2021 年，JEDEC 宣布发布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 标准，标志着行业向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的过渡。
2024-03-17 09:50:37
431 
DDR 代表双倍数据速率double data rate，GDDR 代表图形双倍数据速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53236 
288 位置 DIMM DDR5 SDRAM 个插口 表面贴装型
2024-03-14 20:41:22
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2024-03-13 13:58:12
0 电子发烧友网站提供《适用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF缓冲基准的TPS51206 2A峰值灌电流/拉电流DDR终端稳压器数据表.pdf》资料免费下载
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2024-03-13 10:16:450 DDR一致性测试的操作步骤 DDR（双数据率）一致性测试是对DDR内存模块进行测试以确保其性能和可靠性。在进行DDR一致性测试时，需要遵循一系列的操作步骤，以保证测试的准确性和完整性。下面将详细
2024-02-01 16:24:52209 DDR6和DDR5内存的区别有多大？怎么选择更好？ DDR6和DDR5是两种不同的内存技术，它们各自在性能、功耗、带宽等方面都有不同的特点。下面将详细比较这两种内存技术，以帮助你选择更适合
2024-01-12 16:43:052863 深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD8306 – Q1是一款多通道半桥驱动芯片，内部集成6通道半桥，通过灵活配置，芯片可以支持多种不同的负载类型包括直流有刷电机，步进电机，继电器和LED等。该芯片
2024-01-09 13:42:53
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD8306 – Q1是一款多通道半桥驱动芯片，内部集成6通道半桥，通过灵活配置，芯片可以支持多种不同的负载类型包括直流有刷电机，步进电机，继电器和LED等。该芯片
2024-01-09 13:39:33
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD8308 – Q1是一款多通道半桥驱动芯片，内部集成8通道半桥，通过灵活配置，芯片可以支持多种不同的负载类型包括直流有刷电机，步进电机，继电器和LED等。该芯片
2024-01-08 14:08:07
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD7312A是一款直流有刷电机驱动芯片，芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护，过流保护，过温保护，当保护功能触发后，芯片
2024-01-08 14:03:50
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD7312-Q1是一款直流有刷电机驱动芯片，芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护，过流保护，过温保护，当保护功能触发后，芯片
2024-01-08 13:59:18
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD7312A是一款直流有刷电机驱动芯片，芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护，过流保护，过温保护，当保护功能触发后，芯片
2024-01-08 13:56:04
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD7312是一款直流有刷电机驱动芯片，芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护，过流保护，过温保护，当保护功能触发后，芯片
2024-01-08 13:44:52
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD7310A是一款直流有刷电机驱动芯片，芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护，过流保护，过温保护。该产品可提供3.6A峰值电流，支持
2024-01-08 13:35:41
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD7310是一款直流有刷电机驱动芯片，芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护，过流保护，过温保护。该产品可提供3.6A峰值电流，支持
2024-01-08 11:59:13
