非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:15
14 
实现，引脚数量减少，功耗低，同时提供卓越的计算性能和对中断的高级响应。Arm®Cortex®-M4采用FPU内核，是一款32位RISC处理器，具有卓越的性能代码效率，在内存中提供Arm内核所期望
2024-03-12 09:39:01
和512 kB嵌入式高速闪存相结合。128位宽的存储器接口和独特的加速器架构支持以最大时钟速率执行32位代码。对于关键代码大小的应用，替代的16位Thumb模式可减少3
2024-02-26 10:21:32
ZCC4650 是一款双通道 25A 或单通道 50A 输出开关模式降压型 DC/DC uModule (电源模块) 压器。封装中内置了开关控制器、功率 FET、电感器和所有的支持组件。ZCC4650 可在一个
2024-02-17 16:40:26
与主存储器（内存）和辅助存储器（外存）有不同的特点和应用场景。 首先，我们来详细了解ROM的特点和分类。ROM是一种非易失性存储器，这意味着即使在断电或重启系统后，存储在ROM中的数据仍然保持完整。这是由于ROM的存储单元是由非可更改的电路或栅电势器构成
2024-02-05 10:05:10743 1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存储器），又称为SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）；另一种是Non-volatile RAM（非易失性存储器），又称
2024-01-12 17:27:15513 准备设计一款输入48V，输出12V/20A有源钳位正激电源，在使用ADP1051时，遇到了一些问题，烦请帮忙解答。
1.ADP1051与PC机无法连接。ADP1051外围电路参考数据手册及应用手
2024-01-08 07:38:51
如何充分利用单片机（MCU）的非易失性存储器 单片机（MCU）的非易失性存储器（NVM）是存储数据和程序的重要组成部分。它可以保留数据，即使在断电或复位后也不会丢失。为了充分利用MCU的NVM，我们
2023-12-15 10:10:49507 。
0x0000 0xXXXX NOP指令0会通过SDO输出16位字，其中最后4位包含控制寄存器的内容。如果位C3 = 1，则熔丝编程命令成功。
这么做读出的是控制寄存器的内容，而不是存储器的内容
2023-12-06 06:04:03
电子发烧友网站提供《基于非易失性存储器的数字电位器的多功能可编程放大器.pdf》资料免费下载
2023-11-24 16:04:35
0 闪速存储器 （Flash Memory）简称闪存器或闪存，是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash）和与非闪存
2023-11-23 09:36:17914 
半导体存储器用于数据存储。按照电源在关断后数据是否依旧被保存的方式区分，存储器可分为非易失性存储器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存储器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 G2406C1.5MHz，1A高效降压DC-DC转换器
概述:
G2406C是一款高效的直流-直流降压开关稳压器，能够提供高达1A输出电流。G2406C在2.7V至5.5V的宽范围输入电压下工作，使
2023-11-11 10:45:51
单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
是一款 USB3.2 Gen1X1接口的 的 4 口 口 HUB控制器 芯片， 片成 上集成 32
位 微处理器， 它具有低功耗 、 高性能 、 可配置 等特点 ；芯片 集成 USB3.0高速物
理层
2023-10-20 18:20:58
内存地址空间是否一定大于所有物理存储器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
神奇arduino：用a4纸自制一款手势鼠标项目文档请下载附件哦
2023-10-10 06:14:22
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要对两种常见的非易失性存储器——NAND Flash和NOR Flash进行了详细的比较分析。从存储容量、性能、成本等方面进行了深入探讨，以帮助读者更好地理解这两种存储器的特性和应用。
2023-09-27 17:46:06490 与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 由于车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
1. 描述 引脚排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用4096/8192/16384×8位的组织结构
2023-09-15 07:53:08
1. 描述 引脚排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用32768/65536 ×8位的组织结构，广泛应用于低电压和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引脚排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行电可擦除只读存储器（EEPROM），分别采用256/512/1024×8位的组织结构，广泛应用于低电压
2023-09-15 06:53:34
Gbyte)、16或32位LPDDR2/LPDDR3或DDR3/DDR3L高达533 MHz的外部存储器。
STM32MP151A/D器件集成了708千字节内部SRAM的高速嵌入式存储器(包括256
2023-09-13 07:23:32
系统架构
多层AHB总线矩阵
存储空间
存储器映射
片上SRAM
位带操作
片上闪存
自适应闪存加速器（STM32F2新增）
启动模式
代码空间的动态重映射（STM32F2新增）
内嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
Flash存储器是一种非易失性存储器，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。
