发展到以氮化镓、碳化硅为代表的第三代以及以氧化镓、氮化铝为代表的第四代半导体。目前以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体器件正发展得如火如荼，在商业化道路上高歌猛进。 与此同时，第四代半导体材料的研究也频频取得
2023-04-02 01:53:36
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深圳市萨科微半导体有限公司，技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，掌握第三代半导体碳化硅功率器件国际领先的工艺，和第五代超快恢复功率二极管技术。萨科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
2023年，东芝半导体的功率器件销售额估计约为1000亿日元，其中35%用于汽车市场，20%用于工业市场。
2024-03-04 18:10:33307 将大幅调整，将有一连串人事新布局，两位资深副总米玉杰、侯永清将增加不同领域历练，第三代接班梯队正式成军。 魏哲家未来接任董事长兼总裁，成为继创办人张忠谋后，台积电拥有参与公司决策方针和统帅三军大权的第二人。 据调查，台积电首波
2024-03-04 08:56:47294 2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用，由深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）建设运营，预计今年衬底和外延产能达25万片
2024-02-29 14:09:14234 总计投资32.7亿元人民币的第三代半导体碳化硅材料生产基地是中共广东省委和深圳市委重点关注的项目之一，同时也是深圳全球招商大会的重点签约项目。
2024-02-28 16:33:34336 。Xeon®可扩展处理器（第三代）基于平衡、高效的结构，可提高芯体性能、储存器和I/O带宽，以加速从数据中心到边缘的各种工作负载。 这些器件采用Int
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon®金牌处理器（第三代）Intel® Xeon®金牌处理器（第三代）支持高内存速度和增加内存容量。Intel® Xeon®金牌处理器具有更高性能、先进的安全技术以及内置工作负载加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon®铂金处理器（第三代）Intel® Xeon®铂金处理器（第三代）是安全、敏捷、数据中心的基础。这些处理器具有内置AI加速、先进的安全技术和出色的多插槽处理性能，设计用于任务关键
2024-02-27 11:57:15
近日，中国证监会正式披露了芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司（以下简称“芯三代”）首次公开发行股票并上市的辅导备案报告。这标志着这家尖端半导体芯片制造设备公司正式踏上了资本市场的发展之路，将为中国第三代半导体产业的崛起注入新的活力。
2024-02-25 17:57:40720 今日，小米召开主题为“新层次”的新品发布会，正式推出了小米14 Ultra手机。新机搭载第三代骁龙8移动平台，集小米领先技术于一身，带来全方位跨越的新一代专业影像旗舰，让真实有层次。
2024-02-23 09:17:36352 在清洁能源、电动汽车的发展趋势下，近年来第三代半导体碳化硅和氮化镓受到了史无前例的关注，市场以及资本都在半导体行业整体下行的阶段加大投资力度，扩张规模不断扩大。在过去的2023年，全球第三代半导体
2024-02-18 00:03:002542 服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块检测标准l GJB548B-2005微电子器件试验⽅法和程序l
2024-01-29 22:40:29
服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101分立器件认证l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101认证试验广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验，为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务，同时，我们也开展了间歇工作寿命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04843 
第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁带宽度较大，又被 称为宽禁带半导体材料。
2024-01-23 10:06:04258 
据云塔科技消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝异质集成射频微系统芯片研究”项目启动会暨实施方案论证会在云塔科技（安努奇）举行。
2024-01-23 09:56:16448 为首的第三代半导体材料在这一趋势下逐渐从科研走向产业化，并成为替代部分硅基功率器件的明确趋势。然而，目前行业仍存在一些挑战和改进的空间。未来需要对产业链各环节进行
2024-01-19 08:30:303696 
第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较
2024-01-16 10:48:49314 
电子发烧友网报道（文/刘静）在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域的需求带动下，第三代半导体市场近几年高速增长。尽管今年半导体经济不景气，机构投资整体更理性下，第三代半导体企业的融资仍加速狂飙
