FRAM_READ_INST0x03 //读存储器数据
#define FRAM_WRITE_INST0x02//写存储器数据
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
光伏逆变器拓扑概述及关键技术
2024-02-21 09:47:20
197 
当我发送读取请求或 RDID 请求时，我没有收到从 FRAM 芯片返回的数据。
我不确定自己做错了什么。
我已经将我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行数据、串行数据附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
FeRAM在汽车行驶记录仪中应用:
存储实时的数据如速度、刹车.
推荐型号：MB85RS64T
·非易失性存储器
·高可靠性
·FeRAM无需写等待，快速读写
·低功耗，静态电流小于10uA
·无限次的擦写次数(一万亿次)
2024-01-02 15:46:16314 
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 x86-64:又简称为x64，最初开发为1999年AMD，为了扩充IA64。当时的x86-64架构诞生颇有时代意义，处理器的发展遇到了瓶颈，内存寻址空间由于受到32位CPU的限制而只能最大到约4G。于是就有了x86-64。后被INTEL所采用。
2023-12-10 14:48:511372 看出来采集信息的变化则需要存储更多的数据，请问有什么办法能存储超过64K的样本数据吗？下面是我实验采集的图，第一个图是
9M时钟采样10M被测信号；第二个图是9．999M时钟采样10M被测信号。
希望您能抽出时间帮忙解答，非常感谢您。
2023-12-04 08:32:30
PY25Q64HA是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。该设备灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需要。
2023-11-29 16:45:57397 
FLASH存储器 64MB SPI NOR FLASH 2.7V~3.6V
2023-11-28 15:09:06
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
易失性存储和精确的实时时钟，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于该存储系统中。铁电存储器PB85RS2MC在系统主要是实现数据的非易失性存储和的实时时
2023-11-27 10:17:05
电表作为一个计量用电量的仪器，电表的精度不但与检测芯片的精度有关，而且与其存储方式有关，如果检测到的电量数据不能随机写入存储器或写入存储器过程出错电表的精度就会大大降低。 在智能电表数据
2023-11-21 09:59:20
其他存储器 64GB 2.7V~3.6V
2023-11-17 14:41:09
要考虑到电能系统复杂多变的环境、低功耗、读写操作频率和断电保存的能力。目前符合电能质量监测系统存储要求的是国产PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），两款
2023-11-17 10:28:51
51单片机外部ram和rom能同时接64k吗，一般都是rom64kram32k，请问同时试用控制线怎么接
2023-11-09 07:44:11
W25Q64 将 **8M** 的容量分为 **128 个块（Block）** ，每个块大小为 **64K 字节** ，每个块又分为 **16个扇区（Sector）** ，每个扇区 **4K 个字节** 。
2023-10-24 09:50:49547 
的非易失性存储器，既可以进行非易失性数据存储，又可以像RAM一样操作。
本文将借助飞凌嵌入式OK3568-C开发板来为大家介绍一种采用FRAM的方案——使用SPI0挂载PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
温度：-40°C ~ +85°C
存储器组织结构：
- CW24C32A, 4096 × 8 (32K 位)
- CW24C64A, 8192 × 8 (64K 位)
- CW24C128A
2023-09-15 07:53:08
存储器组织结构：
- CW24C256A, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512A, 65536 × 8 (512K 位)
2 线串行接口
施密特触发器，过滤输入，实现
2023-09-15 07:45:35
存储器组织结构：
- CW24C256B, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512B, 65536 × 8 (512K 位)
2 线串行接口
施密特触发器，过滤输入，实现
2023-09-15 07:20:24
高达48 MHz的ARM®Cortex®-M0+内核、高速嵌入式存储器(高达64K字节的闪存和高达8K字节的SRAM)，以及各种增强型外设和I/O。
所有器件均提供标准通信接口(三个UART、一个SPI
2023-09-14 08:54:22
CW32L031 是基于 eFlash 的单芯片低功耗微控制器，集成了主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌入式存储器（多至 64K 字节 FLASH 和多至 8K
2023-09-14 08:26:49
CW32L052 是基于 eFlash 的单芯片低功耗微控制器，集成了主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌入式存储器（多至 64K 字节 FLASH 和多至 8K
2023-09-14 06:28:26
FLASH存储器 64Mb WLCSP8_4X2MM 1.65V~2V 133MHz
2023-09-05 10:19:13
Banana Pi BPI-M64 全志A64开发板硬件原理图
