FS61C24MR电压检测器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能产品，广泛应用于各种电子设备中。这款芯片采用SOT-23封装，具有CMOS N沟道特性，其阈值电压为2.4V。接下来，我们将详细介绍
2024-03-19 10:25:10
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FS61C25MR电压检测器芯片IC是泛海微公司生产的一款高性能、高精度的电压检测器。该芯片采用CMOS工艺，具有N沟道特性，适用于各种需要电压检测的电子设备。其封装形式为SOT-23，具有小巧的体积和优异的电气性能，方便在实际电路中使用。
2024-03-17 22:51:3137 
芯片生产中应用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术的传言并不属实。 三星在HBM生产中目前主要采用非导电薄膜（NCF）技术，而非SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）封装工艺。报道称之所以要采用MR-MUF是为了解决NCF工艺的一些生产问题。
2024-03-14 00:17:002498 
FS61C27MR电压检测器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能、高可靠性的产品。这款芯片采用SOT-23封装形式，具有CMOS N沟道特性，其额定电压检测阈值为2.7V。凭借其出色的性能
2024-03-13 18:30:20
FS61C25MR电压检测器芯片IC是泛海微公司生产的一款高性能、高精度的电压检测器。该芯片采用CMOS工艺，具有N沟道特性，适用于各种需要电压检测的电子设备。其封装形式为SOT-23，具有小巧
2024-03-13 18:28:01
详细介绍FS61C24MR电压检测器芯片IC的特点、应用领域以及使用注意事项。一、特点1. 精确电压检测：FS61C24MR电压检测器芯片IC具有精确的
2024-03-13 18:24:44
1：DK5V150R25SL是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个功能引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了150V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代
2024-03-13 17:30:25
0 在现代工业生产中，精准定位技术起着至关重要的作用。ARCA阿卡定位器827A.E2-A0H-M10-G，作为一款高性能的定位器产品，以其卓越的精准度和稳定性，赢得了广泛的市场认可。本文将详细介绍这款
2024-03-06 14:11:49
芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表，其中Macronix旺宏电子的256Mb位串行NOR闪存MX25L25673GM已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3060 
CLF3H0060-10 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT
2024-02-29 20:35:47
CLF3H0060S-10 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管，可在 DC
2024-02-29 20:35:06
OVP过压保护IC：为了保护后级电路，平芯微早早推出了系列OVP过压保护芯片产品，很多客户对于OVP过压保护芯片的功能和使用仍然存在一些误解。这次我们平芯微就针对OVP过压保护芯片功能使用做详细的描述和介绍。
2024-02-22 18:18:311585 
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-02-19 11:32:41367 
台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:126646 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。
2024-01-18 16:44:044838 MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-01-09 11:15:26200 
高通宣布推出全新的Snapdragon XR2+ Gen 2芯片，这款芯片专为混合现实（MR）头戴设备设计。高通表示，三星和谷歌已经计划采用这款新芯片。
2024-01-05 15:15:32224 最近，Imec公布的超大规模自旋轨道转移MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能，每比特开关能量低于100飞焦耳，耐用性超过10的15次方。
2024-01-05 11:47:18430 