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半导体以此特有的性能优势，在半导体照明、新能源汽车、新一代移动通信、新能源并网、高速轨道交通等领域具有广阔的应用前景。2020年9月，第三代半导体被写入“十四五”规划，在技术、市场与政策的三力驱动下，近年来国内涌现出多家第三代半导体领域龙头公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，华大半导体旗下中电化合物有限公司荣获“中国第三代半导体外延十强企业”称号，其生产的8英寸SiC外延片更是一举斩获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”。这一荣誉充分体现了中电化合物在第三代半导体外延领域的卓越实力和领先地位。
2024-01-04 15:02:23523 石金科技近日宣布将募集3.5亿元资金，用于多个关键项目的发展。这些项目涵盖了补充公司流动资金、建设石金（西安）研发中心及生产基地、光伏关键辅材集成服务生产以及第三代半导体热场及材料的生产。
2024-01-03 16:09:22456 近期，由第三代半导体产业知名媒体与产业研究机构“行家说三代半”主办的“2023年行家极光奖”颁奖典礼在深圳正式拉开帷幕，数家SiC&GaN企业代表参加，共同见证第三代半导体产业的风采。
2023-12-27 10:47:55225 
的分析与展望。 Cambridge GaN Devices（CGD） 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。 CGD由剑桥大学
2023-12-26 14:15:215610 
芯联集成已全力挺进第三代半导体市场，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模组封装技术的研究开发与产能建设。短短两年间，芯联集成便已成功实现技术创新的三次重大飞跃，器件性能与国际顶级企业齐肩，并且已稳定实现6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大规模生产。
2023-12-26 10:02:38247 “时间就是金钱”这句话在半导体器件的生产测试中尤为贴切。
2023-12-25 17:21:03286 
领先的测试与测量解决方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信号示波器荣获年度优秀产品奖。 本届行家极光奖特别设立了【年度企业】、【年度优秀产品】、【十强榜单】三大奖项，力图为第三代半导体行业树立标杆，提升企业品牌认知度和影响力，为行业发展注入
2023-12-21 17:40:02266 
半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体也因而诞生。
2023-12-21 15:12:20820 
派恩杰半导体专注第三代半导体功率器件领域，产品涵盖碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化镓HEMT等多个方向。始创于2018年，公司拥有国内最为全面的碳化硅功率器件产品。
2023-12-18 14:38:17447 12月14日，第三代半导体行家极光奖在深圳重磅揭晓，派恩杰半导体荣膺“中国SiC器件Fabless十强企业”称号。
2023-12-15 10:57:45466 2023年11月29日，第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)和“第三代半导体标准与检测研讨会”成功召开，是德科技参加第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)，并重磅展出第三代半导体动静态测试方案
2023-12-13 16:15:03241 
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
快科技11月21日消息,今天星纪魅族集团董事长兼CEO沈子瑜发文正式宣布,魅族21将首批搭载行业最强的第三代骁龙8。 新机发布会此前已经官宣,将会在11月30日揭晓。 值得注意的是,这次魅族表示将会
2023-11-21 11:48:12453 —AMD加强广受好评的第三代EPYC CPU产品组合，为支持主要业务基础设施的服务器提供性能和能效— —包括Cisco、Dell Technologies、Gigabyte、HPE、Lenovo
2023-11-11 10:37:54934 对于半导体器件而言热阻是一个非常重要的参数和指标，是影响半导体性能和稳定性的重要因素。如果热阻过大，那么半导体器件的热量就无法及时散出，导致半导体器件温度过高，造成器件性能下降，甚至损坏器件。因此，半导体热阻测试是必不可少的，纳米软件将带你了解热阻测试的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
2023年10月25日 - 2023全国第三代半导体大会今日在深圳宝安格兰云天国际酒店四楼会议厅隆重开幕。本届大会由今日半导体主办，吸引了来自全国各地的400多家企业参与，共同探讨第三代半导体产业的发展趋势和应用前景。
2023-11-06 09:45:31234 点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，这些半导体材料也称为第三代
2023-11-03 12:10:02273 
氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造 而成的晶圆片。衬底可以直接进入 晶圆制造环节生产半导体器件，也 可以经过外延加工，即在衬底上生 长一层新的单晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694 一 F-200A-60V 半导体器件测试机专为以下测试需求研制： 二 技术参数
2023-10-12 15:38:30
随着科技的不断进步，电力电子领域正在发生着深刻的变化。在这个变化中，第三代半导体氮化镓（GaN）技术成为了焦点，其对于充电器的性能和效率都带来了革命性的影响。
在传统的硅基材料中，电力电子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有许多优势，这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:34:28295 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安电子科技大学表示，该项目竣工后，将具备6至8英寸氮化镓晶片生长、工程准备、密封测试等整个工程的研发和技术服务能力。接着革新中心是第三代半导体技术公共服务平台和产业，围绕国家第三代半导体产业的重大战略需求为中心，5g通信、新能源汽车等领域的、芯片和微系统模块的开展关键技术研发。
