手册说L9369的PROM不是非易失存储，那么如果芯片掉电（VBP），PROM中的数据是否会全部丢失？
EPB应用是否要求VBP挂KL30上
2024-03-21 07:19:54
专用集成芯片（ASIC，Application Specific Integrated Circuit）指的是为特定应用而定制的集成电路。与通用芯片相比，ASIC针对特定的应用需求进行优化和设计，从而实现更高的性能、更低的功耗和更小的体积。
2024-03-20 17:10:20
113 MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘（SSD）可延长寿命
2024-03-18 10:24:3648 
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
一次性透析导管滑动性能测试仪产品简介PMT-CSP02导管滑动性能测试仪根据《YY/T 1536-2017 非血管内导管表面滑动性能评价用标准试验模型》 、《T CAMDI 021
2024-02-26 16:09:10
产品简述
MS1242/MS1243 是一款高精度、宽动态范围、 ∆-Σ 模数转
换芯片，其工作电压为 2.7V 至 5.25V ，可以达到 24bit 无失码转
换，有效精度可达 21bit
2024-02-19 16:22:51
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-02-19 11:32:41367 
台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:126646 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。
2024-01-18 16:44:044838 血管内导管流量测试仪 2024/济南三泉智能科技有限公司适用于测试一次性血管内导管、非血管内导管、输液器、直肠导管、导尿管、输血管、透析管等医疗器械在静水压下液体流量测试。，广泛应用于医疗器械检验机
2024-01-10 14:26:09
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03212 
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大规模自旋轨道转移MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能，每比特开关能量低于100飞焦耳，耐用性超过10的15次方。
2024-01-05 11:47:18430 
RAM来维持它的运行和使用，只有在保存相关文件时才会转存到 microSD 卡。
正是这种搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的记忆，RAM 是掉电不保存，而 microSD 卡则是掉电保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
±150mil。
3、数据组内以DQ[0]为基准，等长控制在25mil以内。
4、各数据组之间，以时钟线为基准，等长差范围设置为0-500mil。
DDR芯片的PCB可制造性设计
1、阻抗
在制造过程中
2023-12-25 14:02:58
±150mil。
3、数据组内以DQ[0]为基准，等长控制在25mil以内。
4、各数据组之间，以时钟线为基准，等长差范围设置为0-500mil。
DDR芯片的PCB可制造性设计
1、阻抗
在制造过程中
2023-12-25 13:58:55
MU-K1005医用口罩合成血液穿透试验仪主要用途 ：MU-K1005医用口罩合成血液穿透试验仪用于测定医用防护口罩在不同试验压力下对于合成血液穿透的抵抗能力，也可用来测定其它涂层材料的耐血液穿透性
2023-12-06 15:45:36
异构专用AI芯片的黄金时代
2023-12-04 16:42:26225 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
单片机的一个重要组成部分，用于存储非易失性数据。在本篇文章中，我们将深入探讨PADAUK PGS152单片机EEPROM芯片的特点、应用和使用注意事项。第
2023-11-23 21:16:37
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:53213 
电子发烧友网站提供《透析中国三大激光产业集群.doc》资料免费下载
2023-10-31 11:14:52
0 在食品包装领域，肠衣膜作为一种重要的包装材料，广泛应用于各类食品的包装和保护。然而，肠衣膜的质量和耐久性对于保护食品的完整性和安全性至关重要。为了评估肠衣膜的耐久性，肠衣膜抗撕裂性试验机应运而生
2023-10-26 16:37:32
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么实现一个非阻塞性的串口屏收发
2023-10-24 08:15:33
随着工业4.0的出现，工厂的智能化和互联性正在日益提高。智能工厂中的机械设备就能够采用所连接的无线传感器节点的实时数据，提前预测可能发生的故障，并通知控制系统采取纠正措施，以避免意外的系统停机。累积
2023-10-19 11:27:37
怎么利用单片机io口实现非均匀采样？
2023-10-19 07:47:46
如何捕捉并重现稍纵即失的瞬时信号？
2023-10-18 06:26:54
