非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:15
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与主存储器（内存）和辅助存储器（外存）有不同的特点和应用场景。 首先，我们来详细了解ROM的特点和分类。ROM是一种非易失性存储器，这意味着即使在断电或重启系统后，存储在ROM中的数据仍然保持完整。这是由于ROM的存储单元是由非可更改的电路或栅电势器构成
2024-02-05 10:05:10744 1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存储器），又称为SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）；另一种是Non-volatile RAM（非易失性存储器），又称
2024-01-12 17:27:15513 如何充分利用单片机（MCU）的非易失性存储器 单片机（MCU）的非易失性存储器（NVM）是存储数据和程序的重要组成部分。它可以保留数据，即使在断电或复位后也不会丢失。为了充分利用MCU的NVM，我们
2023-12-15 10:10:49507 mW。取消选择该器件时，CMOS待机电流小于200 A。 型号AT28C256-25FM/883功能描述电可擦除可编程只读存储器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
电子发烧友网站提供《基于非易失性存储器的数字电位器的多功能可编程放大器.pdf》资料免费下载
2023-11-24 16:04:35
0 闪速存储器 （Flash Memory）简称闪存器或闪存，是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash）和与非闪存
2023-11-23 09:36:17915 
半导体存储器用于数据存储。按照电源在关断后数据是否依旧被保存的方式区分，存储器可分为非易失性存储器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存储器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何谓半导体存储器？ 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 与磁盘和光盘装置等相比，具有 数据读写快 存储密度高 耗电量少 耐震 等特点。 关闭电源
2023-11-15 10:20:01731 
单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-10-26 10:45:10
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作为外部存储器的扩展功能。
2023-10-24 08:03:56
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要对两种常见的非易失性存储器——NAND Flash和NOR Flash进行了详细的比较分析。从存储容量、性能、成本等方面进行了深入探讨，以帮助读者更好地理解这两种存储器的特性和应用。
2023-09-27 17:46:06490 与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 由于车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
在MCU的使用中，经常遇到需要存储参数或掉电保持数据等功能。其中，Flash和EEPROM是常见的非易失性存储器
2023-09-21 09:14:39812 存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
(XIP)执行代码，并存储语音、文本和数据。
该设备使用3.0V至3.6V单电源供电，掉电时的电流消耗低至3μA。
所有设备都以节省空间的包装形式提供。
CW25Q64A阵列被组织成32,768个可编程页面
2023-09-15 08:11:20
1. 描述 引脚排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用32768/65536 ×8位的组织结构，广泛应用于低电压和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引脚排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行电可擦除只读存储器（EEPROM），分别采用256/512/1024×8位的组织结构，广泛应用于低电压
2023-09-15 06:53:34
(XIP)执行代码，并存储语音、文本和数据。
该设备使用3.0V至3.6V单电源供电，掉电时的电流消耗低至3μA。
所有设备都以节省空间的包装形式提供。
CW25Q128A阵列被组织成65,536个
2023-09-15 06:00:05
Flash存储器是一种非易失性存储器，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。
2023-09-09 16:22:282617 随着高速数据通信的进步，数据更频繁地发送意味着对非易失性存储器的需求增加，因为非易失性存储器可以承受这种频繁的数据操作。铁电存储器是具有物联网新时代所要求的高读写耐久性和快速写入速度的理想存储设备
2023-08-24 10:05:59
库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
技术，每种技术都具有不同的特性和高级功能。双数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 已成为主系统存储器最主流的存储器技术，因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、无限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存储器串行接口系列中密度最高的产品。目前已实现量产产品。 在不断变化的环境中，随着传感器信息数据量的增加和边缘计算的扩展，客
2023-08-04 11:55:04339 
24C02是一个2Kbit的串行EEPROM存储芯片，可存储256个字节数据。工作电压范围为1.8V到6.0V，具有低功耗CMOS技术，自定时擦写周期，1000000次编程/擦除周期，可保存数据
2023-07-17 09:24:36920 
何谓半导体存储器？ 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 与磁盘和光盘装置等相比，具有 数据读写快 存储密度高 耗电量少 耐震 等特点。 关闭电源
2023-07-12 17:01:131098 
BCR25FM-14LJ 数据表
2023-07-07 18:37:550 BCR25FM-12LB 数据表
2023-07-07 18:37:020 AT25DF256 数据表
2023-07-03 18:51:340 AT25DN256 数据表
2023-07-03 18:49:280 易失性存储器的发展历程 继续关于存储器的发展回顾，上期我们回顾了非易失性存储器的发展史，本期内容我们将回顾易失性存储器的发展历程。易失性存储器在计算机开机时存储数据，但在关闭时将其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半导体存储器一般可分为易失性(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non Volatile Memory)。易失性存储器是指数据信息只有在通电条件下才能保存，断电后数据会丢失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存储的数据在断电后依然存在，不会丢失，因此也被称为非易失性存储器。而RAM是易失性存储器，当断电时，其中的数据将会丢失。
2023-06-20 16:38:442016 铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织方式为256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
MRAM是一种新型的非易失性存储器技术，与传统的存储器技术相比，MRAM具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。
2023-05-23 17:34:15395 在单板设计中，无论是涉及到一个简易的CPU、MCU小系统或者是复杂的单板设计，都离不开存储器设计：
