到负面影响，尤其是中国地区的业务。 为了能够尽快的解决这一情况，英伟达方面透露，正在为中国开发新的合规芯片，但表示这些不会对第四季度的收入做出实质性贡献。 英伟达Q3 业绩大增 从此次英伟达的财报来看，其2024财年第三财季期内实现
2023-11-23 00:15:00
1919 （无需散热）可扩展超小体积，重量仅5g订货交期：1-2周 品牌：PICO 产品详情介绍AVP和AVN系列超高压输出电源模块是PICO公司的插入式
2024-03-20 20:08:16
70565重要参数 2 Ohm ~0K Ohm 400Hz ~250KHz 100 milliwatt at 1KHz重量仅1.5g提供插件和贴片封装订货交期：1-2
2024-03-20 20:05:32
黄仁勋回应中国市场问题 推出L20和H20芯片 在黄仁勋接受全球媒体采访时黄仁勋强调了中国市场的重要性。英伟达面向中国市场推出了L20和H20芯片，这些向中国出售的芯片将符合要求。而且黄仁勋表示
2024-03-20 15:45:38434 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 请问下 cyw920719b2q40evb 如何设置每一个蓝牙芯片的mac地址不一样呢？ 谢谢
2024-03-01 06:12:58
User Data?
Q2:如果Q1的结果是各区间无法缩减，那只剩下I2C EEPROM可以放置User Data?
Q3:另外是否能增加code Area的容量，大概可以增加多少?
2024-02-28 08:13:07
line删除?
我目前实验过的方式有透过CPU 把embedded line消除，
但因为资料搬动太大，导致没有画面输出。
Q2 : 我想把资料搬移改用DMA去做，想请问做得到吗?
Q3 : 因DMA
2024-02-28 08:11:23
\" Video 设备的\"屏幕截图。 从屏幕截图中可以看出，我的amcap.exe CAN 识别我当前的视频类型，FPGA输出2048 * 2048周期模式。
2024-02-26 08:36:23
Q1：flash的写接口函数一次性只能写一行（row）吗？
Q2：flash写之前必须要擦除吗？
Q3：调用写接口后，怎么查看flash内部的数据是否写成功？
2024-02-21 08:33:15
电子发烧友网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:03:24
0 **VBsemi CSD17308Q3-VB 产品详细参数说明：**- **丝印标识：** VBQF1310- **品牌：** VBsemi- **封装：** DFN8(3X3)- **通道类型
2024-02-19 15:17:40
苹果与高通达成协议，将调制解调器芯片（基带）的许可协议延长至2027年3月。这一决定由苹果单方面执行，凸显了苹果对高通技术的依赖。
2024-02-02 10:10:08246
小白对电路分析:Q5Q6控制电流方向，TIMERPH2 PH3 MTIOC3A为mcu的定时器。 首先Q5导通，Q6截止，电流经过Q4 Q3 从红色线圈过蓝色线圈回到Q5 漏极。
同时Q6导
2024-01-09 12:53:22
请问一下ADP1850/ADP1851 外部的DL/DH MOSFET为什么需要各摆2颗MOSFET,主要用途为何?为什么需要DL/DH需要各摆2颗?就以ADP1850的BSC0902NS
2024-01-09 07:33:10
采用了LTC3789推荐电路设计的一款12V电源，该电源用于整车上，输入电源即为蓄电池（7－16V），在GND采用了MOSFET作为防反接，负载为2－3R加热线，采用200HZ的PWM控制，但是
2024-01-05 07:30:21
各位大佬，
萌新一枚，在查LT8612的时候看到了这个原理图，研究了一下，有几个问题想不明白，请教一下各位大佬。
请问一下Q5的作用是什么，Q2和Q3是开关管吗，还有就是LTC3632的Iset的806K的电阻是是干嘛的，是设计上电时间的嘛
2024-01-05 06:36:59
根据全球主要的存储芯片原厂最新财报梳理可知：Q3整体库存仍处于较高水平，整体库存高位在Q1达到峰值，Q2有所回调，Q3下降相对明显。
2023-12-27 14:51:34159 
型号：CSD17579Q3A-VB丝印：VBQF1310品牌：VBsemi参数：- N沟道 MOSFET- 额定电压：30V- 最大持续电流：40A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：11m
2023-12-20 10:47:53
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路耐受时间（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us内。
2023-12-13 11:40:56890 
让IoT传感器节点更省电：一种新方案，令电池寿命延长20%！
2023-11-30 17:12:17317 
