我们知道SMT贴片厂都能做后焊插件,后焊插件的话一般会用到波峰焊,近年来SMT加工厂用选择性波峰焊的也越来越多了,选择性波峰焊有什么优点吗?
2024-03-21 11:04:2862 传感新品 【温州大学:研发MOFs亚纳米孔离子选择性微量移液管传感器体内监测Na+!】 中枢神经系统中电信号和化学信号的传输对生物体的生命过程至关重要。其中,浓度可控的各种离子(Na
2024-02-25 15:24:14149 帧的远程唤醒,兼容 ISO 11898-
2:2016 标准的选择性唤醒帧远程唤醒
➢ 唤醒源诊断识别功能
➢ 总线端口±58V 耐压
➢ ±12V 接收器共模输入电压
➢ IO 口支持 3.3V 或
2024-02-20 09:10:37
蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的过氧化氢(H2O2
2024-02-02 17:56:45306 mA/mm的ID,最大值和27Ω·mm的RON,创下了金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的III族氮化物p-FET的记录。 高密度铌酸锂光子集成电路 在这里,我们证明了类金刚石碳(DLC)是制造基于铁电体的光子集成电路的优越材料,特别是LiNbO3。使用DLC作为硬掩模,我们展示了深蚀刻、紧密
2024-01-16 17:12:33146 选择性波峰焊是一种广泛应用于电子制造业的焊接技术,它具有许多独特的优点和一些不足之处。本文将详细介绍选择性波峰焊的优缺点,帮助读者全面了解该技术的特点及适用范围。 选择性波峰焊的优点之一是高效
2024-01-15 10:41:03164 文章开头,先说一下这个小惊喜是啥?即,SystemVue可以计算带有频率选择性的链路的IIP3,这样对滤波器的指标的估算以及验证,就会更简单和更有把握点。
2024-01-11 14:49:34554 过程中起着重要的作用。这种制造过程通常需要与埋着的SiGe薄膜接触。与这些埋地区域接触需要蚀刻硅并在薄薄的SiGe层中停止。 因此,为了实现精确的图案转移,我们需要一种可控蚀刻的方法。不幸的是,针对SiGe选择性的RIE技术尚未被发现。幸运的是
2023-12-28 10:39:51131 12月19日消息,近日韩国科学技术院(KAIST)Keon Jae Lee教授领导的研究团队在《自然》(Nature)杂志上发表了一篇题为“应用微真空力技术进行通用选择性转移印刷”的文章,研究团队展示了通过选择性调节微真空力方法,实现巨量转移微型无机半导体芯片。
2023-12-26 13:31:23235 调试AD9214,已经烧了1打,感觉自己不再会用AD了
1.为什么将AD9214输入AIN和/AIN 同时接地会把AD损坏?
2.按照Datasheet做的原理图,在调试输入网络的时候经常烧坏AD,请问输入端有哪些必须注意的地方?
2023-12-20 08:23:29
您好,我用的AD7192,三路采集的时候假如分别为AIN2/AIN3/AIN4,我怎么确定数据寄存器的值为哪一通道的转换结果?请尽快解答,急用
2023-12-18 07:25:32
基于GaN的高电子迁移率,晶体管,凭借其高击穿电压、大带隙和高电子载流子速度,应用于高频放大器和高压功率开关中。就器件制造而言,GaN的相关材料,如AlGaN,凭借其物理和化学稳定性,为等离子体蚀刻
2023-12-13 09:51:24294 在做AD7175-2的项目,
AIN0 接正信号
AIN1 接负信号
ADC数据寄存器是24bit
AIN0与AIN1压差为0mv,ADC数据寄存器为0
AIN0与AIN1压差为1mv
2023-12-13 07:54:52
最近用ad7799做电子秤,如何选择AIN1/AIN2/AIN3通道。可以循环重复设置配置寄存器和模式寄存器,然后等待读取数据吗?我采用这种办法,用的单次转换模式,读出来的三个通道数据完全一样,纠结了。我感觉是单次转换,数据寄存器可以把数据保存很久而不丢失。还怎么解决?
2023-12-13 07:45:37
GaN和相关合金由于其优异的特性以及大的带隙、高的击穿电场和高的电子饱和速度而成为有吸引力的材料之一,与优化工艺过程相关的成熟材料是有源/无源射频光电子器件近期发展的关键问题。专用于三元结构的干法蚀刻工艺特别重要,因为这种器件通常包括异质结构。因此,GaN基光电器件的制造部分或全部依赖于干法刻蚀。
2023-12-11 15:04:20188 刻蚀的机制,按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个刻蚀,包含反应物接近、生成物离开的扩散效应,以及化学反应两部分。
2023-12-11 10:24:18250 液晶显示薄膜恒温恒湿试验箱试验温度:持续时间不能试验的化学品系统组成需注意的几个问题,温湿度箱的选择,本机专门测试各种材料耐热、耐寒、耐干、耐湿的性能。本机可选择中文或英文液晶显示触控式屏幕画面
2023-12-07 14:27:01
使用AD7190获得两路输入(两路电路完全一样),AIN1~AIN2采样数据一直稳定,但AD7190第二通道(AIN3~AIN4)数据一直慢慢变小,关闭第一通道,只使用第二通道,依然如此,请问是什么原因呢?
