本人5年工作经验，主要负责半导体工艺及产品开发相关工作，工艺方面对抛光、切割比较精通，使用过NTS/DISCO/HANS等设备，熟悉设备参数设置，工艺改善等，产品开发方面熟悉新产品导入流程。目前本人已经离职，寻找四川境内相关工作，如有机会请与我联系：***，谢谢！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 编辑
北京飞特驰科技有限公司对外提供6英寸半导体工艺代工服务和工艺加工服务，包括：产品代工、短流程加工、单项工艺加工等
2015-01-07 16:15:47
光子学技术在汽车应用中有什么优势？
2021-05-12 06:45:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑
半导体工艺
2012-08-20 09:02:05
有没有半导体工艺方面的资料啊
2014-04-09 22:42:37
半导体发展至今，无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进，如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm
2020-12-10 06:55:40
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13:58
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
半导体工艺讲座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半导体二极管的I-V特性
2019-10-16 17:32:16
半导体二极管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性？
2012-07-11 20:23:15
半导体发光二极管工作原理、特性及应用是什么？LED的特性是什么？LED显示器的参数是什么？LED显示器的应用指南有哪些？
2021-06-08 06:26:19
`半导体器件C-V特性测试方案交流C-V测试可以揭示材料的氧化层厚度，晶圆工艺的界面陷阱密度，掺杂浓度，掺杂分布以及载流子寿命等，通常使用交流C-V测试方式来评估新工艺，材料， 器件以及电路的质量
2019-09-27 14:23:43
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
半导体基础知识与晶体管工艺原理
2012-08-20 08:37:00
大家好！ 附件是半导体引线键合清洗工艺方案，请参考，谢谢！有问题联系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
请教下以前的[半导体技术天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
的防雷器件呢？这就是优恩半导体要讲的重点了。 首先要掌握各类电子保护器件的工作原理、特性参数以及选型标准。优恩半导体就以半导体放电管的选型为例，介绍一下怎么选型？ 半导体放电管特性参数： ①断态电压VRM
2017-03-20 14:45:41
敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。 半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价
2013-01-28 14:58:38
电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，为了表征工艺质量以及材料的掺杂情况，需要测试材料的电阻率。半导体材料电阻率测试方法有很多种，其中四探针法具有设备简单、操作方便、测量精度高以及对样品形状
2021-01-13 07:20:44
半导体具有独特的导电性能。当环境温度升髙或有光照时，它们的导电能力 会显著增加，所以利用这些特性可以做成各种温敏元件（如热敏电阻）和各种光 敏元件（如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半导体具有独特的导电性能。当环境温度升髙或有光照时，它们的导电能力 会显著增加，所以利用这些特性可以做成各种温敏元件（如热敏电阻）和各种光 敏元件（如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
挣脱束缚，会导致载流子浓度上升，从而打破这个平衡，温度一定后会再次建立平衡。杂质半导体通过扩散工艺，在本征半导体掺入某些元素。一 .N型半导体在本征半导体加入+5价元素磷，由于加入了最外层为5个电子
2020-06-27 08:54:06
以前也知道点 但是现在想系统的学一下半导体工艺那本书比较好求大神指点 小弟这厢有礼了了
2014-06-04 21:51:19
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
Keithley半导体特性分析研讨会讲义Application?Semiconductor device parametric test and process monitor
2009-12-08 14:46:12
NanoIdent Technologies公司开发了一款有机半导体光子传感器。在柔性基底上印制有机传感器可用于各种工业领域，也可用于现有的基于硅片传感器市场。 NanoIdent有机光子传感器
2018-11-20 15:43:46
梁德丰，钱省三，梁静（上海理工大学工业工程研究所/微电子发展中心，上海 200093）摘要：由于半导体制造工艺过程的复杂性，一般很难建立其制造模型，不能对工艺过程状态有效地监控，所以迫切需要先进
2018-08-29 10:28:14
一个比较经典的半导体工艺制作的课件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半导体制造工艺》学习笔记`
2012-08-20 19:40:32
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V/SOI 波导电路的化学机械抛光工艺开发编号：JFSJ-21-064作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V族半导体纳米线结构的光子学特性编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技 摘要：III-V 族半导体纳米线 (NW) 由于其沿纳米线轴对电子和光子
2021-07-09 10:20:13
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体行业的湿化学分析——总览编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html对液体和溶液进行
2021-07-09 11:30:18
0.000001 至 0.1% 的掺杂剂即可使半导体材料达到有用的电阻率范围。半导体的这种特性允许在材料中创建具有非常精确电阻率值的区域。文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019如有侵权，请联系作者删除
2021-07-01 09:38:40
