您好，我的应用程序大于1MB后，勾选IROM2后，下载失败，提示：Load linking...Program Size: Code=225528 RO-data=866252 RW-data
2024-03-22 07:58:13
电子发烧友网站提供《40V、8mΩ 单通道智能高侧开关TPS1HB08-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-18 18:18:52
0 国产高端FPGA芯片有多种，以下是一些知名的国产FPGA芯片，
2024-03-15 14:01:06
147 MEMORY CARD SRAM 1MB
2024-03-14 22:15:42
MEMORY CARD SRAM 1MB
2024-03-14 22:15:42
独立双核，32位CPU
主频150MHz
flash 1MB ,SRAM1MB
单精度浮点运算FPU
三角函数运算TMU
24个增强型外设ePWM
16个高分辨率HRPWM（150PS）
3个12位ADC，采样率3MSPS
2024-03-11 14:52:13
云塔科技（安努奇）发布世界首个LB/MB/HB/UHB四工器，基于云塔自主知识产权的SPD技术，其芯片制程工艺实现100%国产化。
2024-03-11 11:33:39233 随着新能源汽车和自动驾驶的飞速发展，汽车电源芯片在应用中出现较多EMI问题
2024-03-01 09:19:02818 
复用模式写时序图
SRAM写时序参数，看-55的
SRAM写时序1，有删减
.SRAM写时序2
锁存器74LVC273参数，算上上升沿和下降沿，延迟至少11ns
其中sram
2024-01-04 10:46:19
Star MCU , up to 192 MHz - Memories - 1MB SRAM - SiP 8 MB/16 MB Flash - 8 MB H S PSRAM in R128
2023-12-26 10:57:00314 当今时代，以数字化、网络化、智能化为特征的第四次工业革命正在进行，伴随着国内汽车新能源的普及，加速了国产高安全芯片的快速发展，D9360是芯驰推出的一款六核CPU的高度集成、低功耗化、高安全性芯片
2023-12-22 18:07:58
AD9122的内部时钟HB1_CLK、HB2_CLK、HB3_CLK的频率是多少呢？
2023-12-21 06:51:22
据了解，恒烁股份公司的nor flash产品覆盖1mb~256mb容量的再系列产品，可以满足大容量、中小容量顾客的需求，目前公司的重大容量产品销售比小容量产品占更多的比重。
2023-12-04 09:46:29204 超低价、超灵活、超全能!飞凌嵌入式FET113i-S全国产核心板正式发布!整板采用100%国产工业级元器件，含税价最低仅需88元!
FET113i-S核心板基于全志T113-i工业级处理器开发
2023-11-20 16:32:40
EMI骚扰源有啥特征呢？为何du/dt和di/dt是产生骚扰的条件？ EMI（Electromagnetic Interference，电磁干扰）是指电磁场中的电荷、电流和场的变化引起的一系列电磁波
2023-11-17 15:00:59589 9LPRS501 数据表
2023-11-14 18:30:360 9LPR501 数据表
2023-11-14 18:30:190 在现代电子设备的制造过程中，电磁干扰（EMI）成为了一个不可忽视的问题。特别是在集成电路的设计和生产过程中，随着电子设备的普及和发展，电磁干扰（EMI）对芯片性能的影响变得越来越重要，而芯片
2023-11-11 08:30:49460 
有些简单的异步SRAM芯片为了与CPU配合使用可能只需要一个3.3V的电源
2023-10-31 11:40:072014 
*附件：和芯润德 USB3.0HUB 设计资料.rar
推荐一款国产 USB3.0 HUB芯片，型号SL6340
推荐一款国产3.0HUB，型号SL6340，是一款由和芯润德科技自主研发的国产
2023-10-20 18:20:58
stc8g1k08的硬件i2c可以从机模式吗
2023-09-20 06:38:16
一、特性参数
1、独立双核，32位CPU，单核主频400MHz
2、IEEE 754 单精度浮点单元 （FPU）
3、三角函数单元 （TMU）
4、1MB 的 FLASH （ECC保护）
5、1MB
2023-09-19 10:08:53
提高了数倍。 结构框图芯片特性ARM Cortex-M0 32位处理器 存储配置 • 128KB-8MB Flash• 64KB SRAM• 4-way Instruction Cache• 8KB
2023-09-18 17:05:13
