工艺设计与优化应用领域：集成电路（硅栅、铝栅CMOS、BiCMOS）、分立器件(DIODE、TRANSISTOR、MOS)、功率器件（DMOS、VDMOS、LDMOS、BCD、IGBT）、特种器件、光电子器件、半导体传感器、MEMS等`
2015-01-07 16:15:47
(opal),但是具有实际应用价值的光子晶体都来源于人工设计和制造,通常利用当今先进的半导体微加工技术,比如电子束刻蚀技术和聚焦离子束刻蚀技术, 其精度可优于5nm,基本能够满足光子晶体集成光电子器件产品
2014-10-14 10:25:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑
半导体工艺
2012-08-20 09:02:05
有没有半导体工艺方面的资料啊
2014-04-09 22:42:37
半导体发展至今，无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进，如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm
2020-12-10 06:55:40
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
半导体工艺讲座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
` 谁来阐述一下半导体集成电路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性？
2012-07-11 20:23:15
是各种半导体晶体管技术发展丰收的时期。第一个晶体管用锗半导体材料。第一个制造硅晶体管的是德州仪器公司。20世纪60年代——改进工艺此阶段，半导体制造商重点在工艺技术的改进，致力于提高集成电路性能
2020-09-02 18:02:47
的那样，半导体行业第四个时代的主旨就是合作。让我们来仔细看看这个演讲的内容。
半导体的第一个时代——IDM
最初，晶体管是在贝尔实验室发明的，紧接着，德州仪器 (TI)做出了第一个集成电路。当仙童
2024-03-13 16:52:37
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
半导体基础知识与晶体管工艺原理
2012-08-20 08:37:00
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。集成电路是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管
2021-09-15 07:24:56
集成嵌入式功率半导体在电动车窗中有何应用？
2021-05-14 06:11:55
集成电路是一种微型电子器件或部件，它是采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有
2021-09-15 06:45:56
NanoIdent Technologies公司开发了一款有机半导体光子传感器。在柔性基底上印制有机传感器可用于各种工业领域，也可用于现有的基于硅片传感器市场。 NanoIdent有机光子传感器
2018-11-20 15:43:46
梁德丰，钱省三，梁静（上海理工大学工业工程研究所/微电子发展中心，上海 200093）摘要：由于半导体制造工艺过程的复杂性，一般很难建立其制造模型，不能对工艺过程状态有效地监控，所以迫切需要先进
2018-08-29 10:28:14
一个比较经典的半导体工艺制作的课件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半导体制造工艺》学习笔记`
2012-08-20 19:40:32
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V/SOI 波导电路的化学机械抛光工艺开发编号：JFSJ-21-064作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V族半导体纳米线结构的光子学特性编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技 摘要：III-V 族半导体纳米线 (NW) 由于其沿纳米线轴对电子和光子
2021-07-09 10:20:13
0.000001 至 0.1% 的掺杂剂即可使半导体材料达到有用的电阻率范围。半导体的这种特性允许在材料中创建具有非常精确电阻率值的区域。文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019如有侵权，请联系作者删除
2021-07-01 09:38:40
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体行业的湿化学分析——总览编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html对液体和溶液进行
2021-07-09 11:30:18
125、150 或 200 毫米（5、6 或 8 英寸）。然而，未加工的纯硅有一个主要的电气特性：它是一种绝缘材料。因此，必须通过良好控制的工艺来改变硅的某些特征。这是通过“掺杂”硅获得的。金属沉积过程：蚀刻过程：组装过程描述：文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019如有侵权，请联系作者删除
2021-07-01 09:34:50
。图 2 - 集成电路芯片的封装：(a) 剖视图显示了芯片连接到引线框架并封装在塑料外壳中，以及 (b) 用户看到的封装。文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019如有侵权，请联系作者删除
2021-07-01 09:37:00
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般过程：硅
2021-07-06 09:32:40
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：DI-O3水在晶圆表面制备中的应用编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：Ga-N 系统的热力学分析编号：JFSJ-21-043作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：纯冷凝和气态镓
2021-07-07 10:28:12
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaAs/Al0.4Ga0.6As微加速度计的设计与制作编号：JFSJ-21-042作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-07 10:22:15
