中微公司的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备Primo nanova系列第500台反应腔顺利付运国内一家先进的半导体芯片制造商。
2024-03-21 15:12:4399 本文目录晶体管和晶振什么区别有源晶振引脚怎么定义的有源晶振有分极性吗什么是有源晶振,有何作用51单片机的晶振是有源还是无源有源晶体和无源晶体怎么区分晶体管和晶振什么区别晶体管和晶振的区别是晶体管可以
2024-03-12 14:23:4868 刻蚀机的刻蚀过程和传统的雕刻类似,先用光刻技术将图形形状和尺寸制成掩膜,再将掩膜与待加工物料模组装好,将样品置于刻蚀室内,通过化学腐蚀或物理磨蚀等方式将待加工物料表面的非掩膜区域刻蚀掉,以得到所需的凹槽和沟槽。
2024-03-11 15:38:24461 集成电路是通过一系列特定的平面制造工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互连关系,“集成”在一块半导体单晶片上,并封装在一个保护外壳内,能执行特定的功能复杂电子系统。
2024-02-29 15:01:19182 请问官方是否测试过CX3的实际传输速率?最高可以到多少啊?
2024-02-29 07:48:58
MIPI CS2 input timing和CX3 mipi interface configuration 的关系是什么?
CX3 mipi interface configuration中的值设置成什么是合理的?
2024-02-29 07:25:02
Cx3开发板(s)I2C最大速率可以设置到1MHz吗?当前接口CyU3PMipicsiInitializeI2c 最大只能400K,有没有其他接口实现提速的?
2024-02-28 06:10:09
影响深硅刻蚀的关键参数有:气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:44:39283 影响深硅刻蚀的关键参数有:气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:40:1619 IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系? IGBT是一种集成了晶体管和MOSFET技术的功率电子器件。它的主要功能是将低电平信号转换为高电压、高电流能力的输出信号。在工业控制和电源
2024-02-20 11:00:57205 检查晶体管的静态工作点偏置是否处于放大区域。通过测量和计算晶体管的集电极电压(或源极电压)和基极电压之间的关系,可以确定其所处的工作区域。
2024-02-05 15:26:20545 在半导体加工工艺中,常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching),它们像俩兄弟一样,一前一后的出现,有着千丝万缕的联系,这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58548 晶振电路中为什么并上电阻?你知道晶振和电阻的关系吗?电路中为什么常常要再晶振的旁边多加一个电阻呢?能起到什么作用? 晶振电路中为什么要并联电阻?晶振和电阻的关系是什么?为什么常常要在晶振旁边
2024-01-24 15:26:00404 ,则分析时则按照单独的晶体管电路分析,与一般晶体管电路无差。
如果多发射极或多集电极的电路在非多极的一侧全部短起来当作一个晶体管,那么此时的关系可以看作一个或门的关系,只要有一路导通,则晶体管就实现
2024-01-21 13:47:56
干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程,通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分,通过掩膜和刻蚀参数的调控,可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切换,从而形成所需的图案或结构
2024-01-20 10:24:561106 设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升,制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。 刻蚀终点探测需要在刻蚀工艺中进
2024-01-19 16:02:42128 对DRIE刻蚀,是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同,利用硅的各向异性,通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于,两个射频源:将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11:59511 在红外探测器的制造技术中,台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。
2024-01-08 10:11:01206 )设计原理图ADI参与评审 ;2)芯片满串使用 ; 3)批次指向性很明显,2142周号基本上做试验必然烧蚀板子;原理图设计如下:
板子烧蚀严重;使用这种内部MOS进行被动均衡,此问题会一直存在,没有妥善的解决方案,
2024-01-03 06:39:42
高速率光模块可以用在低速率端口交换机上吗? 随着网络技术的迅猛发展,高速率光模块作为现代网络中重要的组成部分之一,为数据传输提供了高速、高效、稳定的解决方案。但是,是否可以将高速率光模块应用于低速率
2023-12-27 11:28:03192 光模块速率有哪些?怎么看?如何选择? 光模块速率是指光纤通信系统中使用的光学模块传输数据的速率。光模块的速率通常用Gbps(每秒十亿个比特)或bps(每秒比特)来表示。不同的应用场景和需求决定
2023-12-27 11:13:48734 晶体管是一种半导体器件,用于放大电信号、开关电路和逻辑运算等。它是现代电子技术和计算机科学的核心之一。在晶体管中,有三个电极:基极、发射极和集电极。这三个电极的电压之间的关系对于理解晶体管的工作原理
2023-12-20 14:50:491201 如题
AD9527 时钟频率范围和转换速率之间的明确关系?