ad7656串行输出代码是一段常见的嵌入式系统开发代码，用于控制外部设备进行串行通信。本文将详细介绍该代码的功能、结构、使用方法以及注意事项。 首先，了解ad7656是什么。 AD7656是一款16
2023-12-28 10:38:58199 记者了解到，国内已有多家公司早早布局了MR产品，更有科创板公司明确表示已进入苹果MR产业链。
2023-12-21 14:21:57181 并行总线和串行总线的区别 并行总线和串行总线是计算机系统中常见的两种数据传输方式，它们有着不同的工作原理和应用场景。在这篇文章中，我将详细介绍并行总线和串行总线的区别，并探讨它们各自的优势和劣势
2023-12-07 16:45:271505 PY25Q32HB是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。
2023-11-28 17:43:07435 
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:53213 
本文介绍用BurnTool给星闪芯片BS25烧写程序。
2023-11-22 09:49:37999 
MAX22216/17四路智能串行电磁阀驱动马达驱动芯片带有先进诊断功能，文章介绍驱动继电器，液压系统，电磁阀，接触器，有刷电机、比例阀、电磁刹车、智能锁等优势介绍
2023-11-18 15:28:520 本文介绍用BurnTool给海思的星闪芯片BS25烧写程序。
2023-11-14 09:08:291749 
松下 MR240使用说明书
2023-10-31 11:45:080 控制多片PLL芯片时，串行控制线是否可以复用？ 当需要控制多片PLL芯片时，使用复杂电路来进行控制并非理想方案，因为使用多个电路芯片会导致整个系统变得复杂且难以处理。因此，确定一个适当的解决方案
2023-10-30 10:16:42149 本文介绍如何选择和编译海思星闪BS25 SDK下的sle mouse工程。本文假设开发环境已经搭建完毕，具体搭建流程请参考《遥遥领先，华为海思星闪芯片BS25开发环境搭建》。
2023-10-27 11:23:142831 
串行数据传输：因为在芯片内部数据都是并行传输的，只是在芯片发送器一端转换为串行形式
2023-10-08 16:15:264992 
TC37x芯片有3个STM模块，每个STM模块可以产生两个SRx_INT中断信号（通过STM模块的Compare功能实现，下文介绍），Davinci OS中的硬件定时器就是使用STM模块的SRx_INT中断信号。
2023-09-26 09:12:26776 
本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
usb 转25针并口的芯片电路有么
2023-09-25 06:04:58
AWorksLP对外设进行了高度抽象化，为同一类外设提供了相同的接口，应用程序可以轻松跨平台。本文以MR6750平台为例，介绍AWorksLP双核调试的基本用法。简介MR6750双核是集成了两个
2023-09-23 08:26:48303 
MR6750系列核心板基于先楫半导体的HPM6750IVM2开发，集成了两个RISC-V处理器，主频高，支持高速数据处理能力，具有丰富的通信接口，适合于工业控制、仪器仪表、电机控制等应用场合。
2023-09-22 11:18:48367 AWorksLP对外设进行了高度抽象化，为同一类外设提供了相同的接口，应用程序可以轻松跨平台。本文以MR6750平台为例，介绍AWorksLP双核烧录的方法。简介MR6750双核是集成了两个
2023-09-21 08:26:59296 MR500E工业4G路由器采用超小体积设计，尺寸为长88mm高25mm宽62mm，非常便于携带和安装。此外，MR500E工业4G插卡路由器还具备1个WAN口和1个LAN口或2个LAN口，网速速率为
2023-09-20 14:42:39
外设接口(SPI)、双/四I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/03。
支持高达104 MHz的CW25Q64A单SPI时钟频率，以及使用快速
2023-09-15 08:11:20
标准的串行外设接口(SPI)、双/四I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/03。
支持高达104 MHz的CW25Q128A单SPI时钟频率
2023-09-15 06:00:05
意法半导体ST25TV芯片系列提供了NFC forum标签，使消费者能够体验数字化生活。嵌入式EEPROM存储器的存储密度范围从512位到64 Kb不等，可覆盖各种应用，包括品牌保护和门禁控制。
ST25TV系列提供最先进的RF性能以及强大的保护功能，例如block lock机制与加密密码。
2023-09-14 08:25:12
1 学习和掌握一种RTOS
2 FreeRTOS的原理
3 TraceAlyzer工具介绍
4 IAR EWARM集成开发环境
5 基于NUCLEO-F401RE的OS实验
2023-09-11 08:26:47
电子发烧友网站提供《Brocade 32G ELWL(25km)SFP+产品介绍.pdf》资料免费下载
2023-09-01 15:44:160 介绍Fls模块的功能之前，有必要先介绍下TC3xx芯片的DMU模块。本文就来详细介绍下TC37x芯片的DMU功能，希望能搞清楚以下问题。