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 半导体材料与器件手册编号：JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物材料的光学特性显然与光电应用直接相关，但测量光学特性
2021-07-08 13:08:32
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 基板的表面处理编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html关键词： GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺编号：JFSJ-21-045作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用编号：JFSJ-21-044作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：湿法
2021-07-08 13:09:52
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN的晶体湿化学蚀刻[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：IC制造工艺编号：JFSJ-21-046作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成电路的制造主要包括以下工艺
2021-07-08 13:13:06
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的湿蚀刻编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技关键字：InGaP，湿法蚀刻，蚀刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：n-GaN的电化学和光刻编号：JFKJ-21-820作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技 摘要：在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：微镜角度依赖性与蚀刻剂选择编号：JFKJ-21-047作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在为微光学创建
2021-07-19 11:03:23
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于半导体封装基板的化学镀 Ni-P/Pd/Au编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技 随着便携式电子设备的普及，BGA（球栅阵列）越来越多地用于安装在高密度
2021-07-09 10:29:30
清洁 - 表面问题：金属污染的起源：来源：设备、工艺、材料和人力，Si表面的过渡金属沉淀是关键。去污：可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
或 Ni 的盐，Mg、Zn、Ni 的不溶性氢氧化物沉积以防止腐蚀。文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019如有侵权，请联系作者删除
2021-07-01 09:40:10
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：超大规模集成电路制造技术简介编号：JFSJ-21-076作者：炬丰科技概括VLSI制造中使用的材料材料根据其导电特性可分为三大类：绝缘体导体半导体
2021-07-09 10:26:01
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
去的三十年里，III-V 技术（GaAs 和InP）已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小，硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用
2019-07-31 07:43:42
在产品工序的繁多，对设备的高利用率要求，和最特殊的是，“再进入”（Re-entry）的流程特点，也就是产品在加工过程中要多次返回到同一设备进行不同工序的加工。这种特殊的工艺流程特点决定了半导体集成
2009-08-20 18:35:32
请教，关于MIP705半导体集成电路的应用，请有识之士不惜赐教。
2012-09-22 17:33:44
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
想请教一下，国内有妍和江丰两家半导体靶材（Ti,Niv,Ag）三种靶材的寿命及价格区间，12inch wafer！感谢了
2022-09-23 21:40:51
，是控制激光器制备工艺的稳定性，激光器性能可靠性的关键环节。半导体激光器是半导体光电转换器件。如图1所示，半导体激光器由多层材料构成。自下而上包括背电极，衬底，下光限制层，下波导层，有源层，上波导层
2019-07-22 06:36:35
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线
2019-07-05 06:53:04
变化。SiGeBiCMOS工艺技术几乎与硅半导体超大规模集成电路(VLSI)行业中的所有新技术兼容，包括绝缘体硅(SOI)技术和沟道隔离技术。不过硅锗要想取代砷化镓的地位还需要继续在击穿电压、截止频率
2016-09-15 11:28:41
`60V50A 50N06 惠海半导体 高性能低结电容SGT工艺N沟道MOS管HG012N06L TO-252封装 高性能 稳定可靠东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场，专注
2020-08-29 14:51:46
问个菜的问题:半导体(或集成电路)工艺 来个人讲讲 半导体工艺 集成电路工艺 硅工艺 CMOS工艺的概念和区别以及联系吧。查了一下：集成电路工艺（integrated
2009-09-16 11:51:34
摘要：介绍了氧化物半导体甲烷气体敏感元件的工作机理，论述了改善氧化物半导体甲烷气敏传感器性能的几种途径。采用加入催化剂、控制材料的微细结构、利用新制备工艺和表面修饰等新方法、新技术可提高氧化物半导体
2018-10-24 14:21:10
电子器件制备工艺