2023-09-25 11:20:56840 行业协会指导，深圳市人民政府联合中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组主办。继21日上午的高峰论坛成功举办后，汽车芯片与第三代半导体应用论坛作为本届峰会亮点正式开启。 当前，随着汽车四化时代来临，汽车产业迎来更大风口，
2023-09-25 09:09:35521 
随着全球进入物联网、5G、绿色能源和电动汽车时代，能够充分展现高电压、高温和高频能力、满足当前主流应用需求的宽禁带半导体高能量转换效率半导体材料开始成为市场宠儿，开启了第三代半导体的新纪元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，它突破硅基半导体材料物理限制，成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。
2023-09-19 15:55:20893 
新能源汽车和光伏、储能设施在全球加速普及，为第三代半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。 长电科技厚积薄发定位创新前沿，多年来面向第三代半导体功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，东科半导体（安徽）股份有限公司与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。由北京大学科学研究部谢冰部长及马鞍山市委书记袁方共同为北大-东科联合研发中心揭牌。图左为袁方书
2023-09-19 10:07:33452 
已广泛应用于PD快充、电动汽车、光伏储能、数据中心以及充电桩等领域的第三代半导材料，近年来越来越受到半导体各行业的关注。目前，领先器件供应商在第三代半导体领域做了什么?有什么技术难点?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽车和光伏,储能设施在全球加速普及,为第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。长电科技厚积薄发定位创新前沿,多年来面向第三代半导体功率器件开发
2023-09-18 16:11:25261 材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。 将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体，或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成
2023-09-12 16:19:271932 
意法半导体的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合蓝牙SIG核心规范5.2版本要求，兼具出色的射频性能和极长的电池寿命。BlueNRG-LP SoC适用于点对多点连接和蓝牙SIG
2023-09-08 06:57:13
。面对新材料、新器件和新特性在设计、生产和使用中的全新挑战， 泰克结合多年在第三代半导体产业的丰富经验和领先的功率器件动态参数测试系统为客户提供支持服务 ，同时在北京成立第三代半导体测试实验室，帮助行业内客户、合作
2023-09-04 12:20:01234 据锡山经济技术开发区消息，芯动第三代半导体模块将在测试项目主体上盖屋顶，10月土木工程竣工，12月底投产。凯威特斯半导体设备配件再制造事业已经完成了第一次竣工和第二次主体屋顶工程，计划于今年12月竣工，2024年3月批量生产。
2023-08-31 09:25:07447 据融合资产消息，此次融资后融合资产将在芯片生产线、家具用、工商能源储存、充电包、新能源汽车等多个领域展开合作，帮助建设第三代半导体智能电力模块生产线。
2023-08-30 09:24:55228 随着科技的不断进步，新的半导体材料正在为整个电子行业带来深刻的变革。在这场技术革命的前沿，第三代半导体材料崭露头角。与前两代半导体材料相比，第三代半导体在高温、高压、高频等应用环境中展现出了更为出色的性能。从材料分类的角度来看，第三代半导体材料主要可以分为以下四类。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的产业结构。
2023-08-11 10:17:54915 
近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代
2023-08-04 14:57:57348 近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网、第三代半导体产业主办，西安电子科技
2023-08-04 11:28:56920 
如今砷化镓、磷化铟等作为第二代化半导体因其高频性能效好主要是用于射频领域，碳化硅、和氮化镓等作为第三代半导体因禁带宽度和击穿电压高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 来源：内容转自公众号21tech（News-21），作者：李强。于代辉英飞凌科技高级副总裁英飞凌科技零碳工业功率事业部大中华区负责人减碳趋势下的节能、高效需求同样给第三代半导体的登场搭好了舞台。过去
2023-07-06 10:07:54367 
半导体是当今世界的基石，几乎每一项科技创新都离不开半导体的贡献。过去几十年，硅一直是半导体行业的主流材料。然而，随着科技的发展和应用需求的增加，硅材料在一些方面已经无法满足需求，这促使第三代半导体
2023-07-05 10:26:131322 
点击上方 “ 意法半导体中国” ， 关注我们 ❖ 双方将合作研发先进功率半导体技术，推动航空业向混动和纯电动系统转型 ❖ 合作研发的半导体器件将助力未来的混动直升机、飞机
2023-06-29 08:10:02343 