2023-12-06 08:31:44
GaN和InGaN基化合物半导体和其他III族氮化物已经成功地用于实现蓝-绿光发光二极管和蓝光激光二极管。由于它们优异的化学和热稳定性,在没有其它辅助的情况下,在GaN和InGaN基材料上的湿法蚀刻是困难的,并且导致低的蚀刻速率和各向同性的蚀刻轮廓。
2023-12-05 14:00:22220 LTC2217手册上写的,模拟输入范围(AIN+减去AIN-)为2.75Vpp,正常的差分输入AIN+减去AIN-是有负值的,请问该器件AIN+减去AIN-为2.75Vpp到底是什么意思?
2023-12-05 06:27:56
GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能,GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法,大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成
2023-12-01 17:02:39259
1.AD7797的AIN(+)接传感器的输出,AIN(-)接地,在读数据寄存器数据时,返回结果全为FF,其他寄存器的读写是正常的,这是什么原因?AIN(+)和AIN(-)必须是接差分信号吗?
2.AD7797使用外部参考电压,是否需要进行系统零电平校准和系统满量程校准?
2023-12-01 07:54:20
由于其独特的材料特性,III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤,并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 半导体前端工艺(第四篇):刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26256 GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)由于其高频和低导通电阻的特性,近来在功率开关应用中引起了广泛关注。二维电子气(2DEG)是由AlGaN/GaN异质结中强烈的自发和压电极化效应引起的,这导致传统器件通常处于导通状态,即耗尽模式。
2023-11-27 10:37:47293 ,虽然已经发现KOH基溶液可以蚀刻AlN和InAlN,但是之前还没有发现能够蚀刻高质量GaN的酸或碱溶液。在本文中,英思特通过使用乙二醇而不是水作为KOH和NaOH的溶剂,开发了一种将晶体表面蚀刻为III族氮化物的两步法。
2023-11-24 14:10:30241 蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响,或者用乐观的话来说,可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密,各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题,后面的章节将专门讨论。
2023-11-14 15:23:10217 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。上次带大家了解了它的基础特性:氮化镓(GAN)具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学
2023-11-09 11:43:53434 电子发烧友网站提供《基于PIC单片机的多选择性漏电保护.pdf》资料免费下载
2023-10-30 09:44:400 众所周知,微尺度和纳米尺度的地形结构对真核细胞和原核细胞的行为都有显著的影响。例如,具有特殊尺寸的纳米线、纳米柱、纳米管已被证明具有抗菌性能。开发这种结构提供了一种无药物的方法来对抗感染,这被认为是一种替代释放抗菌剂的常见抗菌表面的替代品。
2023-10-23 09:43:16136 可通过与波峰焊的比较来了解选择性焊接的工艺特点。两者间明显的差异在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液态焊料中,而在选择性焊接中,仅有部分特定区域与焊锡波接触。由于PCB本身就是一种不良的热传导介质,因此焊接时它不会加热熔化邻近元器件和PCB区域的焊点。
2023-10-20 15:18:46255 蚀刻液的化学成分的组成:蚀刻液的化学组分不同,其蚀刻速率就不相同,蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&;碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题,蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构,直接带隙约为3.4eV,目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性,在室温下用湿法化学蚀刻来蚀刻或图案化GaN是非常困难的。与湿法
2023-10-12 14:11:32244 宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构,这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11291 GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限,因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构,其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 刻蚀(或蚀刻)是从晶圆表面去除特定区域的材料以形成相应微结构。但是,在目标材料被刻蚀时,通常伴随着其他层或掩膜的刻蚀。
2023-10-07 14:19:252073 纳米级[1] 。传统的平面化技术如基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃 SOG、低压 CVD、等离子体增强 CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积 —腐蚀 —淀积等 , 这些技术在 IC
2023-09-19 07:23:03
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中,在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层,保留在板外层,即电路的图形部分,然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀,称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30669 很多半导体、光伏行业的制造企业在选择化学品酸碱输送供应管道时,都喜欢选择华林科纳的高纯PFA管,选择华林科纳生产的高纯PFA管作为化学品酸碱输送供应管道有以下几个重要原因: 1、优异的化学稳定性
2023-09-13 17:29:48266 要注意的是,蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。
2023-09-07 14:41:12474 如果您正在寻找一种高性能、高可靠性、高稳定性的电子材料,那么您一定不能错过AIN陶瓷基板。AIN陶瓷基板是一种以氮化铝为主要成分的陶瓷材料,它具有许多优异的特性,使其在电子工业中有着广泛的应用。