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般过程：硅
2021-07-06 09:32:40
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：DI-O3水在晶圆表面制备中的应用编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：Ga-N 系统的热力学分析编号：JFSJ-21-043作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：纯冷凝和气态镓
2021-07-07 10:28:12
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaAs/Al0.4Ga0.6As微加速度计的设计与制作编号：JFSJ-21-042作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-07 10:22:15
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 半导体材料与器件手册编号：JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物材料的光学特性显然与光电应用直接相关，但测量光学特性
2021-07-08 13:08:32
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 基板的表面处理编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html关键词： GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺编号：JFSJ-21-045作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用编号：JFSJ-21-044作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：湿法
2021-07-08 13:09:52
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN的晶体湿化学蚀刻[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：IC制造工艺编号：JFSJ-21-046作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成电路的制造主要包括以下工艺
2021-07-08 13:13:06
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的湿蚀刻编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技关键字：InGaP，湿法蚀刻，蚀刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：n-GaN的电化学和光刻编号：JFKJ-21-820作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技 摘要：在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：微镜角度依赖性与蚀刻剂选择编号：JFKJ-21-047作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在为微光学创建
2021-07-19 11:03:23
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于半导体封装基板的化学镀 Ni-P/Pd/Au编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技 随着便携式电子设备的普及，BGA（球栅阵列）越来越多地用于安装在高密度
2021-07-09 10:29:30
清洁 - 表面问题：金属污染的起源：来源：设备、工艺、材料和人力，Si表面的过渡金属沉淀是关键。去污：可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
或 Ni 的盐，Mg、Zn、Ni 的不溶性氢氧化物沉积以防止腐蚀。文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019如有侵权，请联系作者删除
2021-07-01 09:40:10
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：超大规模集成电路制造技术简介编号：JFSJ-21-076作者：炬丰科技概括VLSI制造中使用的材料材料根据其导电特性可分为三大类：绝缘体导体半导体
2021-07-09 10:26:01
125、150 或 200 毫米（5、6 或 8 英寸）。然而，未加工的纯硅有一个主要的电气特性：它是一种绝缘材料。因此，必须通过良好控制的工艺来改变硅的某些特征。这是通过“掺杂”硅获得的。金属沉积过程：蚀刻过程：组装过程描述：文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019如有侵权，请联系作者删除
2021-07-01 09:34:50
表面上的每个电子器件（例如晶体管）由具有不同电特性的独立层和区域组成。图1 - 集成电路中晶体管（特别是 MOSFET）的横截面。显示了设备的大致尺寸；使用当前技术，器件内的特征尺寸可以小于 1 mm
2021-07-01 09:37:00
哪种半导体工艺最适合某一指定应用？对此，业界存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
模型包括与电路仿真程序链接的半导体结构的二维有限元仿真模型。然而，这类仿真需要大量的计算能力，不适合在各种转换器工作条件下评估大量半导体器件。 另一种方法是根据测量的半导体输出特性和寄生电容推导出被
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技术（GaAs 和InP）已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小，硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用
2019-07-31 07:43:42
什么是堆叠式共源共栅？低阻抗功率半导体开关有哪些关键特性？低阻抗功率半导体开关有哪些应用优势？
2021-06-26 06:14:32
`吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案半导体分立器件包含大量的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等，是组成集成电路的基础。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
想请教一下，国内有妍和江丰两家半导体靶材（Ti,Niv,Ag）三种靶材的寿命及价格区间，12inch wafer！感谢了
