PMS150C是一款8位OTP型IO控制器IO单片机芯片IC，具有广泛的应用领域和丰富的功能特性。该芯片采用了先进的工艺制程和优秀的设计架构，从而保证了其高性能和稳定性。下面，我们将详细介绍
2024-03-11 22:43:26
台湾九齐NY8B062E(NYQUEST)14 I/O + 12通道ADC 8位 单片机12通道ADC 8位 单片机在现代电子系统中，模数转换器（ADC）扮演着至关重要的角色，尤其是在需要将模拟信号
2024-03-11 22:29:57
九齐MCU单片机NY8BE62F微控制器芯片方案开发烧录芯片编带SOP8一、引言随着科技的不断进步和智能化需求的日益提升，微控制器芯片在众多领域的应用越来越广泛。九齐MCU单片机作为业界知名品牌，其
2024-03-11 22:13:24
NY8A051H是IO型消费类低单价8bit九齐单片机，有6个IO口，1K ROM，带一路PWM，内建LVR。最简单的IO型低单价单片机。可以兼容远翔飞凌单片机，应广单片机，晟矽微单片机，芯圣单片机
2023-12-21 18:53:26
九齐单片机IC NY8B062F SOP14 SOP16 SOP8 SOT23-6MCU芯片是一款广泛应用于各种电子设备中的微控制器芯片。它具有高性能、低功耗、易于编程和调试等特点，被广泛应用
2023-12-21 18:43:38
FMD辉芒微控制器FT61F133A-RB原装国产芯片8位单片机MCU一、简介FMD辉芒微控制器FT61F133A-RB是一款8位单片机MCU，采用原装国产芯片制造。这款芯片具有高性能、低功耗
2023-11-28 16:42:48
EM78P153B SOP8义隆I/O口系列单片机MCU芯片EM78P153B是一款由义隆电子推出的SOP8封装I/O口系列单片机MCU芯片。这款芯片具有高性能、低功耗、高可靠性等优点，广泛应用
2023-11-28 15:02:15
这篇文章将介绍台湾九齐单片机NY8A050D 6 I/O 8-bit EPROM-Based MCU，包括其特点、应用领域、与其他单片机的比较等内容。一、九齐单片机NY8A050D 6 I/O
2023-11-27 21:54:52
九齐单片机 MCU芯片 NY8A051G SOP8 九齐芯片 内置晶振一、九齐单片机MCU芯片概述九齐单片机MCU芯片是一款适用于多种应用领域的芯片，其型号为NY8A051G SOP8，内置晶振
2023-11-27 21:49:31
、智能家居和物联网等。今天给大家介绍一款常用的8位单片机，九齐NY8A053E单片机。这是一款以EPROM作为记忆体的8位元微控制器。专为多IO产品的应用而设计。NY8A
2023-11-27 21:45:44
九齐8位单片机NY8A054E型号MCU芯片一、概述九齐8位单片机NY8A054E是一款高性能、低成本的MCU芯片，采用CMOS工艺制造，具有丰富的外设和存储器资源，适用于多种低功耗应用场景。该芯片
2023-11-27 21:41:28
NY8B062D九齐单片机是一款8位MCU微控制器芯片，具有高性能、低功耗、高集成度等特点，适用于各种嵌入式控制系统和智能设备。一、NY8B062D九齐单片机特点1.高性能：NY8B062D采用8位
2023-11-27 21:38:47
一、NY8B062M型号单片机NY8B062M是一款由台湾九齐（Joystick）公司生产的8位AD单片机，具有高性能、低功耗、高集成度等特点。该单片机采用CMOS技术，内核采用8051微处理器
2023-11-27 21:34:18
九齐单片机NY8B072A SOP20 NY九齐单片机NY8B072A SOP20 NY是一款基于ARM Cortex-M0内核的微控制器，具有高性能、低功耗、高集成度等特点，适用于各种嵌入式应用场
2023-11-27 21:31:12
备受关注的单片机——辉芒微FT60F011A-RB-IO型单片机，并探讨其特点和应用。一、辉芒微FT60F011A-RB-IO型单片机概述辉芒微FT60F011A
2023-11-27 21:21:40
FLASH单片机ES7P1793F8SF是一款非常实用的芯片，它具有8位处理器和闪存存储器，可以快速、高效地处理数据和控制设备。它是一种低成本的解决方案，适用于许多嵌入式系统应用，如智能家居、工业
2023-11-27 20:58:46
在当今的电子世界中，单片机作为控制核心发挥着越来越重要的作用。其中，8位FLASH单片机HR7P169BFGSF凭借其高性能、大容量、高可靠性和易于编程等优点，广泛用于智能家居、工业控制、消费电子等
2023-11-27 20:47:47
——HR7P169BFGSD。二、HR7P169BFGSD简介HR7P169BFGSD是一款基于8051内核的8位FLASH单片机，具有高性能、高速度、低功耗等特点。它内置了
2023-11-27 20:45:04
8位FLASH单片机HR7P169BFGNF是一款高性能、低成本的嵌入式系统芯片，采用CMOS工艺，具有丰富的外设和存储器资源，适用于多种应用场景。下面将从以下几个方面介绍该芯片的特点和优势。一
2023-11-27 20:36:19
一、概述九齐单片机NY8B062F是一种多功能8位单片机，采用先进的CMOS工艺，具有低功耗、高速度、高可靠性等特点。芯片内置丰富的外设和存储器资源，包括8位CPU、时钟发生器、PWM模块、I/O
2023-11-27 18:34:21
Padauk是一家专业的单片机一级代理，我们提供全面的单片机解决方案，包括PFC151系列。PFC151系列是一款高性能的单片机，它具有低功耗、高速度、高可靠性等优点。该系列单片机适用于各种应用，如
2023-11-23 22:20:39
51单片机的P3口说能复用如我要把它当作普通的IO口使用还要做些设置吗?