2012-08-20 22:23:29
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44:51
电路集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后
2020-04-22 11:55:14
半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式
2020-02-18 13:23:44
半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
半导体各工艺简介:1、单晶硅片的制备CZ法主要工艺工程: 籽晶熔接: 加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟
2009-11-24 17:57:12
49 III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半导体;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS号：
2010-03-04 12:16:16
3788 阿尔卡特朗讯贝尔实验室、Thales与CEA-Letu日前联合宣布，CEA-Leti已加入III-V实验室，增强研发中心的产业研发能力，该实验室居于全欧洲III-V半导体材料研究领域的最前沿
2011-04-09 09:41:201003 适用于光子集成的半导体微腔双稳态激光器，在高速光存储、光交换等光信息处理方面具有重要的应用价值。模式竞争产生的双稳态半导体激光器，主要依靠非线性增益抑制实现双稳态的变换，埘应的载流子浓度变化很小
2017-11-08 10:29:139 晶元光电总经理周铭俊博士在“上游芯片技术创造下游应用新局面”发表了题为《实现III-V光电创新，推动未来智能生活》的主题演讲。
2018-06-14 15:36:133885 本文档的主要内容详细介绍的是半导体材料与集成电路基础教程之单晶硅生长及硅片制备技术。
2018-11-19 08:00:0021 晶圆（wafer）是制造半导体器件的基础性原材料。极高纯度的半导体经过拉晶、切片等工序制备成为晶圆，晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构，再经切割、封装、测试成为芯片，广泛应用到各类电子设备当中。
2019-01-28 09:33:4913004 
单晶半导体材料制备技术说明。
2021-04-08 11:53:2935 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V的光子学特性 编号：JFKJ-21-215 作者：炬丰科技 摘要 III-V型半导体纳米线已显示出巨大的潜力光学、光电和电子器件的构建
2023-04-19 10:03:0093 
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V族化学-机械抛光工艺开发 编号：JFKJ-21-214 作者：炬丰科技 摘要 III-V材料与绝缘子上硅平台的混合集成是一种很有前景的技术
2023-04-18 10:05:00151 
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅光子集成芯片的耦合策略编号：JFKJ-21-545作者：炬丰科技摘要硅光子学最有吸引力的一个方面是它能够提供极小的光学元件，其典型尺寸比光纤器件的尺寸小一个数
2021-12-17 18:41:4513 和光隔离器等。 从产业发展的大趋势来看，未来光通信器件将主要以光集成技术(PIC)为核心，其中一大分支技术是基于III-V簇化合物半导体材料的光集成技术。通过硅光子学 (SiPho)技术，业界能够将传统用于CMOS集成电路上的技术经验转移到光通信器件上。
2022-01-01 11:03:332029 ，这些问题变得更加重要。在本文中，我们提出了一种湿式微沟蚀刻工艺，允许单个太阳能电池的电隔离而不损害侧壁。用溴-甲醇蚀刻，通常用于III-V化合物的非选择性蚀刻的溶液，会在半导体表面形成不必要的蚀孔。我们研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:01427 
摘要 III-V材料与绝缘子上硅平台的混合集成是一种很有前景的技术。二乙烯基硅氧烷-双苯并环丁烯(简称DVS-BCB或BCB)是作为一种技术出现适合在工业规模上实现这样的集成。耦合为这些混合器
2022-02-24 14:02:481357 
摘要 本文主要研究集成光子的制备工艺。基于III-V半导体的器件， 这项工作涵盖了一系列III-V材料以及各种各样的设备。 最初，设计，制造和光学表征研究了铝砷化镓波导增强光学非线性
2022-02-24 14:55:40950 
了人们生活的方方面面。将硅光子集成电路（PIC）纳入到先进CMOS集成电路中的努力往往集中在那些仅靠II-VI或III-V族化合物半导体材料技术无法应对的要求上。但未来计算、汽车、健康和众多其他应用将（或已经）受益于利用各种硅或混合技术的集成化光子
2022-11-01 10:48:06592 
半导体。例如，砷化镓(GaAs)是二元III-V化合物，它是第三列的镓(Ga)和第五列的砷(As)的组合。三元化
合物可以由三个不同列的元素形成，例如，碲化汞铟(HgIn 2 Te 4)，一种II-III-VI化合物。它们也可以由两列中的元素形成，例如砷化铝镓
(Al xGa 1- xAs)，这是
2023-02-27 14:46:243 工程师们已经能够在硅光子芯片上集成几乎所有重要的光学功能，包括调制和检测的基本功能，除了一项：发光。硅本身不能有效地做到这一点，所以由所谓的III-V材料制成的半导体，以其成分在周期表上的位置命名，通常用于制造单独封装的组件来发光。
2023-04-12 10:57:131078 半导体材料在开发纳米光子技术方面发挥着重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
该研究提出模块化局域元素供应生长技术，成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物晶圆批量化高效制备，晶圆尺寸可从2英寸扩展至与现代半导体工艺兼容的12英寸，有望推动二维半导体材料由实验研究向产业应用过渡，为新一代高性能半导体技术发展奠定了材料基础。
2023-07-10 18:20:39510 
硅光子是一种光子集成电路，经过几十年的发展，硅光子学已经取得了重大进展
2023-12-26 11:33:08375 
选择合适的靶材在半导体工艺中十分重要。
2023-12-28 16:03:14315
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