MA4M1050 1个MNS微波芯片电容器重要参数 MA4M1050 1个MNS微波芯片电容器电容(PF):50隔离电压(V):100芯片样式:132 产品详情介绍M
2024-03-20 20:31:19
MADP-011048基本描述M/A-COM Technology Solutions Inc. (MACOM)的一个被动开关,使用了硅PIN二极管在一个非磁性表面安装封装中。这个元件在5至400
2024-03-19 15:23:37
VBsemi ED3P03-VB是一款具有2个P—Channel沟道的功率场效应管,具备以下参数:- 额定电压:-30V- 额定电流:-7A- 导通电阻:35mΩ @ VGS=10V;35m
2024-03-18 16:51:26
型号: E3P303-VB 丝印: VBA4338 品牌: VBsemi 参数:- 2个P—Channel沟道- 电压: -30V- 电流: -7A- RDS
2024-03-18 16:47:51
型号: D3N04H-VB丝印: VBA3638品牌: VBsemi参数:- 2个N-Channel沟道- 额定电压: 60V- 额定电流: 6A- RDS(ON): 27mΩ @ VGS=10V
2024-03-16 16:37:54
: 58mΩ (@VGS=10V,VGS=20V)- 阈值电压: -1~-3V封装: SOP8详细参数说明:- 沟道类型: 2个P-Channel,适用于负电压应
2024-03-15 15:10:38
开关电阻:RDS(ON)=58mΩ @ VGS=10V, RDS(ON)=58mΩ @ VGS=20V- 阈值电压:Vth=-1~-3V封装:SOP8
2024-03-15 15:09:02
我有一个 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一个 NOR 闪存,我可以从中将固件读取到 RAM,然后 NOR 闪存的一部分内存应该EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作为大容量存储设备。
我应该采取什么方法?
2024-03-05 07:23:50
PE047是一款PCIE扩展卡,扩展出1个HDMI显示、2个SDI显示和1个USB3.0HUB。强劲芯片功能强悍可实现一机多显,稳定传输,散热快更稳定。 USB-A3.0接口
2024-02-29 13:53:03
CX3 是否可以实现两个camera的图像拼接?
2024-02-29 08:20:31
CYUSB3304 DS3的2.0和3.0连接了不同的设备,DS3我们2.0接了一个F9P,3.0接了一个5G模组,请问这样是否会有问题?谢谢
2024-02-28 08:14:18
我现在使用FX3来实现FPGA到上位机的数据传输,在使用2个线程用类似于UVC实例中的乒乓机制传输时没有问题。我看到GPIF II最多支持4个线程,所以想试一下4个线程的数据传输,我使用了下面
2024-02-27 06:40:05
CX3 想在使用OV5640的同时又使用GPIO功能,这个两个函数无论先定义谁,后面的一个就会报错。请问是不是GPIO设置冲突问题,怎么解决?
CyFxGpioInit (void
2024-02-26 08:28:52
如题,咨询FX3的两个使用问题:
1,在F1F模式下,烧写成功后,WIN10无法识别设备,切换到0F1,烧写成功后,WIN10同样无法识别设备,所以现在我的板子只能使用USB引导了,烧写到RAM可以
2024-02-22 07:16:38
**详细参数说明:**- 型号:SIS412DN-T1-GE3-VB- 丝印:VBQF1320- 品牌:VBsemi- 封装:DFN8(3X3)- 类型:2个N-Channel沟道- 额定电压
2024-02-20 10:19:23
:13.5A- 导通电阻:10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压:1~3V**应用简介:**这是一款集成了两个N-Channel沟道的功率场效应
2024-02-20 09:48:59
**详细参数说明:**- 型号:Si4286DY-T1-GE3-VB- 丝印:VBA3638- 品牌:VBsemi- 封装:SOP8- 类型:2个N-Channel沟道- 额定电压:60V-
2024-02-20 09:40:14
用tc234l 做QSPI实验,设置loopback模式,当发送超过3个字节时,接收缓存前三个字节总是滞后一个周期(例如周期性发送四个字节数据,每次数据累加1,某一时刻发送0x02 0x02
2024-02-20 07:34:20
**VBsemi CSD17308Q3-VB 产品详细参数说明:**- **丝印标识:** VBQF1310- **品牌:** VBsemi- **封装:** DFN8(3X3)- **通道类型
2024-02-19 15:17:40
**VBsemi SI9933CDY-T1-GE3-VB 产品详细参数说明:**- **丝印标识:** VBA4338- **品牌:** VBsemi- **封装:** SOP8- **通道类型
2024-02-19 15:06:31
**产品型号:** SI4925DDY-T1-E3&19-VB**丝印:** VBA4317**品牌:** VBsemi**参数:**- 封装:SOP8- 沟道类型:2个P-Channel- 额定
2024-02-19 11:43:09
**产品型号:** FDMC2514SDC-VB**丝印:** VBQF1303**品牌:** VBsemi**参数:**- 封装:DFN8(3X3)- 沟道类型:2个N-Channel- 额定电压
2024-02-19 11:20:05