据蓝色空港消息，先进半导体制造项目主要从事第三代半导体功率器件的设计、研发、制造、功率器件clip先进工程包装、电力驱动产品应用方案的开发和销售。该项目总投资8亿元，分三期建设，一期投资2亿元，计划建设6条clip先进包装生产线。
2023-06-27 10:31:18602 据公告，此次建设的第三代半导体输出配件生产项目位于湖北省武汉市东湖新技术开发区，总投资额约为60亿元，包括36亿元股权融资和24亿元银行贷款。构筑第3代半导体外延、晶片制造、组装测试等生产线的该事业，将具备能够生产6英寸硅晶片及外延36万个、输出配件模块6100万个的能力。
2023-06-27 09:54:38539 继第一代和第二代半导体技术之后发展起来的第三代宽禁带半导体材料和器件，是发展大功率、高频高温、抗强辐射和蓝光激光器等技术的关键核心。因为第三代半导体的优良特性，该半导体技术逐渐成为了近年来半导体研究
2023-06-25 15:59:21
近年来，随着技术的不断发展和计算机应用范围的不断扩大，半导体技术变得愈加重要。在半导体技术的发展历程中，第三代半导体技术的出现为半导体技术的发展带来了新的变革。
2023-06-20 16:55:22611 
国家第三代半导体技术创新中心（以下简称“国创中心”）获批建设两年以来，瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以关键技术研发为核心使命，进一步推动我国第三代半导体产业发展，形成立足长三角、辐射全国的技术融合点和产业创新的辐射源。
2023-06-19 14:55:451660 随着全球宏观环境的逐步恢复，SiC/GaN等第三代半导体产业于2023年迈向新的发展高峰，值此之际，TrendForce集邦咨询于6月15日在在深圳举办了“2023第三代半导体前沿趋势研讨会”，汇聚
2023-06-16 15:37:32964 当前，第三代半导体中的碳化硅功率器件，在导通电阻、阻断电压和结电容方面，显著优于传统硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代传统硅基功率器件已成为行业发展趋势。面对当前行业发展新趋势，威迈斯等新能源汽车
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中关村论坛“北京（国际）第三代半导体创新发展论坛”上，科技部党组成员、副部长相里斌表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异的性能，在信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域有巨大的市场。
2023-06-15 11:14:08313 为期四天的2023广州国际照明展览会（简称：光亚展）在火热的气氛中圆满落幕。此次展会，国星光电设置了高品质白光LED及第三代半导体两大展区，鲜明的主题，引来了行业的高度关注。 其中，在第三代半导体
2023-06-14 10:02:14437 
元旭半导体天津生产基地有新的第三代半导体光电芯片研发中心和装备了生产线晶片材料、芯片设计、芯片制造、芯片包装以及测试等多个重要产业链链接积聚着，新一代Micro-LED半导体集成显示器垂直整合制造重点开展的。
2023-06-09 11:29:15903 第三代半导体设备 第三代半导体设备主要为SiC、GaN材料生长、外延所需的特种设备，如SiC PVT单晶生长炉、CVD外延设备以及GaN HVPE单晶生长炉、MOCVD外延设备等。
2023-06-03 09:57:01787 
成长期。而国内第三代半导体产业经过前期产能部署和产线建设，国产第三代半导体产品相继开发成功并通过验证，技术稳步提升，产能不断释放，国产碳化硅(SiC）器件及模块开始“上机”，生态体系逐渐完善，自主可控能力不断增强，整体竞争实力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534 
确立，产业步入快速成长期。而国内第三代半导体产业经过前期产能部署和产线建设，国产第三代半导体产品相继开发成功并通过验证，技术稳步提升，产能不断释放，国产碳化硅(SiC）器件及模块开始“上机”，生态体系逐渐完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
、新能源汽车、智能电网、5G通信射频等市场的发展，具有较大的发展前景；从分立器件原材料看，随着氮化镓和碳化硅等第三代半导体材料的应用，半导体分立器件市场逐步向高端应用
2023-05-26 15:15:01657 
、新能源汽车、智能电网、5G通信射频等市场的发展，具有较大的发展前景；从分立器件原材料看，随着氮化镓和碳化硅等第三代半导体材料的应用，半导体分立器件市场逐步向高端应用市场推进。随着我国分立器件企业产品
2023-05-26 14:24:29
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 第95期什么是宽禁带半导体？半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461675 
第三代半导体以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
2023-04-26 10:21:32718 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-04-04 14:46:2912684 1200V高速开关系列第三代
2023-03-28 14:59:26
，芯片支撑系统”模式布局第三代半导体 SiC 功率模块以及系统应用，基于STPAK 封装的SiC 模块取得了非常不错的市场成绩。而且中科意创成功研发了国内首台ASIL-D最高功能安全等级的SiC电机控制器，并获得了国内首张ASIL-D产品认证证书。 对
2023-03-24 18:24:394106 氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，在电力电子器件、大功率射频器件、短波长光电器件以及5G通讯等领域具有硅半导体无法比拟的优势。然而，散热问题是制约其发展和应用的瓶颈。通常氮化镓需要氮化铝（AlN）作为过渡层连接到具有高导热系数的衬底上。
2023-03-24 10:37:04570
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