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD7310是一款直流有刷电机驱动芯片，芯片内置功率N-MOSFET并为功率级提供全方位保护包括供电欠压保护，过流保护，过温保护。该产品可提供3.6A峰值电流，支持
2024-01-08 11:54:56
DDR5已经开始商用，但是有的产品还才开始使用DDR4。本文分享一些DDR4的测试内容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以达到 3200Mb/s,这样高速的信号，对信号完整性的要求就更加严格，JESD79‐4 规范也对 DDR4 信号的测量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 
DDR接口速率越来越高，每一代产品都在挑战工艺的极限，对DDR PHY的训练要求也越来越严格。本文从新锐IP企业芯耀辉的角度，谈谈DDR PHY训练所面临的挑战，介绍芯耀辉DDR PHY训练的主要过程和优势，解释了芯耀辉如何解决DDR PHY训练中的问题。
2024-01-05 10:27:34519 
LPDDR5和DDR5是两种不同类型的内存，它们在时序和性能方面有一些差异。尽管它们都是最新一代的内存标准，但它们面向不同的应用场景，并且在设计上有一些不同。 首先，让我们来了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061162 近日，澜起科技宣布推出DDR5第四子代寄存时钟驱动器芯片（DDR5 RCD04），该芯片支持高达7200 MT/s的数据速率，较DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:58289 DDR加终端匹配电阻和不加信号质量的区别 DDR（双倍数据传输速率）是一种常用于计算机内存的高速数据传输技术。在DDR中，终端匹配电阻和信号质量是对于数据传输稳定性至关重要的两个方面。下面将详细
2023-12-29 13:54:22316 上次我们对不加端接电阻和加端接电阻之后的仿真结果做了分析之后我们得出在DDR采用菊花链拓扑结构的时候是需要加端接电阻的，这次我们看看DDR末端的端接电阻距离最后一片DDR远一点效果好一些还是近一点效果好一些。
2023-12-28 16:55:13598 
请问SR电机和无刷电机有什么区别？
2023-12-26 06:30:12
时钟频率：可通过倍频技术升级的核心频率。时钟频率可以理解为IO Buffer的实际工作频率，DDR2中时钟频率为核心频率的2倍，DDR3 DDR4中时钟频率为核心频率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 LTP5070是一款H桥有刷直流电机驱动器，内部具有集成的H桥驱动电路和控制电路，能够控制电机高达3.5 A的双向峰值电流，其最大工作电压为36V。可通过输入端口IN1和IN2输入PWM信号，控制
2023-12-13 16:27:35
随着DDR5信号速率的增加和芯片生产工艺难度的加大，DRAM内存出现单位错误的风险也随之增加，为进一步改善内存信道，纠正DRAM芯片中可能出现的位错误，DDR5引入了片上ECC技术，将ECC集成到DDR5芯片内部，提高可靠性并降低风险，同时还能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
DDR4(第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器)是一种高带宽的存储器，今天主要讲述一下DDR4在Layout过程中的一些细节。在DDR的设计过程中，DDR的Layout是十分重要的环节。
2023-11-29 15:39:101476 
本文主要讲述一下DDR从0到1设计的整个设计的全过程。
2023-11-27 16:28:113715 
VTT电源对DDR有什么作用？
2023-11-27 16:20:14579 
对于ddr5市场的发展，威刚表示，现阶段观察到需求端春燕来临，主要来自pc，随着顾客需求的明显好转和pc内存内容的提高，明年上半年ddr5将超过ddr4，形成黄金交叉。目前在现货市场上，ddr5的单价比ddr4高4-50%，从威强的情况来看，ddr5比重的上升有助于总利润率。
2023-11-24 10:38:38217 法人方面解释说：“标准型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨国企业主导，因此，中台湾企业在半导体制造方面无法与之抗衡。”在ddr3 ddr3的情况下，台湾制造企业表现出强势。ddr3的价格也随之上涨，给台湾半导体企业带来了很大的帮助。
2023-11-14 11:29:36405 目前有微型四轴，也有像小米、大疆的四轴飞行器。
今天无刷的先不谈，只谈有刷的空心杯电机。
1、目前用在四轴飞行器上的空心杯电机电机有哪些型号？
2、每种型号空心杯电机的最大升力好多、消耗电流多少？
电机与桨叶怎么选型，有什么关系，升力应当怎么计算？
2023-11-06 06:54:53
DDR4和DDR3内存都有哪些区别？ 随着计算机的日益发展，内存也越来越重要。DDR3和DDR4是两种用于计算机内存的标准。随着DDR4内存的逐渐普及，更多的人开始对两者有了更多的关注。 DDR
2023-10-30 09:22:003893 DDR3是2007年推出的，预计2022年DDR3的市场份额将降至8%或以下。但原理都是一样的，DDR3的读写分离作为DDR最基本也是最常用的部分，本文主要阐述DDR3读写分离的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