使用MM32F3270 FSMC驱动SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
湖北芯擎科技有限公司（以下简称：芯擎科技）于2021年推出，并已于去年年底前实现量产。随着领克08全新发售，芯擎科技在国产高端汽车芯片领域的开发能力和量产经验得到进一步认证，并一举打破高性能车规级芯片被国外厂商垄断的局面，为中国车
2023-09-14 09:44:27450 PC由于没有电池，电源适配器对其尤为重要。今天来讲讲USB适配器的国产适用芯片。一、GP232RL，直接软硬件兼容FT232RL，无需更改就可直接替换使用，大大节约了芯片成本主要参数1、集成USB
2023-09-12 17:37:26
•与F4x完全兼容
•高达180MHz，具有过驱动模式
•双组2 x 1MB闪存
•256KB SRAM
•支持SDRAM+的FMC
32位数据
•音频PLL+串行音频I/F
•LCD-TFT控制器
2023-09-12 08:12:59
领克 08在中国首次开发了7纳米规模的自主开发半导体芯片——“龙鹰1号”。这两个芯片集成在1000pro的entola计算平台上，拥有业界最高的16 tops的npu运算能力，满足了驾驶舱的各种智能要求。
2023-09-11 09:30:441448 与F4x完全兼容
•高达216MHz，具有过驱动模式
•双组2 x 1MB闪存
•512KB SRAM
•支持SDRAM+的FMC
32位数据
•音频PLL+串行音频I/F
•LCD-TFT控制器
2023-09-11 07:19:42
国产5G方案 国产手机芯片,采用紫光展锐新推出的T820芯片采用了6纳米EUV工艺，具备强大的处理能力和多项实用功能。该芯片拥有八核CPU架构，其中包括1颗主频为2.7GHz的Arm
2023-09-06 18:59:461209 
宇凡微在2023年推出了全新的2.4G合封芯片YE08，该芯片结合了32位高性能MCU和强大的2.4GHz无线通信功能，为各种远程遥控应用提供卓越性能和广泛应用潜力。 深入了解YE08内部构造
2023-09-06 11:33:47424 国产芯片与外资芯片差距一目了然，主要就在CPU领域。国产芯片阵营CPU最高的是主要做手机芯片的展讯，其A7870平台配置了车规级6nm制程处理器，8核设计，包括1个2.7GHz的A76
2023-08-28 17:06:59894 
/1MB Flash 程序存储器，64KB的SRAM存储器。此外，PAN1080配置了丰富的外设，包括高达48个GPIO，24路PWM，三个32位定时器，1路I2C，2路UART，2路SPI，11个通路的ADC，WDT，WWDT，I2S master，I2S slave，USB2.
2023-08-22 16:46:260 1、替代TI 的 TMS320F280049
2、独立双核，主频400MHz
3、单精度浮点运算，三角函数运算
4、Flash 1MB，SRAM 1MB
5、12bit ADC，采样率
2023-08-22 15:38:33
开搞芯驰D9，这是一个国产车规级的芯片，现在国产的芯片厂商们发展的真不错啊，蒸蒸日上，看资料的话这个芯片的性能挺强大的，器 6 核 ARM Cortex-A55 和 2 核 Arm
2023-08-18 14:23:34
大家非常关心的汽车DCDC EMI优化。 观看 视频 视 频文字部分 一个DCDC系统能够通过严苛的CISPR 25 ，离不开两点： 需要一个EMI性能优秀的电源芯片 丰富的系统EMI设计经验 点击图片进入小程序，观看 《汽车电子DCDC芯片的EMI优化设计》 图1 本期我们将从芯片设计角度出发，讨
2023-08-16 12:25:02943 
特性：
1、替代TI 的 TMS320F280049
2、独立双核，主频400MHz
3、单精度浮点运算，三角函数运算
4、Flash1MB，SRAM1MB
5、12bitADC，采样率
2023-08-15 10:01:15
ICS501A 数据表
2023-08-10 18:30:320 501B 数据表
2023-08-04 18:30:010 电子发烧友网站提供《LPS22HB/LPS25HB数字压力传感器：系统硬件集成指南.pdf》资料免费下载
2023-07-31 09:19:382 501 数据表
2023-07-10 18:34:030 BB501C 数据表
2023-06-29 18:39:290 BB501M 数据表
2023-06-29 18:35:570 RKV501KG 数据表
2023-06-28 18:56:100 BB501M数据表
2023-06-27 20:52:370 本帖最后由 Tronlong创龙科技 于 2023-6-15 10:46 编辑
1 评估板简介创龙科技TLA40i-EVM是一款基于全志科技A40i处理器设计的4核ARM Cortex-A7
