FRAM_READ_INST0x03 //读存储器数据
#define FRAM_WRITE_INST0x02//写存储器数据
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
进入ST25DV64KC-DISCO的energyharvesting的选项来查看充电功率，然后用阅读器ST25R3911B-DISCO靠近ST25DV64KC-DISCO（dynamictag），显示
2024-03-19 08:01:09
SI522 是应用于13.56MHz 非接触式通信中高集成度读写卡系列芯片中的一员。是NXP 公司针对\"三表\"应用推出的一款低 电压、低成本、体积小的非接触式读写卡芯片
2024-02-29 15:56:58
1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
当我发送读取请求或 RDID 请求时，我没有收到从 FRAM 芯片返回的数据。
我不确定自己做错了什么。
我已经将我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行数据、串行数据附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
2024-01-23 18:17:51
517 
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03212 
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 mW。取消选择该器件时，CMOS待机电流小于200 A。 型号AT28C256-25FM/883功能描述电可擦除可编程只读存储器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
PY25Q64HA是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。该设备灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需要。
2023-11-29 16:45:57395 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM) 就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-10-19 09:28:15
内存地址空间是否一定大于所有物理存储器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
自举程序存储在 STM32 器件的内部自举 ROM 存储器（系统存储器）中。在生产期间由 ST编程。其主要任务是通过一种可用的串行外设（USART、CAN、USB、I2C 等）将应用程序下载到内部
2023-09-28 07:15:06
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM)就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-09-22 08:01:59496 
CW25Q64A(64M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。
25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。
它们非常适合将代码映射到RAM，直接从双/四SPI
2023-09-15 08:11:20
1. 描述 引脚排列
CW24C256B/512B是262144/524288位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用32768/65536 ×8位的组织结构，广泛应用于低电压和低功耗
2023-09-15 07:20:24
PB85RS128可替换MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（赛普拉斯）
2023-08-22 16:38:15
2 库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
1Mbit EXCELON™ F-RAM是业内首款车规级串行F-RAM存储器。 这两款新品已通过AEC-Q100 1级认证，支持更宽泛的温
2023-08-09 14:32:40397 
进入ST25DV64KC-DISCO的energyharvesting的选项来查看充电功率，然后用阅读器ST25R3911B-DISCO靠近ST25DV64KC-DISCO（dynamictag），显示
2023-08-07 11:01:50
PrimeCell静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备，由ARM有限公司开发、测试和许可。
SMC是一个AMBA从模块，连接到高级高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统外围设备，由ARM开发、测试和许可。SC054 ASB SMC是一个AMBA从模块，连接到高级系统总线
2023-08-02 07:39:45
GPIO口模拟SPI读写W25Q64的基本内容已经跟大家介绍完了，今天跟大家介绍下如何通过串口接收文件并保存到W25Q64中。
2023-07-22 11:11:39727 
ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS3600为带有64字节SRAM的安全监控电路，适用于要求安全存储密钥的应用，包括POS终端。64B的密钥存储器在后台持续检测氧化效应和内存抄印。一旦检测到篡改行为，将迅速清除密钥存储器，并产生负
2023-07-14 15:38:23
iButton®温度记录器(DS1922L/T)是坚固耐用的自供电系统，能够测量温度并将测量结果记录在受保护的存储器内。记录温度的频率由用户定义。总共可以保存8192个8位数据记录或4096个16
2023-07-14 09:24:23
iButton®温度/湿度记录器(DS1923)是坚固耐用的自供电系统，能够测量温度与/或湿度，并将测量结果记录在受保护的存储器内。记录频率由用户定义。总共可以保存8192个8位读数或4096个16
2023-07-14 09:18:41
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
带存储器的双路可寻址开关DS2406提供了一种简便的方法，通过1-Wire®总线远程控制一对漏极开路晶体管和回读每个晶体管的逻辑电平，从而实现闭环控制。每个DS2406都具有工厂刻度在片内的64位
2023-07-13 16:16:25
DS24B33是一款4096位1-Wire® EEPROM，存储器分为16页，每页256位。数据先写入32字节暂存器，经验证后拷贝到EEPROM存储器。DS24B33通过1-Wire总线通信，该通信
2023-07-13 11:39:12