我按照官网提供的SPI例程,先初始化Module,然后在Channel初始化时,将SPI模式配置为3(clock polarity = 1;clock phase=1)。但是此时CLK的状态仍然为
2024-02-18 07:09:54
VBsemi SQ4946AEY-T1-GE3 MOSFET 参数:- 封装:SOP8- 沟道类型:2个N—Channel- 最大电压:60V- 最大电流:6A- RDS(ON):27m
2024-02-03 14:39:11
我们正在尝试使用 ATOM 为 3 个通道配置 ISR 以生成 PWM。 我们只能为一个信道进行配置,而另外两个 ATOM 信道 ISR 不起作用。 如果您对此有任何想法,请告诉我。
在下面配置了
2024-01-29 07:05:39
请找到 KPA 6EDL_SPI_LINK ,我们对这个 KPA 有疑问。在 project perceptive 中,我们只能配置一个 LUT,以及一个配置了 TCPWM 外设的曲柄信号输入。三个 GPIO 引脚需要 3 个 LUT 吗?
2024-01-19 06:29:34
JH7110 有4个U74 core, 请问有方法能关闭其中3个core吗
2024-01-15 06:47:17
### 产品详细参数说明- **型号:** SQ4920EY-T1-GE3-VB- **丝印:** VBA3316- **品牌:** VBsemi- **封装:** SOP8#### 参数
2024-01-02 17:17:07
型号:CEG8205-VB丝印:VBC6N2022品牌:VBsemi封装:TSSOP8**详细参数说明:**- **沟道类型(Channel Type):** 2个N—Channel- **最大漏电
2024-01-02 15:30:33
型号:SQ4284EY-T1-GE3-VB丝印:VBA3410品牌:VBsemi参数:- 封装:SOP8- 沟道类型:2个N—Channel- 额定电压:40V- 最大电流:12A- 开态电阻
2023-12-29 11:37:15
型号:SI4946BEY-T1-E3-VB 丝印:VBA3638 品牌:VBsemi **参数:** - 封装:SOP8 - 沟道类型:2
2023-12-28 11:39:00
按照数据手册,FIFO中的数据最后一个bit是1.但是我们读出来是0.请问FIFO的读出顺序是不是X3,X2,X1,Y3,Y2,Y1,Z3,Z2,Z1?每次8bits.高位在前?谢谢。
2023-12-28 06:48:52
型号:FTD2017-VB丝印:VBC6N2022品牌:VBsemi参数说明:- 类型:2个N沟道- 额定电压:20V- 最大电流:4.8A (每个通道)- 静态导通电阻(RDS(ON)):20m
2023-12-20 15:20:56
, 40mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压(Vth):1V to 3V- 封装:TSSOP8应用简介:AO8801-VB包含2个P沟道场效应晶体管,适
2023-12-18 17:48:59
AD9218的VD 3V的电源怎么解决?可以和VDD公用一个3.3V吗?
2023-12-18 08:27:53
型号:MMDF3P03HDR2G-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:- 类型:2个P沟道- 额定电压(Vds):-30V- 最大持续电流(Id):-7A- 导通电阻(RDS
2023-12-14 10:14:18
型号:SI4948BEY-T1-E3-VB丝印:VBA4658品牌:VBsemi参数:- 类型:2个P沟道- 额定电压(Vds):-60V- 最大持续电流(Id):-5.3A- 导通电阻(RDS
2023-12-13 17:35:24
型号:Si1922EDH-T1-GE3-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi**参数说明:**- 极性:2个N沟道- 额定电压(Vds):20V- 额定电流(Id):2A- 静态导通电
2023-12-13 16:11:26
SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)参数说明:极性:2个N沟道;额定电压:60V;最大电流:6A;导通电阻:27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V;门源电压范围:20Vgs
2023-12-13 10:51:41
我用两片AD7190转换4个压力传感器信号,一个四个通道数据,但是有时会丢失一个通道数据。比如我要求得到通道数是0、1、2、3,但是有时得到1、2、3或是0、1、3通道。下面是我芯片的配置,两个芯片配置一样。
2023-12-12 07:41:32
HY5700-856XG24GX24GT是汉源高科为严格的工业通信系统需求设计的一款机架式三层网管工业以太网交换机,设备采用模块化设计,端口配置具有很高的灵活性,端口配置方式:(1)6个万兆光口
2023-11-20 19:20:09
详细参数说明:该型号VBsemi SI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的P沟道MOSFET。它具有两个P沟道,工作电压为-30V,最大电流为-7A。其在10V下的导通电阻为35m
2023-11-20 17:48:10
如何设计一个高效率低功耗低噪声的直流3V升压到30V的电路?