2023-10-28 07:34:14
8位、16位、32位单片机中的“XX位”指什么?
2023-10-26 06:43:13
工作电压：
stm8s 2.95-5.5V
STM32F 2.0-3.6
STC15W 2.4-5.5
为什么ST公司的单片机工作电压一般最高都只有3.6V，只有STM8范围稍宽点，而国产单片机很多都是2.4-5.5V的宽电压范围，甚至都有1.8-5.5V的，是什么原因导致了这一现象？
2023-10-25 07:00:51
单片机的IO口不够用了怎么办？如何扩展单片机的IO口？ 单片机是应用广泛的微处理器，其具有较高的可编程性、灵活性和成本效益等优点，在嵌入式系统中得到了广泛的应用。然而，由于每一个单片机的IO口数量
2023-10-24 11:49:04
4389 为什么51单片机的地址总线是16位的，但是它却是8位机？
2023-10-17 08:28:43
HC18M003是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位ADC单片机，内部有4K*16bit MTP程序储存器
2023-10-11 10:25:25710 
烟感报警器芯片CLM32L003F8P6T数据手册。
2023-10-08 20:07:39
8位单片机都是51的么
2023-10-08 06:05:30
STC15F204EA系列单片机是STC生产的单时钟/机器周期(IT)的单片机，是高速/高可靠/低功耗/超强抗干扰的新一代8051单片机，采用第八代加密技术，加密性超强，指令代码完全兼容传统8051
2023-09-28 07:10:58
HC32F003的单片机IO口怎么配置成高阻态？
2023-09-27 07:29:59
/机器周期(1T)的单片机，是宽电压/高速/高可靠/低功耗/强抗静电/较强抗干扰的新一代 8051 单片机，超级加密。指令代码完全兼容传统 8051。MCU 内部集成高精度 R/C 时钟(±0.3
2023-09-26 07:36:13
单片机4个IO口的作用 单片机是嵌入式系统中的一种重要元器件，其可以实现数据处理、控制和通信等功能。作为单片机的一个核心部件，IO口（Input/Output Port）可以将外部信号输入到单片机
2023-09-22 16:21:153288 的单时钟/机器周期(1T)的单片机，是宽电压/高速/高可靠/低功耗/强抗静电/较强抗干扰的新一代 8051 单片机，超级加密。指令代码完全兼容传统 8051。MCU 内部集成高精度 R/C 时钟
2023-09-19 06:54:35
STM32F003系列是32 位通用微控制器，最高工作频率可达 48MHz，内置高速存储器，丰富的增强型 IO 端口和外设连接到总线。
今天要介绍的是可以兼容替代STM32F003系列的国产MCU
2023-09-14 11:07:38
PWM 定时器。CW32F003x3/x4 可以在 -40° C 到 105° C 的温度范围内工作，供电电压宽达 1.65V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep 两种低功耗工作模式。
2023-09-14 08:05:00
描述HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部8K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，512×8位的数据寄存器（RAM），6组双向I/O口
2023-08-24 15:05:51
描述HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部8K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，512×8位的数据寄存器（RAM），6组双向I/O口
2023-08-24 14:51:24
XL32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM®Cortex®-M0+内核，宽电压工作范围的MCU。嵌入高达64 Kbytes flash和8 Kbytes SRAM存储器，最高工作频率
2023-08-11 13:57:28
HC18P110A0/B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片 机，内部有1K*14位一次性编程ROM(OTP-ROM)，128*8位的数据寄存器（RAM），两个双 向I
2023-07-28 16:38:32
HC18P110A0/B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片 机，内部有1K*14位一次性编程ROM(OTP-ROM)，128*8位的数据寄存器（RAM），两个双 向I
2023-07-28 16:32:49
HC18P110A0/B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片 机，内部有1K*14位一次性编程ROM(OTP-ROM)，128*8位的数据寄存器（RAM），两个双 向I
2023-07-28 16:24:56
HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部8K×16 位一次性编程ROM(OTP-ROM)，512×8位的数据寄存器（RAM），6组双向I/O口，三个
2023-07-28 16:20:18
HC18P018A0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内置大功率1A NMOS管3个，大电流可配置。同时集成充电管理功能，过温保护。内部有1K×14位一次性编程
2023-07-28 16:16:36
SQ2711L系列是采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机， 内部有1K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，64×8位的数据寄存器（RAM），三组双 向I/O口，两个
2023-07-28 16:12:42
HC89S003A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16KBytes FLASH 程序存储器，256Bytes IRAM+768Bytes XRAM，最多
2023-07-28 15:59:16
HC89S003A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16KBytes FLASH 程序存储器，256Bytes IRAM+768Bytes XRAM，最多
2023-07-28 15:51:11
HC89F0431A/0421A/0411A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内 部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 15:47:19
HC89F0431A/0421A/0411A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内 部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 15:43:46
HC89F0431A/0421A/0411A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内 部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 15:41:24
HC89F0431A/0421A/0411A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内 部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 15:36:55
HC89S103K6 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K Bytes
2023-07-28 15:15:39
HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部最多 64K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 15:11:21
HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部最多 64K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 14:56:20
HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部最多 64K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 14:53:17