2022-09-23 21:40:51
介绍了Ansys有限元软件在半导体激光器热特性分析中的应用,研究了中红外InAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器在脉冲驱动条件下的稳态热分布图,对比分析了正装贴片和倒装贴片型激光器热特性
2010-05-04 08:04:50
FPGA在系统中表现出的特性是由芯片制造的半导体工艺决定的，当然它们之间的关系比较复杂。过去，在每一节点会改进工艺的各个方面，每一新器件的最佳工艺选择是尺寸最小的最新工艺。现在，情况已不再如此。
2019-09-17 07:40:28
，掌握它们的特性和参数。本章从讨论半导体的导电特性和PN 结的单向导电性开始，分别介绍二极管、双极型晶体管、绝缘栅场效应晶体管和半导体光电器件等常用的半导体元器件。喜欢的顶一顶，介绍的非常详细哦。。。。[此贴子已经被作者于2008-5-24 11:05:21编辑过]
2008-05-24 10:29:38
，而且制程成熟、整合度高，具成本较低之优势，换言之，SiGe不但可以直接利用半导体现有200mm晶圆制程，达到高集成度，据以创造经济规模，还有媲美GaAs的高速特性。随着近来IDM大厂的投入，SiGe技术
2016-09-15 11:28:41
`60V50A 50N06 惠海半导体 高性能低结电容SGT工艺N沟道MOS管HG012N06L TO-252封装 高性能 稳定可靠东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场，专注
2020-08-29 14:51:46
与固体电子学或凝聚态物理学硕士以上学历。 2、熟悉半导体激光器工作原理、对半导体激光器有较深入的研究，熟悉半导体封装工艺。 3、英语水平较好，能熟练查阅有关文献。 4、分析问题及解决问题的能力较强，动手
2015-02-10 13:33:33
问个菜的问题:半导体(或集成电路)工艺 来个人讲讲 半导体工艺 集成电路工艺 硅工艺 CMOS工艺的概念和区别以及联系吧。查了一下：集成电路工艺（integrated
2009-09-16 11:51:34
本帖最后由 济世良驹 于 2016-10-10 22:31 编辑
第一讲 半导体的导电特性1、半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。2、常见
2016-10-07 22:07:14
光子集成电路(PIC)是一项新兴技术，它基于晶态半导体晶圆集成有源和无源光子电路与单个微芯片上的电子元件。硅光子是实现可扩展性、低成本优势和功能集成性的首选平台。采用该技术，辅以必要的专业知识，可
2017-11-02 10:25:07
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44:51
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18:41
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量
一、实验目的
1、了解半导体特性图示仪的基本原理
2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的
2010-10-29 17:09:12
33 III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半导体;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS号：
2010-03-04 12:16:16
3788 阿尔卡特朗讯贝尔实验室、Thales与CEA-Letu日前联合宣布，CEA-Leti已加入III-V实验室，增强研发中心的产业研发能力，该实验室居于全欧洲III-V半导体材料研究领域的最前沿
2011-04-09 09:41:201003 晶元光电总经理周铭俊博士在“上游芯片技术创造下游应用新局面”发表了题为《实现III-V光电创新，推动未来智能生活》的主题演讲。
2018-06-14 15:36:133885 本文首先阐述了半导体导电特性，其次介绍了本征半导体的导电特性，最后介绍了杂质半导体的导电特性。
2018-09-25 17:50:2328444 半导体工艺化学原理。
2021-03-19 17:07:23111 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V集成光子的制备 编号：JFKJ-21-212 作者：炬丰科技 摘要 本文主要研究集成光子的制备工艺。基于III-V半导体的器件， 这项工作涵盖
2023-04-19 10:04:00130 
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V族化学-机械抛光工艺开发 编号：JFKJ-21-214 作者：炬丰科技 摘要 III-V材料与绝缘子上硅平台的混合集成是一种很有前景的技术
2023-04-18 10:05:00151 
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅光子集成芯片的耦合策略编号：JFKJ-21-545作者：炬丰科技摘要硅光子学最有吸引力的一个方面是它能够提供极小的光学元件，其典型尺寸比光纤器件的尺寸小一个数
2021-12-17 18:41:4513 和光隔离器等。 从产业发展的大趋势来看，未来光通信器件将主要以光集成技术(PIC)为核心，其中一大分支技术是基于III-V簇化合物半导体材料的光集成技术。通过硅光子学 (SiPho)技术，业界能够将传统用于CMOS集成电路上的技术经验转移到光通信器件上。
2022-01-01 11:03:332029 ，这些问题变得更加重要。在本文中，我们提出了一种湿式微沟蚀刻工艺，允许单个太阳能电池的电隔离而不损害侧壁。用溴-甲醇蚀刻，通常用于III-V化合物的非选择性蚀刻的溶液，会在半导体表面形成不必要的蚀孔。我们研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:01427 
摘要 III-V材料与绝缘子上硅平台的混合集成是一种很有前景的技术。二乙烯基硅氧烷-双苯并环丁烯(简称DVS-BCB或BCB)是作为一种技术出现适合在工业规模上实现这样的集成。耦合为这些混合器
2022-02-24 14:02:481357 
摘要 本文主要研究集成光子的制备工艺。基于III-V半导体的器件， 这项工作涵盖了一系列III-V材料以及各种各样的设备。 最初，设计，制造和光学表征研究了铝砷化镓波导增强光学非线性
2022-02-24 14:55:40950 
半导体。例如，砷化镓(GaAs)是二元III-V化合物，它是第三列的镓(Ga)和第五列的砷(As)的组合。三元化
合物可以由三个不同列的元素形成，例如，碲化汞铟(HgIn 2 Te 4)，一种II-III-VI化合物。它们也可以由两列中的元素形成，例如砷化铝镓
(Al xGa 1- xAs)，这是
2023-02-27 14:46:243 半导体材料在开发纳米光子技术方面发挥着重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
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