计、全频段覆盖、一键式集成为核心优势,为现代射频微波测试提供高效解决方案。
2025-05-27 11:50:40
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引言PowerTester功率循环测试设备可以用于帮助客户加速完成封装结构研发、可靠性测试以及可靠性筛选等工作。作为大功率半导体器件瞬态测试和功率循环测试测量行业的标杆和引领者,具有其他同类设备
2025-05-19 16:31:43
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功率器件静态参数分类与解析 功率器件的静态参数反映了其在稳态下的基本电气和热特性,是评估器件性能与可靠性的核心指标。以下是主要分类及具体参数说明: 一、电压相关参数 击穿电压 BVDSS
2025-05-19 10:31:37
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、整流及逆变等功能。其典型特征为处理功率通常大于1W,在高压、大电流工况下保持稳定性能。 一、主要分类 按器件结构划分 二极管 :如整流二极管、快恢复二极管,用于单向导电与电压钳位; 晶体管 :含双极结型晶体管(BJT)、MOSFET、IGBT等,兼具开关与
2025-05-19 09:43:18
1297 功率器件(MOSFET/IGBT) 是开关电源最核心的器件同时也是最容易损坏的器件之一。在开关电源设计中,功率器件的测试至关重要,主要包括开关损耗测试,Vds peak电压测试以及Vgs驱动波形测试
2025-05-14 09:03:01
1263 
。 射频功放系统精细化测试 现代射频功率放大器的多维度性能评估面临三大技术挑战:宽频带动态电流监测需求(DC-50MHz)、微安级直流偏置与毫安级射频信号的同步捕获、以及测量环节对电路参数的零干扰要求。最新研发的磁电复合传感
2025-05-08 18:02:11
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1. 产品概述 产品简介 本同轴分流器SC-CS10是一种用于射频/微波信号功率分配的无源器件,常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)动态双脉冲测试,可将输入信号按特定比例分流至多个输出端口
2025-04-30 12:00:12
761 
问题,因此,需要增加缓冲吸收电路来抑制 SiC 模块关断过程中因振荡带来的尖峰电压过高的问题 。文献 [7-11] 通过对双脉冲电路进行仿真和实验研究,给出了缓冲吸收电路参数的优化设计方法,但都是以关断
2025-04-23 11:25:54
SC2020晶体管参数测试仪/半导体分立器件测试系统-日本JUNO测试仪DTS-1000国产平替 专为半导体分立器件测试而研发的新一代高速高精度测试机。
2025-04-16 17:27:20
0 ,成为了众多电源及电源模块的首选材料。特别是在功率半导体中,上下管双脉冲测试已经成为评估动态参数的经典方法,对于推动相关技术的发展具有重要意义。那么,何为双脉冲测试
2025-04-11 15:00:14
797 
℃~+85℃)
绝缘电阻测试模块(5000V DC)
三、测试参数设计
直流桩测试规范
电压范围:200-1000VDC
电流波动:±5%额定值
纹波系数:≤3%
连续运行:≥500h
四、智能控制策略
动态
2025-04-10 13:46:47
异的高温和高频性能。
案例简介:SiC MOSFET 的动态测试可用于获取器件的开关速度、开关损耗等关键动态参数,从而帮助工程师优化芯片设计和封装。然而,由于 SiC MOSFET 具备极快的开关特性
2025-04-08 16:00:57
一、背景与挑战
动力电池作为电动汽车的核心部件,其性能测试需模拟真实工况下的直流负载特性。然而,在测试过程中,直流负载的高功率、动态响应及精度要求带来多重技术挑战:
高功率与能量密度矛盾:大容量
2025-04-02 16:05:57
的水平。发射功率的设置通常受到信令测试仪的功率限制和测试需求的双重约束。
设置调制方式(如适用):
如果需要发射调制信号,还需要设置调制方式、调制深度和调制频率等参数。
配置其他参数(如适用):
根据
2025-03-24 14:31:34
BW-4022A
晶体管直流参数测试系统
一、产品介绍:
BW-4022A 晶体管直流参数测试机是新一代针对半导体器件测试系统,经过我公司多次升级与产品迭代,目前测试性能、精度、测试范围及产品稳定度
2025-03-20 11:30:20
: KEYS )增强了其双脉冲测试产品组合,使客户能够从宽禁带(WBG)功率半导体裸芯片的动态特性的精确和轻松测量中受益。在测量夹具中实施新技术最大限度地减少了寄生效应,并且不需要焊接到裸芯片上。这些夹具与是德科技的两个版本的双脉冲
2025-03-14 14:36:25
738 器件(如腿部关节 vs. 手指关节)。
电参数设计困惑 :不同场景下的电压/电流需求差异大(如电机堵转时的峰值电流 vs. 稳态电流)。
热管理压力 :功率器件散热与机器人紧凑结构的矛盾。
希望得到您的专业解答谢谢。
2025-03-12 14:05:28