HC89F3541/3531/3421 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部 有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:19:57
HC89F3541/3531/3421 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部 有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:17:03
HC89F3650 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部最多 64K BytesFLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 2K Bytes
2023-07-28 14:02:00
HC88L051F4 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1024 Bytes
2023-07-28 10:25:54
HC88L051F4 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1024 Bytes
2023-07-28 10:15:10
HC89S003A/001A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 16KBytes FLASH 程序存储器，256Bytes IRAM+768Bytes
2023-07-28 10:04:05
HC89F0332/0322/0312 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 8K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 09:52:06
HC89F0332/0322/0312 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 8K Bytes FLASH 程序存储器，256Bytes
2023-07-28 09:45:19
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-28 09:05:42
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:28:42
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:20:21
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:17:11
HC89F0541/0531 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:01:33
HC89F30xC 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 15:30:26
HC89F30xC 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 15:18:00
HC89F30xC 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 14:49:39
HC89F30xC 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机，内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 14:42:27
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 14:25:00
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 14:18:22
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 14:13:43
HC89F3541B/3531B/3421B 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机， 内部有 32K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes
2023-07-27 14:00:25
HC16P122A1/B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有 2K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），2组双向I
2023-07-26 15:54:01
HC18P015B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内有1K*14 位一次性可编程ROM（OTP-ROM），64×8位的数据存储器（RAM），两组双向I/O口，2个8位定时器/ 计数器，5路PWM，多级LVD检测。这款单片机可以广泛应用于简单控制和小家电等产品。
2023-07-26 15:36:14
HC18P015B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内有1K*14 位一次性可编程ROM（OTP-ROM），64×8位的数据存储器（RAM），两组双向I/O口，2个8位定时器/ 计数器，5路PWM，多级LVD检测。这款单片机可以广泛应用于简单控制和小家电等产品。
2023-07-26 15:22:47
HC18P015B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内有1K*14 位一次性可编程ROM（OTP-ROM），64×8位的数据存储器（RAM），两组双向I/O口，2个8位定时器/ 计数器，5路PWM，多级LVD检测。这款单片机可以广泛应用于简单控制和小家电等产品。
2023-07-26 15:18:51
新唐单片机n76e003的ADC这么配置有什么问题吗?AD读出来是错的。
代码如下：
void ADC_Init(void)
{
P0M1 |= 0X28;//0010 1000设置高阻输入
2023-06-28 08:45:38
N76E003为新唐高速1T 8051 单片机系列产品，提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash与高容量1 KB SRAM，支持2.4V 至 5.5V宽工作电压与-40℃至
2023-06-26 08:46:23
新唐N76E003AT20单片机的IO口端口速率是多少，也就是该端口电平翻转速度能控制到ns级别吗？因为要控制灯条，时序比较严格，0码和1码的电平要控制到280ns-400ns
2023-06-25 08:23:12
请问N76E003的IO速度有多快？
BIT_TEMP=EA;EA=0;TA=0xAA;TA=0x55;SFRS|=0x01;
P0SR|=SET_BIT2|SET_BIT3|SET_BIT4
2023-06-14 07:50:59
描述HC16P122A1/B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有2K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），2组双向I
2023-06-02 09:52:41
描述HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部8K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，512×8位的数据寄存器（RAM），6组双向I/O口
2023-06-02 09:41:07
描述HC18P13xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机，内部有4K×16位一次性编程ROM(OTP-ROM)，256×8位的数据寄存器（RAM），4组双向I/O口
2023-06-01 17:48:13
单片机的IO口输出是3.3V，有电路中有5V电压，问题是利用IO口的高低设置怎么才能控制某个器件5V电压通断？？目标：因为单片机的IO口输出电压只有3.3V，而某器件需要的是5V，其中电路中有电压
2023-04-18 10:27:07
有人在用CLM32L003单片机吗？
2023-03-29 11:21:43
CMS79F623单片机为中微半导体自主8位RISC内核单片机，工作电压1.8V~5.5V,提供4Kx16ROM、344x8 RAM、128x8 Pro EE、ADC、PWM、2路运算放大器, 1路
2023-03-28 09:23:02
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