刻蚀机的刻蚀过程和传统的雕刻类似，先用光刻技术将图形形状和尺寸制成掩膜，再将掩膜与待加工物料模组装好，将样品置于刻蚀室内，通过化学腐蚀或物理磨蚀等方式将待加工物料表面的非掩膜区域刻蚀掉，以得到所需的凹槽和沟槽。
2024-03-11 15:38:24
461 
开关电源的高频变压器的频率是由什么决定的呢
2024-03-01 06:52:45
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:44:39283 
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:40:1619 
随着科技的飞速发展，超材料和超表面作为新兴研究领域，吸引了广泛关注。它们通过人工设计的结构，能够在特定条件下表现出特殊的物理性质，为光电子领域带来革命性的变革。COMSOL Multiphysics
2024-02-20 09:20:23
轮廓仪，也被称为白光干涉仪，是利用白光干涉原理进行成像测量的仪器，是一种通过测量干涉光的干涉条纹来获取物体表面形貌的方法。该仪器通过发射一束宽光谱的白光，并将其照射到
2024-02-20 09:10:09
0 台阶仪通过扫描被测样品表面，获取高分辨率的表面形貌数据，能够揭示微观结构的特征和性能。了解工作原理和性能特点台阶仪利用扫描探针在样品表面上进行微观测量，通过探测探针和样品表面之间的相互作用力，获取
2024-02-20 09:06:240 光学3D表面轮廓仪利用白光干涉原理，以0.1nm分辨率精准捕捉物体表面细节，实现三维显微成像测量。广泛应用于材料学领域，可测量各种材料表面形貌，提高超光滑表面形貌的测试精度。
2024-02-19 13:47:01237 
台阶仪是一款超精密接触式微观轮廓测量仪，能高精度测量微观表面形貌，揭示表面微观特征。它具有高速扫描能力，测量范围广泛，可应用于科学研究、材料表征、纳米技术等领域。台阶仪的优势包括高精度、快速测量和广泛适用范围。
2024-02-18 10:51:05242 
在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58548 
干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切换，从而形成所需的图案或结构
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42128 
对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于，两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11:59511 
WD4000无图晶圆几何形貌测量设备采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
中图仪器CP系列台阶仪接触式表面形貌测量仪器主要用于台阶高、膜层厚度、表面粗糙度等微观形貌参数的测量。测量时通过使用2μm半径的金刚石针尖在超精密位移台移动样品时扫描其表面，测针的垂直位移距离被转换
2024-01-04 10:08:52
中图仪器VT6000系列3D共聚焦形貌显微镜以共聚焦技术为原理、结合精密Z向扫描模块、3D 建模算法等，测量表面物理形貌，进行微纳米尺度的三维形貌分析，如3D表面形貌、2D的纵深形貌、轮廓（纵深
2024-01-03 10:05:05
LT3748的工作频率是由什么决定的呢，我查看了芯片手册，里面的参考设计并没有说清楚。另外，LT3748的最大工作频率是多少
2024-01-03 07:24:04
微纳米表面轮廓形貌的测量可以帮助我们了解材料的物理特性、表面形态以及质量状况。如白光干涉仪是一种常见的微纳米表面轮廓仪测量仪器，常用于研究产品的微观形貌和粗糙度；而共聚焦显微镜大倾角超清纳米测量，在满足精度的情况下使用场景更具有兼容性。选择适合的测量仪器对于准确获取样品表面形貌和特征至关重要。
2023-12-20 16:38:09358 
IC的片内和片间非均匀性是什么？有什么作用呢？ IC的片内和片间非均匀性是指在IC设计和制造的过程中，芯片内部或芯片之间出现的性能或结构的不均匀分布现象。这种非均匀性可以在多个层面上存在，例如晶体管
2023-12-19 11:48:24204 片内和片间非均匀性是什么？有什么作用呢？ 片内和片间非均匀性是指光学元件（如透镜）表面上的厚度/形状/折射率等参数的变化，以及元件之间的相对位置误差所引起的光学性能差异。这种非均匀性在光学系统