2023-09-09 16:22:282617 Cortex-A72处理器是一款实现ARMv8-A架构的高性能、低功耗处理器。
它在带有L1和L2缓存子系统的单处理器设备中具有一到四个核心。
下图显示了四核Cortex-A72处理器配置的示例框图。
2023-08-25 06:27:45
随着高速数据通信的进步，数据更频繁地发送意味着对非易失性存储器的需求增加，因为非易失性存储器可以承受这种频繁的数据操作。铁电存储器是具有物联网新时代所要求的高读写耐久性和快速写入速度的理想存储设备
2023-08-24 10:05:59
技术，每种技术都具有不同的特性和高级功能。双数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 已成为主系统存储器最主流的存储器技术，因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、无限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
Cortex-A8处理器是一款高性能、低功耗、高速缓存的应用程序处理器，可提供完整的虚拟内存功能。
该处理器的功能包括：
·完全实现ARM体系结构v7-A指令集·具有高级可扩展接口(AXI)的可配
2023-08-17 07:43:12
Cortex-A15 MPCore处理器是一款高性能、低功耗的多处理器，采用ARMv7-A架构。
Cortex-A15 MPCore处理器在具有L1和L2缓存子系统的单个多处理器设备或MPCore设备中具有一到四个Cortex-A15处理器。
2023-08-17 07:37:22
Cortex-A5处理器是一款高性能、低功耗的ARM宏单元，具有提供完整虚拟内存功能的一级高速缓存子系统。
Cortex-A5处理器实现了ARMv7架构，并在Jazelle状态下运行32位ARM指令、16位和32位Thumb指令以及8位JAVA™字节码
2023-08-17 07:16:41
Cortex-A17 MPCore处理器是一款高性能、低功耗的处理器，采用ARMv7架构。
Cortex-A17 MPCore处理器在带有L1和L2高速缓存子系统的单个多处理器设备中具有一到四个处理器。
2023-08-17 07:06:31
Cortex-A9处理器是一款高性能、低功耗的ARM宏单元，具有提供完整虚拟内存功能的一级高速缓存子系统。
Cortex-A9处理器实现ARMv7-A架构，并在Jazelle状态下运行32位ARM
2023-08-17 06:53:00
Cortex®-A77内核是一款高性能、低功耗的ARM产品，可实现。
ARM®V8-A架构。
Cortex®-A77核心支持：
·ARM®v8.2-A扩展。
·可靠性、可用性和可维护性(RAS)扩展
2023-08-08 07:17:20
Cortex®-A76内核是一款高性能、低功耗的ARM产品，采用ARM®V8-A架构。
Cortex®-A76核心支持：
·ARM®v8.2-A扩展。
·可靠性、可用性和可维护性(RAS)扩展
2023-08-08 07:05:05
新宇宙™ V1核心是一款高性能、低功耗的Arm产品，实现了Arm®v8-a架构。
新宇宙™ V1核心支持：
•Arm®v8.4-A扩展。
•可靠性、可用性和可服务性（RAS）扩展•统计分析扩展
2023-08-08 06:21:50
富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存储器串行接口系列中密度最高的产品。目前已实现量产产品。 在不断变化的环境中，随着传感器信息数据量的增加和边缘计算的扩展，客
2023-08-04 11:55:04339 
Cortex-A9处理器是一款高性能、低功耗的ARM宏单元，具有L1缓存子系统，可提供完整的虚拟内存功能。Cortex-A9处理器实现ARMv7-A架构，在Jazelle®状态下运行32位ARM指令、16位和32位Thumb®指令以及8位Java字节码。
2023-08-02 16:29:35
PrimeCell静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备，由ARM有限公司开发、测试和许可。
SMC是一个AMBA从模块，连接到高级高性能
2023-08-02 12:21:46
的内核，该单元为标记为共享的存储器维护L1数据缓存一致性。Cortex-A5 MPCore处理器实现ARMv7体系结构，运行32位ARM指令、16位和32位Thumb指令以及8位Java
2023-08-02 10:00:07
本文档描述了ARM用于A级系统的地址映射，来自模型和模拟器到开发板和复杂的SoC。
它解释了存储器、外围设备和扩展的地址分区选择空间。
它描述了当32位平台操作系统使用36位或40位地址空间，以及32位总线主控器和外围设备。
它将存储器映射扩展到未来64位ARM系统的48位地址空间，
2023-08-02 08:19:29
SC054 ASB静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统外围设备，由ARM开发、测试和许可。SC054 ASB SMC是一个AMBA从模块，连接到高级系统总线
2023-08-02 07:39:45
可访问外部存储器的AHB端口。AHB端口具有到内存控制器的桥接接口。有一个单独的AHB端口用于配置内存控制器。SMC的特定配置被实例化以针对特定存储器设备。图1-1显示了AHB MC（PL241）配置
2023-08-02 07:14:25
（SMC）。AHB MC有四个可访问外部存储器的AHB端口。每个AHB端口都有一个到内存控制器的桥接接口。有一个单独的AHB端口用于配置内存控制器。SMC和DMC的特定配置被实例化以针对特定存储器设备。图1-1显示了AHB MC（PL242）配置
2023-08-02 06:26:35
HC89F0431A/0421A/0411A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内 部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 15:43:46
电子发烧友网站提供《MR16 EMC的参考设计.pdf》资料免费下载
2023-07-24 10:52:050 ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