异步电机对比同步电机有什么优点
2023-10-11 06:21:14
内转子电机对比外转子电机有什么优势
2023-10-09 07:53:20
DDR存储器发展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低电压，更密的存储密度，从而实现更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文将对DDR3和DDR4两种内存技术进行详细的比较，分析它们的技术特性、性能差异以及适用场景。通过对比这两种内存技术，为读者在购买和使用内存产品时提供参考依据。
2023-09-27 17:42:101088 DDR4 3200和3600是内存模块的频率标准，表示其频率值，具有以下差异
2023-09-26 15:24:188986 我们在买DDR内存条的时候，经常会看到这样的标签DDR3-1066、DDR3-2400等，这些名称都有什么含义吗？请看下表。
2023-09-26 11:35:331923 
相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面
2023-09-19 14:49:441484 
以MT41J128M型号为举例：128Mbit=16Mbit*8banks 该DDR是个8bit的DDR3，每个bank的大小为16Mbit，一共有8个bank。
2023-09-15 15:30:09629 
一看到DDR,联想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比较茫然。高速板主要考虑两个问题点,当然其它3W，2H是基本点。
2023-09-15 11:42:37757 
在全默认设置的情况下，影驰HOF OC Lab幻迹S DDR5 8000内存的工作速率为DDR5 4800，延迟设定为40-40-40-76，因此在这个设置下它的内存性能并不突出，与普通的DDR5 4800内存相当。
2023-09-15 10:40:42750 
本文介绍一个FPGA开源项目：DDR3读写。该工程基于MIG控制器IP核对FPGA DDR3实现读写操作。
2023-09-01 16:23:19743 
本文开源一个FPGA项目：基于AXI总线的DDR3读写。之前的一篇文章介绍了DDR3简单用户接口的读写方式：《DDR3读写测试》，如果在某些项目中，我们需要把DDR挂载到AXI总线上，那就要通过MIG IP核提供的AXI接口来读写DDR。
2023-09-01 16:20:371888 
上期和大家聊的电源PCB设计的重要性，那本篇内容小编则给大家讲讲存储器的PCB设计建议，同样还是以大家最为熟悉的RK3588为例，详细介绍一下DDR模块电路的PCB设计要如何布局布线。 由于
2023-08-24 08:40:05899 
DDR4 3200和DDR4 3600是两种常见的内存频率规格，它们在性能上会有一定的差别，但差别大小取决于具体的应用场景和系统配置。
2023-08-22 14:45:0528293 上期和大家聊的电源PCB设计的重要性，那本篇内容小编则给大家讲讲存储器的PCB设计建议，同样还是以大家最为熟悉的RK3588为例，详细介绍一下DDR模块电路的PCB设计要如何布局布线。 由于
2023-08-21 17:16:50563 
由于RK3588 DDR接口速率最高达4266Mbps，PCB设计难度大，所以强烈建议使用瑞芯微原厂提供的DDR模板和对应的DDR固件，DDR模板是经过严格的仿真和测试验证后发布的。 在单板
2023-08-18 10:55:43556 
上期和大家聊的电源PCB设计的重要性，那本篇内容小编则给大家讲讲存储器的PCB设计建议，同样还是以大家最为熟悉的RK3588为例，详细介绍一下DDR模块电路的PCB设计要如何布局布线。由于
2023-08-18 08:09:43384 
上期和大家聊的电源PCB设计的重要性，那本篇内容小编则给大家讲讲存储器的PCB设计建议，同样还是以大家最为熟悉的RK3588为例，详细介绍一下DDR模块电路的PCB设计要如何布局布线。 由于
2023-08-17 18:15:02325 
ddr200t开发板是否有HDMI接口用于视频输出，或者有没有其他有HDMI接口的开发板能够接到ddr200t上呢
2023-08-12 06:48:26
DDR5的主板不支持使用DDR4内存。DDR5（第五代双倍数据率）和DDR4（第四代双倍数据率）是两种不同规格的内存技术，它们在电气特性和引脚布局上存在明显差异。因此，DDR5内存模块无法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4内存控制器。
2023-08-09 15:36:2512806 DDR是运行内存芯片，其运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种，由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性，因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法。 DDR芯片
2023-07-28 13:12:061884 