USB线如何快速延长？USB延长线太长会有影响吗？USB延长线带电源怎么使用？ USB（Universal Serial Bus，通用串行总线）是一种常见的数字通信接口，用于连接电脑和其他外部设备
2023-11-28 15:51:011591 据芯八哥不完全统计，在2023年前三季度，A股主控芯片、存储器、模拟芯片、功率器件、传感器、通信芯片、被动器件等7大细分行业中，仅功率器件和被动器件表现较好，其余赛道和去年相比，业绩同比下滑明显；而在今年Q3季度，受此前库存管控的影响
2023-11-22 16:22:19544 
铠侠公司为应对存储芯片价格的持续下跌，从2022年10月开始采取了将晶片减产30%的措施。2023年q3的nand闪存价格将比q2上涨5%至9%，出货量将比前一个月减少10至14%。以美元为准，nand闪存价格将比前一个月上涨0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 近段时间生产线上的K型温度传感器时不时报错，不能正常显示温度值，现场的温度传感器距离电柜有10米左右距离，且要过地沟，地沟内环境不是很好，潮湿有时还存在水，热电偶本身线3米，通过接线端子过渡再加一段
2023-11-15 07:57:53
经历漫长的下行周期之后，存储芯片市场价格止跌，部分型号存储芯片价格出现反弹，该行业的疲软需求可能终于触底。
2023-11-14 10:47:57617 MHz,
这个条件的意思是实际上这两个指标并没有实际测试，只是在上述测试条件下，测试出此时的输出2阶交调和3阶交调分量，然后通过公式计算得到的。
请问，我的理解对么？能给出相关的计算过程么？
2023-11-13 13:52:34
三星电子的核心半导体、半导体部门q3继上季度（4万4000亿韩元）之后，出现了3万7500亿韩元的营业亏损。这是因为虽然dram和nand的价格出现恢复势头，但由于存储器市场低迷，无法避免亏损，再加上智能手机和电脑的需求减少。
2023-10-31 14:39:22428 怎么才能延长这个读写寿命
2023-10-24 07:50:49
GDZ6V2LP3Q 产品简介DIODES 的GDZ6V2LP3Q这款适用于需要特定变更控制的汽车应用；该部件符合 AEC-Q101 标准，具有 PPAP 能力，并在 IATF
2023-10-23 09:33:03
如何延长FLASH的读写寿命?
2023-10-23 06:46:23
最大占空比和PWM频率的振荡器。它还具有开机可编程软启动时间、短路PMOS关闭和自动重新启动保护功能。
特征
精密反馈参考电压：0.5V（2%）
宽电源电压工作范围：3.6至20V
低电流消耗：3
2023-10-19 14:19:01
在读写次数不变的情况下，如何尽可能的延长flash读写寿命
2023-10-13 07:22:56
D3V3Q1B2LP3 产品简介DIODES 的 D3V3Q1B2LP3 这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合
2023-10-11 09:47:55
恒流输出电源芯片20W电路图
2023-10-07 09:18:390 2N7002Q 产品简介DIODES 的 2N7002Q该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准，并由 PPAP 支持。 产品规格
2023-09-25 14:34:57
DMTH6005LK3Q 产品简介DIODES 的 DMTH6005LK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AECQ101 资格并得到 PPAP 支持。
2023-09-20 19:31:41
DMTH6004SK3Q 产品简介DIODES 的 DMTH6004SK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AECQ101 资格并得到 PPAP 支持。
2023-09-20 16:54:39
FP6102 20V、3A降压开关调节器芯片
一般说明
FP6102是一种用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP6102包括高电流P-MOSFET，用于将输出电压与反馈放大器进行比较
2023-09-19 14:36:57
DMTH3004LK3Q 产品简介DIODES 的 DMTH3004LK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AECQ101 资格并得到 PPAP 支持。
2023-09-19 14:01:02
DMPH3010LK3Q 产品简介DIODES 的 DMPH3010LK3Q 这种MOSFET是为满足汽车应用的严格要求而设计的。它符合AEC-Q101的要求，并得到PPAP的支持
2023-09-15 15:28:32
DMP4015SK3Q 产品简介DIODES 的 DMP4015SK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准，受 PPAP 支持，非常适合