以下是 Banana Pi BPI-M64 开发板的主要特点：
1. 处理器：搭载了全志 A64 四核 Cortex-A53
2023-09-04 16:52:36
1 PB85RS128可替换MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（赛普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 PB85RS2MC可替换MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（赛普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 发出警报声。 本文主要介绍国产铁电存储器PB85RS2MC用于医疗生命监护仪的存储方案中。对于这些应用，铁电存储器与EEPROM相比可以更频繁地写入，设备可以
2023-08-16 10:30:26
内核：ARM®Cortex®-M0+–最高主频64MHz•工作温度：-40℃至105℃；工作电压：1.65V至5.5V•存储容量–64K字节FLASH，数据保持25年@85℃–8K字节RAM，支持
2023-08-09 10:42:020 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS2502P-E64相关产品参数、数据手册，更有DS2502P-E64的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS2502P-E64真值表，DS2502P-E64管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-08-07 18:30:24
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2023-08-04 19:06:01
W25Q64 将 8M 的容量分为 128 个块（Block），每个块大小为 64K 字节，每个块又分为 16个扇区（Sector），每个扇区 4K 个字节。
2023-07-22 11:09:092643 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
R1EX24064ASAS0I/R1EX24064ATAS0I 数据表 (Two-wire serial interface / 64k EEPROM (8-kword x 8-bit) )
2023-07-13 19:34:320 8051单片机使用8位数据总线，因此它们最多可以支持64K的外部数据存储器和64k的外部程序存储器。总的来说，8051单片机可以寻址128k的外部存储器。
2023-07-07 12:31:33736 
记录仪器、数据采集、可移动数据存储器等方面的应用。本文主要介绍铁电存储器PB85RS2MC在智能配电箱中的应用。
2023-06-29 09:39:03382 的信息不会丢失，且锂电池还存在使用寿命的问题，所以当使用了FRAM（铁电存储器）上述问题就将迎刃而解。将国产FRAM PB85RS128替代以前SRAM组成的显示屏
2023-06-28 11:43:30
，铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据，特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合，而且与其MCU接口电路简单，应用方便，本文介绍了国产铁电存储器PB85RS2MC在其多MCU系统中的应用。
2023-06-20 14:19:25391 
我定义了一个64K字节的数组，如果把数组定义成Const常量，编辑之后运行都正常。
但如果把数组定义成变量数组，可以编译（占的空间比较大：Program Size: Code=8776
2023-06-13 08:36:12
和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，该芯片不需要电池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
任何人都可以帮助我面对像 lpc4337 闪存中的 sector13 一样无法将超过 8K 的数据写入 64k 的问题吗？即使是 64K 容量的扇区在闪存写入期间也只允许 8k 数据。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
/* 32K */ int_dtcm：起点 = 0x20000000，长度 = 0x000100 00 /* 64K *
/
int_sram : ORIGIN = 0x20400000, 长度
2023-06-07 08:21:37
使用国产铁电存储芯片PB85RS2MC是一种最理想的选择。该芯片不但在功能上正好满足上述要求，而且凭借独特的优点性能是其它存储器都无法达到的。
2023-06-01 10:59:48187 
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。 PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工
2023-05-26 10:14:23
PB85RS2MC应用框图 PB85RS2MC芯片为低功耗9微安（待机），工作电压2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的温度范围内工作，芯片的数据在85℃工作环境下可以保存10年，在25℃工作环境下可以保存200年，且具有防潮、防电击和抗震等特性，能满足恶劣的环境条件。
2023-05-25 10:08:41495 
铁电存储器硬件接线图传统的数据存储器，读写速度较慢，存储单元反复擦写后容易损坏，无法满足机舱油气浓度数据存储的要求，故此，国产铁电存储器可快速读写，擦写次数可达1E6 次读/写操作*1，是本方案最理想的选择。
2023-05-18 12:39:21137 
我想将 i.MX RT1024 与外部 64MB SDRAM 一起使用。根据数据表，它支持 8/16 位 SDRAM 外部存储器接口。从性能的角度来看，哪种模式更好？如何？如果有任何链接/参考可以通过此详细信息，请告诉我。谢谢