IAR能否支持对兆易的GD32进行编程开发
2023-10-11 07:30:23
ST 的 8 位微控制器平台基于高性能 8 位内核，配有先进的成套外设。 该平台采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存储器专有技术。STM8 通过增强型堆栈指针运算、先进的寻址模式和新指令实现快速、安全的开发。S
2023-10-10 08:05:14
51单片机P3口的wr非口有什么作用，接c0832 芯片时，芯片中的wr非口有什么作用，这个不太懂，有没有关于p3口功能的文档？
2023-10-08 08:03:33
概述:
YB5096是一款电子点烟器专用芯片，集成涓流、恒流、恒压三段式充电管理，符合锂电池充电规范。充电输入可直接从USB口取电，充电电流默认 250mA，无需外部电阻可配置电流。集成低阻抗放电
2023-10-06 11:20:56
ST 的 8 位微控制器平台基于高性能 8 位内核，配有先进的成套外设。 该平台采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存储器专有技术。STM8 通过增强型堆栈指针运算、先进的寻址模式和新指令实现快速、安全的开发。
2023-09-28 08:05:11
当肾脏接近衰竭或完全永久性衰竭时，患者代谢所产生的废物和多余的水分开始在血液中积聚，该阶段称为终末期肾病（ESRD）或肾衰竭。一般情况下，终末期肾脏病需要血液净化治疗，利用透析仪器可以将患者血液
2023-09-15 18:34:19302 
宽压输入降压恒流小封装SOT23-6外围简单外围简单小体积宽压输入LED驱动芯片小恒流方案宽压LED降压恒流驱动芯片宽压雾灯日行灯小灯专用驱动芯片宽压雾灯日行灯小灯专用驱动芯片AP5216 是一款
2023-09-14 09:33:23
据麦姆斯咨询报道，总部位于比利时的初创公司Axithra主要开发基于芯片的拉曼光谱技术来监测患者血液中的药物浓度，近期已筹集了1000万欧元的种子资金。
2023-09-14 09:28:491207 飞思卡尔的Kinetis设备提供FlexMemory技术，该技术为灵活的内存使用提供了多功能和强大的解决方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM组成。
FlexNVM是一种非易失
2023-09-04 06:29:35
单霍尔\"地暖扇\"BLDC应用专用芯片(MDRH40)
[url=https://www.bilibili.com/video/BV1oh4y1T7Md/][/url
2023-08-31 17:14:42
作为一种磁性技术，MRAM本质上是抗辐射的。这使得独立版本在航空航天应用中很受欢迎，而且这些应用对价格的敏感度也较低。它相对较大，在内存领域，尺寸意味着成本。
2023-08-30 15:28:50407 宽压雾灯日行灯小灯专用驱动方案专用芯片外围简单小体积宽压输入LED驱动芯片
小恒流方案宽压LED降压恒流驱动芯片
宽压雾灯日行灯小灯专用驱动芯片
宽压雾灯日行灯小灯专用驱动芯片
AP5216 优点
2023-08-18 11:16:14
芯圣电子烟专用芯片系列分为专用MCU系列和ASIC系列，专用MCU系列简化了电子烟方案的设计开发、压缩开发周期与生产成本。ASIC系列，规格齐全，有多种电压输出模式、电压输出大小可选。专用MCU系列
2023-08-03 15:05:162297 
nvSRAM使用传统的捕获电荷技术进行非易失性存储。由于温度和过多的写入周期会导致数据损耗，因此数据可能会泄漏。
2023-07-25 15:36:04244 DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护
2023-07-21 15:01:52
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩
2023-07-14 17:15:06
Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 多功能便捷式血液分析仪是医院临床检验应用非常广泛的仪器之一，在各医院临床检验实验室日益普及，特别是多参数、五分类血液分析仪的应用，其快捷、准确的测试结果，为临床提供更多的实验指标，缩短了医疗等待结果的时间，提高了工作效率。
2023-06-29 09:47:15238 
芯片检测中的非破坏分析有哪些？
2023-06-27 15:20:08
MRAM在数据记录应用中，数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件；使用历史；环境参数 ；机器状态；用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 流水线，高性能1. 56DMIPS-多档系统主频，最低32KHz-特有高速的中断响应机制●512K字节非易失存储FlashROM:- 448KB 用户应用程序存储区CodeFlash- 32KB用户非
2023-06-20 15:59:05
W79E823/824/825 单片机没有量产专用烧写工具吗？通用编程器经常报错，难道新唐自己没有编程器？
2023-06-15 07:37:25
气泡检测在输液泵、血液透析和血流监测等应用中，AD-101气泡传感器用于以非侵入式的方法持续监控流体并检测其中的气泡。利用超声波能够积极识别任何类型液体中是否存在流动中断。
2023-06-03 10:26:33793 