2023-12-19 11:48:19198 众所周知，化合物半导体中不同的原子比对材料的蚀刻特性有很大的影响。为了对蚀刻速率和表面形态的精确控制，通过使用低至25nm的薄器件阻挡层的，从而增加了制造的复杂性。本研究对比了三氯化硼与氯气的偏置功率，以及气体比对等离子体腐蚀高铝含量AlGaN与AlN在蚀刻速率、选择性和表面形貌方面的影响。
2023-12-15 14:28:30227 
电磁波的激发原理主要分为电极激发原理和磁极激发原理，两者均需要调整电场和磁场，激发物理过程从而产生电磁波。
2023-12-13 16:43:37984 
变频器控制一个电机，最高转速由什么决定
2023-12-13 08:31:48
是在铜面上包裹一层厚厚的、电性良好的镍金合金，是常见的表面处理工艺。
好处主要包括表面平整和保质期长。
缺点是成本较高，焊接强度一般。
绿油板
绿油是指涂覆在PCB铜箔上面的油墨，也叫液态光致阻焊剂
2023-12-12 13:35:04
20多米的四氟传输带在运行的过程中老是跑偏，控制是变频控制，求各位大侠帮忙?谢谢
电机的功率；3KW
2023-12-11 07:01:06
中图仪器SuperViewW系列3d表面微观形貌轮廓仪可测各类从超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。它是以3D非接触方式，测量
2023-12-08 11:27:29
中图仪器SuperViewW1非接触表面形貌仪白光干涉仪具有测量精度高、功能全面、操作便捷、测量参数涵盖面广的优点。它基于白光干涉原理，以3D非接触方式，测量分析样品表面形貌的关键参数和尺寸，测量
2023-12-06 14:04:23
该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:531536 中图仪器SuperViewW1白光干涉表面形貌检测仪是利用光学干涉原理研制开发的超精细表面轮廓测量仪器。它具有测量精度高、操作便捷、功能齐全、测量参数涵盖面广的优点，测量单个精细器件的过程用时短
2023-12-04 14:52:41
晶圆测温系统tc wafer晶圆表面温度均匀性测温晶圆表面温度均匀性测试的重要性及方法 在半导体制造过程中，晶圆的表面温度均匀性是一个重要的参数
2023-12-04 11:36:42
在工业应用中，光学3D表面轮廓仪超0.1nm的纵向分辨能力能够高精度测量物体的表面形貌，可用于质量控制、表面工程和纳米制造等领域。与其它表面形貌测量方法相比，SuperViewW系列光学3D表面
2023-11-29 10:04:380 与其它表面形貌测量方法相比，SuperViewW系列光学3D表面轮廓仪达到纳米级别的相移干涉法(PSI)和垂直扫描干涉法(VSI)，具有快速、非接触的优点。它结合了跨尺度纳米直驱技术、精密光学干涉
2023-11-28 10:59:58241 
半导体前端工艺（第四篇）：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26256 
湿法刻蚀由于成本低、操作简单和一些特殊应用，所以它依旧普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
中图仪器CP200国产台阶形貌仪是一种接触式表面形貌测量仪器，可以对微米和纳米结构进行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波纹和表面粗糙度等的测量。测量时通过使用2μm半径的金刚石针尖在超精密位移台移动
2023-11-09 09:11:26
干涉现象，使用白光源照射物体，并将反射光经过干涉仪的分光装置后形成干涉图样。通过观察干涉图样的变化，就可以获得物体表面形貌的细节信息。
如何使用白光干涉仪来测量坑的形貌？在使用白光干涉仪测量坑的形貌
2023-11-06 14:27:48
晶圆在加工过程中的形貌及关键尺寸对器件的性能有着重要的影响，而形貌和关键尺寸测量如表面粗糙度、台阶高度、应力及线宽测量等就成为加工前后的步骤。以下总结了从宏观到微观的不同表面测量方法：单种测量手段
2023-11-03 09:21:580 晶圆在加工过程中的形貌及关键尺寸对器件的性能有着重要的影响，而形貌和关键尺寸测量如表面粗糙度、台阶高度、应力及线宽测量等就成为加工前后的步骤。以下总结了从宏观到微观的不同表面测量方法：单种测量手段
2023-11-02 11:21:54462 
均匀性是衡量工艺在晶圆上一致性的一个关键指标。比如薄膜沉积工序中薄膜的厚度；刻蚀工序中被刻蚀材料的宽度，角度等等，都可以考虑其均匀性。
2023-11-01 18:21:13608 