2023-09-14 19:38:09
DMP4011SK3Q 产品简介DIODES 的 DMP4011SK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。
2023-09-14 12:37:28
DMP4010SK3Q 产品简介DIODES 的 DMP4010SK3Q 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效
2023-09-14 11:43:55
9月12日，据《韩国经济日报》报导，三星电子近期与客户（谷歌等手机制造商）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
2023-09-14 10:56:18206 随着行动内存芯片市场迹象显示出复苏迹象，并且最早在第四季度供不应求，三星电子已宣布将提高动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存芯片的价格，幅度达到10%~20%。 韩国经济日报报道，知情人
2023-09-13 14:22:34486 STEVAL-IPMNG3Q 是一种基于 SLLIMM™-nano（小型低损耗智能成型模块）第 2 系列产品（STGIPQ3H60T-H）的紧凑型电机驱动电源板。该产品为驱动大功率电机提供了一种经济
2023-09-13 07:01:19
DMP3007LK3Q 产品简介DIODES 的 DMP3007LK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。
2023-09-12 19:05:20
DMN4030LK3Q 产品简介DIODES 的 DMN4030LK3Q 这种MOSFET的设计满足汽车应用。它符合 AEC-Q101 标准，并由 PPAP 支持。 产品规格
2023-09-08 16:58:16
快速订制需求，同时交期短、供货快。主要应用于200G/400G PAM4高速业务的通信领域。产品特点芯片COC全工艺国产，自主可控低噪声，高灵敏度性价比高，交期短
2023-08-28 15:37:05
供应AP2080Q 30A 20V耐压mos DFN3*3封装，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP2080Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 16:43:18
新唐有过AEC-Q100认证的MCU没,适合前装或者后装的芯片?
2023-08-21 06:48:09
DMA-330周期型号是一款高性能、面积优化的SDRAM或移动SDR内存控制器，可为DMA传输提供AXI接口。
它由两个APB接口编程和控制，一个在TrustZone安全模式下运行，另一个在非安全
2023-08-16 06:41:45
50瓦Mosfet放大器的第一级是基于晶体管Q1和Q2的差分放大器。电容器 C8 是直流输入去耦，C1 R1 限制输入电流，并且电容器旁路不需要的高频。第二级由导频相晶体管Q3和Q4组成。输出级是基于MOSFET IRF9530和IRF530的互补推挽级。
2023-08-11 17:44:50978 
随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:49854 
所用的表面光洁度。有些表面处理具有较长的保质期，而另一些则不然。
PCB 组装可延长 PCB 保质期
当生产商将 PCB 交付给各自的客户时，要做的一件重要的事情就是对 PCB 组装进行 IQC
2023-07-30 17:16:19
最新研究报告表明，电视面板价格正在持续上涨，并预计未来的趋势将继续上涨。自2023年2月以来，各尺寸电视面板的价格已经累计上涨超过20%，超过了面板厂商的总成本。
2023-07-24 16:37:18826 根据介绍，明确新能源汽车车辆购置税减免政策延长4年，即延长至2027年12月31日。其中——对在2024年1月1日至2025年12月31日期间购置的新能源汽车免征车辆购置税，每辆汽车免税额不超过3万元。
2023-07-20 15:52:17576 UPA2600T1R 数据表 (N-CHANNEL MOSFET / 20 V, 7.0 A, 13.8 m-Omega)
2023-07-13 19:54:300 UPA2631T1R 数据表 (P-CHANNEL MOSFET / -20 V, -6.0 A, 32 m-Omega)
2023-07-13 19:54:050 今年Q3，存储产品价格有望迎来拐点。
2023-07-03 10:48:31613 SBRT05U20S3Q 产品简介DIODES 的 SBRT05U20S3Q 采用紧凑型SOD323包装提供超低正向电压降（VF）和在高温下提供优异的低反向泄漏稳定性。它非常适合用作整流
2023-06-13 18:03:15