时钟输入频率和功耗是否有关系?
2023-12-20 08:11:59
采样速率和输出速率有什么关系,在ad9625的datasheet中没有标明输出速率,怎么样确定它的输出速率
2023-12-20 07:16:30
众所周知,化合物半导体中不同的原子比对材料的蚀刻特性有很大的影响。为了对蚀刻速率和表面形态的精确控制,通过使用低至25nm的薄器件阻挡层的,从而增加了制造的复杂性。本研究对比了三氯化硼与氯气的偏置功率,以及气体比对等离子体腐蚀高铝含量AlGaN与AlN在蚀刻速率、选择性和表面形貌方面的影响。
2023-12-15 14:28:30227 AD9163的时钟输入范围多大,输入时钟大小与输入数据速率是什么关系?
2023-12-08 08:20:20
晶体和非晶体的区别 晶体和非晶体是固体材料的两种基本结构形态。晶体由具有规则排列的原子、离子或分子组成,而非晶体则是由无规则排列的原子、离子或分子组成。晶体和非晶体之间存在着许多显著的差异,包括
2023-12-07 17:03:391705 该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16370 W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体,并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比,加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步,第一步是快速均匀地刻掉大部分W,第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应,避免产生凹坑,并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:531536 在网上看见说转换速率应该是带宽的两倍,但没有看到转换速率与输出频率的关系啊,而这个带宽是指的从零频率开始的带宽吗?转换的位数是不是只与信号的大小有关啊,位数低的对于小信号的量化会出现问题是吗。求各位大佬指导指导。
2023-12-01 07:08:08
半导体前端工艺(第四篇):刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26256 湿法刻蚀由于成本低、操作简单和一些特殊应用,所以它依旧普遍。
2023-11-27 10:20:17452 来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2023-11-24 08:16:54
电子发烧友网站提供《晶体管混合π型参数与Y参数的关系.rar》资料免费下载
2023-11-20 09:57:210 铅酸电池的放电速率和使用有何关系? 铅酸电池是一种常见的蓄电池,广泛用于汽车、UPS电源等领域。它的放电速率与使用有密切关系,下面我将详细介绍。 一、铅酸电池的工作原理 铅酸电池是一种化学电池
2023-11-17 11:41:33519 人工智能(AI)是预计到2030年将成为价值数万亿美元产业的关键驱动力,它对半导体性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面,一些最复杂的问题来自于需要通过新的刻蚀技术来解决的器件制造挑战。
2023-11-16 16:03:02164 ~250.0uSF: 输入 12V 直流 G: 退压式电光调 QH: 适用低重频率调 Q 晶体 I: 自带高稳定高压电源二 应用范围A:KD*P B:LiNbO3 C:其它三
2023-10-24 15:35:18
什么是数字滤波器的采样速率?和输入信号的频率有什么关系? 数字滤波器的采样速率是指数字滤波器输入信号的采样频率,也称为采样率,通常用赫兹(Hz)表示。在数字信号处理中,为了实现对模拟信号的数字化
2023-10-20 15:02:301383 但是,在刻蚀SOI衬底时,通常会发生一种凹槽效应,导致刻蚀的形貌与预想的有很大出入。那么什么是凹槽效应?什么原因引起的?怎么抑制这种异常效应呢?