2023-08-31 14:10:47807 
作为一种磁性技术，MRAM本质上是抗辐射的。这使得独立版本在航空航天应用中很受欢迎，而且这些应用对价格的敏感度也较低。它相对较大，在内存领域，尺寸意味着成本。
2023-08-30 15:28:50407 弹簧拉压测试机的详细介绍？|深圳磐石测控
2023-08-21 09:48:18570 
全志v853芯片详细介绍 全志v853是由全志科技研发的一款高性能多媒体应用处理芯片，采用了ARM Cortex-A53四核处理器架构和Mali-T820MP3高性能GPU。该芯片面向高端多媒体
2023-08-16 11:15:341611 广泛好评。本文将对全志h6系列芯片的性能进行详细介绍。 一、处理器性能 全志h6系列芯片采用四核Cortex-A53处理器，最高主频1.8GHz，配合高效节能的7nm工艺技术，使其具备优异的处理器性能和低功耗优势。在性能方面，全志h6系列芯片可以轻
2023-08-16 11:01:245599 QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。
2023-08-14 11:19:35550 电子发烧友网站提供《ST25R3920B汽车NFC读卡器介绍.pdf》资料免费下载
2023-08-01 14:41:172 电子发烧友网站提供《ST25R3916B/17B NFC读卡器介绍.pdf》资料免费下载
2023-08-01 14:40:190 电子发烧友网站提供《MR4.11固件.zip》资料免费下载
2023-07-29 09:32:340 RADIO ENERGIE法国雷恩编码器RCM58PD-25C10-2H是一种高效能的无线能源传输工具，采用了先进的无线技术，为用户提供稳定可靠的通信服务。它具有出色的性能和卓越的品质，能够满足各种
2023-07-28 10:07:17
电子发烧友网站提供《MR16 EMC的参考设计.pdf》资料免费下载
2023-07-24 10:52:050 宇凡微2.4G射频合封芯片是一种高性能、低成本的解决方案，专为无线通信领域而设计。该芯片采用先进的2.4GHz射频技术，内置MCU、发射机、接收机、频率综合器和GFSK调制解调器等功能，具有高度集成的特点。以下是对宇凡微2.4G射频合封芯片的详细介绍。
2023-07-23 09:18:01412 随着VR和AR技术的发展，有厂商开始将两者融合到一起，推出了MR头显设备。这些设备结合了虚拟现实和增强现实的功能，能够提供更加丰富和交互性的体验。MR头显设备使用传感器跟踪用户的头部动作，并通过显示器将虚拟元素叠加到用户的真实环境中。
2023-07-18 15:34:511699 EPC6450-AWI基于完全国产自主研发的MR6450核心板进行开发，接口丰富，性能强劲，本文将为您详细介绍该工控单板。 EPC6450-AWI工控单板是基于MR6450核心板进行开发
2023-07-12 11:45:03241 
宇凡微2.4G射频合封芯片是一款高性能的射频集成电路，广泛应用于无线通信、遥控汽车、遥控玩具、遥控灯等领域。该芯片具备高度集成、低功耗、高灵敏度和强抗干扰能力等特点，下面将为您详细介绍宇凡微2.4G射频芯片合封芯片的主要参数和技术数据。
2023-07-11 15:18:27449 本文介绍1G/10G/25G Switching以太网IP的手动和自动两种切换速率的原理和方法
2023-07-10 16:29:09861 
Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 设计的R1芯片。Apple Vision Pro售价3499美元起，换算成人民币超过2.5万元。 苹果公司计划削减混合现实（MR）头显Vision Pro的生产目标，原因是因为Vision Pro设计的
2023-07-04 11:58:571938 新思科技一直致力于打造“人人都能懂”的行业科普视频，传播更多芯片相关小知识，解答各类科技小问题。每周3分钟，多一些“芯”知识。 这一期，我们聊一聊VR、AR与MR的那些事儿。 VR、AR、MR
2023-06-30 17:35:03966 
头戴显示器（Head-Mounted Display，HMD）：这是最常见和广泛使用的MR设备之一。它类似于VR头显，但支持通过透明的镜片将虚拟内容叠加在真实世界中，同时保留对现实环境的感知。
2023-06-29 17:08:385002 有关串行通信的知识，介绍了串行通信调幅与调频方式，串行数据在传输时，一般采用调幅（AM）和调频（FM）两种方式传送数字信息，串行通信调频方式用两种不同的频率分别表示二进制中的逻辑1和逻辑0。
2023-06-29 16:53:20771 MRAM在数据记录应用中，数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件；使用历史；环境参数 ；机器状态；用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 本参考设计详细介绍了采用MAX16820滞回型LED驱动器构成的4 LED MR-16驱动电路，另外还提供一路脉冲冷却器的辅助电源(MAX5033).