高速公路服务区的重要基础设施，确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
我正在设置 2 个带 imx8mp 主板的级联 SJA1105Q 芯片。我们设法升级到 linux 内核 6.1.1 以获得更多 SJA1105Q DSA 驱动程序更新。现在我们可以让级联的DSA
2023-05-29 06:30:57
热点新闻 1、三星、SK海力士在华晶圆厂将获美国延长“豁免期” 据最新报道，美国拜登政府已经向韩国领先的芯片公司发出信号，表示将延长允许它们将美国芯片制造设备运往中国的许可，称这是对盟友的让步，也是
2023-05-11 20:16:37632 
到货，部分型号较于1月初降价明显。而部分难以替换的汽车芯片依旧热门，交期目前52周起步，价格居高不下；即便有低价货流入市场也是被光速清货，如用于车身稳定系统的L9369、用于安全气囊的L9680等等
2023-05-10 10:54:09
我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 -
代码：全选#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅MOSFET消除了JFET区
2023-04-27 11:55:023037 
点式漏水传感器，采用交变电流采集积水的电感参数，电极即使长时间浸泡，也不会发生电泳极化，不依赖特殊电极，做到寿命长，检测可靠。
网上看到的定义，请各位指教一下，交变电流采集积水的电感参数，是怎么实现的？
2023-04-26 11:58:09
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
您能否建议如何对 HT2DC20S20 dfevice 进行编程？ 你能推荐一个硬件工具吗？
2023-04-11 06:51:01
如何解决PCB制造中的HDI工艺内层涨缩对位问题呢？
2023-04-06 15:45:50
封装MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。KM3134K是一款20V750mA的N-MOSFET，KM3139K则是-20V-660mA的P-MOSFET，两款器件
2023-04-04 16:10:39987 
，左下为6个MOS的PWM波形。 第一扇区 状态一： Q1/Q2/Q6导通，此时不存在续流，电流流向用红色手绘线表示 状态二： 在此位置Q3即将打开，Q6关闭。为了避免出现上下直通，需要插入死区
2023-04-04 15:36:31
快速成长，报bom是不二选择，这个我会在第2点说）炒料：是原厂交期长，然后渠道，香港现货，分货等，都被一家或者数家公司一起吃掉，如果遇到这种型号，你去找型号，发现一个型号有N家公司有现货排名，且报价
2023-04-03 14:13:19
《致敬未来的攻城狮计划》第2期摘要：一个崭新的计划，寻找那群有志于向嵌入式发展的未来工程师！1 活动计划初衷**《致敬未来的攻城狮计划》来源于架构师李肯的一个念想，我一直在寻找那群渴望学习并专注于
2023-04-03 13:31:36
UPA2600T1R 数据表 (N-CHANNEL MOSFET / 20 V, 7.0 A, 13.8 m-Omega)
2023-03-31 18:48:290 UPA2631T1R 数据表 (P-CHANNEL MOSFET / -20 V, -6.0 A, 32 m-Omega)
2023-03-31 18:48:160 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片内部使用的 MOSFET 的 IV 特性，该 MOSFET 开关用于数据输出链中的反向散射。有人可以提供这些数据吗？非常感谢~
2023-03-31 07:53:20
”是什么意思？我找不到它的缩写。Q3:SDRAM 的 Bank Address Bits (BA0 and BA1) 到底是什么意思？为什么SRAM/NAND/NOR/DBI没有BA0和BA1。我找不到 BA 的确切定义。
2023-03-29 08:09:01
或反向地施加到电动机上，从而实现正向、反向转动和制动等功能。 该电路由四个独立开关管（MOSFET）组成，在H桥电路中，两个开关管组成一对，如上图所示。当我们接通Q1和Q4，关闭Q3和Q2时，电源
2023-03-27 16:28:00
、S32K144EVB-Q100和S32K142EVB-Q100有什么区别吗，我查了两块板子的datasheet，两块板子的特性没有区别。（只有芯片）2. 我可以通过 MC33771C/772C 评估 GUI 下载 S32K142EVB-Q100 的 SREC 3. FRDM33771CSPEVB 是否有示例代码？
2023-03-27 06:52:10
我想索取S32K3X4EVB-Q172开发板的3D模型。我已经下载了硬件设计文件，但没有包含 3D 模型。你能给我一份 .step 格式的吗？
2023-03-24 07:12:57
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