SMT焊接温度曲线智能仿真系统是一个全流程模拟PCB SMT焊接受热过程的智能化仿真系统。系统通过虚拟化构建数字化PCBA模型、回流炉模型，关联锡膏、器件、产品的工艺要求，通过热仿真软件来实现焊点
2024-03-18 17:00:11
任务要求：
了解微电子封装中的引线键合工艺，学习金丝引线键合原理，开发引线键合工艺仿真方法，通过数据统计分析和仿真结果，分析得出引线键合工序关键工艺参数和参数窗口，并给出工艺参数和键合质量之间的关系
2024-03-10 14:14:51
随着新能源发电及电动汽车等的快速发展，储能的应用也越来越广泛。在进行仿真建模时，如何搭建一个准确的电池单体模型变得十分重要。
2024-01-22 09:37:48
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DOH新工艺技术助力提升功率器件性能及使用寿命
2024-01-11 10:00:33120 
MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件；其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点
2024-01-09 10:22:43112 
过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。现在，通过引入物理
2024-01-05 10:04:55316 
用multisim中的LTC1043模型进行F/V转换仿真没有成功，是模型有问题吗？
2024-01-05 07:01:34
得到略有不同的结果。 首先，不同的仿真软件可能采用不同的模型和假设。在仿真建模过程中，软件开发者可能对系统的特性和行为有不同的理解，因此在模型中可能存在一些差异。例如，在模拟交通系统时，一个软件可能将车辆的速度和加
2023-12-28 15:37:58363 点击蓝字 关注我们 过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测
2023-12-25 19:10:02451 
电子发烧友网站提供《潮湿、再流焊和工艺敏感器件的操作、包装、运输及使用.pdf》资料免费下载
2023-12-22 10:41:02
0 技术革新日新月异，大模型的兴起更是颠覆了千行百业。自ChatGPT问世以来，大模型的应用前景充满了无限的机遇与挑战。 12月16日，在2023开放原子开发者大会的“大模型应用开发之道”分论坛
2023-12-21 19:35:01412 离子注入是一种重要的半导体工艺，用于在材料中引入离子，改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子的注入过程进行建模和模拟，以帮助优化工艺参数并预测材料性能的变化。以下将详细介绍离子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256
通过网上的教程将AD8436的仿真模型添加到pspice中，已添加AD8436的lib。但是却不能进行仿真，请问怎么解决
2023-12-18 08:06:09
在做一个采集电路，选用了ad7606，官网上只有ibis模型，貌似只有spice模型才能被添加到multisim里去，怎样才能在multisim里添加ad7606的元器件来仿真呢？
2023-12-13 06:23:18
随着电路仿真技术在原型设计行业的不断普及，仿真模型可能成为广大终端市场客户的一项关键需求。SPICE 和 IBIS 模型是非常受欢迎的两种仿真模型，有助于在电路板开发的原型设计阶段节省成本。本文
2023-12-08 18:20:02517 
工程师必看！MOSFET器件选型的3大法则
2023-12-06 15:58:49209 系统级仿真是产品开发的重要组成部分，这种仿真包括与设备模型相结合的电路组件。
2023-12-05 10:52:29407 
本推文包含两个部分，一个是雪崩击穿和碰撞电离的关系，一个是光电器件仿真简介。旨在提倡用理论知识去指导仿真，和通过仿真结果反过来加深对理论理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32699 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制作P型半导体。学习氧化镓仿真初期
2023-11-27 17:15:091025 
本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:011013 
本推文简述三极管即BJT器件，具体包括NPN和PNP的仿真相关内容。
2023-11-27 17:09:06647 
能否利用器件的IBIS模型对器件的逻辑功能进行仿真？如果不能，那么如何进行电路的板级和系统级仿真？ 可以利用器件的IBIS模型对器件的逻辑功能进行仿真。IBIS（Input/Output
2023-11-24 14:50:58288 有压接器件的高速PCB，为何不建议做喷锡工艺？ 在高速PCB中使用压接器件而不建议使用喷锡工艺的原因可以从以下几个方面进行详细阐述： 一、信号完整性问题： 1. 压接器件一般是通过金属片的压力来实现
2023-11-22 18:18:16517 现想用Cadence做PCB的的SI仿真，但是AD8139没有IBIS仿真模型，只有SPICE模型，请问利用SPICE模型能不能进行PCB的SI仿真？谢谢
2023-11-22 08:11:44
在Altium designer中想要仿真一个自举电路，由AD549作为运放，可是库中的元器件AD549却没有仿真模型，无法进行仿真，有没有AD549的仿真元器件库？求解。
2023-11-22 06:15:21
最近需要用到AD539乘法器，由于Multisim里面没有该仿真器件，在ADI官网上找AD539的spice模型也没有找到，无法仿真。根据数据手册上的电路图在面包板上进行测试，输入1mv,1KHZ
2023-11-21 08:03:20
SCR在CMOS技术的ESD保护中发挥着越来越重要的作用。一个主要的挑战是为这些器件在ESD应力条件下开发有效的紧凑仿真模型。
2023-11-20 18:21:32548 
HI ，我问一下，ADIsimPE 如何导入 SPICE 模型，进行设计仿真？
2023-11-17 14:36:55