iButton®温度记录器(DS1922L/T)是坚固耐用的自供电系统，能够测量温度并将测量结果记录在受保护的存储器内。记录温度的频率由用户定义。总共可以保存8192个8位数据记录或4096个16
2023-07-14 09:24:23
iButton®温度/湿度记录器(DS1923)是坚固耐用的自供电系统，能够测量温度与/或湿度，并将测量结果记录在受保护的存储器内。记录频率由用户定义。总共可以保存8192个8位读数或4096个16
2023-07-14 09:18:41
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
带存储器的双路可寻址开关DS2406提供了一种简便的方法，通过1-Wire®总线远程控制一对漏极开路晶体管和回读每个晶体管的逻辑电平，从而实现闭环控制。每个DS2406都具有工厂刻度在片内的64位
2023-07-13 16:16:25
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
片选提供了许多选项，可以在每个片选上设置这些选项，以允许连接到各种外部器件。存储器映射的外部片选区域地址从 0x60000000 开始。有关更多详细信息，请参见《硬件用户手册》。 8.5.1 使用外部16位存储器器件 连接具有字节选择线的外部16位存储器器件时，将MCU的A1连接到存
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存储器的发展历程 继续关于存储器的发展回顾，上期我们回顾了非易失性存储器的发展史，本期内容我们将回顾易失性存储器的发展历程。易失性存储器在计算机开机时存储数据，但在关闭时将其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半导体存储器一般可分为易失性(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non Volatile Memory)。易失性存储器是指数据信息只有在通电条件下才能保存，断电后数据会丢失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存储的数据在断电后依然存在，不会丢失，因此也被称为非易失性存储器。而RAM是易失性存储器，当断电时，其中的数据将会丢失。
2023-06-20 16:38:442016 作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织方式为256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
MRAM是一种新型的非易失性存储器技术，与传统的存储器技术相比，MRAM具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。
2023-05-23 17:34:15395 我使用 Wemos D1 mini 制作了一款简单但具有挑战性的游戏。
我尽量使说明尽可能详细，但如果您对此有任何疑问，请告诉我。
您所要做的就是将魔杖从电线的一端拿到另一端。它有一个 OLED
2023-05-23 06:14:41
在单板设计中，无论是涉及到一个简易的CPU、MCU小系统或者是复杂的单板设计，都离不开存储器设计：
1、存储器介绍
存储器的分类大致可以划分如下：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统
2023-05-19 15:59:37
我们想在 16 位模式下使用带 DDR4 的 LS1043A 定制板。关于这一点，请按照附件文档确认 LS1043A 和 DDR4 之间的接口连接。
16位模式下MA14\\\\MBG1有什么用。
2023-05-17 11:21:19
MAX17000A脉宽调制(PWM)控制器为笔记本电脑的DDR、DDR2、DDR3存储器提供完整的电源方案。该器件集成了一路降压控制器、一路可源出/吸入电流的LDO稳压器以及一路基准缓冲器，能够产生
2023-05-17 09:48:45
描述♦ BL24CM2A提供2097152位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为262144字，每个8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-16 17:42:25
描述♦ BL24CM1A提供1048576位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为131072字，每位8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-16 17:32:07
单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
首个非易失性存储器是PROM（可编程只读存储器），以及与之密切相关的EPROM（可擦写可编程只读存储器）。最初的PROM产品在1967年由贝尔实验室提出，并于1971年由英特尔进一步开发。
2023-05-10 11:03:57408 通过quad SPI接口选择FLASH存储器与RT1172一起使用时，应该将其设置为Buffer Read模式还是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。在第十三章以及第二十七章，已讲解存储器到存储器传输方式以及存储器到外设传输方式，本章将讲解DMA外设到存储器传输方式。使用串口1作为外设，通过串口调试助手等向开发板发送数据，数据会被返回给开发板并通过串口调试助手显示。
2023-04-20 16:37:41
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。前面已讲解过关于存储器到存储器数据传输方式，本章将讲解存储器到外设的传输方式以及在下一章将会讲解外设到存储器的传输方式
2023-04-20 16:35:13
基本上，我想将数据写入/读取 I.MX RT1170 评估板中的非易失性存储器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例应用程序可供参考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
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