导语：均匀性在芯片制程的每一个工序中都需要考虑到，包括薄膜沉积，刻蚀，光刻，cmp，离子注入等。较高的均匀性才能保证芯片的产品与性能。那么片内和片间非均匀性是什么？如何计算？有什么作用呢？
2023-11-01 18:21:12503 
？它是利用干涉现象，使用白光源照射物体，并将反射光经过干涉仪的分光装置后形成干涉图样。通过观察干涉图样的变化，就可以获得物体表面形貌的细节信息。 如何使用白
2023-10-26 10:47:58
WD4000无图晶圆几何量测系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2023-10-24 09:42:25554 
WD4000半导体晶圆表面三维形貌测量设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示
2023-10-23 11:05:50
众所周知，倾斜光纤光栅可以激发众多的包层模式，并且对光纤表面周围环境敏感。当光纤包层模式与表面等离子共振相位匹配时，倾斜光纤光栅可以在金表面激发倏逝表面等离子体共振波。
2023-10-20 15:48:08330 
但是，在刻蚀SOI衬底时，通常会发生一种凹槽效应，导致刻蚀的形貌与预想的有很大出入。那么什么是凹槽效应？什么原因引起的？怎么抑制这种异常效应呢？
2023-10-20 11:04:21454 
白光干涉仪广泛应用于科学研究和工程实践各个领域中。它作为一款用于对各种精密器件及材料表面进行亚纳米级测量的检测仪器，在测量坑的形貌方面扮演着举足轻重的角色。白光干涉仪怎么测量坑的形貌？它是利用
2023-10-20 09:52:210 CAN总线上最多挂多少设备由什么决定？
2023-10-16 06:39:28
在刻蚀SOI衬底时，通常会发生一种凹槽效应，导致刻蚀的形貌与预想的有很大出入。那么什么是凹槽效应？什么原因引起的？怎么抑制这种异常效应呢？
2023-10-11 18:18:43978 
纳米级测量中，由于物体尺寸的相对较小，传统的测量仪器往往无法满足精确的要求。而纳米级测量仪器具备高精度、高分辨率和非破坏性的特点，可以测量微小的尺寸。1、光学3D表面轮廓仪SuperViewW1光学3D
2023-10-11 14:37:46
刻蚀（或蚀刻）是从晶圆表面去除特定区域的材料以形成相应微结构。但是，在目标材料被刻蚀时，通常伴随着其他层或掩膜的刻蚀。
2023-10-07 14:19:252073 
有过深硅刻蚀的朋友经常会遇到这种情况：在一片晶圆上不同尺寸的孔或槽刻蚀速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447 
在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
SuperViewW系列白光干涉显微形貌仪是以白光干涉技术原理，通过测量干涉条纹的变化来测量表面三维形貌，是一款用于精密零部件之重点部位表面粗糙度、微小形貌轮廓及尺寸的纳米级测量仪器。产品简介
2023-09-26 14:12:49
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03996 
SuperViewW1白光干涉表面形貌仪用于对各种精密器件及材料表面进行亚纳米级测量，可测各类从超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等
2023-09-19 14:31:26
IO的电平难道不是由对应bank电源引脚的输入电压决定的吗？在硬件上已经把bank0的电源连接到3.3V了，通过sysctl_set_power_mode似乎不能把某个引脚设定到1.8V，请问是这个函数作用是什么？
2023-09-15 07:17:14
台阶仪是一种接触式表面形貌测量仪器，可以对微米和纳米结构进行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波纹和表面粗糙度等的测量。中图仪器CP系列台阶仪接触式表面形貌测量仪广泛应用于：大学、研究实验室和研究所
2023-09-14 16:10:14
SuperViewW1三维白光干涉表面形貌仪采用光学干涉技术、精密Z向扫描模块和3D重建算法组成测量系统，高精度测量；隔振系统能够有效隔离频率2Hz以上绝大部分振动，消除地面振动噪声和空气中声波振动
2023-09-13 10:30:22
表面贴装技术中的钢网设计是决定焊膏沉积量的关键因素，而再流焊后形成的焊点形貌与钢网的开口设计有着千丝万缕的联系。从SMT锡膏印刷工艺的理论基础出发，结合实际PCB（印制线路板）上锡膏印刷量，针对在不同线宽的高速信号线衍生形成的焊盘上印刷不同体积的锡膏量，论证再流焊后形成的焊点形貌。
