CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
充电头网拿到了安克的一款65W多口氮化镓充电器，这款充电器为长条机身，具有蓝、白、紫、黑四种配色，外观设计简约。充电器配有国标折叠插脚，整体小巧便携。支持100-240V全球宽电压输入，并具备65W
2024-01-13 08:23:11
483 
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化镓芯片和硅芯片的特点和差异。 首先，从材料属性上来看，氮化镓芯片采用
2024-01-10 10:08:14512 氮化镓（GaN）MOS管，是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。由于氮化镓具有优异的电子迁移率、高电子饱和速度和较高的击穿电压能力，使得氮化镓MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 氮化镓MOS管（GaN MOSFET）是一种基于氮化镓材料的金属氧化物半导体场效应管。它结合了氮化镓的高电子迁移率和MOS管的优良特性，具有高速开关速度、低导通电阻、高温工作能力等优点，广泛应用
2024-01-10 09:30:59366 氮化镓（GaN）MOS管是一种新型的功率器件，它具有高电压、高开关速度和低导通电阻等优点，逐渐被广泛应用于功率电子领域。为了充分发挥氮化镓MOS管的优势，合理的驱动方法是至关重要的。本文将介绍氮化
2024-01-10 09:29:02412 氮化镓（GaN）MOS管是一种基于氮化镓材料的金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。它具有许多优点和局限性，下面将详细介绍这些优点和局限性。 优点： 高电子流动性：氮化镓具有很高的电子流
2024-01-09 17:26:491056 氮化镓（GaN）MOS（金属氧化物半导体）管驱动芯片是一种新型的电子器件，它采用氮化镓材料作为通道和底层衬底，具有能够承受高功率、高频率和高温度的特性。GaN MOS管驱动芯片广泛应用于功率电子
2023-12-27 14:43:23532 氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:22350 氮化镓mos管普通的驱动芯片可以驱动吗？ 当涉及到驱动氮化镓（GaN）MOS管时，需要考虑多个因素，包括工作电压、功率需求、频率要求以及电路保护等。通常情况下，GaN MOS管需要专门的驱动芯片
2023-11-22 16:27:58859 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 Keep Tops继年初推出KT65C1R200D 等氮化镓功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化镓功率芯片，Keep Tops产品将高性能、高可靠性电流控制
2023-09-20 16:07:23387 • 输入电压：90VAC到264 VAC的交流，47Hz到63Hz• 输出电压：Type-C输出5 VDC-20 VDC• 输出功率：最大65W• 效率：满足CoC Tier 2和DoE 6级效率
2023-09-08 06:06:00
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
应接口的路径管理管，民信微就能组成完整的2-4串电池，多接口的大功率快充移动电源。英集芯IP5385支持65W充放电功率，民信微满足移动电源、储能电源以及便携设备和电动工具应用。此外，该芯片还具备输入过压欠压保护
2023-08-20 19:34:29
2 和路径管理。这款芯片只需搭配电感和同步开关管以及对应接口的路径管理管，就能组成完整的2-4串电池，多接口的大功率快充移动电源。英集芯IP5385支持65W充放电功率，
2023-08-20 19:31:45
电子发烧友网站提供《用于USB PD的65W有源钳位反激式适配器方案.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:57:375 供应AP8267TCC-R1 绿色工作模式 PWM 控制芯片-65W电源适配器方案，提供AP8267TCC-R1 关键参数 ，广泛应用于机顶盒电源、电源适配器、开放式离线开关电源等领域，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 11:01:52
65W副边外驱MOS充电器芯片U2281是一个高度集成的PWM控制集成电路的反转换器，专门为需六级能效的开关电源而设计的。
2023-07-12 15:49:58267 ; CP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化镓快充电源IC 产品介绍：NCP1342准谐振反激控制器是一种高度集成的高频PWM(脉宽调制)控制器，旨在
2023-07-11 11:31:20
深圳市三佛科技有限公司供应NCP1342原装65W氮化镓快充电源主控芯片，原装，库存现货热销 NCP1342原装65W氮化镓快充电源主控芯片特性集成高压启动电路，带停电检测集成X2电容放电
2023-07-05 15:38:22
安森美65W氮化镓PD充电器芯片 产品介绍：NCP1342准谐振反激控制器是一种高度集成的高频PWM(脉宽调制)控制器，旨在简化高性能脱机功率变换器的设计。NCP13
2023-07-05 15:24:23
拓尔微电子自有品牌65W 2C1A氮化镓快充，内置协议芯片和降压转换器均为自家解决方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多种快速充电协议，兼容性强，可满足各类设备的充电需求，且具备多种保护功能。
2023-06-25 15:03:38863 
器件-小时的测试，其故障率比MOSFET低100倍！
尽管宽带隙器件对温度的灵敏度低于硅器件，对氮化镓器件的可靠性的误解卻依然存在。事实上，芯片级器件的故障机制比封装器件少，而且氮化镓器件已获得车规级
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
33μF400V。
另一颗规格为47μF400V。
差模电感采用磁环绕制，外套热缩管绝缘。
橙果这款65W氮化镓充电器内部采用两路PI的电源芯片，对应两颗不同大小的变压器，组成两路快充电源。其中
2023-06-16 14:05:50
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
超低的电阻和电容，开关速度可提高一百倍。
为了充分利用氮化镓功率芯片的能力，电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后，氮化镓充电器的开关频率，已经从 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
智融65W 氮化镓 充电器+充电宝二合一全套解决方案！
2023-06-13 09:10:591256 
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2023-06-01 17:40:20
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2023-05-31 17:22:55
供应IP2726芯片替料XPD720 65W和65W以内单C过认证内置VBUS MOS)，提供XPD720关键参数 ，XPD720 最高支持 36W 输出功率，广播 PDO 电压可以配置为 5V
2023-05-31 16:33:26
今年3月底魅族的新品发布会发布了PANDAER 67W GaN变速箱潮充，其采用与上一代相同的透明变速箱设计语言，最大输出功率则由65W提升至67W，USB-A口也升级支持UFCS融合快充。效果
2023-05-30 11:27:26