2023-09-07 14:01:26571 在印制板外层电路的加工工艺中,还有另外一种方法,就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺,可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。
2023-09-06 09:36:57811 ,以及优化的GaN VGS驱动电压实现较高稳健性和效率。这种集成了自举二极管的单芯片允许设计师实现GaN的性能优势,同时简化设计和减少物料要求。
2023-09-05 06:58:54
不同
由于材料不同,厚膜电阻一般较为厚重,适用于体积较大的电气设备,而贴片电阻因其轻薄柔软的特性,尺寸小巧、容易安装,常用于小型电子产品。
4、适用场景不同
厚膜电阻的耐温性、耐湿性、耐腐蚀性和电气
2023-09-01 17:49:47
下图(a)中的沉积块状层是必需的,这是为了SEG可以生长在设计的区域。下图(c)显示了KOH硅刻蚀,这种刻蚀对<111>晶体硅具有高的选择性。
2023-08-25 09:50:401717 电解质在电化学或光电化学反应中也是一个重要的组成部分,电解质离子可以影响电化学反应的活性和选择性。
2023-08-18 09:28:53890 半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。 化学溶液通过将晶片浸入化学溶液(蚀刻剂)中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域,化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 150L可程式恒温恒湿试验箱试验温度:持续时间不能试验的化学品系统组成需注意的几个问题,温湿度箱的选择,本机专门测试各种材料耐热、耐寒、耐干、耐湿的性能。本机可选择中文或英文液晶显示触控式屏幕画面
2023-08-14 14:40:52
整个覆铜板制作过程中的反应原理是通过感光剂、显影剂和蚀刻液等化学物质与曝光过程中形成的光敏膜产生特定的化学反应,使其能够选择性地去除或保留不同区域的铜箔和线路图案,最终形成所需的印刷电路板。这一过程的控制和优化对于确保PCB质量和性能非常重要。
2023-08-10 15:09:474287 选择性波峰焊和波峰焊是pcba贴片加工中常用的焊接方法之一。然而,这些方法中的每一种都有自己的优点和缺点。
2023-08-07 09:09:34533 SIT1145AQ是一款带选择性唤醒的CAN总线收发器,是应用于CAN协议控制器和物理总线之间的接口芯片,支持5Mbps灵活数据速率(FlexibleData-Rate),具有在总线与CAN协议
2023-08-02 08:08:25724 刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼,常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中,这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。
2023-07-28 15:16:594139 电化学抛光(EP)通过选择性地去除工件表面区域中的特定零件(如粗糙度和氧化物)形成镜面状表面。
2023-07-18 17:24:43550 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03189 下面给出了使用IC4060和IC555的选择性定时器报警电路。众所周知,IC NE555是一个定时器和振荡器,而IC1CD4060是一个内置振荡器的14级二进制计数器。IC1的输出
2023-07-04 18:18:44866 都使用Cl基蚀刻化学物质。当在等离子体放电中分解时,CCl为还原物质提供了来源,并用于去除表面氧化物和Cl,与下面的Al反应。
2023-06-27 13:24:11318 CMOS和MEMS制造技术,允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜,在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用,但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时,这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低,湿法化学也会有问题。
2023-06-26 13:32:441053 的上升时间、下降时间、死区时间和导通延迟时间更短,栅极过充震荡更小,此外也没有体二极管的反向恢复效应。综上,GaN器件的开关波形将更接近理论开关波形,更有助于Class D系统的性能提升。
图6
2023-06-25 15:59:21
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
通过集成和应用相关压力测试的GaN可靠性
2023-06-21 06:02:18
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
纳米线(NWs)已经为气体和生物传感提供了一个极好的平台, 从而研究如何使纳米线的表面功能化,由于纳米尺度尺寸与分子尺寸兼容性,导致我们需要考虑如何使纳米线的表面功能化,从而以良好的选择性检测特定的气体分子。
2023-06-16 14:12:33961 设计。基于双向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一体化“二合一”设计,本文提出了一种高效散热方案采用Navitas集成驱动GaN-Power-IC器件的技术。CCMPFC的开关频率设置为
2023-06-16 08:59:35
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
为了提供更优良的静电完整性,三维(3D)设计(如全围栅(GAA)场电子晶体管(FET ))预计将在互补金属氧化物半导体技术中被采用。3D MOS架构为蚀刻应用带来了一系列挑战。虽然平面设备更多地依赖于各向异性蚀刻,但是3D设备在不同材料之间具有高选择性,需要更多的各向异性蚀刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 衬底上实现高质量的外延生长GaN基材料。GaN材料的生长是在高温下,通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的,生长GaN需要一定的生长温度,且需要一定的NH3分压。
2023-06-10 09:43:44681 用。该技术的缺点是在进行蚀刻之前电路图形需要镀上锡/铅或一种电泳阻剂材料,在应用焊接阻剂之前再将其除去。这就增加了复杂性,额外增加了一套湿化学溶液处理工艺。 2、全板镀铜 在该过程中全部的表面区域和钻孔都
2023-06-09 14:19:07
步入式恒温恒湿试验房的用途:适用于塑胶、电子、食品、服装、车辆、金属、化学、建材、航天等多种行业的温湿变化产品可靠性检测。是指能同时施加温度、湿度应力的试验箱,由制冷系统、加热系统、控制系统、温度
2023-06-09 10:30:45
。本文分别介绍了二阶和三阶交调情况下传统接收机截止点级联方程的改进形式。二阶截止点(IP2)和三阶截止点(IP3)级联方程的数学推导过程引入了给接收级之间增加选择性(S)带来的影响,以改善IIP2与IIP3。
2023-06-08 17:06:15687 可燃气体报警器价格一览:如何选择性价比最高的产品?