2023-09-12 10:29:03383 
SuperViewW1光学材料表面形貌测试仪是利用光学干涉原理研制开发的超精细表面轮廓测量仪器，具有测量精度高、操作便捷、功能齐全、测量参数涵盖面广的优点，测量单个精细器件的过程用时2分钟以内，确保
2023-09-08 17:32:10
湿法刻蚀由于精度较差，只适用于很粗糙的制程，但它还是有优点的，比如价格便宜，适合批量处理，酸槽里可以一次浸泡25张硅片，所以有些高校和实验室，还在用湿法做器件，芯片厂里也会用湿法刻蚀来显露表面缺陷（defect），腐蚀背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
白光干涉仪是一种常见的测量设备，它能够利用不同的光束干涉原理来观察和测量显微形貌。当白色光经过分束镜分成两束光线，这些光线在目标物体上反射后重新合并。这样，生成的光束会发生干涉，由此产生一系列明暗相间的干涉条纹。这些条纹的形状和间距与目标物体的表面形貌直接相关。
2023-08-23 10:35:21441 
激光共聚焦显微镜原理是由LED光源发出的光束经过一个多孔盘和物镜后，聚焦到样品表面。之后光束经样品表面反射回测量系统。再次通过MPD上的针孔时，反射光将只保留聚焦的光点。最后，光束经分光片反射后在
2023-08-22 15:19:49
白光干涉仪以白光干涉为原理，广泛应用于材料科学等领域，对各种产品、部件和材料表面的平面度、粗糙度、波纹度、面形轮廓、表面缺陷、孔隙间隙、台阶高度、弯曲变形情况、磨损情况、腐蚀情况、加工情况等表面形貌
2023-08-21 13:46:12
光学3D表面轮廓仪是基于白光干涉技术，结合精密Z向扫描模块、3D 建模算法等快速、准确测量物体表面的形状和轮廓的检测仪器。它利用光学投射原理，通过光学传感器对物体表面进行扫描，并根据反射光的信息来
2023-08-21 13:41:46
PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜，降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙，并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不需要的蚀刻或损伤，提高刻蚀的选择性。
2023-08-17 15:39:392855 和共聚焦3D显微形貌检测技术，广泛应用于涉足超精密加工领域的三维形貌检测与表面质量检测方案。其中，VT6000系列共聚焦显微镜，在结构复杂且反射率低的表面3D微观形貌重构与检测方面具有不俗的表现。
一
2023-08-04 16:12:06
刻蚀（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的图案和结构。刻蚀的原理是利用化学反应或物理过程，通过移除材料表面的原子或分子，使材料发生形貌变化。
2023-08-01 16:33:383908 电子发烧友网报道（文/周凯扬）在半导体制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技术难度最大的主要三大流程当属光刻、刻蚀和薄膜沉积了。这三大工艺的先进程度直接决定了晶圆厂所能实现的最高工艺节点，所用产品
2023-07-30 03:24:481556 
白光干涉仪利用白光干涉原理，通过测量光的相位变化来获取物体表面的形貌信息。在工业制造、科学研究等领域，被广泛用于测量精密器件的形貌、表面缺陷检测等方面。白光干涉仪通过对干涉条纹进行图像处理，可以获得
2023-07-21 11:05:48418 
白光干涉仪测量的结果通常以二维形貌图或三维形貌图的形式展示。二维形貌图是对干涉条纹进行图像处理得到的，显示出被测物体表面的高低起伏。而三维形貌图则是在二维图像的基础上，进一步还原出物体表面的立体形貌
2023-07-21 11:03:00522 
第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:463214 
NightN光学表面形貌测试仪HION产品介绍：光学测试仪HION用于光学表面测试。该技术基于 Shack-Hartmann 方法。激光束从被测光学表面反射并进入 Shack-Hartmann 波前
2023-06-29 14:12:45
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58843 
PCB板为什么要做表面处理？
由于PCB上的铜层很容易被氧化，因此生成的铜氧化层会严重降低焊接质量，从而降低最终产品的可靠性和有效性，为了避免这种情况的发生，需要对PCB进行表面处理。