1、存储器介绍
存储器的分类大致可以划分如下：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统
2023-05-19 15:59:37
描述♦ BL24C256A提供262144位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为32768字，每个8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18
描述♦ BL24C02F提供了2048位的串行电可擦除和可编程的只读存储器（EEPROM），组织为256个字，每位8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少的。特点
2023-05-16 17:50:19
描述♦ BL24C512A提供524288位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536字，每位8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-16 17:12:17
描述BL24C256A提供262144位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为32768每个字8位。该设备经过优化，可用于多种用途工业和商业应用低功率和低电压操作本质
2023-05-16 15:12:07
单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
首个非易失性存储器是PROM（可编程只读存储器），以及与之密切相关的EPROM（可擦写可编程只读存储器）。最初的PROM产品在1967年由贝尔实验室提出，并于1971年由英特尔进一步开发。
2023-05-10 11:03:57408 下一阶段，复旦微电全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存储器全系列产品将覆盖64Kbit~2Mbit容量，FM25N将补全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。 FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于
2023-05-04 13:56:111160 
CH32V208开发板提供了对两类外部存储器件的支持，即AT24CXX系列和W25QXX系列。
由于在开发板上并没有提供这两类器件，因此在测试时是以外挂模块的形式来进行。
1）AT24C02测试
2023-04-21 18:13:47
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。在第十三章以及第二十七章，已讲解存储器到存储器传输方式以及存储器到外设传输方式，本章将讲解DMA外设到存储器传输方式。使用串口1作为外设，通过串口调试助手等向开发板发送数据，数据会被返回给开发板并通过串口调试助手显示。
2023-04-20 16:37:41
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。前面已讲解过关于存储器到存储器数据传输方式，本章将讲解存储器到外设的传输方式以及在下一章将会讲解外设到存储器的传输方式
2023-04-20 16:35:13
基本上，我想将数据写入/读取 I.MX RT1170 评估板中的非易失性存储器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例应用程序可供参考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553818 
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
及SRAM相当,大大超出了闪存的105次。在功能及性能方面均超过现有存储器的自旋注入MRAM,很有可能将会取代在设备中使用的多种存储器(见图1)。如果关键技术的研发工作进展顺利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
2023-04-06 17:20:54
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
我知道当HSM工作或像S32R45这样的MCU工作时时钟是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能从外部存储器读取任何数据。解决此问题的解决方案是什么？
2023-04-03 08:34:09
随着需求的变化和技术的迭代，固态硬盘在接口、协议和形态上都出现了很多新发展和新变化。今天瑞萨君就为大家介绍这款 适用于计算机系统的PCIe非易失性存储器Express（NVMe）固态硬盘解决方案
2023-03-30 20:00:06676 存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
IC FRAM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:53:17
IC FRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:23
IC FRAM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:22
IC FRAM 256KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:45:11
IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP
2023-03-27 13:44:08
IC FRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:40:48
IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP
2023-03-27 13:29:24
IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP
2023-03-27 13:29:21
IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP
2023-03-27 13:29:21
IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK
2023-03-27 13:27:20
IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK
2023-03-27 13:27:19
IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK
2023-03-27 13:27:07
IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK
2023-03-27 12:57:17
IC FRAM 256KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 12:51:43
IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP
2023-03-27 12:44:36
IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK
2023-03-27 12:03:00
3 v 256位 串行快闪存储器 双/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
2023-03-25 03:42:10
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC
2023-03-25 03:42:09
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC
2023-03-25 03:42:09
MTA25N02J3替换型号DD016NG，P TO P兼容MTA25N02J3，应用于电机驱动
2023-03-23 15:28:36299 
EEPROM存储器 256Kbit(32K x 8bit)，I2C接口，1.7V~5.5V SOIC8_150MIL
2023-03-23 04:56:18
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