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电子发烧友网>今日头条>最新成果展示:SiC BJT精准模型的开发

最新成果展示:SiC BJT精准模型的开发

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2023-04-24 10:26:20

液相法、3C-SiC!中科院又取得新成果

该团队开发了一个生长3C-SiC的液相TSSG长晶设备,其生长过程是这样的:首先,在高温石墨坩埚区域中溶解C粉;然后在对流作用下,将C粉从高温区输送到低温区;最后在低温籽晶上进行3C-SiC结晶。
2023-04-24 09:54:123458

天数智芯取得大模型适配支持阶段性成果

在合作伙伴的大力支持和共同努力下,天数智芯自主算力集群方案不仅能够有效支持OPT、LLaMa、GPT-2、CPM、GLM等主流AIGC大模型的Pretrain和Finetune,还适配支持了清华、智源、复旦等在内的国内多个研究机构的开源大模型,取得了大模型适配支持阶段性成果
2023-04-23 14:19:39938

SiC和Si的应用 各种SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

SIC438BEVB-B

SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02

N32G430C8L7_STB开发

N32G430C8L7_STB开发板用于32位MCU N32G430C8L7的开发
2023-03-31 12:05:12

N32G4FRML-STB开发

高性能32位N32G4FRM系列芯片的样片开发开发板主MCU芯片型号N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12

请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢?

请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢?
2023-03-31 11:56:49

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

SIC431DED-T1-GE3

SIC431DED-T1-GE3
2023-03-28 14:50:25

SIC789CD-T1-GE3

SIC789CD-T1-GE3
2023-03-28 13:48:55

SIC639ACD-T1-GE3

SIC639ACD-T1-GE3
2023-03-28 13:15:17

SIC438BED-T1-GE3

SIC438BED-T1-GE3
2023-03-28 13:10:35

ATK-Mini Linux开发板-EMMC

ATK-Mini Linux开发板-EMMC
2023-03-28 13:05:54

ATK-Mini Linux开发板-NAND

ATK-Mini Linux开发板-NAND
2023-03-28 13:05:54

SIC05120B-BP

1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38

CC2541开发套件

TI CC2541开发套件
2023-03-25 01:27:25

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