。 这些泵用于定期以非常精确的量输送液体、药物或营养物质（直接进入胃中）。 输液泵的类型包括移动泵、肠内营养泵、肾透析机和便携式泵。
2023-06-01 10:42:12196 
Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
2023-05-31 17:14:24788 
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
多通道血液分离杯气密性检测仪主要应用于血液分离杯的生产和质量控制过程中。这种设备能够快速、准确地检测血液分离杯的气密性，确保其在使用过程中不会发生泄漏。 血液分离杯是医疗和科研实验中常用的消耗品
2023-05-29 17:41:23277 
色坏易折安瓿折断力测试仪安瓿瓶折断力测试仪是一种用于测试安瓿瓶的机械强度、可靠性和安全性能的专用试验设备，通常由液压系统、数据采集系统、测试夹具等主要组成部分。在测试过程中，将待测安瓿瓶放置在测试
2023-05-23 16:42:10
的导管流量测试仪检验。导管流量测试仪是专门用于检测导管类医疗器械流量的专用设备。适用于测试一次性血管内导管、非血管内导管、输液器、直肠导管、导尿管、输血管、透析管等医
2023-05-22 14:59:21
一种便携式存储设备，当插入计算机时，被解析为内置硬盘设备。这也是一种非易失性闪存。与MMC和SD卡一样，USB闪存驱动器是一种更受欢迎的可移动存储形式。
5、RAM
RAM是一个易失性内存选项。一旦设备
2023-05-18 14:13:37
高速吹风筒无刷电机驱动方案，高速风筒专用电机驱动芯片是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。高速风筒专用电机驱动芯片采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动
2023-05-10 10:49:35848 
高速风筒专用电机驱动芯片是一款高压、高速功率
MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参
考输出通道。高速风筒专用电机驱动芯片采用高低压
兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成
2023-05-10 10:05:20
targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用户指南中的说明使用 CAAM 可信纯密钥加密/解密非易失性存储上的数据，但 bsp 不包括使用 CAAM 标记密钥加密所需
2023-05-09 08:45:33
S3A1604是一种NETSOL MRAM存储芯片。具有SPI总线接口、XIP(就地执行)性能和基于硬件/软件的数据保护系统。可以取代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允许带宽扩展选项。
2023-04-27 17:33:44420 检验。导管流量测试仪是专门用于检测导管类医疗器械流量的专用设备。适用于测试一次性血管内导管、非血管内导管、输液器、直肠导管、导尿管、输血管、透析管等医疗器械在静水
2023-04-27 13:54:42
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462547 中的波形，我发现 iMX RT1024 SRAM 操作存在一个问题。MR5A16A MRAM 声明地址线必须在芯片启用变低时有效iMX RT1024 参考手册指出，芯片启用在地址有效之前变为低电平
2023-04-17 07:52:33
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP（就地执行）功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl（串行外围接口）是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存储中，分为用户应用程序存储区CodeFlash，用户非易失数据存储区DataFlash,系统引导程序存储区Bootloader，系统非易失配置信息存储区InfoFlash。一般在使用时
2023-04-07 11:46:50
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
USB充电数据线专用升压恒压驱动芯片一般说明输入3.6-5V输出6-8.4V 1A电流升压ICAP8660是一种电流模式升压DC-DC转换器。内置0.25Ω的PWM电路功率MOSFET使该调
2023-04-04 10:00:30
在PLC(可编程逻辑控制器)产品中，MRAM芯片的应用也日渐普及，本文将介绍MRAM芯片应用于PLC产品上的特性。--代理商：吉芯泽科技
2023-03-29 16:31:221169 
红外热释电专用芯片
2023-03-28 15:12:32
请教一下大神伺服电机失步时是怎样得到补偿的？
2023-03-23 15:34:44
我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器（保证在重启时归零）对它们进行异或，我在重启时将其设置为随机数。（这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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