非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:15
14 
MR25H256 MRAM 存储器 mikroBUS™ Click™ 平台评估扩展板
2024-03-14 22:03:11
Flash存储器的写操作具有特殊性，它只能将数据位从1写成0，而不能从0写成1。因此，在对存储器进行写入操作之前，必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。
2024-02-19 11:37:28536 
ZCC4650 是一款双通道 25A 或单通道 50A 输出开关模式降压型 DC/DC uModule (电源模块) 压器。封装中内置了开关控制器、功率 FET、电感器和所有的支持组件。ZCC4650 可在一个
2024-02-17 16:40:26
与主存储器（内存）和辅助存储器（外存）有不同的特点和应用场景。 首先，我们来详细了解ROM的特点和分类。ROM是一种非易失性存储器，这意味着即使在断电或重启系统后，存储在ROM中的数据仍然保持完整。这是由于ROM的存储单元是由非可更改的电路或栅电势器构成
2024-02-05 10:05:10742 1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:126646 只读存储器（ROM）是一种计算机存储设备，用于存储固定数据和指令，其特点如下： 数据固定性：只读存储器中的数据是在出厂时被编程固化的，用户无法进行修改。这意味着ROM中的信息是静态的、不可
2024-01-17 14:17:39290 ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存储器），又称为SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）；另一种是Non-volatile RAM（非易失性存储器），又称
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03211 
YBM4156/7/4A20V1.0A线性锂电池充电管理芯片
概述：
YB4156/7/4A是一款锂电池充电管理芯片，集成涓流、恒流、恒压三段式线性充电管理，符合锂电池安全充电规范。充电输入耐压高达
2023-12-29 11:05:21
如何充分利用单片机（MCU）的非易失性存储器 单片机（MCU）的非易失性存储器（NVM）是存储数据和程序的重要组成部分。它可以保留数据，即使在断电或复位后也不会丢失。为了充分利用MCU的NVM，我们
2023-12-15 10:10:49507 YB2416D 30V 输入，3A 输出，CC&CV 控制，高效率同步降压转换器
概述:
YB2416是一款输入耐压超过40V,在4.5V-30V输入电压条件下正常工作，并且能够实现
2023-12-13 11:53:17
。
0x0000 0xXXXX NOP指令0会通过SDO输出16位字，其中最后4位包含控制寄存器的内容。如果位C3 = 1，则熔丝编程命令成功。
这么做读出的是控制寄存器的内容，而不是存储器的内容
2023-12-06 06:04:03
电子发烧友网站提供《基于非易失性存储器的数字电位器的多功能可编程放大器.pdf》资料免费下载
2023-11-24 16:04:35
0 闪速存储器 （Flash Memory）简称闪存器或闪存，是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash）和与非闪存
2023-11-23 09:36:17914 
半导体存储器用于数据存储。按照电源在关断后数据是否依旧被保存的方式区分，存储器可分为非易失性存储器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存储器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何谓半导体存储器？ 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 与磁盘和光盘装置等相比，具有 数据读写快 存储密度高 耗电量少 耐震 等特点。 关闭电源
2023-11-15 10:20:01731 
单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
是一款 USB3.2 Gen1X1接口的 的 4 口 口 HUB控制器 芯片， 片成 上集成 32
位 微处理器， 它具有低功耗 、 高性能 、 可配置 等特点 ；芯片 集成 USB3.0高速物
理层
2023-10-20 18:20:58
内存地址空间是否一定大于所有物理存储器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
神奇arduino：用a4纸自制一款手势鼠标项目文档请下载附件哦
2023-10-10 06:14:22
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要对两种常见的非易失性存储器——NAND Flash和NOR Flash进行了详细的比较分析。从存储容量、性能、成本等方面进行了深入探讨，以帮助读者更好地理解这两种存储器的特性和应用。
2023-09-27 17:46:06490 众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
在MCU的使用中，经常遇到需要存储参数或掉电保持数据等功能。其中，Flash和EEPROM是常见的非易失性存储器
2023-09-21 09:14:39812 存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
1. 描述 引脚排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用4096/8192/16384×8位的组织结构
2023-09-15 07:53:08
1. 描述 引脚排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用32768/65536 ×8位的组织结构，广泛应用于低电压和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引脚排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行电可擦除只读存储器（EEPROM），分别采用256/512/1024×8位的组织结构，广泛应用于低电压
2023-09-15 06:53:34
Gbyte)、16或32位LPDDR2/LPDDR3或DDR3/DDR3L高达533 MHz的外部存储器。
STM32MP151A/D器件集成了708千字节内部SRAM的高速嵌入式存储器(包括256
2023-09-13 07:23:32
Flash存储器是一种非易失性存储器，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。
2023-09-09 16:22:282617
ST60A3G1是一款射频毫米波收发器产品，具有天线，工作在60千兆赫的V波段。ST60A3G1具有微型外形因素、优化的物料清单和低功耗操作。ST60A3G1是符合eUSB2、UART和I²C协议
2023-09-07 06:49:02
随着高速数据通信的进步，数据更频繁地发送意味着对非易失性存储器的需求增加，因为非易失性存储器可以承受这种频繁的数据操作。铁电存储器是具有物联网新时代所要求的高读写耐久性和快速写入速度的理想存储设备
2023-08-24 10:05:59
库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存储器串行接口系列中密度最高的产品。目前已实现量产产品。 在不断变化的环境中，随着传感器信息数据量的增加和边缘计算的扩展，客