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2023-04-26 14:26:20
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2023-04-26 14:22:28
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2023-04-26 11:44:56
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2023-04-26 11:28:06
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2023-04-26 11:14:31
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2023-04-26 10:54:13
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2023-04-26 10:44:24
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2023-04-26 10:40:40
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2023-04-26 10:22:36
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2023-04-26 09:29:046 供应XPD767 65W和65W以内多协议快充芯片-深圳富满代理 ，XPD767 是一款集成 USB Type-C、USB Power elivery（PD） 3.0
2023-04-26 09:27:36
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2023-04-25 16:58:00
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2023-04-25 16:51:47
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2023-04-25 16:48:09
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2023-04-25 16:19:41
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2023-04-25 15:57:29
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2023-04-25 14:44:51
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2023-04-25 14:22:14
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2023-04-25 11:45:594 供应XPD977 65W和65W以内移动电源多协议快充芯片-多功能USB三端口控制器，XPD977 是一款集成 USB Type-C、USB PowerDelivery（PD
2023-04-25 11:44:53
供应XPD938DP60 65W pps快充协议芯片-A+C共享电源方案 ，更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-24 16:06:14
供应XPD938DP45 65W和65W以内移动电源多协议快充芯片，提供xpd938芯片参数，更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-24 14:48:33
供应XPD938D45 65W和65W以内国产快充协议芯片，单颗芯片实现1C1A模式，更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-24 14:34:36
供应XPD938D30 65W和65W以内支持PD3.0的快充协议芯片，是富满微华南总代理，XPD913 集成同步开关降压控制器，内置功率 MOS。输出电压范围是 3.3V 到21V，能
2023-04-24 14:07:50
供应XPD938APS30 双口qc3.0快充协议芯片，提供65W和65W以内共享1A+1C方案，更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-24 14:00:27
供应XPD938APS25 单颗芯片实现65W和65W以内A+C共享电源方案，更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-24 13:53:22
供应XPD938协议芯片，提供XPD938BP 65W和65W以内A+C共享电源方案 ，XPD913 集成同步开关降压控制器，内置功率 MOS。输出电压范围是 3.3V 到21V，能提供最大 45W
2023-04-24 13:48:38
供应XPD938B 65W和65W以内A+C双口协议芯片，是深圳富满微电子代理商 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-24 13:41:42
供应XPD938A 65W和65W以内多口快充协议双口充电芯片，提供富满XPD938关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-24 11:44:32
供应XPD938，提供XPD93865W和65W以内共享1A1C方案和xpd938系列规格书，更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-24 11:38:033 供应XPD938芯片，提供XPD938 65W和65W以内A+C共享电源方案 ，更多xpd938应用电路产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-24 11:25:55
当今移动设备的电池寿命越来越受到关注，越来越多的用户开始重视快速充电技术。65W（1A2C)PD快充方案是一种颇具竞争力的快速充电方案，能够快速充电移动设备，提高用户的使用体验。
2023-04-23 15:46:247365 、笔记本电脑、路由器等数码产品中。基于氮化镓功率器件，研发出的快充电源方案，可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等提供更高的充电功率，极大提升充电体验。本文介绍了一款65W氮化镓（1A2C） PD快充电源方案，该方案采用功成半导体最新
2023-04-21 11:00:201613 
65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率。
2023-04-20 09:40:201226 
产品特色： 本产品是低成本、已量产的65W多口氮化镓PD快充头，可以与市场上18~65W的产品需求兼容，由于极优的价格，本产品与市场上的低功率充电器成本没有显著的价格差距，可以拿下
2023-04-12 17:34:59
爱美雅）将隆重推出M版多协议兼容65W氮化镓快充头方案，目前已与国内通信龙头及国内一线零售品牌建立了合作关系，未来这款2C1A的氮化镓GaN快充头将卷入65W及45W以下的多口充电需求。
2023-04-11 16:21:36557 
爱美雅公司推出的小型 65W 氮化镓 2C1A 多口充电头，采用茂睿芯成熟稳定的 IC 芯片及第三代半导体制造商-润新微 GaN-MOS，充电器具备 2C1A 三个输出接口，两个 USB-C
2023-04-07 10:59:141224 
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
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