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氩离子抛光SEM制样失效分析
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2024-03-15 17:34:29
MOSFET,IGBT功率器件失效根因分析功
基本介绍功率器件可靠性是器件厂商和应用方除性能参数外最为关注的，也是特性参数测试无法评估的，失效分析则是分析器件封装缺陷、提升器件封装水平和应用可靠性的基础。广电计量拥有业界领先的专家团队及先进
2024-03-13 16:26:07
首样免费扫描电镜SEM-EDS测试分析【博仕检测】
射线，表征材料元素方面的信息，可定性、半定量Be-U的元素 ；
定位测试点，如在失效分析中可以用来定位失效点，在异物分析中可以用来定位异物点。
博****仕检测测试案例：
1.观察材料的表面形貌
2024-03-01 18:59:58
晶体管掺杂和导电离子问题原因分析
双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
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贴片电阻阻值降低失效分析
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