2023-10-20 11:04:21454 实际样品中,并不能直接观察到不同的晶体学方向或晶面,只能看到晶粒的形貌。
2023-10-08 10:40:173039 刻蚀(或蚀刻)是从晶圆表面去除特定区域的材料以形成相应微结构。但是,在目标材料被刻蚀时,通常伴随着其他层或掩膜的刻蚀。
2023-10-07 14:19:252073 有过深硅刻蚀的朋友经常会遇到这种情况:在一片晶圆上不同尺寸的孔或槽刻蚀速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447 在半导体制造中,刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀,这两种技术各有优势,也各有一定的局限性,理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003305 在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备,在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03996 晶体振荡器是一种电子振荡器,使用石英晶体作为振荡元件。石英晶体具有稳定的机械性质,当施加电场时,会以高精度的频率振荡。晶体振荡器通过正确选择和驱动石英晶体,可以产生非常精确且稳定的振荡频率。
2023-09-21 15:15:20731 半导体工程装备、北方华创的主要品种是刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心技术装备,广泛应用逻辑部件,存储半导体零部件、先进封装、第三代半导体照明、微机电系统、新型显示、新能源,衬底材料制造等工艺过程。
2023-09-18 09:47:19578 孪晶是指两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面(即特定取向关系)构成镜面对称的位向关系,这两个晶体就称为"孪晶",此公共晶面就称孪晶面。
2023-09-15 10:31:433823 取向(crystal orientation)、晶界取向差(grain boundary misorientations)、鉴别物相、以及局部晶体完整性等大量信息,并进一步推导出材料的力学性能和物理特性。
2023-09-15 10:29:041158 在使用T900数传模块的过程中,会遇到空中速率和串口速率如何配置的问题。下面就谈谈自己的一些体会。
2023-09-11 10:35:45600 湿法刻蚀由于精度较差,只适用于很粗糙的制程,但它还是有优点的,比如价格便宜,适合批量处理,酸槽里可以一次浸泡25张硅片,所以有些高校和实验室,还在用湿法做器件,芯片厂里也会用湿法刻蚀来显露表面缺陷(defect),腐蚀背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 工作简介 上海微系统所异质集成XOI课题组基于自主研制的高单晶质量6英寸LiNbO3/SiC压电异质晶圆,开发了国际上首款基于单晶压电薄膜异质集成衬底的5G N79频段的高性能声表面波
2023-08-28 09:22:43960 晶体管的三个极的电压关系 晶体管作为一种电子器件,是当今电子技术和通信领域中不可或缺的重要元件。晶体管的基本结构包括一个基极、一个发射极和一个集电极。它实现了一种对电流的控制,从而能够实现电子设备
2023-08-25 15:35:205248 晶体管和芯片的关系介绍 晶体管和芯片是现代电子技术中最重要的两个概念,二者有密不可分的关系。晶体管是一种半导体材料制造的电子器件,而芯片则是晶体管等电子器件及相关电路的集成体。 一、晶体管 晶体
2023-08-25 15:29:372444 晶体管和芯片的关系是什么? 晶体管和芯片是相互关联的两个概念,晶体管是芯片的核心组成部分之一。 晶体管是一种能够控制电流的电子器件,由美国贝尔实验室的William Shockley、John
2023-08-25 15:21:051513 下图(a)中的沉积块状层是必需的,这是为了SEG可以生长在设计的区域。下图(c)显示了KOH硅刻蚀,这种刻蚀对<111>晶体硅具有高的选择性。
2023-08-25 09:50:401717 光刻蚀(Photolithography)是一种在微电子和光电子制造中常用的加工技术,用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用,通过光罩的设计和控制,将光影投射到光敏材料上,形成所需的图案。
2023-08-24 15:57:422270 对于数字数据传输,传输速率表示每秒钟传输的比特数或字节数。例如,一个传输速率为1 Mbps的网络连接,表示每秒钟可以传输100万个比特(或125,000个字节)的数据。传输速率越高,数据传输越快。
2023-08-24 15:21:345284 各向异性刻蚀是一种减材微加工技术,旨在优先去除特定方向的材料以获得复杂且通常平坦的形状。湿法技术利用结构的晶体特性在由晶体取向控制的方向上进行蚀刻。 然而,概述了一些定性方面用于解释各向异性的性质
2023-08-22 16:32:01407 恒温恒湿试验箱变温速率的选择
2023-08-20 09:14:31621 晶体内的几何关系都是三维的,表示起来很不方便,是不同晶面晶向间的关系以及它们运动的轨迹很难用三维图表达清楚。所以,往往把它们转化为一种平面关系。最普遍使用的方法是极射赤面投影。
2023-08-18 11:28:432027 PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜,降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙,并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不需要的蚀刻或损伤,提高刻蚀的选择性。
2023-08-17 15:39:392855 实际使用的材料多由多晶体组成,多晶体材料是由许多取向不同的小单晶体,即晶粒组成的。晶粒和晶粒之间的过渡区域就称为晶界
2023-08-11 10:20:381077 在半导体前端工艺第三篇中,我们了解了如何制作“饼干模具”。本期,我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点,在于如何移除不需要的材料,即“刻蚀(Etching)工艺”。
2023-08-10 15:06:10506 晶体管是现代电子设备中至关重要的组件,而芯片则是晶体管的集成。晶体管是一种用于控制电流的电子器件,它是由半导体材料制成的。晶体管的发明和发展对现代科技的进步起到了重要的推动作用。
2023-08-04 09:45:301076 TP-PM-1光合速率测定仪是植物学研究中常用的仪器,主要用于测量流经叶片前后CO2和H2O的浓度变化,分析叶片与环境发生的气体交换,从而计算植物叶片光合速率、叶片蒸腾速率、细胞间CO2浓度、气孔导度、水分利用率等参数指标。光合速率测定仪主要应用于农林业、园艺、微生物、昆虫等专业行业及科学试验中。
2023-08-03 14:37:05377 类型。
双极结型晶体管(BJT)
双极结型晶体管是由基极、集电极和发射极 3 个区域组成的晶体管。双极结型晶体管(与 FET 晶体管不同)是电流控制器件。进入晶体管基极区的小电流会导致从发射极流向集电极