2023-06-05 16:27:25644 可程式恒温恒湿试验箱试验温度:持续时间不能试验的化学品系统组成需注意的几个问题,温湿度箱的选择,本机专门测试各种材料耐热、耐寒、耐干、耐湿的性能。本机可选择中文或英文液晶显示触控式屏幕画面,操作简单
2023-06-05 14:33:56
试验箱用途机械钣金结构,主机性能指标设备结构操作恒温恒湿箱注意,材质校正,符合标准选型指南设备选择基本原则安全可靠性温湿度箱的选择产品分类及区别,使用环境要求控制器说
2023-06-01 09:53:03
传感新品 【中科院苏州纳米所:具有Janus结构高机械强度的选择性响应柔性力学传感器】 兼具优异机械性能与不同类型力选择性响应能力,是促进柔性力学传感器件走向实际应用的关键难点之一。现有柔性
2023-06-01 08:45:37391 等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤,然而,载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓(GaN)设备,通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中,英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 微孔利用光和物质的相互作用来获得独特的性质,特别是,当用紫外光、可见光或近红外光在其表面等离子体极化频率附近照射时,金属微孔结构表现出强烈的共振。然而,用于制造微孔的技术是耗时的,并且需要昂贵的设备和专业人员。因此,英思特开发了一种通过湿化学蚀刻硅衬底来制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺,因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定,蚀刻率就会变化,因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:484917 抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,硅单晶锭被切成圆盘(晶片),然后是一个称为拍打的扁平过程,包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤,蚀刻之后是各种单元操作,如抛光和清洗之前,它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 继电保护装置应满足可靠性、选择性、灵敏性和速动性的要求:这四“性”之间紧密联系,既矛盾又统一。
(1)可靠性是指保护该动体时应可靠动作。不该动作时应可靠不动作。可靠性是对继电保护装置性能
2023-04-25 17:32:17
[技术领域] 本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体地说是一种酸性化学品供应控制系 统。 由于半导体行业中芯片生产线的工作对象是硅晶片,而能在硅晶片上蚀刻图形 以及清洗硅晶片上的杂质、微粒子的化学
2023-04-20 13:57:0074 些却不能保证这些应用所需的高可靠性。下面列出了一些可以用于从直流电路到毫米波频段电路以及高速数字(HSD)电路的PCB表面处理:▪化学镍金(ENIG)▪化学镍钯金(ENEPIG)▪热风整平(HASL
2023-04-19 11:53:15
是否有关于 NXP GaN 放大器长期记忆的任何详细信息。数据表说“专为低复杂性线性系统设计”。长期记忆是否不再是当前几代 GaN 器件的关注点?这是整个产品堆栈吗?
2023-04-17 06:12:19
干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻)
2023-04-12 14:54:331004 湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453 影响应用的电池化学选择: 可重用性——首先需要确定的是给定电路是可充电的还是应该依靠电池更换。因此,原电池或二次电池类型可用于该装置。 生命周期耐久性——当电池是电路中使用的原电池时,电池的耐久性
2023-03-29 15:47:44
印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 调温调湿箱全名“恒温恒湿试验箱”是航空、汽车、家电、科研等领域必备的测试设备,用于测试和确定电工、电子及其他产品及材料进行高温、低温、湿热度或恒定试验的温度环境变化后的参数及性能,它主要用于根据试验
2023-03-28 09:02:36
在湿蚀刻的情况下,随着SiNx/SiOy层的厚度减小,剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌,蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402
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