2023-06-13 09:25:21536 
苹果MR Vision Pro供应链分析。在光学、显示、交互和芯片方面采用的都是何种方案。
2023-06-08 10:17:09553 
Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
2023-05-31 17:14:24788 
合金箔贴片电阻详细介绍
2023-05-31 10:04:59594 
5G单站验证详细介绍
2023-05-22 12:38:38309 
串行通信指数据是一位一位按顺序传送的通信方式，相对于并行通信，其突出优点是只需要一对传输线，缺点是传输速度较 低。串行通信的传输方向通常有三种，单工、半双工和全双工。单向顾名思义只允许数据向一个方向传输；半双工允许两个方向传 输，但在同一时刻只能往一个方向传输；全双工则允许双向同时传输数据。
2023-05-18 11:33:370 AWorksLP对存储类设备进行了高度抽象化，为存储类设备提供了通用的文件操作接口，应用程序可以轻松跨平台。本文以MR6450平台为例，介绍AWorksLP基于FatFs的SD卡的基本用法。简介SD
2023-05-10 09:42:03322 908MR32我们已经用了10多年了，现在很难买到，所以想用新的MCU来代替908MR32。有推荐的型号吗？+5V 电源是首选。
2023-04-28 07:38:01
S3A1604是一种NETSOL MRAM存储芯片。具有SPI总线接口、XIP(就地执行)性能和基于硬件/软件的数据保护系统。可以取代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允许带宽扩展选项。
2023-04-27 17:33:44420 ISL12022MR5421 数据表
2023-04-26 20:04:470 1 苹果MR头显再爆猛料 据彭博社报道，苹果正在加紧围绕办公、视频、游戏三大领域，为其首款MR头显丰富内容生态。不仅如此，苹果将会兼容iPad上的AR内容，用户可以通过新的3D界面直接访问iPad
2023-04-20 10:33:08576 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462547 中的波形，我发现 iMX RT1024 SRAM 操作存在一个问题。MR5A16A MRAM 声明地址线必须在芯片启用变低时有效iMX RT1024 参考手册指出，芯片启用在地址有效之前变为低电平
2023-04-17 07:52:33
先简单的介绍一下VR、AR、MR、CR的意思：
VR=Virtual Reality，即虚拟现实；
AR=Augmented Reality，即增强现实；
MR=Mixed
2023-04-14 14:32:4034396 
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553818 
的变容二极管。标签：含铅。MGV075-10-H20 的更多详细信息见下文。 产品规格产品详情零件号MGV075-10-H20制造商马康描述0.18
2023-04-10 15:41:42
的变容二极管。标签：含铅。MGV125-25-H20 的更多详细信息见下文。 产品规格产品详情零件号MGV125-25-H20制造商马康描述0.18
2023-04-10 15:28:33
STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP（就地执行）功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl（串行外围接口）是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 产品会取代独立存储器目前各厂商已经基本掌握了用于实现第一阶段应用的关键技术。在车载MCU中,通常是将设备工作时使用的sram存储器和用于存放程序的闪存集成在同一块芯片上。如果能够将自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
2023-04-06 16:00:29
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
的变容二极管。标签：含铅。MGV100-25-H20 的更多详细信息见下文。 产品规格产品详情零件号MGV100-25-H20制造商马康描述0.18
2023-03-31 15:20:22
ELXM201VSN471MR25S
2023-03-29 17:58:21
在PLC(可编程逻辑控制器)产品中，MRAM芯片的应用也日渐普及，本文将介绍MRAM芯片应用于PLC产品上的特性。--代理商：吉芯泽科技
2023-03-29 16:31:221169 
USB串行端口芯片
2023-03-28 15:05:25
USB串行端口芯片
2023-03-28 15:05:18
MR-PINS2-10
2023-03-28 13:52:16
电子发烧友App
工商网监
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