功率放大器测试解决方案分享——电致发光纤维特性研究
2025-03-06 18:46:54
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有没有大佬帮忙分析下,做双脉冲测试的时候,第一个脉冲在关断的时候,马上要关完了,结果驱动出现了震荡,导致管子立马又开了,然后电流激增,直接就炸管了,这是什么问题啊,图上是波形和驱动电路,求指导
2025-03-06 16:45:31
直流充电测试负载作为电动汽车充电设施研发验证的核心装备,其技术性能直接影响充电桩的测试精度和可靠性。随着充电功率向480kW以上级别突破,测试负载系统面临着更高的技术挑战,需在功率密度、动态响应
2025-03-05 16:18:51
引言 半导体电流脉冲测试是一种评估功率半导体器件动态特性的测试方法,通过施加两个短暂的脉冲信号模拟器件在实际应用中的开关过程,第一个脉冲用于将器件从关闭状态切换到开启状态,以获得一定电流
2025-02-10 09:42:18
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在《意法半导体新能源功率解决方案:从产品到应用,一文读懂(上篇)》文章中,我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件,让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来,本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。
2025-02-07 10:38:50
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碳化硅革新电力电子,以下是关于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件双脉冲测试方法的详细介绍,结合其技术原理、关键步骤与应用价值,助力电力电子领域的革新。
2025-02-05 14:34:48
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是否过关,双脉冲测试(Double Pulse Test)成为了一项重要的测试手段。本文将详细介绍IGBT双脉冲测试的原理、意义、实验设备、测试步骤以及数据分析,以期为相关技术人员提供参考。
2025-02-02 13:59:00
3194 IGBT双脉冲测试方法的意义和原理 IGBT双脉冲测试方法的意义: 1.对比不同的IGBT的参数; 2.评估IGBT驱动板的功能和性能; 3.获取IGBT在开通、关断过程的主要参数,以评估Rgon
2025-01-28 15:44:00
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IGBT双脉冲实验 1.1 IGBT双脉冲实验目的 1、通过实验获取IGBT驱动板及IGBT模块的主要动态参数,如延时、上升、下降时间、开关损耗等; 2、通过实验获得功率组件设计中滤波电容、吸收电容
2025-01-27 18:10:00
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我们将高功率SiC器件定义为处理1kV和100A范围内的器件,这相当于100kW的功率。SiC晶体管处理和服务的高电压、高电流和快速开关系统的性质带来了许多在普通5V或12V系统中不会出现的挑战。
2025-01-22 17:30:26
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动态天平测试是航空航天、汽车、风洞实验等高精度测试领域中的一项重要技术,主要用于测量物体在动态条件下的力和力矩。通过评估物体在运动中的受力情况,动态天平测试可为设计和安全评估提供可靠数据,尤其在航空航天等领域,能够帮助预测和优化结构和部件的性能。
2025-01-15 17:10:15
861 本文主要介绍功率器件晶圆测试及封装成品测试。 晶圆测试(CP) 如图所示为典型的碳化硅晶圆和分立器件电学测试的系统,主要由三部分组成,左边为电学检测探针台阿波罗
2025-01-14 09:29:13
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/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热
2025-01-13 17:36:11
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着电能转换和功率控制的任务。为了保证电机控制器的性能和可靠性,需要对这些功率器件进行严格的测试,其中就包括双脉冲测试。
案例简介 双脉冲测试可以帮助工程师评估电机控制器中功率器件的开关速度
2025-01-09 16:58:30
/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热
2025-01-06 17:05:48
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