2023-06-15 10:20:50
电子发烧友网站提供《用于PCChips M919的3.3V 1MB缓存棒设计.zip》资料免费下载
2023-06-08 10:52:290
重 SRAM 带宽 9.70 MB/批
输出 SRAM 带宽 0.00 MB/批
总 SRAM 带宽 21.77 MB/批
每个输入的总 SRAM 带宽 21.77 MB/推理（批大小 1）
平均
2023-06-05 11:36:22
我有许多主要运行 tasmota 固件的 sonoff 基本设备。在上次尝试将 WLED 安装到“新”设备上时，我遇到了问题，因为我只有 1 台计算机（在 4 台尝试过的 2 台带 wifi
2023-06-01 08:20:56
赛普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS异步快速快速SRAM，由256K字16位组成。通过断言芯片使能（CE）和写入使能（WE）输入LOW来执行数据写入，同时在I/O0到I/O15上提供数据，在A0到A17引脚上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 放大器，增益4倍-32倍
6+4通道PWM输出
1个I2C接口 -通讯速率最快可达1Mb/s
1个SSP/SPI接口
2个UART -内建可编程波特率发生器
支持不同的工作模式
2023-05-24 09:53:33
国产XY51S03B是一款适用于OBU方案上的主控芯片，此款蓝牙芯片是InnoStar新一代高性能、超低功耗的蓝牙5.1芯片，采用32位ARM Cortex-M0内核，最高工作主频64MHz，片上集成48KB SRAM，512KB Flash。
2023-05-23 17:31:27672 东软载波SSC1670芯片是一款宽带电力线载波通信芯片，集成32位高性能MCU微控制器，内嵌1MB SRAM、1MBeFLASH 及丰富的外设资源，支持多路 UART、SPI、I2C、PWM、GPIO等接口，支持多路AD模拟输入。
2023-05-18 15:30:182066 
I2C接口
1个SPI接口
支持4种振荡方式
支持四种工作模式
30个通用GPIO
封装类型：SSOP24，QFN40及LQFP48
欢迎联系咨询
TEL：180 2833 7418
QQ：3101377292*附件：CMS32M55xx数据手册_V1.1.6.pdf
2023-05-17 09:31:47
一、特性参数 1、独立双核，32位CPU，单核主频400MHz 2、IEEE 754 单精度浮点单元 （FPU） 3、三角函数单元 （TMU） 4、1MB 的 FLASH （ECC保护） 5、1MB
2023-05-16 14:20:051111 
(HC_SR501_GPIO, &GPIO_InitStruct);
}
static void HC_SR501_ScanDelay(void)
{
uint32_t i,j
2023-05-14 17:51:05
BB501C 数据表
2023-05-12 18:47:500 BB501M 数据表
2023-05-12 18:43:470 。当从深度睡眠中重新连接时，此过程会导致变化和过多的时间。如果预先指定固定频道，连接时间可以减少到最大频道扫描时间的 1/3 以下。
这个论坛上有人知道任何 microPython 构建的 1MB ESP8266 允许在站模式下设置频道吗？
2023-05-12 06:08:42
BB501M数据表
2023-05-09 19:30:480 color_buf[480 * 800] __attribute__((section(\".ext_sram\")));
//分配到外部1MB sram的最起始处
然后需要修改链接
2023-05-08 20:01:14
flexspi_nor_sdram.icf 可用于存储在闪存中。
如果我错了请纠正我，我的观察是 -
1) 使用的地址在FlexSPI, DTCM, OCRAM2, SEMC0, ITCM空间
2）我的理解是SEMC0直接连接到外部SDRAM内存，空间几乎等于67 MB
3）片上SRAM只有2MB，那么SEMC0地址空间怎么替换？
2023-05-05 06:38:08
国产uPc494贴片芯片有哪些品牌和型号啊？各位大师求告知
2023-04-28 13:48:22
EMI Serial SRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
来源：中国电子报 近日，搭载两颗芯擎科技7纳米车规级智能座舱芯片“龍鷹一号”的领克汽车旗下全新新能源中型SUV车型领克08亮相上海车展。此次“龍鷹一号”上车领克08，彰显湖北芯擎科技有限公司（简称