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
BCR25FM-12LB 数据表
2023-07-07 18:37:020 铁电存储器(FRAM)具有非易失性，读写速度快，没有写等待时间等优势，能够像RAM一样操作，低功耗，擦写使用寿命长，芯片的擦写次数为100万次，比一般的E2PROM存储器高10倍。特别适合在为工业
2023-06-29 09:39:03382 铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
************************************************* *************************************
* 详细说明：
* 这个例子的目的是展示如何保存数据在 SRAM 存储器中通过
2023-06-05 09:47:48
在单板设计中，无论是涉及到一个简易的CPU、MCU小系统或者是复杂的单板设计，都离不开存储器设计：
1、存储器介绍
存储器的分类大致可以划分如下：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统
2023-05-19 15:59:37
MAX17000A脉宽调制(PWM)控制器为笔记本电脑的DDR、DDR2、DDR3存储器提供完整的电源方案。该器件集成了一路降压控制器、一路可源出/吸入电流的LDO稳压器以及一路基准缓冲器，能够产生
2023-05-17 09:48:45
SPI系列（FM25）容量覆盖512Mb~4Gb，温度覆盖-40℃~+105℃。PPI系列为（FM29）容量覆盖2Gb~8Gb，温度覆盖-40℃~+105℃。
2023-05-11 15:08:56477 单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
下一阶段，复旦微电全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存储器全系列产品将覆盖64Kbit~2Mbit容量，FM25N将补全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。 FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于
2023-05-04 13:56:111160 
通过quad SPI接口选择FLASH存储器与RT1172一起使用时，应该将其设置为Buffer Read模式还是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553817 
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
FM25CL64B-DG
2023-04-06 23:34:59
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
内部引导模式。当我们尝试通过串行下载程序对熔丝进行编程时，出现错误，提示未找到外部存储器。我们如何在不读取 boot_cfc2[2:0] 并连接到外部存储器的情况下对保险丝进行编程？
2023-04-03 07:03:34
存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
FM25Q64-SOB-T-G
2023-03-29 21:49:25
FRAM存储器 I²C 3~5.5V 80μA SOP8_150MIL
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存储器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
EEPROM存储器 64K I2C™ 串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:27
FRAM存储器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
FRAM存储器 SOIC8_150MIL 1MHz 64kb
2023-03-27 13:53:02
FRAM存储器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
2023-03-27 13:53:02
FRAM存储器 SOIC8_150MIL 20MHz 64kb
2023-03-27 13:52:57
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:55
64 Kbit（8K×8）串行（I2C）F-RAM
2023-03-27 13:52:43
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:43
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:48:59
FRAM存储器 SOIC8_150MIL 40MHz 512KB
2023-03-27 13:45:05
FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 1Mb I²C 3.4 MHz 130 ns 8-SOIC
2023-03-27 13:44:55
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:40:59
64 K（8 K×8）位I2C存储器FRAM
2023-03-27 13:39:18
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:39:03
FRAM存储器 SOIC8_150MIL 1MHz 4 (512 x 8)KB VD=2.7V~3.65V
2023-03-27 13:26:46
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:17:07
FRAM存储器 通信接口:SPI 2Mbit 3V 40MHz SOP8_208MIL
2023-03-27 12:02:02
3 v 256位 串行快闪存储器 双/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
1.8 v 64位 串行快闪存储器 双/四spi和qpi
2023-03-27 11:55:03
3 v 64位 串行快闪存储器 双/四spi & qpi & DTR
2023-03-27 11:45:15
单片机程序存储器64KB是外扩的还是外扩加内部的呢？
2023-03-24 17:44:04
IC FRAM 64KBIT 20MHZ SPI 8SOIC
2023-03-23 07:35:37
EEPROM存储器 64K I2C™ 串行 SOIC8
2023-03-23 04:56:18
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