2023-08-02 12:26:53
在微电子制造中,刻蚀技术是制作集成电路和其他微型电子器件的关键步骤之一。通过刻蚀技术,微电子行业能够在硅晶片上创建复杂的微观结构。本文旨在探讨刻蚀设备的市场规模以及行业内的竞争格局。
2023-08-02 10:01:08623 刻蚀(Etching)的目的是在材料表面上刻出所需的图案和结构。刻蚀的原理是利用化学反应或物理过程,通过移除材料表面的原子或分子,使材料发生形貌变化。
2023-08-01 16:33:383908 带宽(Bandwidth)单位用bps(bit/s),表示每秒钟传输的二进制位数。下载速率单位用Bps(Byte/s)表示,表示每秒钟传输的字节数。1Byte(字节)=8bit(位),即下载速率
2023-07-31 17:38:15518 电子发烧友网报道(文/周凯扬)在半导体制造的各路工序中,尤其是前道工序中,技术难度最大的主要三大流程当属光刻、刻蚀和薄膜沉积了。这三大工艺的先进程度直接决定了晶圆厂所能实现的最高工艺节点,所用产品
2023-07-30 03:24:481556 Accura BE作为国产首台12英寸晶边刻蚀设备,其技术性能已达到业界主流水平。” Accura BE通过软件系统调度优化和特有传输平台的结合,可以提升客户的产能。
2023-07-19 16:50:011140 据介绍,在器件制造过程中,由于薄膜沉积、光刻、刻蚀和化学机械抛光等工艺步骤的大幅增长,在晶圆的边缘造成了不可避免的副产物及残留物堆积,这些晶边沉积的副产物及残留物骤增导致的缺陷风险成为产品良率的严重威胁。
2023-07-19 15:02:26607 第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH),即多次交替循环刻蚀和淀积工艺,刻蚀工艺使用的是SF6气体,淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:463213 在上一篇文章,我们介绍了光刻工艺,即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步,将在晶圆上进行刻蚀工艺,以去除不必要的材料,只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58843 图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中,刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步,用于去除光刻胶(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备,在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571177 我们在使用工业路由器的时候,往往最关注的是它到底快不快。那么工业路由器的速度到底如何?它的功率一般多大?5G下的工业路由器速率与旧版路由器区别在哪,本文将为您一一解答。▍工业路由器速率多少合适适合
2023-06-14 15:44:23437 MAX9205/9207串行器和MAX9206/9208解串器设计用于通过点对点互连传输高速数据。MAX400-MAX600的串行“有效载荷”数据速率为9207Mbps至9208Mbps
2023-06-10 14:43:491762 光刻工艺后,在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形,下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353318 硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒,一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 但是,HCl为基体的刻蚀溶液,会严重地侵蚀Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe,使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体,而且对Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 一定速率的pn序列直接扩频与扩频信号带宽的关系是什么?
以及如果知道信息速率,怎么样求它的系统扩频增益?
那具体的换算怎么进行呢?
2023-05-16 17:34:28
看到一个公式,数据传输率:13.56MHZ/128 = 106Kbit/s;其中13.56MHZ是载波频率,为什么要除以128,数据传输速率和载波频率有什么关系?
2023-05-10 17:13:18
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 关于S32K3:当人为短路晶体导向S32K3产品复原位进入sBAF,是不是看门狗还能起作用?
2023-04-24 07:55:16
压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓,同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922 在 OTN 协议中,出现了各种各样的速率定义。隐含在这些速率定义的数值之下的,是 OTN 协议的潜在规律和及一些关键性的原理。
2023-04-13 09:37:362595 的圆台硅通孔,采用的是在顶部不断横向刻蚀的方式实现的,不利于封装 密度的提高,且对于光刻设备的分辨率有一定的要求。针对现有技术中的问题,一种严格控制横向 刻蚀尺寸 (仅占原始特征尺寸的 3%~12
2023-04-12 14:35:411569 金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制,防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题,因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM栅工艺中,在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层,然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作,这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺,如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182459 我在设计 PCB 时犯了一个错误,我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1:基极,2:发射极,3:集电极,但我需要一个晶体管,1:基极,2:集电极,3:发射极。引脚号与此图像相关:你知道有这种封装的晶体管吗?我知道我可以将它倒置并旋转,但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
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