2023-04-26 16:52:28489 PSoC 62 专为物联网应用而设计，适用于可穿戴设备、智能家居、工业物联网、便携式医疗设备等。PSoC 62 还支持高达 2MB 的闪存、1MB 的片上 SRAM 和高达 104 个GPIO。
2023-04-25 16:18:57583 
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用内存区域的数据缓存。在框图中，我看到树形 SRAM 块 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的数据缓存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的数据缓存？
2023-04-23 08:01:09
IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和异步模式的 CLK 使用差异
2023-04-21 08:31:29
[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我启动并设置一个新项目，编译后，我没有任何错误，SRAM
2023-04-20 09:06:04
引导，我们只能看到前 2MB 的 SRAM。我们有可用的 IVT、DCD 和 FSBL，但仍然不能使用超过 2MB 的内存。我们将 PRAMIAS 设置为 0x0，将 PRAMIAE 设置为 0x1FFFF，访问权限没有变化。启用完整 8MB SRAM 的过程是什么？
2023-04-19 09:23:38
9LPRS501 数据表
2023-04-17 18:55:390 9LPR501 数据表
2023-04-17 18:55:280 芯片：MIMXRT1176DVMAA芯片上有几个SRAM。但是当SRAM_ITC_cm7用完时它不会使用下一个SRAM。我如何在不使用“__attribute__”的情况下使用所有8个SRAM，而是
2023-04-14 08:01:47
ICS501A 数据表
2023-04-13 18:47:570 501B 数据表
2023-04-12 19:13:590 MGV100-08-P55MACOM 的 MGV100-08-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 1.4 至 3.4、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 4000
2023-04-10 16:59:28
MGV075-08-P55MACOM 的 MGV075-08-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 0.9 至 2.2、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 4000
2023-04-10 15:36:46
我非常需要有关 SRAM - SEMC 中异步模式工作逻辑的信息。我无法从 RM 获得所需的相关信息。你能请口头定义或文件吗？只有下面的图片能够给我一些见解。 我只是想决定在我的场景中是应该使用 SYNC 还是 ASYNC 模式。我需要更多信息才能做到这一点。
2023-04-07 13:28:31
PM254-2-08-W-8.5
2023-04-06 23:35:18
08-55-0103
2023-04-06 23:34:07
08-55-0105
2023-04-06 23:34:07
连接外部SRAM或者兼容SRAM访问接口的器件。 SD卡-通讯接口：1个高速USB OTG，集成PHY，1个百兆网口，2个CAN FD，9个UART，4个SPI，4个I2C-电机系统：2组共32路
2023-04-03 14:32:24
设计，适配的国产多通道并口AD为核芯互联的CL1606、CL1616。图1 SOM-TLT3F工业核心板正反面图2 TLT3F-EVM工业评估板资源框图TronCL1606是一款16位、8通道同步采样
2023-03-31 16:48:05
08-55-0101
2023-03-29 21:51:08
08-55-0129
2023-03-29 17:52:29
08-55-0130
2023-03-28 14:50:53
08-55-0110
2023-03-28 14:47:05
FAULT 处理程序应从 SRAM 执行。（硬故障处理程序应启动全芯片 复位）从深度睡眠中唤醒似乎与硬故障处理程序在闪存中而不是在 SRAM 中一起工作，但对于其他一些掉电模式来说可能有所不同？
2023-03-27 06:22:28
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