2023-08-04 11:55:04339 
PrimeCell静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备，由ARM有限公司开发、测试和许可。
SMC是一个AMBA从模块，连接到高级高性能
2023-08-02 12:21:46
的内核，该单元为标记为共享的存储器维护L1数据缓存一致性。Cortex-A5 MPCore处理器实现ARMv7体系结构，运行32位ARM指令、16位和32位Thumb指令以及8位Java
2023-08-02 10:00:07
SC054 ASB静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统外围设备，由ARM开发、测试和许可。SC054 ASB SMC是一个AMBA从模块，连接到高级系统总线
2023-08-02 07:39:45
电子发烧友网站提供《MR16 EMC的参考设计.pdf》资料免费下载
2023-07-24 10:52:050 ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
何谓半导体存储器？ 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 与磁盘和光盘装置等相比，具有 数据读写快 存储密度高 耗电量少 耐震 等特点。 关闭电源
2023-07-12 17:01:131098 
片选提供了许多选项，可以在每个片选上设置这些选项，以允许连接到各种外部器件。存储器映射的外部片选区域地址从 0x60000000 开始。有关更多详细信息，请参见《硬件用户手册》。 8.5.1 使用外部16位存储器器件 连接具有字节选择线的外部16位存储器器件时，将MCU的A1连接到存
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存储器的发展历程 继续关于存储器的发展回顾，上期我们回顾了非易失性存储器的发展史，本期内容我们将回顾易失性存储器的发展历程。易失性存储器在计算机开机时存储数据，但在关闭时将其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半导体存储器一般可分为易失性(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non Volatile Memory)。易失性存储器是指数据信息只有在通电条件下才能保存，断电后数据会丢失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、数据闪存和外部存储器区域。 图16. RA6M3存储器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供带
2023-06-21 12:15:03421 
ROM中存储的数据在断电后依然存在，不会丢失，因此也被称为非易失性存储器。而RAM是易失性存储器，当断电时，其中的数据将会丢失。
2023-06-20 16:38:442016 铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
RAID控制卡的日志存储器存放重要数据，如日志和数据写入完成、奇偶校验写入、错误日志等。在断电的情况下，控制器查询日志内存，以了解从哪里开始恢复。
2023-06-12 17:11:11323 作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织方式为256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品 了解详情 全球领先汽车处理企业恩智浦半导体宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件
2023-05-26 20:15:02396 MRAM是一种新型的非易失性存储器技术，与传统的存储器技术相比，MRAM具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。
2023-05-23 17:34:15395 EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。
狭义的EEPROM：
这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失
2023-05-19 15:59:37
MAX17000A脉宽调制(PWM)控制器为笔记本电脑的DDR、DDR2、DDR3存储器提供完整的电源方案。该器件集成了一路降压控制器、一路可源出/吸入电流的LDO稳压器以及一路基准缓冲器，能够产生
2023-05-17 09:48:45
描述♦ BL24C512A提供524288位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536字，每位8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-16 17:12:17
其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
2023-05-12 16:31:39268 单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
首个非易失性存储器是PROM（可编程只读存储器），以及与之密切相关的EPROM（可擦写可编程只读存储器）。最初的PROM产品在1967年由贝尔实验室提出，并于1971年由英特尔进一步开发。
2023-05-10 11:03:57408 通过quad SPI接口选择FLASH存储器与RT1172一起使用时，应该将其设置为Buffer Read模式还是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
CMOS反相器的电路结构是怎样的？它有哪些特点？
2023-04-25 09:20:07
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462547 基本上，我想将数据写入/读取 I.MX RT1170 评估板中的非易失性存储器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例应用程序可供参考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
中的波形，我发现 iMX RT1024 SRAM 操作存在一个问题。MR5A16A MRAM 声明地址线必须在芯片启用变低时有效iMX RT1024 参考手册指出，芯片启用在地址有效之前变为低电平
2023-04-17 07:52:33
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一
2023-04-07 16:41:05
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
六大原厂工业处理器平台图 2 创龙科技产品线概览5款全国产平台——工业级＋国产化率100%全志T113-i双核Cortex-A7@1.2GHz含税99元起全志T3/A40i四核
2023-03-31 16:19:06
随着需求的变化和技术的迭代，固态硬盘在接口、协议和形态上都出现了很多新发展和新变化。今天瑞萨君就为大家介绍这款 适用于计算机系统的PCIe非易失性存储器Express（NVMe）固态硬盘解决方案
2023-03-30 20:00:06676 存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
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