电子发烧友网站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中应用.pdf》资料免费下载
2023-07-24 09:50:470 《基于“矿板”低成本学习Zynq系列》之六-DDR测试
2023-07-19 19:19:441742 
DDR是Double Data Rate的缩写，即“双倍速率同步动态随机存储器”。DDR是一种技术，中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM，而在中国台湾以及欧美，工程师习惯用DRAM来称呼。
2023-07-16 15:27:103370 
DDR3的速度较高，如果控制芯片封装较大，则不同pin脚对应的时延差异较大，必须进行pin delay时序补偿。
2023-07-04 09:25:38312 
对于DDR的理解，最初简单的以为无非一个大的数组，我会接口使用就OK了。
2023-06-28 15:36:06406 
DDR是DDR SDRAM的简称，只是人们习惯了称之为DDR，全称为Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名为：双倍速率同步动态随机存储器，同步是指需要时钟。
2023-06-25 15:06:404907 
注意，这里的DDR指的是Double Data Rate，双倍数据速率。这篇文章并不是讲DDR存储器系列的东西。
2023-06-16 10:22:06781 
DDR 验证是任何 SoC 中最关键和最复杂的任务之一，因为它涉及位于 DUT 内部的控制器和位于板载 DUT 外部的外部 DDR 存储器。在这里，我们将讨论 DDR VIP 模型的快速初始化。
2023-05-29 09:10:46772 
DDR PHY 接口 （DFI） 用于包括智能手机在内的多种消费电子设备。DFI 是一种接口协议，用于定义在 DRAM 设备之间以及 MC（微控制器）和 PHY 之间传输控制信息和数据所需的信号
2023-05-26 15:27:314574 
DDR4内存模块支持单个64位通道(如果考虑ECC，则为72位通道)。相比之下，DDR5内存模块配备了两个独立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441331 内存是数据中心、服务器以及个人计算机等技术发展的重要组成。目前内存的发展是由DDR技术路线引导，TE Connectivity(以下简称“TE”)经历了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
我们有一个带有连接到 LS1046A 的 DDR4 内存 (DDR4T04G72) 的定制板，目前正在为 DDR 控制器进行配置。目前我们对为什么我们甚至没有启动和运行 DDR 时钟 (MCK0
2023-05-06 08:20:49
对于i.MX 8M Mini处理器，使用mscale ddr工具生成DDR校准值的目的是什么？
我有一个运行 u-boot 的 i.MX 8M Mini 处理器。查看 u-boot 源代码，我相信
2023-05-05 09:09:34
DDR5 已占据整个 DRAM 市场份额的 10%，2024年则将进一步扩大至 43%。服务器市场可能最先推广DDR5，服务器市场对高性能有着绝对的需求。
2023-04-18 11:36:471604 IC DDR SWITCH/MUX 48NFBGA
2023-04-06 19:18:57
ICMUX/DEMUX2:1DDR48TFBGA
2023-04-06 15:33:34
ICMUX/DEMUX2:1DDR48TFBGA
2023-04-06 15:33:19
DDR内存1代已经淡出市场，直接学习DDR3 SDRAM感觉有点跳跃；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之间的对比。
2023-04-04 17:08:472871 
\lx2160ardb\ddr_init.c中，我们应该定义 CONFIG_STATIC_DDR 还是CONFIG_DDR_NODIMM？他们有什么区别。
2023-04-03 07:24:21
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE IP CORE DDR3 ECP3
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2M
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR3 PHY ECP3 USER CONF
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2M
2023-03-30 12:01:17
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR SC/SCM
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
EVALMODULEFORTS3DDR32611
2023-03-30 11:56:12
DDR-240C-48
2023-03-29 22:43:23
NCP4305DDR2G
2023-03-29 18:04:27
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