电流1ma之内即可。
2023-11-16 06:36:14
型号 SI9948AEYT1E3丝印 VBA4658品牌 VBsemi详细参数说明 极性 2个P沟道 额定电压 60V 额定电流 5.3A 开通电阻(RDS(ON)) 58m
2023-11-07 10:56:52
, 70mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1~3Vth 封装 SOP8应用简介 ZXMP6A18DN8TA 是一款具有两个 P 沟道 MOSFET
2023-11-03 10:44:41
型号 SI4920DYT1E3丝印 VBA3316品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 8.5A 导通电阻 20mΩ @10V
2023-11-02 15:19:13
型号 SI3911DVT1GE3丝印 VB4290品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个P沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 4A 导通电阻 75mΩ @4.5V
2023-11-01 15:46:24
型号 SI9945BDYT1E3丝印 VBA3638品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 2个N沟道 额定电压(VDS
2023-11-01 14:18:07
#include
#define led P0
sbit k1=P3^2;
sbit k2=P3^3;
sbit k3=P3^4;
void delay50ms(void)
{
unsigned
2023-11-01 07:42:30
HY5700-854XG24GX-M是汉源高科(北京)科技有限公司推出的一款万兆三层工业以太网交换机,产品配备4个万兆SFP+光口、24个千兆SFP光口,具备先进的硬件处理能力和丰富的业务特性。支持
2023-10-31 14:29:39
HY5700-854XG24GT-M是汉源高科(北京)科技有限公司推出的一款万兆三层工业以太网交换机,产品配备4个万兆SFP+光口、24个10/100/1000M Base-T自适应电口,具备先进
2023-10-30 20:09:45
HY5700-854XG16GX8GT-M是汉源高科(北京)科技有限公司推出的一款万兆三层工业以太网交换机,产品配备4个万兆SFP+光口、16个千兆SFP光口和8个10/100/1000M
2023-10-30 17:32:07
型号 SI4953DYT1E3丝印 VBA4338品牌 VBsemi参数 频道类型 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A RDS(ON) 35mΩ @ 10V, 48m
2023-10-28 16:16:55
型号 SQ9945BEYT1GE3丝印 VBA3638品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 6A 导通电阻 27mΩ @10V
2023-10-28 15:05:44
(ON) 58mΩ @ 10V,70mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压范围 1V~3V 封装类型 SOP8应用简介
2023-10-28 11:54:38
(ON) 58mΩ @ 10V,70mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压范围 1V~3V 封装类型 SOP8应
2023-10-28 10:57:56
SI1967DH-T1-GE3详细参数说明 - 极性 2个P沟道 - 额定电压 -20V - 额定电流 -1.5A - 导通电阻 230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V
2023-10-28 09:49:14
3个IO控制16个按键扫描方式应该怎么写代码
2023-10-27 06:54:29
AT32 3ADC simultaneous trigger介绍了在AT32微控制器上通过同一触发源触发3个ADC转换的方法,实现在任意时刻3个ADC通道的同步动作,以此来满足需要3个ADC同步转换需求的应用。
2023-10-23 07:35:30
MDT10P55B1S,MICROCHIP/微芯,1K个字和状态RA的72个字节 MCUMDT10P55B1S,MICROCHIP/微芯,1K个字和状态RA的72个
2023-10-17 16:35:09
整合88个国外网站下载的电子元器件3D模型,省去逐一下载的麻烦。
2023-09-25 07:47:32
BPI-Centi-S3 是一个板载1.9英寸彩屏的小尺寸ESP32-S3开发板,适合用于彩色显示,交互控制,无线通信,传感器数据采集等物联网综合应用项目的开发。
使用Espressif
2023-09-07 10:11:27
应用: 本样本代码显示如何通过 4 个定时器捕捉和 1个 PWM 捕捉读5个马达的操作速度 。
BSP 版本: M031 BSP CMSIS V3.03.000
硬件
2023-08-29 08:17:46
概述AP8106 系列产品是一种低功耗、高效率、低纹波、工作频率高的 PFM 同步升压 DC-DC 变换器。AP8106 系列产品仅需要三个元器,就可完成将低输入的电池电压变换升压到所需的工作电压
2023-08-24 15:30:36
HY5700-7528G-X系列是汉源高科一款低功耗二层卡轨式管理型工业以太网交换机,支持2个100/1000M SFP接口+8个千兆电口,24/48V电压输入。HY5700-7528G-X支持
2023-07-15 19:21:50
HY5700-7524G-X系列是汉源高科(北京)科技有限公司生产的二层管理型工业交换机,支持2个千兆光口,4个千兆电端口,采用存储转发机制,拥有强大的带宽处理能力,自动排查数据包错误,减少传输故障
2023-07-09 22:09:55
我是整个 ESP-verse 的新手,所以我正在寻找一些指导。
我是一名在相当炎热潮湿的气候中工作的焊工。我用 Sonoffs 设置了 2 个风扇,我用 Android 应用程序控制它们。这工作正常
2023-06-06 13:40:40
特性及指标 3+3U 6 槽 CPCI 背板 支持 33MHz 32bit CPCI 总线 1 个系统槽和 5 个功能槽,系统槽位于背板左侧 3 种供电方式
2023-05-24 15:07:56
1.PCB中,两个不同电压的电源层可以共用一个地层吗?