我按照help文件说明，将AD8428的Spice模型导入到ADIsimPE。设计完成后，进行增益测试和噪声仿真，都出现的如下错误：
谢谢各位
以下内容为评论
出现warning是因为电路中元器件太多了。只保留一个AD8428电路，试试。
2023-11-17 06:50:27
因为仿真环境是ADS，并且目前还是在初步的学习阶段，所以并不清楚如何能通过官网提供的其他软件的模型来生成ADS仿真模型，希望在论坛里获得帮助。
2023-11-15 06:39:21
最近在使用ADI官方的Spice模型进行仿真时，发现有一些元器件的官方Spice模型在LTSpice中导出仿真文件时，元件符号是一个矩形，引脚上也没有对应的引脚序号和名称，如：“AD8638
2023-11-14 08:23:18
我先用的TINA下载的模型进行仿真，发现不对。
不对的点在于8226单电源不能正常使用，但是8221可以，我觉得这是差不多的东西，而且应用应该也是OK的。
然后我用了LTSPICE，直接在LTSPICE里面调的器件，还是一样
非常奇怪，我就想确认一点，是仿真错了还是这个器件就是不能单电源使用
2023-11-14 06:53:52
大功率电子器件应用范围十分广泛，散热会影响其可靠性，因此需要模拟元件在各种工作状态下的随时间变化的温度曲线。本文将简单介绍一种能够实时监测并预测结温的热网络模型。
2023-11-13 18:20:19506 
最近在看CN-0312电路笔记，想仿真看一下，有没有AD8271的仿真模型?
2023-11-13 06:23:49
在工作中会遇到不少建立模型，建立顶层仿真并在后期进行验证的工作。应版主把个人零星的一些感受总结一下。
2023-11-06 17:05:16241 
在研究MOSFET的实际工作原理前我们来考虑这种器件的一个简化模型,以便对晶体管有一个感性认识:我们预期它有什么样的特性以及特性的哪些方面是重要的。
2023-10-21 11:35:221403 
、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像
2023-10-18 16:05:02328 提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此，罗姆已经
2023-10-17 11:24:11257 智慧华盛恒辉仿真软件的架构可以根据不同的仿真应用场景和需求而有所不同，但一般来说，以下是一些常见的仿真软件架构： 前向仿真架构：前向仿真是一种基于模型的仿真方法，它通过建立系统模型来模拟系统行为
2023-10-16 17:02:22348 2023年10月11日-13日，在中国移动全球合作伙伴大会举办期间，中兴通讯“星云研发大模型”亮相，旨在辅助开发人员进行需求分析、产品设计、编程、测试、版本部署等，全流程助力研发提效。经第三方
2023-10-12 19:35:03385 IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)是一个用于仿真的描述性文件，它从元件的行为出发描述了器件输入输出端口的电气特性，不会涉及具体电路结构以及芯片的工艺参数等信息，半导体制造商很容易提供这种模型给客户，而不暴露自己的知识产权。
2023-09-28 16:24:41818 
上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench工艺MOSFET, 上海雷卯EMC小哥简单介绍如下。
2023-09-27 09:27:49934 
KINDERGARTEN上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench工艺MOSFET,上海雷卯EMC小哥简单介绍如下。1.
2023-09-27 08:02:48856 
整合88个国外网站下载的电子元器件3D模型，省去逐一下载的麻烦。
2023-09-25 07:47:32
经过了工程批工艺开发、工艺平台逐步稳定、小批量交付客户、器件参数稳定以及客户模块参数验证和模块产品可靠性验证等一系列的验证后，中科汉韵于今年开始批量交付车规级SiC MOSFET晶圆产品，良率达到70%以上。
2023-09-21 17:30:50315 
前言 随着电子系统高速、高带宽、大功耗、低压大电流的发展，电子系统设计面临更大挑战。从元器件到电路模块、系统都需要进行建模仿真，优化元器件电性能和可靠性，从而提升电子系统稳定性。电容
2023-09-21 16:57:272506 
电子发烧友网站提供《助力软件开发者—扩展FPGA应用开发.pdf》资料免费下载
2023-09-18 10:14:460 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。
2023-09-07 09:55:521084 
IBIS模型属于一种行为模型，它不是从要仿真的元件的结构出发进行定义的，而是从元件的行为出发进行定义的，描述了器件在特定负载、特定封装下的输入／输出行为，而不是实际的电气组成。IBIS模型主要用于板极的系统仿真，可以帮助设计者在存在高速设计规则约束的设计中获取准确的信息以进行分析和计算。
2023-09-01 16:38:09325 
IBIS模型属于一种行为模型，它不是从要仿真的元件的结构出发进行定义的，而是从元件的行为出发进行定义的，描述了器件在特定负载、特定封装下的输入／输出行为，而不是实际的电气组成。
2023-08-29 14:29:27193 
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲SMT无铅工艺选择元器件需考虑哪些因素?SMT无铅工艺需要注意的问题。受环保因素的影响，目前SMT贴片加工基本上都是采用无铅工艺，SMT无铅工艺选择元器件要注意
2023-08-28 10:11:05246 据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。
2023-08-23 15:38:01703 （(HIL)测试设备和快速控制原型(RCP)系统开发领域，历经数年产品已完成多次升级，助力电力电子科研领域高速发展。Easygo实时仿真平台产品广泛应用于高端设备、新能源系统、电力机车、智能电网等各个领域
2023-08-16 17:29:37
通用流体仿真软件VirtualFlow 提供了比较完整的多相流模型的框架，针对界面流、混合流与离散相流体等流动问题的特点提供了相应的多相流动的模型。