常见的表面
2023-06-25 11:17:44
PCB板为什么要做表面处理？
由于PCB上的铜层很容易被氧化，因此生成的铜氧化层会严重降低焊接质量，从而降低最终产品的可靠性和有效性，为了避免这种情况的发生，需要对PCB进行表面处理。
常见的表面
2023-06-25 10:37:54
白光干涉仪是以白光干涉技术原理，对各种精密器件表面进行纳米级测量的光学3D表面轮廓测量仪，通过测量干涉条纹的变化来测量表面三维形貌，专用于精密零部件之重点部位表面粗糙度、微小形貌轮廓及尺寸的非接触
2023-06-16 11:53:051106 
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571177 
光刻工艺后，在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形，下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353319 
刻蚀硅，硅的均匀剥离，同时带走表面颗粒。随着器件尺寸缩减会引入很多新材料（如高介电常数和金属栅极），那么在后栅极制程，多晶硅的去除常用氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，制程关键是控制溶液的温度和浓度，以调整刻蚀对多晶硅和其他材料的选择比。
2023-06-05 15:10:011597 等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
但是，HCl为基体的刻蚀溶液，会严重地侵蚀Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体，而且对Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
白光干涉仪又叫做非接触式光学3D表面轮廓仪，是以白光干涉扫描技术为基础研制而成用于样品表面微观形貌检测的精密仪器。它以白光干涉技术为原理，光源发出的光经过扩束准直后经分光棱镜后分成两束，一束经被
2023-05-23 13:58:04
表面形貌即为表面微观几何形态，不仅对接触零件的机械和物理特性起着决定作用，而且对一些非接触零件的光学和外部特性影响也很大。所以对表面形貌的精准测量能正确地识别出加工过程的变化和缺陷，对研究表面几何
2023-05-19 16:52:10411 
PTFE表面等离子改性是一种有效的技术手段，可以改变PTFE表面的性质，增加其在各个领域的应用。通过引入亲水基团、改善表面形貌、形成致密的氟化物膜等方式，可以提高PTFE表面的粘附性、润湿性、抗腐蚀性、耐磨性、生物相容性和电性能。
2023-05-19 10:45:39628 
决定PCB表面成型的参考之一。当然，这些项目永远不可能是具有同等重要性的平均重要性。然后，在你准备好依赖这个列表并考虑你具体的产品情况之前，应该澄清每个项目的重要性程度。
ENIG和ENEPIG
2023-04-24 16:07:02
形成的镀层更一致、更均匀，但是缺少如ENIG中镍层提供的保护和持久性。虽然它的表面处理工艺比ENIG更简单，而且比ENIG更划算，但是它不适合在电路制造商那里长期储存。4、化学沉锡化学沉锡工艺通过一个
2023-04-19 11:53:15
压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922 为什么电流互感器的二次测电流由一次侧电流决定呢？
2023-04-13 10:47:57
%） 的圆台硅通孔刻蚀方法被研究探索出来。该方法通过调节 下电极功率 （≤30 W），获得了侧壁角度可调 （70°~88°）、通孔底部开口尺寸小于光刻定义特征尺寸 的圆台硅通孔结构。这一方法有望向三维集成电路领域推广，有助于在封装阶段延续摩尔定律。
2023-04-12 14:35:411569 在DPC陶瓷基板制备过程中，由于电镀电流分布不均匀，导致基板表面电镀铜层厚度不均匀（厚度差可超过100μm），表面研磨是控制电镀铜层厚度，提高铜层厚度均匀性的关键工艺，直接影响陶瓷基板的性能和器件封装质量。
2023-04-12 11:25:121592 金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 开关电源功率是由开关管的最大电流决定吗？例如5v1a的电源，开关管选多大的电流，这个电流是如何算出来的？谢谢
2023-04-04 16:56:04
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