2.如果可以共用地层的话,对于两个不同电压的电源层是各自用一个地层好,还是共用一个地层好?
3. “两个电源层:3.3V,2.1V; 两个信号层 ;地层” 怎样布局最好?
2023-05-06 10:12:52
在发布了几个关于使用 ESP8266 或 ESP32 构建网页的教程之后,是一个用网页控制便宜的 MP3-TF-16P(也称为 DFPlayer Mini)MP3 播放器的示例。
2023-04-28 08:33:16
我想并排绘制 3 个垂直滑块,中间用一个小空间隔开。
我如何指定正确的定位,或者更好的是, then 之间的空间?
我的测试代码如下,但滑块彼此相距甚远。
代码:全选cls
let pi1 = 2
2023-04-26 06:10:27
我们有 NXP LPC54606J256 控制器。当我们为 P0_22 和 P0_31 设置 pwm 输出 SCT0_OUT3 时,它会在两个引脚上生成 pwm。
根据我们的应用,我们需要两个用于 pwm 的引脚。
让我们知道如何仅在一个引脚上生成 pwm 输出 SCT0_OUT3。
2023-04-23 07:22:32
如何利用BLDC的3个霍尔传感器测量速度呢?
2023-04-18 17:38:17
基于OpenHarmony应用的高质量体验制定标准,并呼吁更多伙伴参与到标准制定过程中来。• 本月新增18款产品通过兼容性测评,累计261款产品通过兼容性测评。一、代码贡献1、 PMC规划共约3K人/月工作量社区共建需求
2023-04-14 11:44:57
ADC_READS - 1 的通道 A。例如,定义 ADC_READS 3,仅读取 ADC0_CH0A、ADC0_CH1A 和 ADC0_CH2A。将目标数组 g_AdcConvResult 的维度从一
2023-04-14 06:09:07
ESP32-C3-MINI-1和ESP32-C3-WROOM-02是等价的,前者是在封装中集成flash,后者是在模组中集成flash。我注意到天线尺寸也不同,这可能会引发一个问题,我们对模块的射频性能有影响吗?例如,一个模块是否具有更长的 Wifi 范围?
2023-04-12 07:52:11
我正在设计自己的电路板,其中一些设备通过 UART 连接到 ESP32-S3-WROOM-1-N4我的电路板设计基于 ESP32-S3-DevKitC-1 v1.1。正如我在文档中阅读的那样,有 3 个 UART 端口,但我只能识别其中的 2 个。
2023-04-12 07:37:32
有一个爱浪X3,中置没声音,其他都正常,求指导
2023-04-08 17:29:12
冲突的方法 框架结构 沟通程序 错误检测等, 3个理由了解为什么CAN总线更好 CAN总线的显著优势在于它高度灵活并提供许多独特的功能,从而导致其他行业的采用率大幅增加。 CAN总线是一种
2023-04-03 14:32:15
MK60FN1M0VLQ15物料3N96B和5N96B的的版本两个版本的不同之处,看怎么修改,谢谢!
2023-03-30 06:44:36
50-84-2022
2023-03-29 22:36:06
HIF3-2022SCF
2023-03-29 21:55:46
DF1B-2022PC
2023-03-29 17:33:23
DMN2022UFDF-7
2023-03-28 13:19:05
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