2023-08-15 15:20:05826 
DSM是周期精确的仿真模型，您可以将其包含在一系列目标HDL仿真器中。
每个DSM特定于一个主机平台。
DSM与RTL模型的架构和功能完全匹配。
DSM直接从RTL模型派生而来。
DSM可以与多种
2023-08-12 06:44:10
2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
2023-08-11 17:00:54226 MBD（Model-Based Design，基于模型的设计）是通过模型生成代码的，所有我们有必要弄清楚模型仿真与实际应用之间的区别。
2023-07-14 16:15:42728 
在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
本文以锂电池数学模型为基础，在Matlab/Simulink的仿真系统中，建立了一种Thevenin/RC电池模块仿真模型，通过实际工况试验，测试精度在允许误差范围内，为电池SOC/SOH研究提供了极大的参考价值。
2023-06-28 10:49:532928 
图1中的仿真电路图是升压转换器功率级的仿真电路图，此处用于评估栅极电阻对功率级的影响。在此仿真中，我将瞬态电压、电流和导通功率的大小视为潜在可靠性和EMI问题的指标;与组件选择相关的问题;和布局寄生效应。因此，应该很好地理解MOSFET模型以及所有组件模型。
2023-06-28 10:29:27367 
通常情况下，在Simulink环境下搭建的电力电子控制系统的仿真模型，都是多速率的仿真模型。
2023-06-27 15:31:28659 
通常情况下，在Simulink环境下搭建的电力电子控制系统的仿真模型，都是多速率的仿真模型。
2023-06-21 16:00:22599 SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间
2023-06-19 16:39:467 UltraEM可以使用Corner Sweep来仿真工艺变化对器件结构造成的影响，具体包含三种仿真模式：MonteCarlo仿真、Perturbation仿真与Corner仿真。
2023-06-19 10:25:53386 
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特性和器件符号。双极结型晶体管（BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52591 
本文详细演绎了从Simulink创建模型，仿真验证，之后再生成C源码部署到plus-f5270开发板的全过程。其中描述的方法和操作步骤，为后续部署更多仿真模型奠定了基础。
2023-06-16 10:52:551541 
李彦宏认为，未来，所有的应用都将基于大模型来开发，每一个行业都应该有属于自己的大模型。大模型会深度融合到实体经济当中去，赋能千行百业，助力中国经济开创下一个黄金30年。
2023-06-02 15:34:56895 组件输出仿真模型可以通过半物理模型或数学模型实现，根据应用场景的不同可以选择不同模型观察和研究组件特性。
2023-06-01 16:18:502369 
据外媒报道，仿真软件专家rFpro宣布与索尼半导体解决方案集团（Sony Semiconductor Solutions Corporation）合作开发集成到rFpro软件中的高保真传感器模型
2023-05-19 08:45:41387 烟台数字孪生工厂3D交互模型，3d可视化建模，智慧城市园区三维仿真模型。可以帮助企业构建基于真实工厂搭建的以实时数据驱动的虚拟工厂，实现虚拟工厂与真实工厂之间虚实映射、虚实同步、共生演进、闭环优化
2023-05-15 09:23:02407 
BSIM3模型的核心是它的I-V模型，即电流-电压特性模型，它描述了MOSFET器件在不同的偏置条件下的电流响应。
2023-05-10 11:22:181196 
实现了集成电路，MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模型可以在大信号模型线性化
2023-05-09 09:46:23674 proteus的电路仿真和虚拟模型仿真的区别是什么？
2023-04-23 16:41:22
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39988 
介绍了SIC碳化硅材料的特性，包括材料结构，晶体制备，晶体生长，器件制造工艺细节等等。。。欢迎大家一起学习
2023-03-31 15:01:4817 N32G430C8L7_STB开发板用于32位MCU N32G430C8L7的开发
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的样片开发，开发板主MCU芯片型号N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
Candence中的Pspice仿真软件功能非常强大，可以在我们的设计前期对我们的电路进行一个详细的仿真，并与我们实际的计算结果进行对比，从而判断我们设计的合理性。关于Pspice中自带的仿真器件
2023-03-29 12:00:205091 
ST-LINK仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:06:38
DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
USB Blaster仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:06:20
高速DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
ATK-DAP仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-USB Blaster仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-HSDAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:05:52
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