2023-05-05 11:17:30
PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，对标富士通和赛普拉斯从原料上能做到不含铅，无污染。
2023-04-20 11:29:57224 我们的 RAM (64k) 不足，现在当我将一些操作系统任务堆栈移动到系统 Ram (384K) 时，它会影响系统的性能。请让我知道如何进行。为系统 Ram 启用数据缓存会有帮助吗？如果是这样，请告诉我该怎么做？
2023-04-20 09:27:20
...................................117 结论....................................12插图清单图 5-1. 使用 LP873364 为支持 LPDDR4 存储器的 AM64x 供电
2023-04-14 16:40:42
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553818 
需配置且无需实时操作系统3.369coremark/MHz100%单周期指令，无需分支预测最高 200MHz 系统主频2 存储器：128KB SRAM可按需分配为：96K代码空间+32K数据空间64K
2023-04-10 11:52:16
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
随着万物智联时代的到来，智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 R1EX24064ASAS0I/R1EX24064ATAS0I 数据表 (Two-wire serial interface / 64k EEPROM (8-kword x 8-bit) )
2023-03-30 20:02:570 大家好，有人可以告诉我在哪里可以找到 20140530_k20dx128_k64f_if_mbed.bin 引导加载程序固件吗？我需要这个来完成 FRDM K64F 板的一些实验。如果您可以提供指向固件或 Github 云存储库的链接，那将非常有帮助。
2023-03-30 07:57:09
FRAM存储器 I²C 3~5.5V 80μA SOP8_150MIL
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存储器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 1M（128 K×8） 40MHz SPI
2023-03-29 20:47:53
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
窄带内存FRAM 512K（64 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:00
我已插入全新的 FRDM-K64F。我已经安装了 MCUXpresso SDK、IDE、配置工具和 (windows) 串行驱动程序。我已经编译了“hello world”演示。但是当我点击“调试
2023-03-29 06:30:07
FLASH存储器 SOIC8_208MIL 64(8Mx8)MB SPI-四 I/O 133MHz 2.7V~3.6V
2023-03-28 18:28:15
EEPROM存储器 64K I2C™ 串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:27
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SON
2023-03-28 00:13:59
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SOP
2023-03-28 00:13:59
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SOP
2023-03-28 00:13:44
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SON
2023-03-28 00:13:44
FRAM存储器 SOIC8_150MIL 1MHz 64kb
2023-03-27 13:53:02
FRAM存储器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
2023-03-27 13:53:02
IC FRAM 64KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:50
IC FRAM 64KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:49
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOP
2023-03-27 13:42:07
64 K（8 K×8）位I2C存储器FRAM
2023-03-27 13:39:18
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP
2023-03-27 13:36:52
1.8 v 64位 串行快闪存储器 双/四spi和qpi
2023-03-27 11:55:03
3 v 64位 串行快闪存储器 双/四spi & qpi & DTR
2023-03-27 11:45:15
存储器容量：64Kb (8K x 8) 存储器接口类型：I2C 工作电压：1.7V ~ 5.5V
2023-03-27 11:43:20
双线串行EEPROM 64K（8位宽）
2023-03-25 03:55:03
单片机程序存储器64KB是外扩的还是外扩加内部的呢？
2023-03-24 17:44:04
EEPROM存储器 64K I2C™ 串行 SOIC8
2023-03-23 04:56:18
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